JP2012532467A - Euv波長域用のミラー、当該ミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 - Google Patents
Euv波長域用のミラー、当該ミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】図1
Description
基板/…/(P1)×N1/(P2)×N2/(P3)×N3/被覆層システムC
ここで、図2及び図3に関しては、
P1=H’BL’B;P2=H’’BL’’B;P3=H’’’BL’’’B;C=HBLM
であり、図1と、図3に関する変形形態としての例示的な第4実施形態とに関しては、
P1=BH’BL’;P2=BL’’BH’’;P3=H’’’BL’’’B;C=HBLM
である。
基板/…/(0.4B4C2.921Si0.4B4C4.931Mo)×8/(0.4B4C4.145Mo0.4B4C2.911Si)×5/(3.509Si0.4B4C3.216Mo0.4B4C)×16/2.975Si0.4B4C2Mo1.5Ru
基板/…/(2.921Si4.931Mo)×8/(4.145Mo2.911Si)×5/(3.509Si3.216Mo)×16/2.975Si2Mo1.5Ru
基板/…/(4.737Si0.4B4C2.342Mo0.4B4C)×28/(3.443Si0.4B4C2.153Mo0.4B4C)×5/(3.523Si0.4B4C3.193Mo0.4B4C)×15/2.918Si0.4B4C2Mo1.5Ru
基板/…/(4.737Si2.342Mo)×28/(3.443Si2.153Mo)×5/(3.523Si3.193Mo)×15/2.918Si2Mo1.5Ru
基板/…/(1.678Si0.4B4C5.665Mo0.4B4C)×27/(3.798Si0.4B4C2.855Mo0.4B4C)×14/1.499Si0.4B4C2Mo1.5Ru
また、説明のためにバリア層B4Cを無視して、
基板/…/(1.678Si5.665Mo)×27/(3.798Si2.855Mo)×14/1.499Si2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
基板/…/(0.4B4C4.132Mo0.4B4C2.78Si)×6/(3.608Si0.4B4C3.142Mo0.4B4C)×16/2.027Si0.4B4C2Mo1.5Ru
また、説明のためにバリア層B4Cを無視して、
基板/…/(4.132Mo2.78Si)×6/(3.609Si3.142Mo)×16/2.027Si2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
Claims (20)
- 基板(S)及び層構成体を備え、前記層構成体はそれぞれ個別層の少なくとも2つの周期(P2、P3)の周期的配列からなる複数の層サブシステム(P’’、P’’’)を備え、前記周期(P2、P3)は高屈折率層(H’’、H’’’)及び低屈折率層(L’’、L’’’)に関して異なる材料から構成される2つの個別層を含み、前記周期は各サブシステム(P’’、P’’’)内で隣接する層サブシステムの前記周期の厚さから逸脱した一定の厚さ(d2、d3)を有する、EUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)であって、
前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)が有する前記周期(P2)の配列は、
前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)の第1高屈折率層(H’’’)が前記基板から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の最終高屈折率層(H’’)の直後に続くように、
且つ/又は前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)が前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の前記周期(P2)の数(N2)よりも多い前記周期(P3)の数(N3)を有するようになっている
ことを特徴とするEUV波長域用のミラー。 - 基板(S)及び層構成体を備え、前記層構成体はそれぞれ個別層の少なくとも2つの周期(P2、P3)の周期的配列からなる複数の層サブシステム(P’’、P’’’)を備え、前記周期(P2、P3)は高屈折率層(H’’、H’’’)及び低屈折率層(L’’、L’’’)に関して異なる材料から構成される2つの個別層を含み、前記周期は各サブシステム(P’’、P’’’)内で、隣接する層サブシステムの前記周期の厚さから逸脱した一定の厚さ(d2、d3)を有する、EUV波長域用のミラー(1a)であって、
前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)が有する前記周期(P2)の配列は、
前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)の第1高屈折率層(H’’’)が前記基板から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の最終高屈折率層(H’’)の直後に続き、
前記層構成体の前記層サブシステム(P’’、P’’’)を通るEUV放射線の透過率が10%未満、特に2%未満となるようになっている
ことを特徴とするEUV波長域用のミラー。 - 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、前記層サブシステム(P’’、P’’’)は、前記高屈折率層(H’’、H’’’)及び前記低屈折率層(L’’、L’’’)に関して同じ材料から構成されるEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)の前記周期(P3)の数(N3)は、9〜16となり、前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の前記周期(P2)の数(N2)は、2〜12となるEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b)において、
