JP5926264B2 - ミラー、当該ミラーを備える投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置 - Google Patents
ミラー、当該ミラーを備える投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5926264B2 JP5926264B2 JP2013529611A JP2013529611A JP5926264B2 JP 5926264 B2 JP5926264 B2 JP 5926264B2 JP 2013529611 A JP2013529611 A JP 2013529611A JP 2013529611 A JP2013529611 A JP 2013529611A JP 5926264 B2 JP5926264 B2 JP 5926264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mirror
- substrate
- refractive index
- graphene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 643
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 178
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 163
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 107
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 90
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 60
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 45
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 6
- -1 ruthenium nitride Chemical class 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N Ibuprofen Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C(C)C(O)=O)C=C1 HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 78
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 58
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 29
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Z(h)=(rho×h2)/(1+[1−(1+ky)×(rho×h)2]0.5)+
+c1×h4+c2×h6+c3×h8+c4×h10+c5×h12+c6×h14
ここで、ミラーの半径R=1/rho及びパラメータky、c1、c2、c3、c4、c5、及びc6を単位[mm]とする。この場合、上記パラメータcnは、同じく単位[mm]での距離hの関数として球面Z(h)が得られるように、[1/mm2n+2]に従って単位[mm]に関して正規化される。
を用いて計算した。この場合、特に実際の薄層の屈折率が表2で言及されている文献値から逸脱し得るので、実際のミラーの反射率値が図8〜図15に示す理論上の反射率値よりも小さくなることが分かり得ることを考慮に入れるべきである。
基板/…/(P1)×N1/(P2)×N2/(P3)×N3/被覆層システムC
ここで、図2及び図3に関しては、
P1=H’BL’B;P2=H’’BL’’B;P3=H’’’BL’’’B;C=HBLM
であり、図1と、図3に関する変形形態としての例示的な第4実施形態とに関しては、
P1=BH’BL’;P2=BL’’BH’’;P3=H’’’BL’’’B;C=HBLM
である。
基板/…/(0.4B4C2.921Si0.4B4C4.931Mo)×8/(0.4B4C4.145Mo0.4B4C2.911Si)×5/(3.509Si0.4B4C3.216Mo0.4B4C)×16/2.975Si0.4B4C2Mo1.5Ru
基板/…/(2.921Si4.931Mo)×8/(4.145Mo2.911Si)×5/(3.509Si3.216Mo)×16/2.975Si2Mo1.5Ru
基板/…/(4.737Si0.4B4C2.342Mo0.4B4C)×28/(3.443Si0.4B4C2.153Mo0.4B4C)×5/(3.523Si0.4B4C3.193Mo0.4B4C)×15/2.918Si0.4B4C2Mo1.5Ru
基板/…/(4.737Si2.342Mo)×28/(3.443Si2.153Mo)×5/(3.523Si3.193Mo)×15/2.918Si2Mo1.5Ru
基板/…/(1.678Si0.4B4C5.665Mo0.4B4C)×27/(3.798Si0.4B4C2.855Mo0.4B4C)×14/1.499Si0.4B4C2Mo1.5Ru
として、また、説明のためにバリア層B4Cを無視して、
基板/…/(1.678Si5.665Mo)×27/(3.798Si2.855Mo)×14/1.499Si2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
基板/…/(0.4B4C4.132Mo0.4B4C2.78Si)×6/(3.608Si0.4B4C3.142Mo0.4B4C)×16/2.027Si0.4B4C2Mo1.5Ru
として、また、説明のためにバリア層B4Cを無視して、
基板/…/(4.132Mo2.78Si)×6/(3.609Si3.142Mo)×16/2.027Si2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
基板/2000SiO2/G(0.4B4C2.921Si0.4B4C4.931Mo)×8/(0.4B4C4.145Mo0.4B4C2.911Si)×5/(3.509Si0.4B4C3.216Mo0.4B4C)×16/2.975Si0.4B4C2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
基板/100Ni/G(0.4B4C2.921Si0.4B4C4.931Mo)×8/(0.4B4C4.145Mo0.4B4C2.911Si)×5/(3.509Si0.4B4C3.216Mo0.4B4C)×16/2.975Si0.4B4C2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
基板/(5Ni G)×20/(0.4B4C2.921Si0.4B4C4.931Mo)×8/(0.4B4C4.145Mo0.4B4C2.911Si)×5/(3.509Si0.4B4C3.216Mo0.4B4C)×16/2.975Si0.4B4C2Mo1.5Ru
として指定することが可能である。
Claims (16)
- 基板(S)及び層構成体を備えるミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)であって、前記層構成体を、少なくとも0°〜30°の入射角で前記ミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)に入射する250nm未満の波長を有する光(32)がその強度の20%よりも多く反射されるよう設計し、前記層構成体は、個別層の少なくとも2つの周期(P3)の周期的配列からなる少なくとも1つの表面層システム(P’’’)を含み、前記周期(P3)は、高屈折率層(H’’’)及び低屈折率層(L’’’)に関して異なる材料から構成される2つの個別層を含むミラーにおいて、
グラフェンから構成される、前記基板(S)の表面を保護する表面保護層(SPL)、表面保護層(SPL)と前記層形成体との間に配置された層(G)、及び、前記高屈折率層と前記低屈折率層との間に配置されるバリア層(B)のうち少なくとも1つの層を含むことを特徴とするミラー。 - 請求項1に記載のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、前記グラフェンから構成される少なくとも1つの層(G、SPL、B)は、0.04nm rms HSFR未満の表面粗さを有するミラー。
