CN102472976A - 用于euv波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子***(P”、P”’)，每个层子***由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且在每个层子***(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子***的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子***(P”)具有周期(P2)的序列，使得最远离基底(S)的层子***(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子***(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的数目(N2)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a；1b；1c)的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。

Description

用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备
技术领域
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜。此外，本发明涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜。而且，本发明涉及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备。
背景技术
用于EUV波长范围的微光刻投射曝光设备必须依赖于这样的假设：用于将掩模曝光到像平面中或将掩模成像到像平面中的反射镜具有高反射率，这是因为：首先，各个反射镜的反射率值的乘积决定了投射曝光设备的总传输率，其次，EUV光源的光功率有限。
例如，DE 10155711 A1公开了具有高反射率值的、用于约13nm的EUV波长范围的反射镜。其中所描述的反射镜由施加在基底上并具有多个单独层的序列的层布置构成，其中所述层布置包括多个层子***，每个层子***具有周期序列，其中由至少两个不同材料的单独层形成一个周期，其中各个子***的周期数和周期厚度从基底向表面减小。当入射角在0°至20°的区间中时，这种反射镜具有大于30％的反射率。
其中，入射角度被定义为：光线入射到反射镜上的点处，光线的入射方向和反射镜表面的法线之间的角度。在此情况中，入射角度区间由分别考虑的反射镜的最大与最小入射角度之间的角度间隔产生。
然而以上所述层的缺点在于：在指定的入射角度区间中它们的反射率不恒定，而是变化的。然而，对于在用于微光刻的投射物镜中的具有大入射角和入射角大变化的位置使用这种反射镜，反射镜的反射率在入射角上的变化是不利的，这是因为这样的变化导致例如这种投射物镜的光瞳切趾的过大变化。在该情况下，光瞳切趾是投射物镜出瞳上的强度波动的度量。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于EUV波长范围的反射镜，其可用在投射物镜或投射曝光设备中具有大入射角和入射角大变化的位置。
根据本发明，通过用于EUV波长范围的包括基底和层布置的反射镜来实现此目的，其中该层布置包括多个层子***。在该情况下，每个层子***由至少两个周期的单独层的周期序列构成。在该情况下，所述周期包括作为高折射率层和低折射率层的两个单独层，高折射率层和低折射率层由不同材料构成，并且在每个层子***内具有恒定厚度，该恒定厚度与相邻层子***的周期的厚度偏离。在这种情况下，第二远离基底的层子***具有周期序列，使得最远离基底的层子***的第一高折射率层直接接续(succeed)第二远离基底的层子***的最后一个高折射率层，并且/或者最远离基底距离的层子***的周期数大于第二远离基底的层子***的周期数。
在该情况中，根据本发明的反射镜的层布置的层子***相互直接接续，而不由另外的层***分开。此外，在本申请的背景中，如果相邻层子***的周期的厚度的偏离超过0.1nm，则即使所述周期在高折射率层和低折射率层之间的其它方面的分配(division)是相同的，层子***也可从相邻的层子***中区分出来，这是因为从0.1nm的差别开始，当周期在高和低折射率之间的其它方面的分配相同时，可以认为层子***的光学效果不同。
在这种情况中，在EUV波长范围中，术语高折射率和低折射率是有关层子***的周期中的各个伙伴层的相对术语。在EUV波长范围中，通常仅当起光学高折射率作用的层和相对于高折射率为光学低折射率的层组合到一起、作为层子***的周期的主要构成时，层子***才起作用。
根据本发明已认识到，为了在大入射角区间上获得高且均匀的反射率，最远离基底的层子***的周期数必须大于第二远离基底的层子***的周期数。此外，还认识到为了在大入射角区间上获得高且均匀的反射率，作为上述措施的替代或附加，最远离基底的层子***的第一个高折射率层应直接接续第二远离基底的层子***的最后一个高折射率层。
另外，通过根据本发明的用于EUV波长范围的反射镜实现本发明的目的，该反射镜包括基底和层布置，其中该层布置包括多个层子***。在该情况中，每个层子***由单独层的至少两个周期的周期序列构成。在此情况中，所述周期包括高折射率层和低折射率层两个单独层，高折射率层和低折射率层由不同材料构成，并且所述周期在每个层子***中具有恒定厚度，该恒定厚度与相邻层子***的周期的厚度偏离。在此情况中，第二远离基底的层子***具有周期的序列，使得最远离基底的层子***的第一个高折射率层直接接续第二远离基底的层子***的最后一个高折射率层。此外，通过多个层子***的EUV辐射的透射率小于10％，特别地小于2％。
根据本发明已认识到，为了在大入射角区间上获得高且均匀的反射率，必须减小位于所述层布置以下的层的影响或基底的影响。这主要对于如下的层布置是必须的：在该层布置中，第二远离基底的层子***具有周期的序列，使得最远离基底的层子***的第一个高折射率层直接接续第二远离基底的层子***的最后一个高折射率层。减小位于层布置之下的层的影响或者基底的影响的一个简单的可能在于设计层布置使得层布置透射尽可能少的EUV辐射到层布置之下的层。这几乎使得位于层布置之下的层或基底不会对反射镜的反射特性有显著的贡献。
在一个实施例中，层子***的高折射率层和低折射率层在该情况下都由相同的多种材料构成，因为这简化了反射镜的制造。
最远离基底的层子***的周期数对应于9至16之间的值的用于EUV波长范围的反射镜、以及第二远离基底的层子***的周期数对应于2至12之间的值的用于EUV波长范围的反射镜使得反射镜总共所需要的层受到限制，并因此使得降低了反射镜制造过程中的复杂度和风险。
在另一个实施例中，根据本发明的反射镜的层布置包括至少三个层子***，其中最靠近基底的层子***的周期的数目大于最远离基底的层子***的周期的数目，并且/或者大于第二远离基底的层子***的周期的数目。
这些措施促进了反射镜的反射特性与位于层布置之下的层或者基底的脱离，从而可以在反射镜层的布置之下使用具有其它功能特性的其它层或者其它基底材料。