前記層構成体は、少なくとも3つの層サブシステム(P’、P’’、P’’’)を有し、
前記基板(S)の最も近くに位置付けた前記層サブシステム(P’)の前記周期(P1)の数(N1)は、前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)よりも多く、且つ/又は前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)よりも多いEUV波長域用のミラー。 - 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1c)において、前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)の前記周期(P3)は、前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の前記周期(P2)の前記高屈折率層(H’’)の厚さの120%を超える、特に該厚さの2倍を超える前記高屈折率層(H’’’)の厚さを有するEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1c)において、前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)の前記周期(P3)は、前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の前記周期(P3)の前記低屈折率層(L’’)の厚さの80%未満、特に該厚さの2/3未満の前記低屈折率層(L’’’)の厚さを有するEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1c)において、前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の前記周期(P2)は、4nmを超える、特に5nmを超える前記低屈折率層(L’’)の厚さを有するEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)は、7.2nm〜7.7nmとなる前記周期(P3)の厚さ(d3)を有するEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、中間層又は中間層構成体が、前記層構成体と前記基板(S)との間に設けられ、前記層構成体の応力補償の役割を果たすEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、20nmを超える、特に50nmを超える厚さを有する金属層が、前記層構成体と前記基板(S)との間に設けられるEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、
前記周期(P3、P3)を形成する2つの前記個別層(L’’、H’’、L’’’、H’’’)の材料は、モリブデン及びケイ素又はルテニウム及びケイ素であり、
前記個別層は少なくとも1つのバリア層(B)により分離され、該バリア層(B)はB4C、C、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化ケイ素、窒化モリブデン、炭化モリブデン、ホウ化モリブデン、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、及びホウ化ルテニウムの材料群から選択されるか、又は化合物として該材料群から構成される材料からなるEUV波長域用のミラー。 - 請求項12に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、前記バリア層(B)は、材料としてB4Cを含み、0.35nm〜0.8nm、好ましくは0.4nm〜0.6nmの厚さを有するEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、被覆層システム(C)が、化学的に不活性な材料から構成される少なくとも1つの層(M)を含み、該ミラーの前記層構成体の終端となるEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、ミラー表面に沿った前記層構成体の厚さ係数は、0.9〜1.05の値、特に0.933〜1.018の値を呈するEUV波長域用のミラー。
- 請求項15に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c)において、前記ミラー表面の1箇所における前記層構成体の前記厚さ係数は、そこで確保しなければならない最大入射角と相関するEUV波長域用のミラー。
- 請求項1又は2に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b)において、前記層構成体は少なくとも3つの層サブシステム(P’、P’’、P’’’)を有し、前記少なくとも3つの層サブシステム(P’、P’’、P’’’)を通るEUV放射線の透過率は10%未満、特に2%未満となるEUV波長域用のミラー。
- 請求項2に記載のEUV波長域用のミラー(1a)において、
前記層サブシステム(P’’、P’’’)は、前記高屈折率層(H’’、H’’’)及び前記低屈折率層(L’’、L’’’)に関して同じ材料から構成され、
前記基板(S)から最も遠い前記層サブシステム(P’’’)は、前記基板(S)から2番目に遠い前記層サブシステム(P’’)の前記周期(P2)の数(N2)よりも多い前記周期(P3)の数(N3)を有するEUV波長域用のミラー。 - 請求項1〜18のいずれか1項に記載のミラー(1a;1b;1c)を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ。
- 請求項19に記載の投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置。
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