- 基板(S)及び層構成体を備えるミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)であって、前記層構成体を、少なくとも0°〜30°の入射角で前記ミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)に入射する250nm未満の波長を有する光(32)がその強度の20%よりも多く反射されるよう設計し、前記層構成体は、個別層の少なくとも2つの周期(P3)の周期的配列からなる少なくとも1つの表面層システム(P’’’)を含み、前記周期(P3)は、高屈折率層(H’’’)及び低屈折率層(L’’’)に関して異なる材料から構成される2つの個別層を含むミラーにおいて、
前記層構成体は、0.04nm rms HSFR未満の表面粗さを有する少なくとも1つの層を含むことを特徴とするミラー。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、前記少なくとも1つの層は、HSFR領域を超える空間周波数で0.1nm rms未満、特に0.07nm rms未満の表面粗さを有するミラー。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、該ミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)は、ミラー表面に対する入射点における法線に対して少なくとも0°〜30°の入射角で前記ミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)に入射するEUV放射線をその強度の20%よりも多く反射する、EUV波長域用のミラーであるミラー。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、前記層構成体は、炭素、グラフェン、炭化ホウ素、酸化ケイ素の群からの材料から形成されるか又は化合物として当該材料から構成される少なくとも1つの層を含むミラー。
- 請求項5又は6に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1a’;1b’;1c)において、前記層構成体は、個別層の少なくとも2つの周期(Pp)の周期的配列からなる前記基板(S)の表面を保護する少なくとも1つの表面保護層システム(SPLS)を含み、前記周期(Pp)は、高屈折率層(Hp)及び低屈折率層(Lp)に関して異なる材料から構成される2つの個別層を含み、前記周期(Pp)を形成する前記2つの個別層(Lp、Hp)の材料は、ニッケル及びケイ素又はコバルト及びベリリウムであるEUV波長域用のミラー。
- 請求項5又は6に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、前記周期(P2、P3)を形成する前記2つの個別層(L’’、H’’、L’’’、H’’’)の材料は、モリブデン及びケイ素又はルテニウム及びケイ素であり、被覆層システム(C)が、化学的に不活性な材料から構成される少なくとも1つの層(M)を含み、前記ミラーの前記層構成体の終端となるEUV波長域用のミラー。
- 請求項7又は8に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、前記個別層は、少なくとも1つのバリア層(B)により分離され、該バリア層(B)は、B4C、C、グラフェン、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化ケイ素、窒化モリブデン、炭化モリブデン、ホウ化モリブデン、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、及びホウ化ルテニウムの材料群から選択される材料、又は化合物として該材料群から構成される材料からなるEUV波長域用のミラー。
- 請求項5又は6に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c;1c’)において、前記層構成体は、個別層の少なくとも2つの周期(Pp)の周期的配列からなる前記基板(S)の表面を保護する少なくとも1つの表面保護層システム(SPLS)を含み、前記周期(Pp)は、低屈折率層(Lp)及びバリア層(B)に関して異なる材料から構成される2つの個別層を含むEUV波長域用のミラー。
- 請求項10に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1c;1c’)において、前記低屈折率層(Lp)の材料は、ニッケルからなり、前記バリア層(B)の材料は、B4C、C、グラフェン、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化ケイ素、窒化モリブデン、炭化モリブデン、ホウ化モリブデン、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、及びホウ化ルテニウムの材料群から選択されるか、又は化合物として該材料群から構成されるEUV波長域用のミラー。
- 請求項10又は11に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1b;1b’;1c;1c’)において、前記少なくとも1つの表面層保護システム(SPLS)は、0.5nm rms HSFR未満、特に0.2nm rms HSFR未満の表面粗さを有する層を有するEUV波長域用のミラー。
- 請求項5〜12のいずれか1項に記載のEUV波長域用のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)において、前記基板(S)は、金属又は合金、特にSi、Glidcop(登録商標)、又はElmedur(登録商標)からなるEUV波長域用のミラー。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載のミラー(1a;1a’;1b;1b’;1c;1c’)を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ。
- 請求項14に記載の投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置。
- 表面粗さを0.1nm rms HSFR未満に減らすための、且つ/又はEUV波長域における光学素子を1%未満の放射線誘発不可逆変化から保護するための、且つ/又はEUV波長域におけるいわゆる多層膜ミラーの層間の相互拡散を防止するためのバリア層としての、前記光学素子上でのグラフェン(G、SPL、B)の使用。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US38663410P | 2010-09-27 | 2010-09-27 | |
DE102010041397 | 2010-09-27 | ||
US61/386,634 | 2010-09-27 | ||
DE102010041397.6 | 2010-09-27 | ||
US38721410P | 2010-09-28 | 2010-09-28 | |
DE102010041502.2 | 2010-09-28 | ||
DE201010041502 DE102010041502A1 (de) | 2010-09-28 | 2010-09-28 | Spiegel, Projektionsobjektiv mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungs-anlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
US61/387,214 | 2010-09-28 | ||
PCT/EP2011/065873 WO2012041697A1 (en) | 2010-09-27 | 2011-09-13 | Mirror, projection objective comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013542593A JP2013542593A (ja) | 2013-11-21 |