因此，如以上已经提及的，首先可以避免位于层布置之下的层或者基底对反射镜的光学特性的干扰影响(在此情况下是对反射率的影响)，其次，位于层布置之下的层或者基底可以被充分保护，不受EUV辐射的影响。
在另一实施例中，例如如果位于层布置之下的层或者基底的特性在EUV辐射下不具有长期稳定，则这种对抗EUV辐射的保护可能是必须的。作为对上述措施的附加或替代，通过层布置与基底之间的厚度大于20nm的金属层来确保这种对抗EUV辐射的保护。这样的保护层也被称为“表面保护层(SPL)”。
在这种情况中，应考虑：层布置的反射率、透射率和吸收特性关于层布置的周期数表现为非线性；特别地，反射率朝着层布置的周期数的极限值表现饱和行为。从而，上述保护层可用于将保护位于层布置之下的层或者基底不受EUV辐射影响所需的层布置的周期数减少至获得反射率特性所需的层布置的周期数目。
此外，已认识到：在层子***的数目少的情况下，如果最远离基底的层布置的周期的高折射率层的厚度大于第二远离基底的层布置的周期的高折射率层的厚度的120％，尤其是大于两倍时，层布置可获得特别高的反射率值。
在另一个实施例中，在层子***的数目少的情况下，如果最远离基底的层布置的周期的低折射率层的厚度小于第二远离基底的层布置的周期的低折射率层的厚度的80％，尤其是小于2/3时，层布置也可获得特别高的折射率值。
在另一实施例中，用于EUV波长范围的反射镜的第二远离基底的层子***的周期的低折射率层的厚度大于4nm，特别地大于5nm。结果，不仅可以关于反射率本身适配层设计，而且可以在所关注的入射角区间上关于S偏振光的反射率相对于P偏振光的反射率来适配层设计。因此，主要地，对于仅由两个层子***构成的层布置，可以执行偏振态适配，尽管由于有限数目的层子***而导致自由度有限。
在另一个实施例中，用于EUV波长范围的反射镜的最远离基底的层子***的周期的厚度在7.2nm与7.7nm之间。因此，可以实现大入射角区间的高且均匀的反射率值。
而且，另一个实施例在反射镜的层布置与基底之间具有中间层或者中间层布置，其提供层布置的应力补偿。通过这种应力补偿，在施加这些层时可以避免反射镜的变形。
在根据本发明的反射镜的另一个实施例中，形成周期的两个单独层由钼(Mo)和硅(Si)、或钌(Ru)和硅(Si)材料构成。因此，可以获得特别高的反射率值并同时实现制造工程优点，因为仅使用两种不同的材料来制造反射镜的层布置的层子***。
在该情况中，在另一个实施例中，所述单独层由至少一个阻挡层(barrierlayer)分开，其中该阻挡层由选自以下材料组或由以下材料组构成的组合物构成：B4C、C、氮化硅(Si nitride)、碳化硅(Si carbide)、硼化硅(Siboride)、氮化钼(Mo nitride)、碳化钼(Mo carbide)、硼化钼(Mo boride)、氮化钌(Runitride)、碳化钌(Ru carbide)和硼化钌(Ru boride)。这样的阻挡层抑制周期的两个单独层之间的相互扩散，因此增加了两个单独层过渡(transition)中的光学对比度。通过对周期的两个单独层使用钼(Mo)和硅(Si)材料，从基底看去的Si层之上的一个阻挡层就足以提供足够的对比度。在此情况下，可以省略Mo层之上的第二阻挡层。在这方面，应该提供至少一个阻挡层用于分开一个周期的两个单独层，其中所述至少一个阻挡层完全可以由以上所指出的材料或其组合物中的各个构成，并且在此情况中也可呈现不同材料或组合物的层化结构。
包括B4C材料并且厚度在0.35nm至0.8nm之间(优选0.4nm至0.6nm之间)的阻挡层实际上导致层布置的高反射率值。特别地，在层子***由钌和硅构成的情况下，在阻挡层的厚度在0.4nm至0.6nm之间的值的情况下，由B4C构成的阻挡层呈现最大反射率。
在另一个实施例中，根据本发明的反射镜包括覆盖层***，该覆盖层***包括至少一个由化学惰性材料构成的层，其作为反射镜的层布置的端层。因此，保护反射镜不受环境影响。
在另一个实施例中，根据本发明的反射镜的层布置沿着反射镜表面的厚度因子具有0.9至1.05之间的值，尤其是具有0.933至1.018之间的值。因此，可以更有针对性的方式将反射镜表面的不同位置与那里出现的不同入射角适配。
在此情况中，厚度因子是这样的因子：利用该因子，以相乘的方式在基底上的位置处实现给定层设计的层的所有厚度。因此，厚度因子1对应于标称(nominal)层设计。
作为另一自由度的厚度因子使得反射镜的不同位置可以被以更有针对性的方式与那里所发生的不同入射角区间适配，而反射镜层设计本身不需要改变，从而，对于跨越反射镜上的不同位置的更大入射角区间，反射镜最终产生比相关联的层设计本身(假设固定厚度因子1)所允许的反射率值更高的反射率值。因此，通过适配厚度因子，在确保大入射角之外，还可以进一步减少根据本发明的反射镜的反射率在入射角上的变化。
在另一个实施例中，反射镜表面的位置处的层布置的厚度因子与那里所发生的最大入射角相关，这是因为对于更大的最大入射角度，更大的厚度因子对于适配是有用的。
另外，通过包括根据本发明的至少一个反射镜的投射物镜实现本发明的目的。
此外，通过根据本发明的包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备实现本发明的目的。
参照附图，根据本发明的示例实施例的以下描述以及权利要求，本发明的其他特征和优点将变得清楚，所述附图示出了本发明的核心细节。各个特征可以分别通过它们自身单独地实现，或者在本发明的变型中，以任意期望的组合多个地实现它们。
附图说明
下面参照附图更详细地说明本发明的示例实施例，其中：
图1示出根据本发明的第一反射镜的示意图；
图2示出根据本发明的第二反射镜的示意图；
图3示出根据本发明的第三反射镜的示意图；
图4示出根据本发明的用于微光刻的投射曝光设备的投射物镜的示意图；
图5示出投射物镜的像场的示意图；
图6示出最大入射角和入射角区间的区间长度与根据本发明的反射镜的位置相对于投射物镜中的光轴的距离之间的关系的示意图；
图7示出根据本发明的反射镜的基底上的光学使用区域的示意图；
图8示出根据本发明的图1的第一反射镜的某些反射率值相对于入射角度的示意图；
图9示出根据本发明的图1的第一反射镜的其它反射率值相对于入射角度的示意图；
图10示出根据本发明的图2的第二反射镜的某些反射率值相对于入射角度的示意图；
图11示出根据本发明的图2的第二反射镜的其它反射率值相对于入射角度的示意图；
图12示出根据本发明的图3的第三反射镜的某些反射率值相对入射角度的示意图；
图13示出根据本发明的图3的第三反射镜的其它反射率相对入射角度的示意图；
图14示出根据本发明的第四反射镜的某些反射率值相对入射角度的示意图；以及
图15示出根据本发明的第四反射镜的其它反射率值相对于入射角度的示意图。
具体实施方式
下面参考图1、2和3说明根据本发明的各个反射镜1a、1b和1c，在这些图中反射镜的对应特征具有相同的附图标记。此外，下面接着有关图3的描述，针对图1至图3概括地说明根据本发明的这些反射镜的相应特征或特性。
图1示出了根据本发明的用于EUV波长范围的反射镜1a的示意图，该反射镜1a包括基底S和层布置。在此情况中，层布置包括多个层子***P’、P”和P”’，每个层子***分别由单独层的至少两个周期P1、P2和P3的周期序列构成，其中周期P1、P2和P3包括作为高折射率层H’、H”和H”’和低折射率层L’、L”和L”’的两个单独层(高折射率层和低折射率层由不同材料构成)，并且在各个层子***P’、P”和P”’内具有恒定的厚度d1、d2和d3，所述恒定厚度与相邻层子***的周期的厚度偏离。在此情况中，最远离基底的层子***P”’具有N3个周期P3，N3比第二远离基底的层子***P”的周期P2的数目N2大。另外，第二远离基底的层子***P”具有周期P2的序列，使得最远离基底的层子***P”’的第一个高折射率层H”’直接接续第二远离基底的层子***P”的最后一个高折射率层H”。
