DE102013212462A1

DE102013212462A1 - Oberflächenkorrektur von Spiegeln mit Entkopplungsbeschichtung

Info

Publication number: DE102013212462A1
Application number: DE201310212462
Authority: DE
Inventors: Oliver Dier; Tobias Hackl; Franz-Josef Stickel; Ulrich Löring; Tilmann Assmus; Jürgen Müller; Vladimir Kamenov; Siegfried Rennon
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2013-06-27
Filing date: 2013-06-27
Publication date: 2015-01-15
Also published as: KR20160026887A; TWI639058B; US20160209750A1; EP3014316A1; WO2014206736A1; KR102206308B1; EP3014316B1; US9921483B2; TW201508422A; JP6444999B2; JP2016523386A

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Spiegel (1) für die EUV-Lithographie, umfassend ein Substrat (2) und eine reflektive Beschichtung (3, 4), wobei die reflektive Beschichtung eine erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) und eine zweite Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) umfasst, wobei die erste (3) und zweite Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b; 4a, 4b) jeweils zur Reflexion von Strahlung mit einer Nutzwellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sind, wobei die erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) zwischen dem Substrat (2) und der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) angeordnet ist, und wobei zwischen der ersten (3) und zweiten Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b, 4a, 4b) eine Entkopplungsbeschichtung (6) angeordnet ist, die zur optischen Entkopplung der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) von der ersten Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) ausgebildet ist. Die reflektive Beschichtung (3, 4) weist zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels (1) bevorzugt eine Korrekturschicht (5) mit einer Schichtdickenvariation auf. Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsoptik und ein optisches System für die EUV-Lithographie mit mindestens einem solchen Spiegel, ein Verfahren zum Korrigieren der Oberflächenform eines solchen Spiegels sowie Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer solchen Projektionsoptik.

Description

Hintergrund der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen Spiegel zur Verwendung in der EUV-Lithographie, beispielsweise in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, umfassend ein Substrat und eine reflektive Beschichtung. Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsoptik und ein optisches System für die EUV-Lithographie mit mindestens einem solchen Spiegel, ein Verfahren zum Korrigieren der Oberflächenform eines solchen Spiegels sowie Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer solchen Projektionsoptik.
Optische Systeme in Form von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen dienen zur Herstellung von mikrostrukturierten Bauelementen mittels eines photolithographischen Verfahrens. Dabei wird eine strukturtragende Maske, das sogenannte Retikel, mit Hilfe einer Projektionsoptik bzw. eines Projektionsobjektivs auf eine photosensitive Schicht abgebildet. Die minimale Strukturbreite, die mit Hilfe einer solchen Projektionsoptik abgebildet werden kann, wird bestimmt durch die Wellenlänge des verwendeten Abbildungslichtes. Je kleiner die Wellenlänge des verwendeten Abbildungslichtes ist, desto kleinere Strukturen können mit Hilfe der Projektionsoptik abgebildet werden. Heutzutage wird hauptsächlich Abbildungslicht mit der Wellenlänge 193 nm oder Abbildungslicht mit einer Wellenlänge im Bereich des extremen Ultraviolett (EUV), d. h. 5 nm–30 nm, verwendet. Bei der Verwendung von Abbildungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm kommen sowohl refraktive optische Elemente als auch reflektive optische Elemente innerhalb der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungs-anlage zum Einsatz. Bei Verwendung von Abbildungslicht mit einer Wellenlänge im Bereich von 5 nm–30 nm werden dagegen ausschließlich reflektive optische Elemente (Spiegel für die EUV-Lithographie) verwendet.
Die Performance eines optischen Systems, z.B. eines Projektionsobjektivs, mit Spiegeln (insbesondere, jedoch nicht ausschließlich bei EUV-Systemen) wird zum großen Teil durch die Abweichungen zwischen der im Design festgelegten und der in der Fertigung erreichten Systemwellenfront bestimmt. Diese Abweichungen entstehen (neben den Beiträgen der Montage und Justage) vor allem bei der Fertigung der Einzelkomponenten (Spiegel) durch die Genauigkeit der Optikfertigung, der Beschichtung und der entsprechenden Messtechniken. Werden in der Fertigung die Vorgaben der Genauigkeit einer einzelnen Spiegel-Komponente oder durch das Zusammenwirken mehrerer fehlerhafter Spiegel-Komponenten die spezifizierten Wellenfrontgrößen nicht erreicht, müssen einer oder mehrere Spiegel getauscht oder nachbearbeitet werden, bis das Gesamtsystem seine Spezifikationen erfüllt. Zur Korrektur von Wellenfrontbeiträgen von einzelnen (Spiegel-)Komponenten bzw. eines optischen Gesamtsystems sind verschiedene Ansätze bekannt:
In der WO 97/33203 wird ein abbildendes optisches System für UV-Strahlung beschrieben, bei dem eine reflektierende Oberfläche mit einer Korrekturschicht versehen wird, die für Strahlung bei der verwendeten Wellenlänge transparent ist und die Unebenheiten in der Oberflächenform der reflektierenden Oberfläche durch eine Schichtdickenvariation ausgleichen soll, um auf diese Weise eine Korrektur der Wellenfront zu erzeugen.
In der EP 1947682 ist ein Korrekturprozess für einen Spiegel mit einer Mehrlagen-Beschichtung beschrieben, bei dem z.B. mittels lonenstrahlbearbeitung (engl. „ion beam figuring“, IBF) ein Abtrag in den obersten Schichten der Mehrlagen-Beschichtung erfolgt, um eine Dickenverteilung zu erzeugen und die Wellenfront zu verändern. Auf den abgetragenen Teil der Mehrlagen-Beschichtung wird eine Zwischenschicht aus Si oder einem Si enthaltenden Material und auf die plane Oberseite der Zwischenschicht wird eine Schutzschicht mit im Wesentlichen konstanter Dicke aufgebracht.
Bei den beiden oben beschriebenen Korrekturprozessen werden zwar Aberrationen korrigiert, jedoch wird durch die oberflächennahe Bearbeitung die Reflektivität der Spiegel stark variieren, wodurch sich die Apodisierung verschlechtert. Prozesstechnisch stellt zudem die in der EP 1947682 beschriebene Bearbeitung von unterschiedlichen Schichtmaterialien (Mo bzw. Si) z.B. mittels eines Ionenstrahls ein Problem dar: Bei der Bearbeitung resultieren hieraus unterschiedliche Abträge und Rauheiten der Schichtmaterialien. Insbesondere die Bearbeitung in einer Molybdän-Schicht ist typischerweise ungünstig, da in dieser in der Regel eine starke Aufrauhung und Oxidation auftritt.
Die US 2008/0259439 A1 beschreibt die Korrektur der Wellenfront eines Spiegels durch die Beaufschlagung der Schichten der reflektiven Beschichtung mit Strahlung, insbesondere mit Laserstrahlung, zur Aufheizung der Schichten. Hierbei wird ausgenutzt, dass durch die Aufheizung eine Kompaktierung der Schichten erfolgt, die zu einer Verringerung der Periodenlänge führt. Durch die Kompaktierung der Schichten verschieben sich die Reflektivitätsspektren in den bestrahlten Bereichen, wodurch ebenfalls die Apodisierung verschlechtert wird.
In der US 2007/0091420 A1 und der US 2007/0091421 A1 sind Spiegel mit einer Mehrlagen-Beschichtung beschrieben, bei denen zwischen einer ersten Gruppe von Schichten und einer zweiten Gruppe von Schichten eine Zwischenschicht aus Si angeordnet ist. Zum Aufbringen der Schichten wird ein Sputter-Prozess vorgeschlagen, bei dem die gesputterten Teilchen senkrecht oder unter einem Winkel auf das Substrat auftreffen.
In der DE 10 2009 029471 A1 wird ein Spiegel beschrieben, der ein Substrat und eine reflektive Beschichtung aufweist. Die reflektive Beschichtung umfasst eine erste und zweite Gruppe von Schichten, wobei die zweite Gruppe von Schichten zwischen der ersten Gruppe von Schichten und dem Substrat angeordnet ist. Die Schichten der ersten und zweiten Gruppe dienen jeweils zur Reflexion von EUV-Strahlung. Die erste Gruppe von Schichten umfasst eine Anzahl von Schichten, die größer als 20 ist, so dass bei Einstrahlung mit Strahlung einer Wellenlänge im Bereich 5–30 nm weniger als 20% der Strahlung die zweite Gruppe von Schichten erreicht. Die zweite Gruppe von Schichten weist eine Schichtdickenvariation zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels auf. In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Gruppe von Schichten eine Korrekturschicht mit einer Schichtdickenvariation auf, die mehr als 50% der Schichtdickenvariation der zweiten Gruppe von Schichten ausmacht. Die Schichtdickenvariation in der Korrekturschicht kann z.B. durch Ionenstrahlbearbeiten erzeugt werden. Da nur ca. 20% der eingestrahlten Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreicht, soll sich die Kombination aus beiden Gruppen von Schichten nicht wesentlich auf die Reflektivitätseigenschaften des Spiegels auswirken.