JP5926264B2 true JP5926264B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=45891991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013529611A Active JP5926264B2 (ja) | 2010-09-27 | 2011-09-13 | ミラー、当該ミラーを備える投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9575224B2 (ja) |
EP (1) | EP2622609A1 (ja) |
JP (1) | JP5926264B2 (ja) |
CN (1) | CN103229248B (ja) |
WO (1) | WO2012041697A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105700300B (zh) | 2010-06-25 | 2019-06-18 | Asml荷兰有限公司 | 光谱纯度滤光片 |
DE102011003077A1 (de) * | 2011-01-25 | 2012-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für ein reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
DE102012204833A1 (de) | 2012-03-27 | 2013-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Glatte euv-spiegel und verfahren zu ihrer herstellung |
DE102012222466A1 (de) | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
DE102014219755A1 (de) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
DE102014204660A1 (de) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2015161934A1 (en) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, radiation source, and lithographic system |
US9581890B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
DE102015218328B4 (de) * | 2015-09-24 | 2019-01-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System zur Feldabbildung und/oder Pupillenabbildung |
US10128016B2 (en) * | 2016-01-12 | 2018-11-13 | Asml Netherlands B.V. | EUV element having barrier to hydrogen transport |
US10816702B2 (en) * | 2016-03-18 | 2020-10-27 | Corning Incorporated | Reflective optical element with high stiffness substrate |
DE102016209273A1 (de) * | 2016-05-30 | 2017-11-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den euv-wellenlängenbereich |
DE102016209359A1 (de) * | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Kollektor |
CN110716384B (zh) * | 2018-06-26 | 2021-07-27 | 张家港宝视特影视器材有限公司 | 投影幕布及其制备方法 |
KR20210047125A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5433988A (en) * | 1986-10-01 | 1995-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray |
JP2566564B2 (ja) * | 1986-10-01 | 1996-12-25 | キヤノン株式会社 | 軟x線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 |
US5310603A (en) | 1986-10-01 | 1994-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray |
US6048652A (en) * | 1998-12-04 | 2000-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Backside polish EUV mask and method of manufacture |
JP2001227909A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Nikon Corp | 点回折干渉計、反射鏡の製造方法及び投影露光装置 |
DE10127086A1 (de) * | 2001-06-02 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Vorrichtung zur Reflexion von elektromagnetischen Wellen |
US20030008148A1 (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | Sasa Bajt | Optimized capping layers for EUV multilayers |
DE10155711B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel |
EP1333323A3 (en) * | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
JP2003227898A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、軟x線光学機器、露光装置及びその清掃方法 |
US7405854B2 (en) * | 2002-03-21 | 2008-07-29 | Cornell Research Foundation, Inc. | Fibrous micro-composite material |
DE10317667A1 (de) | 2003-04-17 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element für ein Beleuchtungssystem |
US7911584B2 (en) | 2003-07-30 | 2011-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for microlithography |
WO2005024516A2 (de) | 2003-08-14 | 2005-03-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage |
DE10344010A1 (de) | 2003-09-15 | 2005-04-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Wabenkondensor und Beleuchtungssystem damit |
ATE538491T1 (de) * | 2003-10-15 | 2012-01-15 | Nikon Corp | Mehrschichtiger filmreflexionsspiegel, herstellungsverfahren für einen mehrschichtigen filmreflexionsspiegel und belichtungssystem |
CN100449690C (zh) * | 2003-10-15 | 2009-01-07 | 株式会社尼康 | 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光*** |