从而，在图1中，第二远离基底的层子***P”的周期P2中的高折射率层H”和低折射率层L”的顺序与其它层子***P’、P”’的其它周期P1、P3中的高折射率层H’、H”’和低折射率层L’、L”’的顺序反转，从而第二远离基底的层子***P”的第一个低折射率层L”也光学有效地(actively)接续最靠近基底的层子***P’的最后一个低折射率层L’。因此，图1中第二远离基底的层子***P”的层顺序也不同于以下所说明的图2和3中的所有其它层子***的层顺序。
图2示出根据本发明的用于EUV波长范围的反射镜1b的示意图，该反射镜1b包括基底S和层布置。在此情况中，层布置包括多个层子***P’、P”和P”’，每个层子***分别由单独层的至少两个周期P1、P2和P3的周期序列构成，其中周期P1、P2和P3包括作为高折射率层H’、H”和H”’和低折射率层L’、L”和L”’的两个单独层(高折射率层和低折射率层由不同材料构成)，并且在各个层子***P’、P”和P”’内具有恒定的厚度d1、d2和d3，所述恒定厚度与相邻层子***的周期的厚度偏离。在此情况中，最远离基底的层子***P”’具有N3个周期P3，N3比第二远离基底的层子***P”的周期P2的数目N2大。在此情况中，与图1的示例实施例的情况不同，第二远离基底的层子***P”具有周期P2的序列，其与其它层子***P’和P”’的周期P1和P3的序列一致，从而最远离基底的层子***P”’的第一个高折射率层H”’光学有效地接续第二远离基底的层子***P”的最后一个低折射率层L”。
图3示出根据本发明的用于EUV波长范围的另一反射镜1c的示意图，该反射镜1c包括基底S和层布置。在此情况中，层布置包括多个层子***P”和P”’，每个层子***分别由单独层的至少两个周期P2和P3的周期序列构成，其中周期P2和P3包括作为高折射率层H”和H”’和低折射率层L”和L”’的两个单独层(高折射率层和低折射率层由不同材料构成)，并且在各个层子***P”和P”’内具有恒定的厚度d2和d3，所述恒定厚度与相邻层子***的周期的厚度偏离。在此情况中，在根据图14和15所描述的第四示例实施例中，最远离基底的层子***P”’具有N3个周期P3，N3比第二远离基底的层子***P”的周期P2的数目N2大。该第四示例实施例也包括第二远离基底S的层子***P”的层的反转顺序(作为图3中对应于反射镜1a的反射镜1c的说明的变型)，从而该第四示例实施例也具有如下特征：最远离基底的层子***P”’的第一个高折射率层H”’光学有效地接续第二远离基底的层子***P”的最后一个低折射率层L”。
特别地，在层子***的数目较少(例如仅仅两个层子***)的情况下，发现：如果最远离基底的层子***P”’的周期P3的高折射率层H”’的厚度超过第二远离基底的层子***P”的周期P2的高折射率层H”的厚度的120％，特别是超过2倍时，获得高反射率值。
关于图1到图3，根据本发明的反射镜的层布置的层子***彼此直接接续，而未被另一层子***分开。然而，为了层子***相互适配或优化层布置的光学特性，可以想到通过单独中间层来分开层子***。然而，这不适用于关于图1的第一示例实施例的两个层子***P”和P”’以及作为关于图3的变型的第四示例实施例，这是因为P”中层序列的反转将会阻止期望的光学特性。
在图1到图3中标识为H、H’、H”和H”’的层是在EUV波长范围中相比于同一层子***中被标识为L、L’、L”和L”’的层、可以被指定为高折射率层的材料构成的层，参见表2中的材料的复折射率。相反地，在图1到图3中标识为L、L’、L”和L”’的层是在EUV波长范围中相比于同一层子***中被标识为H、H’、H”和H”’的层、可以被指定为低折射率层的材料构成的层。因此，术语“EUV波长范围中的高折射率和低折射率”是层子***的周期中的各个伙伴层的相对术语。在EUV波长范围中，一般地，仅在将以光学高折射率工作的层与光学上具有比上述高折射率低的折射率的层组合、作为层子***的周期的主要构成的情况下，层子***起作用。硅材料通常被用于高折射率层。与硅相组合，材料钼和钌应被指定为低折射率层，参见表2中的材料的复折射率。
在图1到图3中，阻挡层B分别位于由硅和钼构成或者由硅和钌构成的周期的单独层之间，所述阻挡层由选自以下材料组或由以下材料组构成的组合物构成：B4C、C、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钼、碳化钼、硼化钼、氮化钌、碳化钌和硼化钌。这样的阻挡层抑制周期的两个单独层之间的相互扩散，因此增加了两个单独层过渡中的光学对比度。通过对周期的两个单独层使用钼和硅材料，从基底看去，Si层之上的一个阻挡层就足以提供足够的对比度。在此情况下，可以省略Mo层之上的第二阻挡层。在这方面，应该提供至少一个阻挡层用于分开一个周期的两个单独层，其中所述至少一个阻挡层完全可以由以上所指出的材料或其组合物中的各个构成，并且在此情况中也可呈现不同材料或组合物的层化结构。
包括材料B4C的阻挡层具有0.35nm和0.8nm之间的厚度，优选0.4nm和0.6nm之间的厚度，该阻挡层实际上导致层布置的高反射率值。具体地，在层子***由钌和硅构成的情况中，在阻挡层的厚度为0.4nm和0.6nm之间的值的情况下，由B4C构成的阻挡层呈现最大的反射率。
在根据本发明的反射镜1a、1b和1c的情况中，层子***P’、P”和P”’的周期P1、P2和P3的数目N1、N2和N3可以分别包括高达100个周期的单独周期P1、P2和P3，如图1到图3中所示。另外，可在图1到图3中所示的层布置和基底S之间提供中间层或中间层布置，其用于相对于基底对层布置进行应力补偿。
在同一序列中，与用于层布置本身相同的材料可用作中间层或中间层布置的材料。然而，在中间层布置的情况下，可省略所述单独层之间的阻挡层，这是因为：中间层或中间层布置通常对反射镜的反射率产生忽略不计的贡献，因此在此情况下通过阻挡层增加对比度的问题不重要。由交替的铬和钪层或者非晶钼或者钌层构成的多层布置同样可被考虑作为中间层或中间层布置。可以选择它们的厚度，例如大于20nm，使得足以保护下面的基底不受EUV辐射影响。在这种情况下，所述层可作为所谓的“表面保护层”(SPL)并且作为保护层提供对抗EUV辐射的保护。
在图1到图3中，根据本发明的反射镜1a、1b和1c的层布置以覆盖层***C为端层，该覆盖层***C包括至少一个由化学惰性材料(例如Rh、Pt、Ru、Pd、Au、SiO2等)构成的层作为端层M。所述端层M因此防止反射镜表面由于外界影响的化学改变。在图1到3中，除了端层M之外，覆盖层***C由高折射率层H、低折射率层L和阻挡层B构成。
在图1到图3中，周期P1、P2和P3之一的厚度是对应周期的各个单独层的厚度之和，即来自于高折射率层的厚度、低折射率层的厚度和两个阻挡层的厚度。结果，在图1到图3中，层子***P’、P”和P”’可以由于它们的周期P1、P2和P3具有不同的厚度d1、d2和d3的事实而彼此区分。因此，在本发明的背景中，不同的层子***P’、P”和P”’被理解为它们的周期P1、P2和P3的厚度d1、d2和d3的差别超过0.1nm的层子***，这是因为如果所述周期在高折射率层和低折射率层之间的其它方面的分配是相同的，则低于0.1nm的差别不能再认为层子***具有不同的光学效果。另外，在不同生产设备上的制造期间，本质相同的层子***的周期厚度可能在该绝对值处波动。对于具有由钼和硅构成的周期的层子***P’、P”和P”’的情况，如以上已经描述的，也可以省略周期P1、P2和P3中的第二阻挡层，从而在该情况下，周期P1、P2和P3的厚度产生于高折射率层的厚度、低折射率层的厚度和一个阻挡层的厚度。
根据关于图8至15的示例实施例，图4示出了根据本发明的用于微光刻的投射曝光设备的、具有六个反射镜1、11的投射物镜2的示意图，该投射物镜2包括至少一个基于根据本发明的反射镜1a、1b或1c构造的反射镜1。用于微光刻的投射曝光设备的任务是将掩模(也被称作掩模母版)的结构光刻地成像到像平面中的所谓晶片上。为此目的，图4中的根据本发明的投射物镜2将物场3(其被布置在物平面5中)成像到像平面7中的像场中。携带结构(为了清楚，其在图中未示出)的掩模可被布置在物平面5中的物场3的位置处。为了取向的目的，图4示出了笛卡尔坐标***，x轴指向图平面内。在此情况中，x-y坐标平面与物平面5一致，z轴与物平面5垂直并指向下。投射物镜具有光轴9，其不穿过物场3。投射物镜2的反射镜1、11具有关于光轴旋转对称的设计表面。在该情况中，不能将所述设计表面与完成的反射镜的物理表面混淆，这是因为完成的反射镜的物理表面被相对于设计表面修整，以便确保光通过反射镜的路径。在此示例实施例中，孔径光阑13被布置在从物平面5到像平面7的光路中的第二反射镜11上。投射物镜2的效果借助于三个光线示出：主光线15和两个孔径边缘光线17和19，它们全部源自物场3的中心。主光线15相对于物平面的法线以6°的角度传播，并在孔径光阑13的平面中与光轴9相交。从物平面5看去，主光线15呈现出在入瞳平面21中与光轴相交。这在图4中通过穿过第一反射镜11的主光线15的虚线延长线示出。结果，孔径光阑13的虚像(入瞳)位于入瞳平面21中。同样地，可以利用同一构建，在从像平面7起始的主光线15的向后延长中找到投射物镜的出瞳。然而，在像平面7中，主光线15平行于光轴9，由此，这两个光线的向后投射在投射物镜2前的无穷远处产生交点，因此，投射物镜2的出瞳在无穷远处。因此，此投射物镜2是所谓的像侧远心物镜。物场3的中心在距光轴9的距离R处，并且像场7的中心在距光轴9的距离r处，以便在投射物镜的反射构造的情况下，从物场出射的辐射不发生不期望的渐晕。
图5示出了拱形像场7a的平面图，诸如在图4中所示的投射物镜2中所出现的，并示出了轴与图4中的一致的笛卡尔坐标系。像场7a是环面的一部分，其中心是光轴9与物平面的交点。在该情况下，示出了平均半径r为34mm。这里，场在y方向的宽度d是2mm。像场7a的中心场点被标记为像场7a中的小圆。作为替代，也可由两个具有相同半径且在y方向上彼此偏移的圆弧限定弯曲像场。如果投射曝光设备被作为扫描曝光机操作，则扫描方向运行在物场的较短范围的方向上(即y方向上)。
图6示出了图4的投射物镜2的从物平面5到像平面7的光路中的倒数第二个反射镜1的、最大入射角(矩形)和入射角区间的区间长度(圆)(以度数(°)为单位)相对于反射镜表面的位置与光轴之间的不同半径或距离(用单位(mm)表示)的关系的示例示意图。在用于微光刻的投射物镜2具有用于EUV波长范围的六个反射镜1、11的情况下，所述反射镜1通常是必须确保最大入射角和最大入射角区间或最大入射角变化的反射镜。在本申请的背景中，作为入射角变化的度量的入射角区间的区间长度被理解为最大和最小入射角之间以度数为单位的角度范围的角度数，由于光学设计的需要，对于距光轴的给定距离，反射镜的涂层必须确保该最大和最小入射角。入射角度区间还将被简化为AOI区间。
根据表1的投射物镜的光学数据可被应用到图6所基于的反射镜1的情况中。在该情况下，根据如下非球面公式，通过非球面点相对于非球面顶点中的切线平面的垂直距离Z(h)作为非球面点相对于非球面顶点的法线的垂直距离h的函数，将光学设计的反射镜1、11的非球面定义为旋转对称表面：Z(h)＝(rho*h2)/(1+[1-(1+ky)*(rho*h)2]0.5)+
+c1*h4+c2*h6+c3*h8+c4*h10+c5*h12+c6*h14
其中，反射镜半径R＝1/rho，并且参数ky、c1、c2、c3、c4、c5和c6以mm为单位。在此情况中，所述参数cn被依据1/mm2n+2而关于单位mm归一化，从而使得作为距离h的函数的非球面Z(h)也以mm为单位。
Figure BDA0000129715060000141
表1：根据图4的设计的示意图，关于图6中的反射镜1的入射角的光学设计的数据。
可从图6中分辨出24°的最大入射角和11°的区间长度发生在反射镜1的不同位置处。结果，对于不同入射角和不同入射角区间，反射镜1的层布置必须在这些不同位置处产生大且均匀的反射率值，因为否则不能确保投射物镜2较高的总透射率和可接受的光瞳切趾。
所谓的PV值被用作反射镜的反射率在入射角度上的变化的度量。在此情况中，PV值被定义为：所考虑的入射角度区间的最大反射率Rmax和最小反射率Rmin之间的差除以所考虑的入射角度区间中的平均反射率Raverage。因此，PV＝(Rmax-Rmin)/Raverage。
在此情况下，应该考虑：根据图4和表1中的设计，投射物镜2中作为像平面7之前的倒数第二个反射镜的反射镜1的高PV值导致光瞳切趾的大值。在该情况中，对于大于0.25的大PV值，反射镜1的PV值与投射物镜2的光瞳切趾的像差之间存在相关性，因为从这个值开始，PV值支配关于像差的其它起因的光瞳切趾。
在图6中，条23被用于示例性地标记反射镜1上相对于光轴具有大约21°的关联最大入射角以及11°的关联区间长度的位置的具体半径和具体距离。所标记的半径在图7(下面说明)中对应于圆23a(以虚线表示)上在阴影线区域20内的位置，阴影线区域20表示反射镜1的光学使用区域20。
图7示出了图4中的投射物镜2的从物平面5到像平面7的光路中的倒数第二个反射镜1的基底S的平面图，基底S作为以光轴9为中心的圆。在此情况中，投射物镜2的光轴9对应于基底的对称轴9。另外，在图7中，反射镜1的光学使用区域20关于光轴偏移并以阴影方式描绘，而且圆23a以虚线方式描绘。
在该情况中，虚线圆23a位于光学使用区域中的部分对应于反射镜1的在图6中由描述条23标识的位置。结果，根据图6的数据，反射镜1沿着虚线圆23a在光学使用区域20内的部分区域的层布置，对于21°的最大入射角和大约10°的最小入射角都必须确保高反射率值。在该情况中，在考虑区间长度为11°的情况下，图6中21°的最大入射角导致大约10°的最小入射角。图7中，对于10°的入射角用箭头26的尖端并且对于21°的入射角用箭头25的尖端在虚线圆上标示了以上所提及的两个入射角的极值出现的位置。
因为在没有高技术成本的情况下，不能在基底S的位置上局部地改变层布置，并且通常关于基底的对称轴9旋转对称地施加层布置，所以沿着图7中的虚线圆23a的位置的层布置包括同一层布置，诸如图1到图3中所示的基本构造，参考图8至图15以具体示例实施例的形式对其说明。在该情况中，应考虑具有层布置的基底S关于基底S的对称轴9的旋转对称涂层具有以下效果：层布置的层子***P’、P”和P”’的周期序列被保持在反射镜的所有位置处，并且仅取决于与对称轴9的距离的层布置的周期厚度获得在基底S上的旋转对称分布，基底S边缘处的层布置比对称轴9处的基底S中心的层布置薄。
应考虑可通过合适的涂层技术(例如通过使用分布膜)来适配涂层的厚度在基底上的旋转对称径向分布。结果，除涂层设计本身之外，利用涂层设计的所谓厚度因子在基底上的径向分布，可获得另一自由度用于优化涂层设计。
对于所使用的波长为13.5nm的材料，使用表2中所示的复折射率
Figure BDA0000129715060000151
来计算图8到15中所示的反射率值。在该情况中，因为例如实际薄层的折射率与图2中所提及的文献值可能存在偏差，所以应考虑实际反射镜的反射率值可能低于图8至15中所示的理论反射率值。
  材料   化学符号   层设计符号   n   k
  基底   0.973713   0.0129764
  硅   Si   H，H’，H”，H”’   0.999362   0.00171609
  碳化硼   B4C   B   0.963773   0.0051462
  钼   Mo   L，L’，L”，L”’   0.921252   0.0064143
  钌   Ru   M，L，L’，L”，L”’   0.889034   0.0171107
  真空   1   0
表2：针对13.5nm，使用折射率
Figure BDA0000129715060000161
此外，对于关联图8至15的层设计，声明根据图1至图3的层序列的以下简略表达：
基底/.../(P1)*N1/(P2)*N2/(P3)*N3/覆盖层***C
其中对于图2和图3，
P1＝H’BL’B；P2＝H”BL”B；P3＝H”’BL”’B；C＝HBLM；
并且其中对于图1以及对于作为关于图3的变型的第四示例实施例，
P1＝BH’BL’；P2＝BL”BH”；P3＝H”’BL”’B；C＝HBLM。
在这种情况中，根据表2和图1至3的描述，字母H象征性地表示高折射率层的厚度，字母L表示低折射率层的厚度，字母B表示阻挡层的厚度并且字母M表示化学惰性端层的厚度。
在该情况中，圆括号之中描述的单独层的厚度使用单位nm。因此，可以如下以简略表达表示图8和9所使用的层设计：
基底/.../(0.4B4C 2.921 Si 0.4B4C4.931 Mo)*8/(0.4 B4C 4.145 Mo0.4 B4C2.911 Si)*5/(3.509 Si 0.4 B4C 3.216 Mo 0.4B4C)*16/2.975 Si 0.4B4C 2 Mo1.5 Ru
因为在此示例中阻挡层B4C的厚度总是0.4nm，所以对于层布置的基本构造的描述也可省略阻挡层，从而关于图8和9的层设计可以如下简化表示：基底/.../(2.921 Si 4.931 Mo)*8/(4.145 Mo 2.911 Si)*5/(3.509 Si 3.216Mo)*16/2.975 Si 2 Mo 1.5 Ru
从根据图1的第一示例实施例应认识到，相对于其它层子***，在第二层子***中的高折射率层Si和低折射率层Mo的顺序反转，从而最远离基底的层子***的具有3.509nm厚度的第一个高折射率层直接接续第二远离基底的层子***的具有2.911nm厚度的最后一个高折射率层。
相应地，作为根据图2的第二示例实施例，可以将关于图10和11所使用的层设计简化表示为：
基底/.../(4.737 Si 0.4 B4C 2.342 Mo 0.4 B4C)*28/(3.443 Si 0.4 B4C 2.153 Mo0.4 B4C)*5/(3.523Si 0.4B4C 3.193Mo 0.4 B4C)*15/2.918Si 0.4B4C 2 Mo 1.5Ru
因为在此示例中阻挡层B4C的厚度总是0.4nm，所以对于该层布置的描述也可省略阻挡层，从而关于图10和11的层设计可以如下简化表示：基底/.../(4.737 Si 2.342 Mo)*28/(3.443 Si 2.153 Mo)*5/(3.523 Si3.193Mo)*15/2.918Si 2 Mo 1.5 Ru
因此，作为根据图3的第三示例实施例，可以将关于图12和13所使用的层设计简化表示为：
基底/.../(1.678 Si 0.4 B4C 5.665 Mo 0.4 B4C)*27/(3.798 Si 0.4 B4C 2.855 Mo0.4 B4C)*14/1.499 Si 0.4 B4C 2Mo 1.5 Ru
并且，对于描述的目的，不考虑阻挡层B4C，如下：
基底/.../(1.678 Si 5.665 B4C)*27/(3.798 Si 2.855 Mo)*14/1.499 Si 2 Mo 1.5Ru
同样地，作为根据图3的变型的第四示例实施例，可以将关于图14和15所使用的层设计简化表示为：
基底/.../(0.4 B4C4.132 Mo 0.4 B4C 2.78 Si)*6/(3.608 Si 0.4 B4C 3.142 Mo0.4 B4C)*16/2.027 Si 0.4 B4C 2Mo 1.5 Ru
并且，对于描述的目的，不考虑阻挡层B4C，如下：
基底/.../(4.132 Mo 2.78 Si)*6/(3.609 Si 3.142 Mo)*16/2.027 Si 2 Mo 1.5 Ru
从该第四示例实施例应该认识到，相对于具有16个周期的其它层子***P”’，包括六个周期的层子***P”中的高折射率层Si和低折射率层Mo的顺序已被反转，从而最远离基底的层子***P”’的第一个高折射率层(厚度为3.609nm)直接接续第二远离基底的层子***P”的最后一个高折射率层(厚度为2.78nm)。
因此，第四示例实施例是第三示例实施例的变型，其中第二远离基底的层子***P”中的高和低折射率层的顺序相对于图1的第一示例实施例已被反转。
图8示出了根据本发明的依照图1的反射镜1a的第一示例实施例针对非偏振辐射的反射率值(单位％)相对于入射角度(单位°)的图。在该情况中，反射镜1a的层布置的第一层子***P’由N1＝8个周期P1构成，其中周期P1包括作为高折射率层的2.921nm的硅和作为低折射率层的4.931nm的钼，且还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。周期P1因此具有8.652nm的厚度d1。反射镜1a的层布置的具有反转顺序的Mo和Si层的第二层子***P”由N2＝5个周期P2构成，其中周期P2包括作为高折射率层的2.911nm的硅和作为低折射率层的4.145nm的钼，且还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。周期P2因此具有7.856nm的厚度d2。反射镜1a的层布置的第三层子***P”’由N3＝16个周期P3构成，其中周期P3包括作为高折射率层的3.509nm的硅和作为低折射率层的3.216nm的钼，且还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。周期P3因此具有7.525nm的厚度d3。反射镜1a的层布置由覆盖层***C为端层，覆盖层***C由2.975nm的硅、0.4nm的B4C、2nm的钼和1.5nm的钌以所指出的顺序构成。结果，最远离基底的层子***P”’的周期P3的数目N3大于第二远离基底的层子***P”的周期P2的数目N2，并且最远离基底的层子***P”’的第一个高折射率层H”’直接接续第二远离基底的层子***P”的最后一个高折射率层H”。
在图8中，具有厚度因子1的标称层设计在波长13.5nm处的反射率值(单位(％))被显示为相对于入射角(单位(°))的实线。而且，对于14.1°到25.7°的入射角区间，此标称层设计的平均反射率被描绘为实线水平条。另外，相应地，图8将13.5nm波长处且给定0.933的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为虚线，并且对于2.5°到7.3°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为虚线条。因此，关于图8中虚线所示的反射率值的层布置的周期的厚度仅为标称层设计的周期的对应厚度的93.3％。换言之，在反射镜1a的反射表面上必须确保2.5°到7.3°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计薄6.7％。
以对应于图8的方式，图9将13.5nm波长处且给定1.018的厚度因子时的相对于入射角的反射率值显示为细线，并且对于17.8°到27.2°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为细条，并且，以对应的方式，将给定0.972的厚度因子时的相对入射角的反射率值描绘为粗线，并且对于8.7°到21.4°的入射角度区间，将上述层设计的平均反射率描绘为粗条。结果，在反射镜1a的反射表面上必须确保17.8°到27.2°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计厚1.8％，并且在反射镜1a的反射表面上必须确保8.7°到21.4°之间的入射角的位置处，层布置相应地比标称层设计薄2.8％。
在表3中相对于入射角区间和厚度因子编辑了可以通过关于图8和图9的层布置获得的平均反射率和PV值。在13.5nm波长处，对于2.5°到27.2°之间的入射角，可辨识出包括上述层布置的反射镜1a具有大于43％的平均反射率，并且具有小于或等于0.21的PV值的反射率变化。
Figure BDA0000129715060000191
表3：相对于入射角区间(以度数为单位)和所选择的厚度因子的、关于图8和图9的层设计的平均反射率和PV值。
图10示出了根据本发明的依照图2的反射镜1b的第二示例实施例针对非偏振辐射的反射率值(单位％)相对于入射角(单位°)的图。在该情况中，反射镜1b的层布置的第一层子***P’由N1＝28个周期P1构成，其中周期P1包括作为高折射率层的4.737nm的硅和作为低折射率层的2.342nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。周期P1因此具有7.879nm厚度d1。反射镜1b的层布置的第二层子***P”由N2＝5个周期P2构成，其中周期P2包括作为高折射率层的3.443nm的硅和作为低折射率层的2.153nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。因此周期P2具有6.396nm的厚度d2。反射镜1b的层布置的第三层子***P”’由N3＝15个周期P3构成，其中周期P3包括作为高折射率层的3.523nm的硅和作为低折射率层的3.193nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。因此周期P3具有7.516nm的厚度d3。反射镜1b的层布置由覆盖层***C作为端层，覆盖层***C由2.918nm的硅、0.4nm的B4C、2nm的钼和1.5nm的钌以所指出的顺序构成。结果，最远离基底的层子***P”’的周期P3的数目N3大于第二远离基底的层子***P”的周期P2的数目N2。
在图10中，具有厚度因子1的该标称层设计在波长13.5nm处的反射率值(单位(％))被显示为相对于入射角(单位(°))的实线。而且，对于14.1°到25.7°的入射角区间，此标称层设计的平均反射率被描绘为实线水平条。另外，图10相应地将13.5nm波长处且给定0.933的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为虚线，并且对于2.5°到7.3°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为虚线条。因此，关于图10中虚线所示的反射率值的层布置的周期的厚度仅为标称层设计的周期的对应厚度的93.3％。换言之，在反射镜1b的反射表面上必须确保2.5°到7.3°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计薄6.7％。
以对应于图10的方式，图11将13.5nm波长处且给定1.018的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为细线，并且对于17.8°到27.2°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为细条，并且，以对应的方式，将给定0.972的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为粗线，并且对于8.7°到21.4°的入射角度区间，将上述层设计的平均反射率描绘为粗条。结果，在反射镜1b的反射表面上必须确保17.8°到27.2°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计厚1.8％，并且在反射镜1b的反射表面上必须确保8.7°到21.4°之间的入射角的位置处，层布置相应地比标称层设计薄2.8％。
在表4中相对于入射角区间和厚度因子编辑了可以通过关于图10和图11的层布置获得的平均反射率和PV值。在13.5nm波长处，对于2.5°到27.2°之间的入射角，可辨识出包括上述层布置的反射镜1b具有大于45％的平均反射率，并且具有小于或等于0.23的PV值的反射率变化。
表4：相对于入射角区间(以度数为单位)和所选择的厚度因子的、关于图10和图11的层设计的平均反射率和PV值。
图12示出了根据本发明的依照图3的反射镜1c的第三示例实施例针对非偏振辐射的反射率值(单位％)相对于入射角(单位°)的图。在该情况中，反射镜1c的层布置的层子***P”由N2＝27个周期P2构成，其中周期P2包括作为高折射率层的1.678nm的硅和作为低折射率层的5.665nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。周期P2因此具有8.143nm厚度d2。反射镜1c的层布置的层子***P”’由N3＝14个周期P3构成，其中周期P3包括作为高折射率层的3.798nm的硅和作为低折射率层的2.855nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。因此周期P3具有7.453nm的厚度d3。反射镜1c的层布置由覆盖层***C作为端层，覆盖层***C由1.499nm的硅、0.4nm的B4C、2nm的钼和1.5nm的钌以所指出的顺序构成。结果，最远离基底的层子***P”’的高折射率层的H”’的厚度大于第二远离基底的层子***P”的高折射率层H”的厚度的两倍。
在图12中，具有厚度因子1的标称层设计在波长13.5nm处的反射率值(单位(％))被显示为相对于入射角(单位(°))的实线。而且，对于14.1°到25.7°的入射角区间，此标称层设计的平均反射率被描绘为实线水平条。另外，图12相应地将13.5nm波长处且给定0.933的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为虚线，并且对于2.5°到7.3°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为虚线条。因此，关于图12中虚线所示的反射率值的层布置的周期的厚度仅为标称层设计的周期的对应厚度的93.3％。换言之，在反射镜1c的反射表面上必须确保2.5°到7.3°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计薄6.7％。
以对应于图12的方式，图13将13.5nm波长处且给定1.018的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为细线，并且对于17.8°到27.2°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为细条，并且，以对应的方式，将给定0.972的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为粗线，并且对于8.7°到21.4°的入射角度区间，将上述层设计的平均反射率描绘为粗条。结果，在反射镜1c的反射表面上必须确保17.8°到27.2°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计厚1.8％，并且在必须确保8.7°到21.4°之间的入射角的位置处，层布置相应地比标称层设计薄2.8％。
在表5中相对于入射角区间和厚度因子编辑了可以通过关于图12和图13的层布置获得的平均反射率和PV值。在13.5nm波长处，对于2.5°到27.2°之间的入射角，可辨识出包括上述层布置的反射镜1c具有大于39％的平均反射率，并且具有小于或等于0.22的PV值的反射率变化。
Figure BDA0000129715060000221
表5：相对于入射角区间(以度数为单位)和所选择的厚度因子的、关于图12和图13的层设计的平均反射率和PV值。
图14示出了根据本发明的作为反射镜1c的变型的反射镜的第四示例实施例针对非偏振辐射的反射率值(单位％)相对于入射角(单位°)的图，其中在层子***P”中层的顺序反转。在该情况中，反射镜的层布置的层子***P”由N2＝6个周期P2构成，其中周期P2包括作为高折射率层的2.78nm的硅和作为低折射率层的4.132nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。因此周期P2具有7.712nm厚度d2。反射镜的层布置的层子***P’”由N3＝16个周期P3构成，其中周期P3包括作为高折射率层的3.608nm的硅和作为低折射率层的3.142nm的钼，还包括两个阻挡层，每个阻挡层包括0.4nm的B4C。因此周期P3具有7.55nm的厚度d3。反射镜的层布置由覆盖层***C作为端层，覆盖层***C由2.027nm的硅、0.4nm的B4C、2nm的钼和1.5nm的钌以所指出的顺序构成。结果，最远离基底的层子***P”’的高折射率层的H”’的厚度大于第二远离基底的层子***P”的高折射率层H”的厚度的120％。并且，最远离基底的层子***P”’的周期P3的数目N3大于第二远离基底的层子***P”的周期P2的数目N2，而且最远离基底的层子***P”’的第一个高折射率层H”’直接接续第二远离基底的层子***P”的最后一个高折射率层H”。
在图14中，具有厚度因子1的标称层设计在波长13.5nm处的反射率值(单位(％))被显示为相对于入射角(单位(°))的实线。而且，对于14.1°到25.7°的入射角区间，此标称层设计的平均反射率被描绘为实线水平条。另外，图14相应地将13.5nm波长处且给定0.933的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为虚线，并且对于2.5°到7.3°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为虚线条。因此，关于图14中虚线所示的反射率值的层布置的周期的厚度仅为标称层设计的周期的对应厚度的93.3％。换言之，在根据本发明的反射镜的反射表面上必须确保2.5°到7.3°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计薄6.7％。
以对应于图14的方式，图15将13.5nm波长处且给定1.018的厚度因子时的相对于入射角的反射率值描绘为细线，并且对于17.8°到27.2°的入射角区间，将上述层设计的平均反射率描绘为细条，并且，以对应的方式，将给定0.972的厚度因子时的相对入射角的反射率值描绘为粗线，并且对于8.7°到21.4°的入射角度区间，将上述层设计的平均反射率描绘为粗条。结果，在根据本发明的此反射镜的反射表面上必须确保17.8°到27.2°之间的入射角的位置处，层布置比标称层设计厚1.8％，并且在必须确保8.7°到21.4°之间的入射角的位置处，层布置相应地比标称层设计薄2.8％。
在表6中相对于入射角区间和厚度因子编辑了可以通过关于图14和图15的层布置获得的平均反射率和PV值。在13.5nm波长处，对于2.5°到27.2°之间的入射角，可辨识出根据本发明的包括上述层布置的反射镜具有大于42％的平均反射率，并且具有小于或等于0.24的PV值的反射率变化。
Figure BDA0000129715060000231
表6：相对于入射角区间(以度数为单位)和所选择的厚度因子的、关于图14和图15的层设计的平均反射率和PV值。
在所示的所有四个示例实施例中，分别最靠近基底的层子***的周期数可以被增加，使得通过层子***的EUV辐射的透射率小于10％，特别是小于2％。
因此，如在引言中所述的，首先可以避免层布置之下的层或者基底对反射镜的光学特性的干扰影响，在该情况下尤其是对反射率的影响；其次，因此可以充分保护层布置之下的层或者基底不受EUV辐射的影响。

Claims (20)

1.一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子***(P”、P”’)，每个层子***由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，所述高折射率层(H”、H”’)和所述低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且所述周期(P2、P3)在每个层子***(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子***的周期的厚度偏离，其特征在于：
第二远离基底(S)的层子***(P”)具有所述周期(P2)的序列，使得最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离基底的层子***(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的数目(N2)。
2.一种用于EUV波长范围的反射镜(1a)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子***(P”、P”’)，每个层子***由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括由作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，所述高折射率层(H”、H”’)和所述低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且所述周期在每个层子***(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子***的周期的厚度偏离，其特征在于：
第二远离基底(S)的层子***(P”)具有所述周期(P2)的序列，使得最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离基底(S)的层子***(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且通过所述层布置的层子***(P”、P”’)的EUV辐射的透射率小于10％，特别地小于2％。
3.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中所述层子***(P”、P”’)由相同的多种材料构成，用于所述高折射率层(H”、H”’)和所述低折射率层(L”、L”’)。
4.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中，最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的周期(P3)的数目(N3)在9至16之间，并且其中，第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的数目(N2)在2至12之间。
5.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b)，其中所述层布置包括至少三个层子***(P’、P”、P”’)，并且最靠近所述基底(S)的层子***(P’)的周期(P1)的数目(N1)大于最远离所述基底的层子***(P”’)的周期(P3)的数目(N3)，并且/或者大于第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的数目(N2)。
6.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1c)，其中最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的周期(P3)的高折射率层(H’”)的厚度大于第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的高折射率层(H”)的厚度的120％，尤其是大于两倍。
7.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1c)，其中最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的周期(P3)的低折射率层(L”’)的厚度小于第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的低折射率层(L”)的厚度的80％，尤其是小于2/3。
8.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1c)，其中第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的低折射率层(L”)的厚度大于4nm，尤其是大于5nm。
9.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中最远离所述基底的层子***(P”’)的周期(P3)的厚度(d3)在7.2nm至7.7nm之间。
10.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中在所述层布置与所述基底(S)之间提供中间层或中间层布置，用于所述层布置的应力补偿。
11.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中所述层布置与所述基底(S)之间提供厚度大于20nm，尤其是大于50nm的金属层。
12.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中形成所述周期(P2，P3)的两个单独层(L”，H”，L”’，H”’)的材料是钼和硅、或者是钌和硅，并且其中所述单独层被至少一个阻挡层(B)分开，并且所述阻挡层(B)由选自以下材料组的材料或由以下材料组构成组合物构成：B4C、C、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钼、碳化钼、硼化钼、氮化钌、碳化钌和硼化钌。
13.根据权利要求12的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中所述阻挡层(B)包括材料B4C，并且所述阻挡层(B)的厚度在0.35nm至0.8nm之间，优选在0.4nm至0.6nm之间。
14.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中，覆盖层***(C)包括至少一个由化学惰性材料构成的层(M)，并且所述覆盖层***为所述反射镜的层布置的端层。
15.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中所述层布置沿着所述反射镜表面的厚度因子采用0.9至1.05之间的值，尤其是0.933至1.018之间的值。
16.根据权利要求15的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中所述层布置在所述反射镜表面的位置处的厚度因子与那里要确保的最大入射角相关。
17.根据权利要求1或2的用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，其中所述层布置包括至少三个层子***(P’，P”，P”’)，并且其中通过所述至少三个层子***(P’，P”，P”’)的EUV辐射的透射率小于10％，尤其是小于2％。
18.根据权利要求2的用于EUV波长范围的反射镜(1a)，其中，所述层子***(P’、P”)由相同的多种材料构成，用于所述高折射率层(H”，H”’)和所述低折射率层(L”，L”’)，并且最远离所述基底(S)的层子***(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子***(P”)的周期(P2)的数目(N2)。
19.一种用于微光刻的投射物镜，包括根据前述任一权利要求所述的反射镜(1a；1b；1c)。
20.一种用于微光刻的投射曝光设备，包括根据权利要求19所述的投射物镜。
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