Aufgabe der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, die Reflektivitätseigenschaften eines Spiegels für die EUV-Lithographie mit einer korrigierten Oberflächenform zu verbessern, sowie eine Projektionsoptik und ein optisches System für die EUV-Lithographie mit mindestens einem solchen Spiegel bereitzustellen. Aufgabe der Erfindung ist es ebenfalls, ein verbessertes Verfahren zum Korrigieren der Oberflächenform eines solchen Spiegels sowie Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer Projektionsoptik mit mindestens einem solchen Spiegel anzugeben.
Gegenstand der Erfindung
Diese Aufgabe wird gemäß einem Aspekt gelöst durch einen Spiegel für die EUV-Lithographie, umfassend ein Substrat und eine reflektive Beschichtung, wobei die reflektive Beschichtung eine erste Gruppe von Schichten und eine zweite Gruppe von Schichten umfasst, wobei die erste und zweite Gruppe von Schichten jeweils zur Reflexion von Strahlung mit einer Nutzwellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sind, wobei die erste Gruppe von Schichten zwischen dem Substrat und der zweiten Gruppe von Schichten angeordnet ist, und wobei zwischen der ersten und zweiten Gruppe von Schichten eine Entkopplungsbeschichtung angeordnet ist, die zur optischen Entkopplung der zweiten Gruppe von Schichten von der ersten Gruppe von Schichten ausgebildet ist. Bevorzugt ist zwischen der ersten Gruppe von Schichten und der zweiten Gruppe von Schichten eine Korrekturschicht mit einer Schichtdickenvariation zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels angeordnet.
Die Erfinder haben erkannt, dass insbesondere beim Einbringen einer Korrekturschicht in eine reflektive Beschichtung, wie dies in der DE 10 2009 029 471 A1 beschrieben ist, aber auch beim Einbringen von anderen (funktionellen) Schichten durch die zwei hoch reflektierenden Gruppen von Schichten und die dazwischen liegende, für die einfallende Strahlung typischerweise im Wesentlichen transparente (Korrektur-)Schicht das Problem auftritt, dass eine Konfiguration entsteht, die einem Etalon oder einer Laserkavität in einem VCSEL („vertical-cavity surface emitting laser“) ähnelt, d.h. je nach Dicke der (Korrektur-)Schicht verändert sich die wellenlängenabhängige Reflektivität bzw. das Reflektivitätsspektrum des Spiegels. Je transparenter die der Grenzfläche zur Umgebung benachbarte zweite Gruppe von Schichten für die einfallende EUV-Strahlung ist, desto stärker wird dieser Effekt, d.h. desto stärker verändert sich das Reflektivitätsspektrum. Insbesondere bei Beschichtungen, die eine geringe Anzahl von Perioden bzw. von Schichten, beispielsweise weniger als 20 Schichten, aufweisen, kann dieser Effekt zu einer konstruktiven Interferenz der beiden Gruppen von Schichten führen, die zu einer drastischen Änderung des Reflektivitätsspektrums führt, bei der sich ggf. zwei oder mehr Maxima der Reflektivität ausbilden können, die nicht mit der Nutzwellenlänge übereinstimmen.
Auch für den Fall, dass weniger als 20% der einfallenden Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreicht, kann sich dies bereits ungünstig auf die Reflektivitätseigenschaften des Spiegels auswirken. Um zu vermeiden, dass Strahlung aus der zweiten Gruppe von Schichten durch die (Korrektur-)Schicht mit der ersten Gruppe von Schichten wechselwirken kann, wird vorgeschlagen, zwischen der ersten und zweiten Gruppe von Schichten eine Entkopplungsbeschichtung anzuordnen, um die erste und zweite Gruppe von Schichten optisch zu entkoppeln. Unter dem Begriff „optische Entkopplung“ wird verstanden, das praktisch keine einfallende Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreicht, d.h. die Entkopplungsbeschichtung wirkt als Abschirmung für die einfallende EUV-Strahlung.
Im Idealfall sollte 0% der einfallenden Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreichen, es ist ggf. aber auch ausreichend, wenn durch die Entkopplungsbeschichtung sichergestellt ist, dass weniger als 5%, bevorzugt weniger als 1% der einfallenden Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreicht. Der Begriff „Entkopplungsbeschichtung“ wird in dieser Anmeldung auch für den Fall verwendet, dass nur eine einzelne Entkopplungsschicht vorhanden ist. In der Regel wird die Entkopplungsbeschichtung homogen aufgebracht, d.h. diese weist eine konstante Dicke auf. Die optische Entkopplung der beiden Gruppen von Schichten mit Hilfe der Entkopplungsbeschichtung kann auf unterschiedliche Weise erfolgen:
Bei einer Ausführungsform weist die Entkopplungsbeschichtung mindestens eine Absorptionsschicht auf, die zur Absorption von Strahlung mit einer Nutzwellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet ist. In diesem Fall dient die Absorptionsschicht als Entkopplungsschicht. Die Absorptionsschicht weist zu diesem Zweck ein Material auf, das für EUV-Strahlung, d.h. für Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen ca. 5 nm und ca. 30 nm, einen hohen Absorptionskoeffizienten aufweist.
Bei einer Weiterbildung insbesondere für den Betrieb bei 13,5 nm ist die Absorptionsschicht aus einem Material gebildet, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Ni, Ag, Ac, Te, Cu, Co, Sn, Zn, Pt, Au, W, Fe. Diese Materialien weisen einen hohen Absorptionskoeffizienten für EUV-Strahlung bei 13,5 nm auf.
In einer anderen Weiterbildung insbesondere für den Betrieb bei 7 nm ist die Absorptionsschicht aus einem Material gebildet, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Al, Co, Cu, Ir, Os, Ni, Fe, Hf, Pt, Ta, W, Zn. Diese Materialien weisen einen hohen Absorptionskoeffizienten für EUV-Strahlung bei 7 nm auf.
In einer anderen Weiterbildung besteht die Absorptionsschicht nicht nur aus Elementen, sondern auch aus Legierungen oder chemischen Verbindungen wie MoSi, CoSi, WSi, SiN, SiO, MoO, CoO, NiO.
In einer weiteren Weiterbildung weist die Absorptionsschicht eine Dicke von mehr als 50 nm, bevorzugt von mehr als 100 nm auf. Es versteht sich, dass für die vollständige Abschirmung der ersten Gruppe von Schichten vor Strahlung, die in die zweite Gruppe von Schichten eindringt, die Absorptionsschicht oder eine Mehrzahl von Absorptionsschichten mit einer ausreichenden Dicke bereitgestellt werden muss bzw. bereitgestellt werden müssen.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Entkopplungsbeschichtung eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten und zweiten Schichten, bevorzugt in einer periodischen Anordnung, auf, wobei die ersten Schichten ein erstes Material aufweisen, dessen Brechungsindex für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm größer ist als der Brechungsindex eines zweiten Materials, welches die zweiten Schichten aufweisen, und wobei die Entkopplungsbeschichtung ein Reflektivitätsmaximum bei einer Wellenlänge aufweist, die von der Nutzwellenlänge um mehr als 2 nm, bevorzugt um mehr als 3 nm abweicht. Bei dieser Ausführungsform hat es sich als günstig erwiesen, wenn die Mehrzahl von ersten und zweiten Schichten in einer periodischen Anordnung vorliegen, d.h. wenn die übereinander angeordneten Schichtpaare aus jeweils einer ersten und zweiten Schicht eine jeweils gleiche Dicke aufweisen, da in diesem Fall um das Maximum der Reflektivität der Entkopplungsbeschichtung herum die Reflektivitätskurve sehr schnell abfällt.
Bei dieser Ausführungsform ist die Entkopplungsbeschichtung als EUV-Beschichtung ausgebildet, die insbesondere bei einer periodischen Anordnung der Schichten (genau) ein Reflektivitätsmaximum aufweist, welches deutlich von der Nutzwellenlänge abweicht, bei der die zweite Gruppe von Schichten (und typischerweise auch die erste Gruppe von Schichten) ein Reflektivitätsmaximum aufweisen. Liegt das Reflektivitätsmaximum der Entkopplungsbeschichtung deutlich außerhalb des Wellenlängenbereichs, in dem Strahlung von der zweiten Gruppe von Schichten reflektiert wird, kann verhindert werden, dass die einfallende Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreicht. Liegt die Nutzwellenlänge beispielsweise bei ca. 13,5 nm, hat es sich als günstig erwiesen, wenn das Reflektivitätsmaximum der Entkopplungsbeschichtung beispielsweise bei ca. 11 nm oder weniger oder bei ca. 18 nm oder darüber liegt.
Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst die Entkopplungsbeschichtung eine dritte Gruppe von Schichten, wobei die zweite und dritte Gruppe von Schichten jeweils eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten und zweiten Schichten in einer periodischen Anordnung umfassen, wobei die ersten Schichten ein erstes Material aufweisen, dessen Brechungsindex für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm größer ist als der Brechungsindex eines zweiten Materials, welches die zweiten Schichten aufweisen, und wobei die Gesamtzahl von Paaren aus ersten und zweiten Schichten der zweiten und dritten Gruppe bei mehr als 50, bevorzugt bei mehr als 70 liegt.
Bei dieser Ausführungsform wird ausgenutzt, dass bei einer genügend hohen Anzahl von Schichten bzw. von Schichtpaaren aus jeweils einer ersten und zweiten Schicht aufgrund von Reflexion und Absorption die erste Gruppe von Schichten praktisch keine EUV-Strahlung mehr erreicht. Bei dieser Ausführungsform weist der Spiegel eine periodische Beschichtung auf, d.h. eine Beschichtung, bei der die Schichtpaare eine jeweils konstante Dicke aufweisen, welche der Periodenlänge der Beschichtung entspricht. Durch eine solche periodische Anordnung kann eine hochreflektierende Beschichtung erzeugt werden, die nur in einem sehr schmalen Wellenlängenbereich eine hohe Reflektivität aufweist. Es versteht sich, dass die Dicke der reflektiven Beschichtung bzw. der Schichtpaare ggf. ortsabhängig variieren kann, beispielsweise um den Einfluss des ggf. ortsabhängig variierenden Einfallswinkels bei der Verwendung des Spiegels in einem optischen System zu berücksichtigen.
Bei einer alternativen Ausführungsform weist die Entkopplungsbeschichtung eine dritte Gruppe von Schichten auf, wobei die zweite und dritte Gruppe von Schichten jeweils eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten und zweiten Schichten in einer aperiodischen Anordnung umfassen, wobei die ersten Schichten ein erstes Material aufweisen, dessen Brechungsindex für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm größer ist als der Brechungsindex eines zweiten Materials, welches die zweiten Schichten aufweisen, und wobei die Gesamtzahl der Schichten der zweiten und dritten Gruppe von Schichten bei mehr als 50, bevorzugt bei mehr als 80 liegt.
Bei dieser Ausführungsform sind die Schichten der zweiten und dritten Gruppe aperiodisch angeordnet, d.h. die Schichtdicken der ersten bzw. der zweiten Schichten verändern sich in Dickenrichtung. Ein solches aperiodisches Design wird typischerweise verwendet, um eine so genannte breitbandige Beschichtung zu realisieren, die für Wellenlängen in einem vergleichsweise breiten Wellenlängen- oder Winkelbereich des EUV-Spektrums um das Reflektivitätsmaximum eine hohe Reflektivität aufweisen. Auch in diesem Fall kann durch Reflexion und Absorption in den Schichten der zweiten und dritten Gruppe von Schichten verhindert werden, dass die einfallende Strahlung die erste Gruppe von Schichten erreicht.
Bei den beiden oben beschriebenen Ausführungsformen, die eine periodische bzw. aperiodische Anordnung von Schichten aufweisen, wird die Entkopplung dadurch erreicht, dass zusätzlich zu den Schichten der zweiten Gruppe, deren Anzahl so gewählt ist, dass die gewünschte Reflektivität für die einfallende EUV-Strahlung erreicht wird, eine Anzahl von Schichten hinzugefügt, welche nicht bzw. nur geringfügig zu einer Erhöhung der Reflektivität der zweiten Gruppe von Schichten beitragen, aber die Strahlungsintensität, welche die erste Gruppe von Schichten erreicht, praktisch auf Null reduziert, d.h. die zusätzlichen Schichten der dritten Gruppe erfüllen die Funktion einer Entkopplungsbeschichtung. Wenn die Korrekturschicht unter der Entkopplungsbeschichtung angeordnet ist, kann die zweite und dritte Gruppe von Schichten in einem gemeinsamen Beschichtungsschritt aufgebracht werden. In der Regel stimmen die Schichtdicken und die Schichtmaterialien der zweiten und dritten Gruppe von Schichten überein, d.h. die Zugehörigkeit der Schichten zur zweiten bzw. zur dritten Gruppe kann nicht unterschieden werden.
Bei einer weiteren Ausführungsform weist die zweite Gruppe von Schichten eine Anzahl von Schichten auf, die kleiner oder gleich 20 ist. In diesem Fall ist die zweite Gruppe von Schichten besonders durchlässig für eindringende EUV-Strahlung, so dass durch das Vorsehen einer Entkopplungsbeschichtung die Reflektivitätseigenschaften des Spiegels deutlich verbessert werden können. Bei der Beschichtung bzw. bei der zweiten Gruppe von Schichten mit einer Schichtanzahl von 20 oder weniger handelt es sich typischerweise um eine Breitband-Beschichtung mit einer Mehrzahl von Schichten in einer periodischen Anordnung. Die Breitbandigkeit der Reflektivitätskurve wird in diesem Fall durch die vergleichsweise geringe Anzahl von Schichten erzeugt.
In einer weiteren Ausführungsform ist das Material der Korrekturschicht ausgewählt aus der Gruppe umfassend: Si, SiO₂, SiC, C, Ru, Ni. Diese Materialien lassen sich beispielsweise mittels eines Ionenstrahls oder dergleichen bearbeiten, um die Schichtdickenvariation zu erzeugen, ohne dass es bei der Bearbeitung zu einer starken Aufrauhung der Schicht kommt. Schichtdickenvariationen zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels liegen typischerweise ungefähr in der Größenordnung der Nutzwellenlänge, d.h. bei einer Nutzwellenlänge von ca. 13,5 nm liegt die Schichtdickenvariation ungefähr in der Größenordnung zwischen ca. 1 nm und 15 nm.
Für den Fall, dass die Korrekturschicht aus einem Material mit einem hohen Absorptionskoeffizienten gebildet ist, kann diese – bei entsprechend großer Dicke – ggf. die Funktion der Entkopplungsbeschichtung übernehmen, d.h. in diesem Fall kann eine einzige Schicht sowohl die Funktion der Korrekturschicht als auch der Entkopplungsbeschichtung übernehmen. In einer weiteren Ausführungsform grenzt die Korrekturschicht an die erste Gruppe von Schichten oder an die zweite Gruppe von Schichten. In der Regel grenzt die Korrekturschicht an die zweite Gruppe von Schichten, um durch die Bearbeitung der Korrekturschicht eine Oberflächenkorrektur vorzunehmen, die sowohl Oberflächenfehler der ersten Gruppe von Schichten als auch der Entkopplungsbeschichtung korrigiert. Es ist aber auch möglich, die Korrekturschicht auf die oberste Schicht der ersten Gruppe von Schichten aufzubringen. In diesem Fall wird die Entkopplungsbeschichtung auf die Korrekturschicht aufgebracht. Dies ist insbesondere günstig, wenn die Entkopplungsbeschichtung wie oben beschrieben als dritte Gruppe von Schichten in einer periodischen oder aperiodischen Schichtanordnung ausgebildet ist, da ansonsten die oben beschriebenen Effekte auf die Reflektivitätskurve ggf. durch eine optische Kopplung der zweiten und dritten Gruppe von Schichten entstehen können.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine Projektionsoptik für die EUV-Lithographie, welche mindestens einen Spiegel aufweist, der wie oben beschrieben ausgebildet ist, sowie ein optisches System für die EUV-Lithographie mit mindestens einem solchen Spiegel. Bei dem optischen System kann es sich um eine EUV-Lithographieanlage zur Belichtung eines Wafers oder um ein anderes optisches System handeln, welches EUV-Strahlung verwendet, beispielsweise um ein System zur Vermessung von in der EUV-Lithographie verwendeten Masken oder dergleichen.
Die Erfindung betrifft ebenfalls ein Verfahren zum Korrigieren einer Oberflächenform eines Spiegels für die EUV-Lithographie, der ein Substrat und eine reflektive Beschichtung aufweist, das Verfahren umfassend die Schritte: Aufbringen einer ersten Gruppe von Schichten der reflektiven Beschichtung auf das Substrat, Aufbringen einer zweiten Gruppe von Schichten der reflektiven Beschichtung auf die erste Gruppe von Schichten, wobei die erste und zweite Gruppe von Schichten jeweils zur Reflexion von Strahlung bei einer Nutzwellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sind, wobei nach dem Aufbringen der ersten Gruppe von Schichten und vor dem Aufbringen der zweiten Gruppe von Schichten eine Entkopplungsbeschichtung zur optischen Entkopplung der ersten und zweiten Gruppe von Schichten und bevorzugt eine Korrekturschicht (oder ggf. eine andere Art von funktioneller, für die EUV-Strahlung im Wesentlichen transparenter Schicht) aufgebracht wird, und wobei das Korrigieren der Oberflächenform des Spiegels das Erzeugen oder Verändern einer Schichtdickenvariation der reflektierenden Beschichtung, insbesondere der Korrekturschicht, umfasst.
Ein solches Verfahren hat den Vorteil, dass sich die Oberflächenform des Spiegels durch eine Bearbeitung der reflektierenden Beschichtung, beispielsweise im Bereich der ersten Gruppe von Schichten und/oder durch die Bearbeitung der Korrekturschicht sehr genau einstellen lässt. Die Schichtdickenvariation zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels kann beispielsweise zu mehr als 50% durch die Schichtdickenvariation der Korrekturschicht zu Stande kommen, es kann jedoch ggf. auch vollständig auf das Vorsehen der Korrekturschicht verzichtet werden. Die Entkopplungsbeschichtung dient der optischen Entkopplung bzw. der Abschirmung der ersten Gruppe von Schichten vor EUV-Strahlung, die von der zweiten Gruppe von Schichten reflektiert werden soll. Mit Hilfe der Entkopplungsbeschichtung kann eine Korrektur der Oberflächenform bzw. eine Wellenfrontkorrektur vorgenommen werden, ohne dass sich hierbei die Reflektivitätseigenschaften des Spiegels verschlechtern. Die Korrekturschicht kann auf die Entkopplungsbeschichtung aufgebracht werden, es ist aber auch der umgekehrte Fall möglich, d.h. es kann zunächst die Korrekturschicht und nachfolgend die Entkopplungsbeschichtung aufgebracht werden.
Bei einer Variante des Verfahrens wird nach dem Aufbringen der ersten Gruppe von Schichten und vor dem Aufbringen der zweiten Gruppe von Schichten die Oberflächenform des Spiegels vermessen. Die Vermessung der Oberflächenform kann beispielsweise durch ein interferometrisches Messverfahren erfolgen, wobei die Vermessung günstiger Weise unter Bedingungen erfolgt, die so gut wie möglich den Einsatzbedingungen des Spiegels in einem optischen System entsprechen. Dies betrifft insbesondere die Wellenlänge der für die Vermessung verwendeten Strahlung. Ein Spiegel mit einer zweiten Gruppe von Schichten, die zur Reflexion von Strahlung bei einer Nutzwellenlänge zwischen ca. 5 nm und ca. 30 nm ausgebildet ist, wird typischerweise mit Strahlung bei einer Wellenlänge vermessen, die ebenfalls in diesem Wellenlängenbereich liegt und die ggf. (aber nicht zwingend) mit der Nutzwellenlänge übereinstimmt. Die erste Gruppe von Schichten wird auf das Substrat aufgebracht, um die Oberflächenform des Spiegels bei der Nutzwellenlänge bzw. bei einer geringfügig von dieser abweichenden Wellenlänge zu vermessen. Bei einer weiteren Variante umfasst das Erzeugen oder Verändern einer Schichtdickenvariation der Korrekturschicht eine Ionenstrahlbearbeitung der Korrekturschicht. Bei dieser Variante wird eine lokale Variation der Dicke der Korrekturschicht durch einen lokalen Abtrag des Schichtmaterials der Korrekturschicht mittels eines Ionenstrahls erzeugt. Es versteht sich, dass auch andere Bearbeitungsmethoden zur Erzeugung der Schichtdickenvariation der Korrekturschicht eingesetzt werden können, sofern diese eine ausreichend große Präzision bei der Bearbeitung ermöglichen.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer Projektionsoptik für die EUV-Lithographie, umfassend ein vorstehend beschriebenes Verfahren zum Korrigieren einer Oberflächenform mindestens eines Spiegels der Projektionsoptik. Damit hat ein solches Verfahren zur Korrektur der Abbildungseigenschaften die Vorteile, die vorstehend mit Bezug auf das Korrekturverfahren einer Oberflächenform beschrieben sind.
Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer Projektionsoptik für die EUV-Lithographie, umfassend die folgenden Schritte:

a. Bestimmung der Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik
b. Berechnung einer Korrektur-Oberflächenform mindestens eines Spiegels aus den Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik
c. Korrektur einer Oberflächenform mindestens eines Spiegels gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren.

Ein solches Verfahren zur Korrektur der Abbildungseigenschaften hat die Vorteile, die bereits vorstehend mit Bezug auf das Korrekturverfahren einer Oberflächenform beschrieben sind.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigen:
1a–c drei Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines Spiegels für die Mikrolithographie gemäß dem Stand der Technik, bei denen auf ein Substrat eine erste Gruppe von Schichten, eine Korrekturschicht sowie eine zweite Gruppe von Schichten aufgebracht wird,
2a–c eine Darstellung analog 1a–c, bei der eine Entkopplungsbeschichtung in Form einer Absorptionsschicht auf die erste Gruppe von Schichten aufgebracht wird,
3a–c eine Darstellung analog 2a–c, bei der die Entkopplungsbeschichtung in Form einer reflektierenden Beschichtung mit einem Reflexionsmaximum außerhalb des Nutzwellenlängenbereichs des Spiegels aufgebracht wird,
4a–c eine Darstellung analog 1a–c, bei der eine Entkopplungsbeschichtung mit einer dritten Gruppe von Schichten in einer periodischen Anordnung auf die Korrekturschicht aufgebracht wird,
5a–c eine Darstellung analog 4a–c, bei der die Entkopplungsbeschichtung eine dritte Gruppe von Schichten in einer aperiodischen Anordnung aufweist,
6 eine Darstellung der Reflektivität des Spiegels von 1c für unterschiedliche Dicken der Korrekturschicht,
7 eine Darstellung analog 6, bei der die zweite Gruppe von Schichten zehn Schichtperioden aufweist,
8 eine Darstellung analog 7 für den Spiegel gemäß 2c,
9 eine Projektionsoptik, in der ein erfindungsgemäßer Spiegel Verwendung finden kann,
10a schematisch eine Aufsicht auf eine zu korrigierende Oberfläche,
10b einen Schnitt durch die in 10a dargestellte zu korrigierende Oberfläche,
11 anhand eines Flussdiagramms ein Verfahren zur Korrektur der Oberflächenform eines Spiegels, und
12 anhand eines Flussdiagramms ein Verfahren zur Korrektur der Abbildungsqualität einer Projektionsoptik durch die Korrektur der Oberflächenform eines Spiegels.
In der folgenden Beschreibung der Zeichnungen werden für gleiche bzw. funktionsgleiche Bauteile identische Bezugszeichen verwendet.
In 1a–c sind schematisch drei Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines Spiegels 1 (vgl. 1c) für die EUV-Lithographie dargestellt. Der Spiegel 1 umfasst ein Substrat 2 und eine reflektive Beschichtung, die im vorliegenden Fall aus einer ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b und einer zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b gebildet ist. Zwischen der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b und der zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b ist eine Korrekturschicht 5 angeordnet.
Im vorliegenden Fall soll der Spiegel 1 in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie verwendet werden, welche Abbildungslicht mit einer Wellenlänge im Bereich von 5 nm–30 nm, typischerweise bei einer Nutzwellenlänge λ_B von ca. 13,5 nm, verwendet. In diesem Fall besteht das Substrat 2 aus einem Material mit einem sehr geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten („coefficient of thermal expansion“, CTE) von typischerweise weniger als 100 ppb/K bei 22°C bzw. über einen Temperaturbereich von ca. 5° C bis ca. 35° C. Ein Material, welches diese Eigenschaften aufweist, ist mit Titandioxid dotiertes Silikat- bzw. Quarzglas, das typischerweise einen Silikatglasanteil von mehr als 90 % aufweist. Ein solches auf dem Markt erhältliches Silikatglas wird von der Fa. Corning Inc. unter dem Handelsnamen ULE^® (Ultra Low Expansion glass) vertrieben. Eine weitere Materialgruppe, welche einen sehr geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, sind Glaskeramiken, bei denen das Verhältnis der Kristallphase zur Glasphase so eingestellt wird, dass sich die thermischen Ausdehnungskoeffizienten der unterschiedlichen Phasen nahezu aufheben. Solche Glaskeramiken werden z.B. unter den Handelsnamen Zerodur^® von der Fa. Schott AG bzw. unter dem Handelsnamen Clearceram^® von der Fa. Ohara Inc. angeboten.
Sowohl die erste Schicht-Gruppe 3 als auch die zweite Schicht-Gruppe 4 der reflektiven Beschichtung des Spiegels 1 weist eine Mehrzahl von Einzelschichten 3a, 3b bzw. 4a, 4b auf, die aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Ist der Spiegel 1 zur Reflektion von Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von 5 nm–30 nm ausgeführt, umfasst die zweite Gruppe 4 eine Mehrzahl von ersten Schichten 4a und eine Mehrzahl von zweiten Schichten 4b, die alternierend übereinander angebracht sind und die aus Materialien mit unterschiedlichen Brechungsindizes für Strahlung in dem oben angegebenen Wellenlängenbereich bestehen. Hat die Nutzstrahlung eine Nutzwellenlänge λ_B im Bereich von 13,5 nm, so bestehen die ersten Schichten 4a üblicherweise aus Silizium (mit höherem Brechungsindex) und die zweiten Schichten 4b aus Molybdän (mit niedrigerem Brechungsindex). Andere Materialkombinationen wie z.B. Molybdän und Beryllium, Ruthenium und Beryllium oder Lanthan und B₄C sind – abhängig von der Nutzwellenlänge – ebenfalls möglich.
Die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b kann analog zur zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b ausgebildet sein, d.h. diese kann für die Reflexion von Strahlung bei der Nutzwellenlänge λ_B ausgelegt sein bzw. bei der Nutzwellenlänge λ_B ein Reflektivitätsmaximum aufweisen. Dies ist für die Vermessung der Oberflächenform des Spiegels 1 günstig, da in diesem Fall Messstrahlung verwendet werden kann, deren Wellenlänge der Nutzwellenlänge λ_B entspricht. Es ist aber auch möglich, die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b zur Reflexion von EUV-Strahlung mit Wellenlängen auszulegen, die von der Nutzwellenlänge λ_B abweichen.
Zusätzlich zu den in 1a–c gezeigten Schichten 3a, 3b, 4a, 4b kann die erste Schicht-Gruppe 3 und/oder die zweite Schicht-Gruppe 4 auch Zwischenschichten zur Verhinderung von Diffusion oder Deckschichten zur Verhinderung von Oxidation und Korrosion beinhalten. Anders als in 1a–c gezeigt ist, sind ggf. zwischen dem Substrat 2 und der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b eine oder mehrere Hilfsschichten z.B. in Form von Glättungs- oder Polierschichten, Schichten zur Spannungskompensation, Schichten zum Schutz des Substrats 2 etc. angeordnet. Auf die Darstellung solcher Hilfsschichten in den Figuren wurde verzichtet.
Der Spiegel 1 weist bei dem in 1a–c dargestellten Beispiel ein Substrat 2 mit einer (annähernd) planen Oberfläche auf. Dies wurde nur zur besseren Darstellung des hier beschriebenen Korrekturverfahrens so gewählt. Bereits im Ausgangszustand kann der Spiegel 1 bzw. die Oberseite des Substrats 2 eine gekrümmte Oberflächenform aufweisen. Es sind z.B. konkave Oberflächenformen und konvexe Oberflächenformen möglich. Die Oberflächenformen können sowohl sphärisch sein als auch asphärisch, oder auch gänzlich ohne Rotationssymmetrien. Wie in 1a dargestellt ist, sind an der Oberseite des Substrats 2 konkav bzw. konvex geformte Unebenheiten gebildet, so dass die Ist-Oberflächenform des Spiegels 1 von einer – im vorliegenden Beispiel planen – Soll-Oberflächenform abweicht.
Zur Vermessung der Oberflächenform des Spiegels 1 mit Messverfahren bei Nutzwellenlänge ist in der Regel eine reflektive Beschichtung erforderlich. Bei dem in 1a–c gezeigten Beispiel wird zum Zweck der Vermessung der Oberflächenform die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b auf das Substrat 2 aufgebracht, welche für Messstrahlung bei einer gewünschten Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm reflektierend ausgebildet ist. Zur Vermessung des in 1a gezeigten Spiegels 1 können interferometrische Methoden genutzt werden. Dies sind z.B. die Shearing Interferometry, die Point-Diffraction Interferometry, die Foucault Methode, der Ronchi-Test, der Hartmann-Test oder der Shack-Hartmann-Test. Eine Beschreibung dieser bekannten Methoden findet sich z.B. in der EP 1306698 A1 .
Die Messungen können jedoch auch bei anderen Wellenlängen als der Nutzwellenlänge, z.B. im sichtbaren Wellenlängenbereich, erfolgen.
Als Ergebnis dieser Messungen erhält man die Ist-Oberflächenform, das heißt genaue Angaben über die tatsächliche Oberflächenform des vorliegenden Spiegels 1. Ergibt die Vermessung der Oberflächenform, dass die Ist-Oberflächenform von der gewünschten Oberflächenform (Soll-Oberflächenform) abweicht, so ist eine Korrektur der Oberflächenform erforderlich.
Zur Korrektur der Oberflächenform wird auf die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b eine Korrekturschicht 5 aufgebracht, wie in 1b dargestellt ist. Die Korrekturschicht 5 ist mit Hilfe eines Ionenstrahls oder eines anderen geeigneten Verfahrens bearbeitbar, d.h. es kann durch lokalen Schichtabtrag eine Schichtdickenvariation in der Korrekturschicht 5 erzeugt werden, ohne dass es zu einer signifikanten Aufrauhung der Korrekturschicht 5 kommt. Für diesen Zweck geeignete Materialien sind z.B. Si, SiO₂, SiC, C, Ru, Ni. Diese Materialien sind typischerweise für Strahlung im Bereich zwischen ca. 5 nm und ca. 30 nm, insbesondere bei der Nutzwellenlänge λ_B von ca. 13,5 nm bei den typischerweise verwendeten Dicken der Korrekturschicht 5 im Nanometer-Bereich aufgrund ihres Absorptionskoeffizienten annähernd transparent.
Die Korrekturschicht 5 kann ggf. zusätzlich auch zur Kompensation von Spannungen in der reflektiven Beschichtung dienen.
Nach der Korrektur der Oberflächenform des Spiegels 1 durch Bearbeiten der Korrekturschicht 5 kann dieser erneut vermessen werden, um zu überprüfen, ob die Soll-Oberflächenform erreicht wurde. Häufig wird die Soll-Oberflächenform nicht durch einen Korrekturschritt erreicht, so dass eine erneute Korrektur der Oberflächenform durch eine Bearbeitung der Korrekturschicht 5 erforderlich ist. Wie in 1b gezeigt ist, wird durch die (ggf. mehrfache) Korrektur die Ist-Oberflächenform des Spiegels 1 an die gewünschte (plane) Soll-Oberflächenform angepasst.
Nach dem Erreichen der Soll-Oberflächenform wird auf die Korrekturschicht 5 die zweite Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b aufgebracht, welche für die Reflexion von Strahlung bei der Nutzwellenlänge λ_B ausgelegt ist. Nach dem Aufbringen der zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b kann eine erneute Vermessung der Oberflächenform erfolgen. Falls sich herausstellt, dass nach dem Aufbringen der zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b der Toleranzbereich der Oberflächenform, d.h. die zulässige Abweichung von der Soll-Oberflächenform überschritten wurde, ist es ggf. erforderlich, die gesamte reflektive Beschichtung vom Substrat 2 zu entfernen und dieses erneut zu beschichten. Die oben in Zusammenhang mit 1a–c beschriebene Korrektur der Oberflächenform ist in der DE 10 2009 029 471 A1 beschrieben, welche durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird. Das Einbringen der Korrekturschicht 5 in die reflektive Beschichtung 3, 4 hat jedoch Auswirkungen auf die wellenlängenabhängige Reflektivität des Spiegels 1, wie nachfolgend anhand von 6 dargestellt wird. 6 zeigt das Soll-Reflektivitätsspektrum („Ziel“) des Spiegels 1 als durchgezogene Linie, welches durch eine reflektive Beschichtung 3, 4 ohne Korrekturschicht 5 („KS: 0,0 nm“) gut angenähert wird. Wird eine Korrekturschicht 5 mit einer Dicke von 2,5 nm („KS: 2,5 nm“) bzw. von 5,0 nm („KS: 2,5 nm“) zwischen die erste Gruppe 3 und die zweite Gruppe 4 eingebracht, nimmt die Halbwertsbreite der Reflektivitätskurve ab und es bilden sich unerwünschte lokale Minima der Reflektivität im Bereich um das Reflexionsmaximum bei der Nutzwellenlänge λ_B aus.
Der in 6 gezeigte Effekt kommt dadurch zustande, dass die zwei hochreflektierenden Beschichtungen in Form der ersten und zweiten Gruppe 3, 4 gemeinsam mit der dazwischenliegenden bearbeiteten Korrekturschicht 5 eine Konfiguration bilden, die einem Etalon oder einer Laserkavität in einem VCSEL (vertical-cavity surface emitting laser) ähnelt. Je transparenter der Schichtaufbau oberhalb der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b für EUV-Strahlung ist, desto stärker wird dieser Effekt.
In 7 ist bei gleichen Dicken der Korrekturschicht 5 wie in 6 die Anzahl der Schichten 4a, 4b der zweiten Gruppe 4 auf zehn Perioden, d.h. auf zwanzig Schichten 4a, 4b reduziert, wie dies z.B. bei breitbandigen reflektierenden Beschichtungen der Fall sein kann. In 7 ist bereits bei einer theoretischen Dicke von 0 nm deutlich die Auswirkung der Korrekturschicht 5 erkennbar: die Schichtstapel der ersten Gruppe 3 und der zweiten Gruppe 4 überlagern sich konstruktiv, so dass die gewünschte Breitbandigkeit der Reflexionskurve nicht mehr gegeben ist. Wird die Schichtdicke der Korrekturschicht 5 analog zu 6 erhöht, so verändert sich das Reflektivitätsspektrum extrem, d.h. es bilden sich mehrere Reflexionsmaxima aus, die nicht mehr mit der Nutzwellenlänge λ_B übereinstimmen.
Diese Nachteile werden überwunden, wenn eine optische Entkopplung zwischen der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b und der zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b durchgeführt wird, und zwar indem eine Entkopplungsbeschichtung zwischen die beiden Gruppen 3, 4 eingebracht wird, welche das Eindringen von EUV-Strahlung in die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b verhindert, da die Entkopplungsbeschichtung die einfallende EUV-Strahlung abschirmt. Für die Realisierung der Entkopplungsbeschichtung bestehen mehrere Möglichkeiten, von denen einige nachfolgend anhand von 2a–c bis 5a–c beschrieben werden.
In 2a–c ist ein Spiegel 1 gezeigt, der sich von dem Spiegel 1 von 1a–c durch eine Entkopplungsbeschichtung in Form einer Absorptionsschicht 6 unterscheidet, die zwischen der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b und der Korrekturschicht 5 angeordnet ist. Die Absorptionsschicht 6 ist aus einem Material gebildet, welches für die einfallende EUV-Strahlung einen hohen Absorptionskoeffizienten aufweist, so dass die auftreffende EUV-Strahlung vollständig absorbiert wird und diese die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b nicht erreicht, wie in 2c angedeutet ist. Die Absorptionsschicht 6 kann zu diesem Zweck beispielsweise aus einem Material gebildet sein, welches ausgewählt ist aus der Gruppe Ni, Ag, Ac, Te, Cu, Co, Sn, Zn, Pt, Au, W, Fe für eine Nutzwellenlänge von 13,5 nm oder auch Al, Co, Cu, Ir, Os, Ni, Fe, Hf, Os, Pt, Ta, W, Zn für eine Nutzwellenlänge von 7 nm oder auch Legierungen oder chemischen Verbindungen wie MoSi, CoSi, WSi, SiN, SiO, MoO, CoO, NiO. Es versteht sich, dass zur vollständigen Abschirmung der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b die Absorptionsschicht 6 mit einer ausreichenden Dicke d aufgebracht werden muss, die typischerweise bei mehr als 50 nm liegt.
Wird die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b vollständig durch die Absorptionsschicht 6 abgeschirmt, kann auch bei einer geringen Anzahl von Schichten 4a, 4b der zweiten Schicht-Gruppe 4, z.B. zehn Paaren von Schichten 4a, 4b, das gewünschte Reflektivitätsspektrum des Spiegels 1 auch bei unterschiedlichen, großen Dicken d der Korrekturschicht 5 (von 100 nm bzw. 110 nm) präzise nachgebildet werden, wie anhand von 8 zu erkennen ist, in der nur eine Reflektivitätskurve zu erkennen ist, da alle drei Reflektivitätskurven (Zielkurve sowie Kurven für d = 100 nm und d = 110 nm) übereinander liegen.
Eine weitere Möglichkeit zur Realisierung einer Entkopplungsbeschichtung ist in 3a–c dargestellt, bei der die Entkopplungsbeschichtung 7 eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten 7a und zweiten Schichten 7b umfasst, die im hier beschriebenen Beispiel aus Silizium und Molybdän gebildet sind. Die Dicken der ersten Schichten 7a und der zweiten Schichten 7b legen die Periodenlänge der Entkopplungsbeschichtung 7 fest und sind so gewählt, dass das Reflektivitätsmaximum der Entkopplungsbeschichtung 7 bei einer Wellenlänge λ_E auftritt, die von der Nutzwellenlänge λ_B (hier: 13,5 nm) um mehr als 2 nm, insbesondere um mehr als 3 nm abweicht und die beispielhaft in 8 bei λ_E = 17 nm liegt.
Es versteht sich, dass die Wellenlänge λ_E des Reflektivitätsmaximums der Entkopplungsbeschichtung 7 auch weiter von der Nutzwellenlänge λ_B entfernt liegen kann, z.B. bei 11 nm oder weniger oder bei 18 nm oder darüber. Eine derart ausgelegte Entkopplungsbeschichtung 7 verhindert ebenfalls eine optische Wechselwirkung zwischen der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b und der zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b, so dass die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b keinen Einfluss auf das Reflektivitätsspektrum des Spiegels 1 aufweist. Es versteht sich, dass anders als in 2a–c und in 3a–c gezeigt die Korrekturschicht 5 auch unterhalb der Entkopplungsbeschichtung 6, 7 angeordnet werden kann.
Eine weitere Möglichkeit für die Realisierung einer Entkopplungsbeschichtung ist in 4a–c dargestellt, bei der die Entkopplungsbeschichtung aus einer dritten Gruppe 8 von Schichten 8a, 8b in einer periodischen Anordnung besteht, deren Schichtmaterialien und Periodenlänge derjenigen der zweiten Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b entspricht. Da sich die dritte Gruppe 8 direkt an die zweite Gruppe 4 anschließt, kann bei dem in 4c gezeigten Spiegel 1 die Zugehörigkeit der Schichten 4a, 4b, 8a, 8b zur zweiten und dritten Gruppe 4, 8 nicht unterschieden werden. Die Gesamtzahl der Schichten 4a, 4b, 8a, 8b der zweiten und dritten Gruppe 4, 8 ist jedoch größer als bei einer herkömmlichen reflektierenden Beschichtung für einen EUV-Spiegel 1, d.h. die Zahl der Schichtpaare bzw. der Schichtperioden liegt bei 50 oder mehr, bevorzugt bei 60 oder mehr, insbesondere bei 70 oder mehr. Durch die hohe Anzahl von Schichten 4a, 4b, 8a, 8b wird aufgrund von Reflexion und Absorption sichergestellt, dass keine EUV-Strahlung zur ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b durchdringt, wie in 4c angedeutet ist.
Die in 5a–c gezeigte reflektive Beschichtung unterscheidet sich von der in 4a–c gezeigten lediglich darin, dass die zweite Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b und die die Entkopplungsbeschichtung bildende dritte Gruppe 9 von Schichten 9a, 9b nicht in einer periodischen, sondern in einer aperiodischen Abfolge angeordnet sind, d.h. die Schichten 4a, 4b, 9a, 9b bzw. die Schichtpaare haben keine einheitliche Dicke bzw. Periodenlänge. Eine solche aperiodische Beschichtung erzeugt ein breitbandigeres Reflexionsspektrum als die periodische Anordnung, die in 4a–c dargestellt ist. Auch bei einer aperiodischen Anordnung stimmen typischerweise die Schichtmaterialien der zweiten Gruppe 4 und der dritten Gruppe 9 überein und es kann in der Regel keine eindeutige Zuordnung der Schichten 4a, 4b, 9a, 9b zu den jeweiligen Gruppen 4, 9 vorgenommen werden. Auch in diesem Fall kann das Eindringen von EUV-Strahlung in die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b dadurch wirksam verhindert werden, dass die Gesamtzahl der Schichten 4a, 4b, 9a, 9b der zweiten und dritten Gruppe 4, 9 bei mehr als 50, bevorzugt bei mehr als 80, insbesondere bei mehr als 100 liegt.
Es versteht sich, dass abweichend von den in 4a–c und in 5a–c gezeigten Spiegeln 1 die Korrekturschicht 5 gegebenenfalls auch oberhalb der Entkopplungsbeschichtung 8, 9 angeordnet werden kann. Zusammenfassend kann durch die Korrekturschicht 5 in Verbindung mit der Entkopplungsbeschichtung 6, 7, 8, 9 eine Oberflächen- bzw. Wellenfronkorrektur an einem Spiegel 1 vorgenommen werden, ohne dass hierbei das Reflektivitätsspektrum des Spiegels 1 beeinträchtigt wird. Insbesondere kann durch die Aufbringung einer homogenen Entkopplungsbeschichtung, d.h. einer Entkopplungsbeschichtung mit konstanter Dicke, ein Bearbeiten mit hoher Konvergenz ermöglicht werden. Hiermit werden Effekte durch z.B. unterschiedliche Abtragsraten bei Ionenstrahlkorrektur wie in EP 1947682 vermieden. Damit ist gewährleistet, dass der Bearbeitungsprozess mit wenigen Mess-/Bearbeitungszyklen bei der gewünschten Oberflächenform konvergiert. Es versteht sich, dass abweichend von den in 2a–c bis 5a–c gezeigten Spiegeln 1 die Dicke der reflektiven Beschichtung ortsabhängig variieren kann, wie dies beispielsweise in der DE 10 2009 029 471 A1 beschrieben ist.
In 9 ist eine beispielhafte Ausführungsform einer Projektionsoptik 23 für die EUV-Lithographie dargestellt, in der ein Spiegel 1 wie in 2a–c bis 5a–c gezeigt verwendet werden kann. Mit Hilfe der Projektionsoptik 23 wird eine strukturtragende Maske 29, die in einer Objektebene 31 angeordnet ist, auf ein Bild 33 in einer Bildebene 35 abgebildet. In der Bildebene 35 ist eine photosensitive Schicht angeordnet, die sich durch die Belichtung chemisch verändert. Man spricht hierbei von einem sogenannten lithographischen Schritt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die Projektionsoptik 23 sechs Spiegel 21 mit denen die strukturtragende Maske 29 in die Bildebene 35 abgebildet wird. Eine solche Projektionsoptik 23 ist üblicherweise beugungsbegrenzt, so dass die maximal mögliche Auflösung nur dann erreicht werden kann, wenn die Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik hinreichend klein sind. Bei beugungsbegrenzten Projektionsoptiken ist es erforderlich, dass der RMS-Wert (root mean square) kleiner ist als 1/14 der Wellenlänge des Abbildungslichtes. Um dies zu erreichen, muss die Oberflächenform der Spiegel 21 hochpräzise eingestellt sein. Des Weiteren müssen die Spiegel 21 ebenfalls sehr genau positioniert werden.
10a, b zeigen beispielhaft die zu korrigierende Oberflächenform eines Spiegels. Die Abweichung zwischen der Ist-Oberflächenform und der Soll-Oberflächenform ist in 10a mit Hilfe der Höhenlinien 37 dargestellt. Weiterhin zeigt 10b das Höhenprofil dieser Abweichung entlang der Linie 39 in 10a. Solche gezeigten Abweichungen können z.B. mit Hilfe eines interferometrischen Messverfahrens ermittelt werden.
In 11 ist beispielhaft anhand eines Flussdiagramms ein Verfahren zur Korrektur einer Oberflächenform eines Spiegels dargestellt. Zunächst wird in Schritt 41 ein Spiegel mit einer Ist-Oberflächenform hergestellt. Dieser Spiegel umfasst dann bereits ein Substrat und eine reflektive Beschichtung in Form der ersten Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b sowie ggf. die Korrekturschicht 5. Die Ist-Oberflächenform des Spiegels wird danach in Schritt 43 genau vermessen. Hierzu wird üblicherweise ein interferometrisches Messverfahren verwendet wie es z.B. in der EP 1306698 A1 beschrieben wird. In Schritt 45 wird dann die vermessene Ist-Oberflächenform mit der gewünschten Soll-Oberflächenform verglichen. Stimmen die beiden Oberflächenformen innerhalb der gewünschten Toleranz überein, so ist das Verfahren bereits beendet und es kann unmittelbar die zweite Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b aufgebracht werden.
Liegt eine Abweichung der Oberflächenform vor, die außerhalb der Toleranz liegt (was den Normalfall darstellt), so wird als nächstes in Schritt 47 eine Korrektur der Oberflächenform vorgenommen. Dieser Verfahrensschritt 47 umfasst das Bearbeiten der Korrekturschicht 5 z.B. mit Ionenstrahlen auf die oben beschriebene Weise (sowie ggf. das Aufbringen der Korrekturschicht 5, falls diese vor der Vermessung noch nicht aufgebracht wurde). Nach dieser Korrektur der Oberflächenform wird in Schritt 49 die Ist-Oberflächenform erneut vermessen. In Schritt 51 wird diese Ist-Oberflächenform dann erneut mit der Soll-Oberflächenform verglichen. Im Verfahrensschritt 53 wird dann überprüft, ob die Ist-Oberflächenform nun mit der Soll-Oberflächenform innerhalb der Toleranz übereinstimmt. Ist das Ergebnis positiv, so ist das Verfahren an dieser Stelle beendet.
Ergibt sich weiterhin eine Abweichung außerhalb der Toleranz, so wird das Verfahren erneut mit der Korrektur der Oberflächenform in Schritt 47 fortgesetzt. Je nach Größe der zu korrigierenden Abweichung zwischen Ist-Oberflächenform und Soll-Oberflächenform kann eine mehrfache Anwendung dieser beschriebenen Korrekturschleife der Schritte 47, 49, 51 und 53 erforderlich sein. Nach dem Ende des Verfahrens, d.h. wenn die Oberflächenform innerhalb der Toleranz liegt, wird in einem nachfolgenden Schritt die zweite Gruppe 4 von Schichten 4a, 4b aufgebracht. Es versteht sich, dass vor oder nach dem Aufbringen der Korrekturschicht 5 auch die Entkopplungsbeschichtung 6, 7, 8, 9 aufgebracht wird, wie weiter oben beschrieben wurde.
In 12 ist ein Verfahren zur Korrektur der Abbildungseigenschaften einer Projektionsoptik einer EUV-Lithographieanlage anhand eines Flussdiagramms dargestellt. In einem ersten Schritt 55 wird eine Mehrzahl N von Spiegeln hergestellt, die für die Projektionsoptik benötigt werden. Auf Grund der Herstellungsgenauigkeit weisen diese N Spiegel eine Ist-Oberflächenform auf, die von der gewünschten Soll-Oberflächenform abweichen kann. In einem optionalen Schritt 57 wird die vorliegende Ist-Oberflächenform der N Spiegel mit Hilfe eines interferometrischen Messverfahrens vermessen. Aus dem weiteren Verfahren wird deutlich, dass eine genaue Kenntnis über die Ist-Oberflächenform aller N Spiegel nicht zwangsläufig zur Durchführung des Verfahrens erforderlich ist, falls die Abweichung der Ist-Oberflächenform von der gewünschten Soll-Oberflächenform nicht allzu groß ist. Daher kann gegebenenfalls auf den Schritt 57 verzichtet werden.
Im nächsten Schritt 59 wird aus den N Spiegeln eine Projektionsoptik zusammengesetzt. Die Abbildungseigenschaften der Projektionsoptik werden sodann im Schritt 61 vermessen. In diesem Schritt 61 werden die Wellenfrontaberrationen des gesamten Projektionsobjektives bzw. der Projektionsoptik vermessen. Dies geschieht ebenfalls mit Hilfe von interferometrischen Messverfahren, wie zum Beispiel durch die in der EP 1306698 A1 beschriebenen Methoden. Im Verfahrensschritt 63 wird nun geprüft, ob die Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik hinreichend klein sind. Für eine gute Abbildungsqualität der Projektionsoptik ist es erforderlich, dass der RMS-Wert der Wellenfrontaberrationen kleiner ist als 1/14 der Wellenlänge des verwendeten Abbildungslichtes. Sind die Wellenfrontaberrationen bereits hinreichend klein, so ist das Verfahren an dieser Stelle beendet. Andernfalls muss eine Korrektur an der Projektionsoptik vorgenommen werden. Neben der Positionsveränderung von einzelnen Spiegeln innerhalb der Projektionsoptik kann eine Korrektur der Wellenfrontaberrationen durch die Korrektur der Oberflächenform von einem oder mehreren Spiegeln der Projektionsoptik vorgenommen werden. Dabei ist es nicht zwangsläufig erforderlich, dass eine Korrektur der Oberflächenform aller Spiegel der Projektionsoptik durchgeführt wird.
Je nach speziellem optischem Design der Projektionsoptik kann es ausreichend sein, wenn eine Korrektur der Oberflächenform auf einigen wenigen, insbesondere nur auf einem der Spiegel durchgeführt wird. Aus dem optischen Design der Projektionsoptik lässt sich z.B. ermitteln, wie sich die Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik verändern, wenn die Oberflächenform eines speziellen Spiegels verändert wird. Es kann sich z.B. ergeben, dass bei einem ersten Spiegel nur eine geringe Änderung der Oberflächenform zur Korrektur der Wellenfrontaberrationen erforderlich ist, wohingegen bei einem anderen zweiten Spiegel eine viel größere Änderung der Oberflächenform erforderlich ist. Weiterhin lassen sich spezielle Verläufe der Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik nur mit Hilfe der Veränderung der Oberflächenform von Spiegeln korrigieren, die eine bestimmte Position innerhalb des Abbildungsstrahlengangs der Projektionsoptik aufweisen.
Aus diesem Grund wird im nächsten Schritt 65 eine geeignete Auswahl von Korrekturspiegeln getroffen, die besonders geeignet sind durch eine Veränderung der Oberflächenform eine Korrektur der Wellenfrontaberration zu bewirken. Im Schritt 67 wird nun für diese Auswahl von Korrekturspiegeln mit Hilfe der gemessenen Wellenfrontaberrationen und dem optischen Design der Projektionsoptik eine Korrekturoberflächenform berechnet. Falls die Ist-Oberflächenform aller N Spiegel in einem Schritt 57 vermessen wurde und die exakte Position aller N Spiegel bekannt ist, kann die Oberflächenform der Korrekturspiegel absolut berechnet werden. Ist auf eine Vermessung der Ist-Oberflächenform in Schritt 57 verzichtet worden, so kann aus den Wellenfrontaberrationen und dem optischen Design nur eine erforderliche relative Änderung der Oberflächenform der Korrekturspiegel ermittelt werden.
Beide Fälle werden im Folgenden unter dem Begriff Korrektur-Oberflächenform zusammengefasst. Unter einer Korrektur-Oberflächenform kann also eine absolute Oberflächenform des Korrekturspiegels verstanden werden oder auch die erforderliche relative Änderung der Oberflächenform des Korrekturspiegels. Häufig ist es einfacher nur die erforderliche Änderung der Oberflächenform zu berechnen, da die absolute Ist-Oberflächenform und Position aller Spiegel nicht zwangsläufig genau genug bekannt ist. Daher wird nur die notwendige Differenz zur gegebenenfalls unbekannten Ist-Oberflächenform berechnet. Schritt 69 besteht in dem Ausbau des einen oder der mehreren Korrekturspiegel, die in den vorangegangen Schritten ausgewählt wurden. Als nächstes wird in Schritt 71 eine Korrektur der Oberflächenform des einen oder der mehreren Korrekturspiegel mit Hilfe der berechneten Korrektur-Oberflächenform durchgeführt. Die Korrektur der Oberflächenform des einen oder der mehreren Korrekturspiegel erfolgt dabei mit Hilfe eines Korrekturverfahrens wie es anhand von 11 beschrieben wurde. Im nächsten Schritt 73 werden die so behandelten Korrekturspiegel wieder in die Projektionsoptik eingebaut.
Nun kann erneut in Verfahrensschritt 61 die Abbildungsqualität der Projektionsoptik bestimmt werden. Danach wird in Verfahrensschritt 63 überprüft, ob die gemessenen Wellenfrontaberrationen hinreichend klein sind, so dass eine ausreichende Abbildungsqualität gewährleistet wird. Ist dies der Fall, so ist das erfindungsgemäße Verfahren an dieser Stelle beendet. Andernfalls wird eine weitere Korrekturschleife durchgeführt, welche die Schritte 65, 67, 69, 71, 73 umfasst. Auf Grund der hohen Anforderungen an die Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik kann es erforderlich sein, dass die beschriebene Korrekturschleife mehrfach durchgeführt werden muss, bis eine ausreichende Abbildungsqualität erreicht wird.
Das anhand von 12 beschriebene Verfahren kann mit Spiegeln durchgeführt werden, welche nur die erste Gruppe 3 von Schichten 3a, 3b aufweisen. Alternativ kann an einem Korrekturspiegel die reflektive Beschichtung vollständig entfernt und auf die in Zusammenhang mit 2a–c bis 5a–c beschriebene Weise erneut aufgebracht werden, um die Oberflächenform des Korrekturspiegels zu korrigieren, bevor dieser erneut in die Projektionsoptik eingebaut wird.
Es versteht sich, dass die auf die oben beschriebene Weise hergestellten Spiegel 1 nicht nur in einer Projektionsoptik 23 sondern auch in anderen optischen Anordnungen vorteilhaft verwendet werden können, beispielsweise in einem Beleuchtungssystem eines optischen Systems in Form einer EUV-Lithographieanlage oder dergleichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

WO 97/33203 [0004]
EP 1947682 [0005, 0006, 0074]
US 2008/0259439 A1 [0007]
US 2007/0091420 A1 [0008]
US 2007/0091421 A1 [0008]
DE 102009029471 A1 [0009, 0012, 0064, 0074]
EP 1306698 A1 [0058, 0077, 0081]

Claims

Spiegel (1, 21) für die EUV-Lithographie, umfassend ein Substrat (2) und eine reflektive Beschichtung (3, 4), wobei die reflektive Beschichtung eine erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) und eine zweite Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) umfasst, wobei die erste (3) und zweite Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b; 4a, 4b) jeweils zur Reflexion von Strahlung mit einer Nutzwellenlänge (λ_B) im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sind, wobei die erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) zwischen dem Substrat (2) und der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) angeordnet ist, und wobei zwischen der ersten (3) und zweiten Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b, 4a, 4b) eine Entkopplungsbeschichtung (6, 7, 8, 9) angeordnet ist, die zur optischen Entkopplung der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) von der ersten Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) ausgebildet ist.
Spiegel nach Anspruch 1, bei dem zwischen der ersten (3) und zweiten Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b, 4a, 4b) eine Korrekturschicht (5) mit einer Schichtdickenvariation zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels (1) angeordnet ist.
Spiegel nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Entkopplungsbeschichtung mindestens eine Absorptionsschicht (6) aufweist, die zur Absorption von Strahlung mit einer Nutzwellenlänge (λ_B) im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet ist.
Spiegel nach Anspruch 3, bei dem die Absorptionsschicht (6) aus mindestens einem Material gebildet ist, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Ni, Ag, Ac, Te, Cu, Co, Sn, Zn, Pt, Au, W, Fe, Al, Ir, Os, Hf, Ta.
Spiegel nach Anspruch 3 oder 4, bei dem die Absorptionsschicht (6) aus mindestens einer Legierung oder chemischen Verbindung gebildet ist, insbesondere aus MoSi, CoSi, WSi, SiN, SiO, MoO, CoO, NiO.
Spiegel nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei dem die Absorptionsschicht (6) eine Dicke (d) von mehr als 50 nm aufweist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Entkopplungsbeschichtung (7) eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten (7a) und zweiten Schichten (7b) umfasst, wobei die ersten Schichten (7a) ein erstes Material aufweisen, dessen Brechungsindex für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm größer ist als der Brechungsindex eines zweiten Materials, welches die zweiten Schichten (7b) aufweisen, und wobei die Entkopplungsbeschichtung (7) ein Reflektivitätsmaximum bei einer Wellenlänge (λ_E) aufweist, die von der Nutzwellenlänge (λ_B) um mehr als 2 nm, bevorzugt um mehr als 3 nm abweicht.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Entkopplungsbeschichtung eine dritte Gruppe (8) von Schichten (8a, 8b) umfasst, wobei die zweite und dritte Gruppe (4, 8) von Schichten (4a, 4b; 8a, 8b) jeweils eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten (4a, 8a) und zweiten Schichten (4b, 8b) in einer periodischen Anordnung umfassen, wobei die ersten Schichten (4a, 8a) ein erstes Material aufweisen, dessen Brechungsindex für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm größer ist als der Brechungsindex eines zweiten Materials, welches die zweiten Schichten (4b, 8b) aufweisen, wobei die Gesamtzahl von Paaren aus ersten und zweiten Schichten (4a, 4b; 8a, 8b) der zweiten und dritten Gruppe (4, 8) bei mehr als 50, bevorzugt bei mehr als 70 liegt.
Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Entkopplungsbeschichtung eine dritte Gruppe (8) von Schichten umfasst, wobei die zweite und dritte Gruppe (4, 9) von Schichten (4a, 4b; 9a, 9b) jeweils eine Mehrzahl von alternierend übereinander angeordneten ersten Schichten (4a, 9a) und zweiten Schichten (4b, 9b) in einer aperiodischen Anordnung umfassen, wobei die ersten Schichten (4a, 9a) ein erstes Material aufweisen, dessen Brechungsindex für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm größer ist als der Brechungsindex eines zweiten Materials, welches die zweiten Schichten (4b, 9b) aufweisen, wobei die Gesamtzahl der Schichten (4a, 4b; 9a, 9b) der zweiten und dritten Gruppe (4, 9) bei mehr als 50 liegt.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite Gruppe (4) eine Anzahl von Schichten (4a, 4b) umfasst, die kleiner oder gleich 20 ist.
Spiegel nach einem der Ansprüche 2 bis 10, bei dem das Material der Korrekturschicht (5) ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Si, SiO₂, SiC, C, Ru, Ni.
Spiegel nach einem der Ansprüche 2 bis 11, bei dem die Korrekturschicht (5) an die erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) oder an die zweite Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) angrenzt.
Projektionsoptik (23) für die EUV-Lithographie, umfassend mindestens einen Spiegel (21) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
Optisches System für die EUV-Lithographie, umfassend mindestens einen Spiegel (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 12.
Verfahren zum Korrigieren einer Oberflächenform eines Spiegels (1, 21) für die EUV-Lithographie, der ein Substrat (2) und eine reflektive Beschichtung (3, 4) aufweist, das Verfahren umfassend die Schritte: Aufbringen einer ersten Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) der reflektiven Beschichtung auf das Substrat (2), Aufbringen einer zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) der reflektiven Beschichtung auf die erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b), wobei die erste und zweite Gruppe (3, 4) von Schichten (3a, 3b; 4a, 4b) jeweils zur Reflexion von Strahlung bei einer Nutzwellenlänge (λ_B) im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sind, wobei nach dem Aufbringen der ersten Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) und vor dem Aufbringen der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) eine Entkopplungsbeschichtung (6, 7, 8, 9) zur optischen Entkopplung der ersten (3) und zweiten Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b; 4a, 4b) und bevorzugt eine Korrekturschicht (5) aufgebracht werden, und wobei das Korrigieren der Oberflächenform des Spiegels (1) das Erzeugen oder Verändern einer Schichtdickenvariation der reflektiven Beschichtung (3, 4), insbesondere der Korrekturschicht (5), umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, bei dem nach dem Aufbringen der ersten Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) und vor dem Aufbringen der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) die Oberflächenform des Spiegels (1) vermessen wird.
Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, bei dem das Erzeugen oder Verändern einer Schichtdickenvariation der Korrekturschicht (5) eine Ionenstrahlbearbeitung der Korrekturschicht (5) umfasst.
Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer Projektionsoptik (23) für die EUV-Lithographie, umfassend ein Verfahren zum Korrigieren einer Oberflächenform mindestens eines Spiegels (1, 21) der Projektionsoptik (23) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17.
Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer Projektionsoptik (23) für die EUV-Lithographie, umfassend die folgenden Schritte: a. Bestimmen der Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik (23) b. Berechnen einer Korrektur-Oberflächenform mindestens eines Spiegels (1, 21) aus den Wellenfrontaberrationen der Projektionsoptik (23), c. Korrigieren einer Oberflächenform des mindestens einen Spiegels (1, 21) gemäß einem Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17.