JP4532991B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102004060184A1 (de) | 2004-12-14 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Spiegelanordnung |
JP2006171577A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 光学素子及びこれを用いた投影露光装置 |
DE102004062289B4 (de) | 2004-12-23 | 2007-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich |
WO2006078843A1 (en) | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Litel Instruments | Method and apparatus for determination of source polarization matrix |
JP5436853B2 (ja) | 2005-04-20 | 2014-03-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光系及び偏光光学素子 |
JP2007329368A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Canon Inc | 多層膜ミラー、評価方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7903338B1 (en) * | 2006-07-08 | 2011-03-08 | Cirrex Systems Llc | Method and system for managing light at an optical interface |
JP2009109193A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Canon Inc | 軟x線光学素子の製造方法 |
WO2009129194A2 (en) | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates |
WO2009158117A2 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-30 | The Regents Of The University Of California | Chemical modulation of electronic and magnetic properties of graphene |
JP2011527436A (ja) * | 2008-07-07 | 2011-10-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 |
KR20100094908A (ko) * | 2009-02-19 | 2010-08-27 | 양원동 | 그라핀 소재가 인설된 엘이디 조명기구 |
DE102009017095A1 (de) | 2009-04-15 | 2010-10-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
CN105700300B (zh) * | 2010-06-25 | 2019-06-18 | Asml荷兰有限公司 | 光谱纯度滤光片 |
-
2011
- 2011-09-13 WO PCT/EP2011/065873 patent/WO2012041697A1/en active Application Filing
- 2011-09-13 EP EP11760744.0A patent/EP2622609A1/en not_active Withdrawn
- 2011-09-13 JP JP2013529611A patent/JP5926264B2/ja active Active
- 2011-09-13 CN CN201180056893.6A patent/CN103229248B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-18 US US13/846,785 patent/US9575224B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2622609A1 (en) | 2013-08-07 |
CN103229248B (zh) | 2016-10-12 |
CN103229248A (zh) | 2013-07-31 |
JP2013542593A (ja) | 2013-11-21 |
WO2012041697A1 (en) | 2012-04-05 |
US20130286471A1 (en) | 2013-10-31 |
US9575224B2 (en) | 2017-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5926264B2 (ja) | ミラー、当該ミラーを備える投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置 | |
JP5548781B2 (ja) | Euv波長域用のミラー、当該ミラー用の基板、当該ミラー又は当該基板を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP5491618B2 (ja) | Euv波長域用のミラー、そのようなミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物鏡、およびそのような投影対物鏡を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP5509326B2 (ja) | Euv波長域用のミラー、当該ミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
US9541685B2 (en) | Method for producing a reflective optical component for an EUV projection exposure apparatus and component of this type | |
EP2513686B1 (en) | Reflective optical element for euv lithography | |
JP4320970B2 (ja) | 多層膜反射鏡の製造方法 | |
JP2014514741A (ja) | 偏向ミラー及び当該偏向ミラーを備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP2013514651A (ja) | Euvリソグラフィ用反射マスク | |
JP2018511818A (ja) | Euv多層ミラー、多層ミラーを含む光学系及び多層ミラーを製造する方法 | |
TWI639058B (zh) | 具去耦合塗布的鏡表面修正 | |
TW201802499A (zh) | Euv波長範圍的反射鏡 | |
TW201447918A (zh) | Euv反射鏡與包含euv反射鏡之光學系統 | |
JP6309535B2 (ja) | Euvリソグラフィー用反射性光学素子及びその製造方法 | |
US20210041781A1 (en) | EUV Mask Blanks And Methods Of Manufacture | |
Murakami et al. | Development status of projection optics and illumination optics for EUV1 | |
TW202246882A (zh) | 遮罩基底、反射型遮罩及半導體元件之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150715 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5926264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |