JP2012523108A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents

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Abstract

本発明は、オプトエレクトロニクス部品（１）であって、オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、コンタクトフレーム（３）と、コンタクトキャリア（４）と、第１の電気接続領域（５）および第２の電気接続領域（６）であり、第２の電気接続領域（６）が第１の電気接続領域（５）から電気的に絶縁されており、それぞれがコンタクトフレーム（３）の一部分とコンタクトキャリア（４）の一部分とを備えている、第１の電気接続領域（５）および第２の電気接続領域（６）と、を備えており、コンタクトフレーム（３）に凹部（７）が設けられており、この凹部（７）が、第１の電気接続領域（５）を、少なくともいくつかの領域において、第２の電気接続領域（６）から隔てており、凹部（７）の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が突き出しており、コンタクトフレーム（３）がコンタクト要素（３０）を備えており、コンタクト要素（３０）が、コンタクトフレーム（３）をオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）に電気的に接続している、オプトエレクトロニクス部品（１）、に関する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ワイヤを使用しない電気的接続を有するオプトエレクトロニクス半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品に関する。
本特許出願は、独国特許出願第１０２００９０１５９６３．０号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
特許文献１には、オプトエレクトロニクス半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品が記載されており、オプトエレクトロニクス半導体チップが、支持層に形成されている透明導電層によって、放射出口面においてワイヤを使用せずに電気的に接続されている。このタイプの膜接触（film contacting）は、部品内部の短絡を回避する目的で、透明層と半導体チップとの間のいくつかの領域に絶縁層を設けなければならないため、複雑であることが判明している。
独国特許発明第１０３３９９８５号明細書
解決するべき１つの課題は、ワイヤを使用しない単純な電気的接続を有するオプトエレクトロニクス半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品を提供することである。
この課題は、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品によって解決される。
本オプトエレクトロニクス部品の有利な構造形態およびさらなる発展形態は、従属請求項に記載されている。
好ましい実施形態によると、本オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップと、コンタクトフレームと、コンタクトキャリアと、第１の電気接続ゾーンおよび第１の電気接続ゾーンから電気的に絶縁されている第２の電気接続ゾーンと、を備えている。２つの接続ゾーンそれぞれは、コンタクトフレームの一部分とコンタクトキャリアの一部分とを備えており、コンタクトフレームには凹部が設けられており、この凹部は、第１の電気接続ゾーンを、少なくともいくつかの領域において第２の電気接続ゾーンから隔てており、この凹部の中にオプトエレクトロニクス半導体チップが突き出しており、コンタクトフレームにコンタクト要素が設けられており、このコンタクト要素は、コンタクトフレームをオプトエレクトロニクス半導体チップに電気的に接続している。
オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射放出半導体チップまたは放射受信半導体チップとすることができる。オプトエレクトロニクス半導体チップは、コンタクト要素に面している放射通過面を備えており、この放射通過面は、放射放出半導体チップの場合には放射出口面であり、放射受信半導体チップの場合には放射入口面である。
放射通過面は、コンタクトフレームのコンタクト要素に結合されていることが好ましい。特に、コンタクト要素はコンタクトフレームにおける凹部の中に突き出しており、コンタクトフレームの残りの部分が凹部を画成している。本オプトエレクトロニクス半導体チップは、好ましくは、放射通過面を通過する放射がコンタクト要素には当たるがコンタクトフレームの残りの部分には実質的に当たらないように、凹部の中に配置されている。したがって、コンタクトフレームによって遮られることに起因する放射損失を最小にすることができる。
オプトエレクトロニクス半導体チップへの電気供給は、第１の電気接続ゾーンおよび第２の電気接続ゾーンによって可能である。これら２つの接続ゾーンを構成しているコンタクトフレームおよびコンタクトキャリアは、いずれも導電性材料を備えていることが有利である。
オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射放出半導体チップであることが好ましい。オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射を発生させるため、ｐｎ接合を有する活性ゾーンを備えており、ｐｎ接合は、最も単純な場合、互いに直接的に隣接しているｐ型導電性半導体層およびｎ型導電性半導体層から形成されている。実際の放射生成構造は、ｐ型導電性半導体層およびｎ型導電性半導体層の間に、例えばドープ量子井戸層またはアンドープ量子井戸層の形で設けられていることが好ましい。量子井戸層は、単一量子井戸構造（ＳＱＷ）、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、量子細線構造、または量子ドット構造の形をとることができる。
有利な発展形態によると、コンタクト要素は、第１の接続ゾーンの一部分であり、オプトエレクトロニクス半導体チップを第１の接続ゾーンにワイヤを使用せずに接続している。
コンタクト要素は、例えば帯状構造とすることができる。コンタクト要素は、放射通過面の上に載っていることが有利である。コンタクト要素を半導体チップに電気的に接続する導電性物質（例えば、はんだ材または接着剤）を、半導体チップとコンタクト要素との間に設けることができる。
さらには、第２の接続ゾーンのコンタクトキャリアの上にオプトエレクトロニクス半導体チップを配置することができる。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップは、特に、ワイヤを使用せずにコンタクトキャリアに接続されている。半導体チップは、ダイボンディングによってコンタクトキャリアに取り付けることができる。
好ましい実施形態においては、コンタクトフレームおよびコンタクトキャリアは、一体構造である。例えば、コンタクトフレームおよびコンタクトキャリアを、１つの被加工物（例えば薄板金属）から一体に形成することができる。被加工物を、半導体チップのための凹部と、半導体チップを電気的に接続するためのコンタクト要素とを備えた構造に形成することが有利である。さらに、第１の接続ゾーンおよび第２の接続ゾーンが形成されるように、被加工物を分割する。コンタクトフレームおよびコンタクトキャリアを一体構造とすることにより、第１の接続ゾーンおよび第２の接続ゾーンを単純に形成することができる。
さらなる実施形態においては、コンタクトフレームおよびコンタクトキャリアは、２つの個別の要素である。この実施形態の利点として、例えば、コンタクトフレームとコンタクトキャリアとの間のいくつかの領域に電気絶縁性物質を配置することにより、電気絶縁性物質が存在する領域においてコンタクトフレームがコンタクトキャリアから電気的に絶縁される。したがって例えば、第１の接続ゾーンおよび第２の接続ゾーンに、第１の接続ゾーンから第２の接続ゾーンまで連続的に延在する共通のコンタクトキャリアを設けることが可能である。
特に、コンタクトフレームは、コンタクトキャリアの上に配置されている。コンタクトフレームは、コンタクトキャリアに、固着的に結合されていることが好ましい。コンタクトフレームは、少なくともいくつかの領域において、導電性物質によってコンタクトキャリアに結合されていることが有利である。コンタクトフレームは、コンタクトキャリアユニットに、例えば、接着剤によって接合する、共晶接合する、またははんだ付けすることができる。
好ましい構造形態によると、コンタクトフレームは、１つの被加工物、好ましくは薄板金属から形成されている。被加工物は、半導体チップのための凹部と、半導体チップに電気的に接触するためのコンタクト要素とを備えた構造に形成されていることが有利である。
コンタクトキャリアも、コンタクトフレームと同様に、１つの被加工物、好ましくは薄板金属から形成することができる。被加工物は、半導体チップのための凹部（その底面に半導体チップを取り付けることができる）を備えた構造に形成されていることが有利である。
あるいは、コンタクトキャリアは、少なくとも１つの導電性ゾーンを有する基板を備えていることができる。コンタクトキャリアのこの少なくとも１つの導電性ゾーンは、コンタクトフレームとともに、第１の電気接続ゾーンまたは第２の電気接続ゾーンを形成している。基板は、導電性またはわずかに導電性の材料、または電気絶縁性材料を含んでいることができる。特に適切な材料は、半導体チップを十分に冷やすため良好な熱伝導率を有する材料である。例えば、基板は、セラミック材料、半導体材料、またはプラスチック材料を含んでいることができる。わずかに導電性の基板、または電気絶縁性基板の場合、少なくとも１つの導電性ゾーンは、基板に金属被覆を設けることによって形成することができる。導電性基板の場合、基板をいくつかの領域において電気絶縁性材料によって覆うことができ、電気絶縁性材料によって覆われていない基板の領域が導電性ゾーンを形成する。
本オプトエレクトロニクス部品の好ましい構造形態によると、オプトエレクトロニクス半導体チップと、コンタクトフレームと、コンタクトキャリアのアセンブリとは、封止部に埋め込まれている。このタイプのコンパクトな構造では、追加のハウジングが要求されず、これは有利である。
封止部は、ポッティング化合物または射出成形物から形成することができる。封止部は、シリコーンを含んでいることが好ましい。
本オプトエレクトロニクス部品のさらなる構造形態においては、コンタクトフレームは、半導体チップのための凹部に加えて、コンタクトキャリアに面している面、またはコンタクトキャリアとは反対側の面に、さらなる凹部を備えている。特に、さらなる凹部は、封止材料によって満たされている。このようにすることで、封止部をコンタクトフレームにおいて固定することができる。
好ましいさらなる発展形態によると、封止部は、ビーム整形のために設けられた光学構造を備えている。光学構造は、オプトエレクトロニクス半導体チップを起点としてコンタクトフレームの下流に配置されている。封止部は、例えば凸状曲面を備えていることができ、したがって、光学構造は、自身を通過する放射を集光する凸レンズである。
さらには、本オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップに加えて、さらなる半導体チップを備えていることができる。さらに、コンタクトフレームは、さらなる半導体チップに結合されているさらなるコンタクト要素を備えていることが有利である。オプトエレクトロニクス半導体チップを、さらなる半導体チップに、直列、並列、または逆並列に接続することができる。さらなる半導体チップは、例えば、放射放出半導体チップまたは放射受信半導体チップ、あるいは保護ダイオードである。
本オプトエレクトロニクス部品を製造する方法の好ましいバリエーションによると、本オプトエレクトロニクス部品は、連続生産によって製造する。これを目的として、特に、複数のオプトエレクトロニクス部品の複数のコンタクトフレームを備えたコンタクトフレームユニットと、複数のオプトエレクトロニクス部品の複数のコンタクトキャリアを備えたコンタクトキャリアユニットと、を使用する。半導体チップと、コンタクトフレームユニットと、コンタクトキャリアユニットとを備えているユニットを、最終的に複数のオプトエレクトロニクス部品が得られるように、個片化する。
本方法の有利なバリエーションにおいては、コンタクトフレームユニットおよびコンタクトキャリアユニットとして２つの個別の要素を設ける。
コンタクトフレームユニットを、１つの被加工物から形成することができる。被加工物として、特に、薄板金属を使用する。
被加工物に、被加工物の第１の主面から、第１の主面とは反対側の第２の主面まで連続的に延びている凹部、を設けることが好ましい。これらの凹部それぞれの中に、少なくとも１個の半導体チップを配置することができる。連続的な凹部を形成するため、被加工物を、第１の主面から開始して部分的にエッチングし、これに対応して第２の主面から開始して部分的にエッチングすることができる。さらに、凹部それぞれの中に突き出す少なくとも１つのコンタクト要素を形成する。
封止部を固定するためのさらなる凹部を、被加工物に、第１の主面または第２の主面から開始してエッチングすることができ、これらの凹部は、被加工物を完全に貫いている必要はない。
コンタクトキャリアユニットは、２種類の方法で形成することができる。第１のオプションでは、１つの被加工物（特に、薄板金属）からコンタクトキャリアユニットを形成する。第２のオプションでは、導電性ゾーンを備えた基板をコンタクトキャリアユニットとして使用する。
コンタクトキャリアユニットを１つの被加工物から形成する場合、被加工物に凹部を形成し、凹部それぞれの底面に少なくとも１個の半導体チップを取り付けることが好ましい。これらの凹部は、被加工物にその第１の主面から開始してエッチングすることができる。
さらに、封止部を固定するためのさらなる凹部を、被加工物の第１の主面、または第１の主面とは反対側の第２の主面から開始して被加工物にエッチングすることができ、これらの凹部は、被加工物の途中まで、または完全に貫いている。
導電性ゾーンを有する基板をコンタクトキャリアユニットとして使用する場合、基板は、セラミック材料、半導体材料、またはプラスチック材料を含んでいることが有利である。特に、導電性被覆、好ましくは金属被覆を、基板の主面のいくつかの領域に設け、したがって、基板は主面に導電性ゾーンを備えている。
コンタクトキャリアユニットの上、チップを取り付けるための領域に、半導体チップを取り付ける。この取付けは、連続生産またはバッチ生産において行うことができる。特に、半導体チップをコンタクトキャリアユニットにはんだ付けする。
次いで、コンタクトキャリアユニットの上にコンタクトフレームユニットを配置する。コンタクトフレームユニットは、相互に結合されたコンタクトフレーム、または個別のコンタクトフレームを備えていることができ、個別のコンタクトフレームは、コンタクトキャリアユニットの上に個別に配置する。さらに、コンタクトキャリアユニットは、相互に結合されたコンタクトキャリア、または個別のコンタクトキャリアを備えていることができる。
コンタクトフレームユニットは、少なくともいくつかの領域においてコンタクトキャリアユニットに導電接続されている。コンタクトフレームユニットは、コンタクトキャリアユニットに、接着剤によって接合する、共晶接合する、またははんだ付けすることができる。
コンタクトフレームユニットは、半導体チップに対応してコンタクトフレームに設けた凹部それぞれの中に半導体チップが突き出しているように、コンタクトキャリアユニットの上に配置されていることが有利である。特に、半導体チップは、対応する凹部の中に突き出してコンタクトフレームのコンタクト要素に接触している。このように、コンタクトフレームユニットをコンタクトキャリアユニットの上に配置することによって、半導体チップに電気的に接触することができる。電気的接続を促進するため、半導体チップとコンタクト要素の間に導電性物質（例えば、導電性接着剤、はんだ接合材）を配置することができる。
本方法のさらなるバリエーションによると、コンタクトフレームユニットおよびコンタクトキャリアユニットは、一体に形成する。これを目的として、特に、１つの被加工物（例えば薄板金属）を使用する。半導体チップのための凹部と、封止部を固定するためのさらなる凹部の形成は、コンタクトフレームユニットおよびコンタクトキャリアユニットを２つの部分として形成する上述した場合と同様に行うことができる。
本方法の上述したすべてのバリエーションにおいて、コンタクトフレームユニット、コンタクトキャリアユニット、および半導体チップのアセンブリは、封止部の中に埋め込むことができ、封止部は、特に、シリコーンを含んでいる。この埋め込みは、例えば、ポッティングまたは射出成形によって達成することができる。
以下では、オプトエレクトロニクス部品の有利な実施形態について、図１〜図４を参照しながらさらに詳しく説明する。
オプトエレクトロニクス部品の第１の例示的な実施形態の概略断面図を示している。 オプトエレクトロニクス部品の第２の例示的な実施形態の概略平面図を示している。 オプトエレクトロニクス部品の第３の例示的な実施形態の概略断面図を示している。 オプトエレクトロニクス部品の第４の例示的な実施形態の概略平面図を示している。
図面において同じ要素または機能が同じである要素には、同じ参照数字を付してある。
図１は、オプトエレクトロニクス半導体チップ２と、コンタクトフレーム３と、コンタクトキャリア４とを備えたオプトエレクトロニクス部品１を示している。このオプトエレクトロニクス部品１は、放射を発生させる半導体チップであることが好ましい。
コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４は、個別の要素であり、コンタクトフレーム３は、少なくともいくつかの領域において、導電性物質１０によってコンタクトキャリア４に取り付けられている。コンタクトフレーム３は、コンタクトキャリアユニット４に、例えば、接着剤によって接合する、共晶接合する、またははんだ付けすることができる。
コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４は、導電性材料を含んでいる。特に、コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４は、それぞれ薄板金属から形成されている。
コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４は、いずれも２つの部分から構成されている。これを目的として、コンタクトフレーム３に凹部７が設けられており、凹部７は、コンタクトフレーム３を２つの部分に分割している。同様に、コンタクトキャリア４は凹部１４を備えており、凹部１４は、コンタクトキャリア４を２つの部分に分割している。
コンタクトフレーム３の第１の部分は、コンタクトキャリア４の第１の部分とともに、第１の接続ゾーン５を形成している。さらに、コンタクトフレーム３の第２の部分は、コンタクトキャリア４の第２の部分とともに、第２の接続ゾーン６を形成している。第１の接続ゾーン５は、凹部７および凹部１４によって、第２の接続ゾーン６から電気的に絶縁されており、凹部７および凹部１４の中には電気絶縁性媒体が配置されている。
コンタクトフレーム３に面しているコンタクトキャリア４の面には凹部９が形成されており、凹部９の底面に、オプトエレクトロニクス半導体チップ２の裏面が配置されている。特に、オプトエレクトロニクス半導体チップ２は、コンタクトキャリア４に導電接続されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ２は、コンタクトキャリア４にはんだ付けすることができる。このようにすることで、ワイヤを使用せずに半導体チップ２が第２の接続ゾーン６に電気的に接続されている。
オプトエレクトロニクス半導体チップ２は、その前面がコンタクトフレーム３の凹部７の中に突き出している。半導体チップ２は、その放射通過面がコンタクトフレーム３のコンタクト要素３０に接触するように、十分な高さまで凹部７の中に突き出している。コンタクト要素３０と半導体チップ２との間には導電性物質１３が配置されており、この導電性物質は、コンタクト要素３０と半導体チップ２とを電気的に接続している。したがって、オプトエレクトロニクス半導体チップ２は、ワイヤを使用せずに第１の接続ゾーン５に電気的に接続されている。
凹部７は、特に、半導体チップ２の放射通過面がコンタクトフレーム３によって覆われないような寸法を有し、したがって、半導体チップ２によって生成された放射が妨げられずに凹部７を通ってオプトエレクトロニクス部品１から取り出される。コンタクトフレーム３のコンタクト要素３０は、半導体チップ２の放射通過面を、無視できる小さな部分だけ覆っている。
半導体チップは、その周囲の大部分が第１の接続ゾーン５および第２の接続ゾーン６によって囲まれており、したがって、横方向に放出される放射は、第１の接続ゾーン５または第２の接続ゾーン６に当たって凹部７の方向に反射され、オプトエレクトロニクス部品１から取り出される。
オプトエレクトロニクス半導体チップ２と、コンタクトフレーム３と、コンタクトキャリア４のアセンブリとは、封止部１１に埋め込まれている。追加のハウジングを省くことができ、これは有利である。封止部１１は、特に、放射を透過させる電気絶縁性材料（例えばシリコーン）を含んでいる。
コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４は、それらの下面にさらなる凹部８を備えており、さらなる凹部８は、封止材料によって満たされていることが好ましい。これらの凹部８によって、コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４において封止部１１を固定することができる。
さらに、凹部７および凹部９も封止材料によって満たされており、したがって半導体チップ２が保護されている。さらには、凹部１４も封止材料によって満たされている。第１の接続ゾーン５および第２の接続ゾーン６は、凹部７および凹部１４の中に配置されている電気絶縁性の封止材料によって、互いに電気的に絶縁されている。
封止部１１は、ビーム整形するように設計されている光学構造１２を備えている。光学構造１２は、オプトエレクトロニクス半導体チップ２を起点としてコンタクトフレーム３の下流に配置されている。封止部１１は凸状曲面を備えており、したがって光学構造１２は、自身を通過する放射を集光する凸レンズである。
図２は、オプトエレクトロニクス部品１のさらなる例示的な実施形態を平面図として示している。オプトエレクトロニクス半導体チップ２は、チップをマウントするためのコンタクトキャリア４のマウント面に配置されている。コンタクトキャリア４は２つの部分から構成されており、コンタクトキャリア４の２つの部分は、凹部１４によって互いに隔てられている。２つの部分を電気的に絶縁するため、凹部１４は、電気絶縁性材料、特に、プラスチック材料によって満たされている。コンタクトキャリア４の２つの部分は、長方形の輪郭を有する。
コンタクトキャリア４の上にコンタクトフレーム３が配置されている。コンタクトフレーム３も２つの部分から構成されており、コンタクトフレーム３の２つの部分は、凹部７によって互いに隔てられている。第２の接続ゾーン６に関連付けられるコンタクトフレーム３の部分は、半導体チップ２をＵ字状に囲んでいる。第１の接続ゾーン５に関連付けられるコンタクトフレーム３の部分は、半導体チップ２が４つの側面すべてにおいてコンタクトフレーム３によって囲まれるように、Ｕ字の開いた部分を囲んでいる。コンタクトフレーム３のこの部分は、コンタクト要素３０を備えており、コンタクト要素３０は、半導体チップ２の放射通過面の上に載っており、ワイヤを使用せずに半導体チップ２を第１の接続ゾーン５に電気的に接続している。
コンタクトフレーム３およびコンタクトキャリア４は、いずれも１つの被加工物、特に、薄板金属から形成されていることが好ましい。
図３は、オプトエレクトロニクス部品１の例示的な実施形態として、コンタクトキャリア４が１つの被加工物から形成されていない実施形態を示している。コンタクトキャリア４は、凹部１４によって互いに隔てられた２つの導電性ゾーン１６を有する基板１５を備えている。基板１５は、わずかに導電性である、または非導電性であることが好ましい。基板１５は、例えば、セラミック材料、半導体材料、またはプラスチック材料を含んでいることができる。基板１５は金属化されており、この金属被覆は、２つの互いに個別の導電性ゾーン１６を備えているように構造化されている。
コンタクトキャリア４の上にはコンタクトフレーム３が配置されている。このフレームは、図１に示したコンタクトフレーム３に従って構築されており、すなわち、１つの被加工物、特に、薄板金属から形成されていることが好ましい。コンタクトフレーム３は、２つの部分から構成されるコンタクトフレーム３の第１の部分がコンタクトキャリア４の一方の導電性ゾーン１６のみに結合され、第２の部分がコンタクトキャリア４の他方の導電性ゾーン１６のみに結合されるように、コンタクトキャリア４の上に配置されている。
図３に示したオプトエレクトロニクス部品１の他の側面は、図１に示したオプトエレクトロニクス部品１と同様である。
図４は、オプトエレクトロニクス部品１のさらなる例示的な実施形態を示しており、コンタクトキャリア４は、図３に示した部品１と同様に、相互に個別の導電性ゾーン１６を有する（一方のゾーンのみが見えている）基板１５を備えている。
コンタクトフレーム３は、１つの被加工物、特に、薄板金属から形成されていることが好ましい。コンタクトフレーム３は凹部８を備えており、凹部８は、コンタクトキャリア４とは反対側のコンタクトフレーム３の第１の主面から、第１の主面とは反対側の主面まで延びている。これらの凹部８は、封止部（図示していない）を固定するのに適している。
オプトエレクトロニクス部品１は、オプトエレクトロニクス半導体チップ２に加えて、さらなる半導体チップ１７を備えている。この例示的な実施形態においては、半導体チップ１７は保護ダイオードであり、そのｐｎ接合は、オプトエレクトロニクス半導体チップ２のｐｎ接合とは逆向きに配置されている。
コンタクトフレーム３は、オプトエレクトロニクス半導体チップ２に対応して設けられているコンタクト要素３０に加えて、さらなるコンタクト要素３０を備えており、このコンタクト要素３０は、さらなる半導体チップ１７の上面を第１の接続ゾーンのコンタクトフレーム３に導電接続している。コンタクトフレーム３は、２つのコンタクト要素の間に不連続部分が存在せず、したがって動作時、２個の半導体チップ２，１７には、コンタクトフレーム３を介して同じ電位がかかる。
２個の半導体チップ２，１７は、凹部７の中に突き出している導電性ゾーン１６の一部分の上に、その下面が配置されている。導電性ゾーン１６のこの部分は長方形形状であり、これは半導体チップ２の類似する長方形形状に対応している。この形状は、この例示的な実施形態においては、単一の被加工物からコンタクトキャリアを形成するよりも、金属被覆を適切に構造化して導電性ゾーン１６を形成することによって、より容易に達成することができる。
２個の半導体チップ２，１７の下面は、導電性ゾーン１６に電気的に接続されている。導電性ゾーン１６は、半導体チップ２，１７の間に不連続部分が存在せず、したがって動作時、２個の半導体チップ２，１７には、導電性ゾーン１６と、導電性ゾーン１６に接続されている第２の接続ゾーン６のコンタクトフレーム３とを介して、同じ電位がかかる。
したがって、この例示的な実施形態においては、２個の半導体チップ２，１７は、動作時に逆並列に接続されている。
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。

Claims (15)

  1. オプトエレクトロニクス部品（１）であって、
    オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、
    コンタクトフレーム（３）と、
    コンタクトキャリア（４）と、
    第１の電気接続ゾーン（５）、および前記第１の電気接続ゾーン（５）から電気的に絶縁されている第２の電気接続ゾーン（６）であって、それぞれが前記コンタクトフレーム（３）の一部分と前記コンタクトキャリア（４）の一部分とを備えている、前記第１の電気接続ゾーン（５）および前記第２の電気接続ゾーン（６）と、
    を備えており、
    前記コンタクトフレーム（３）に凹部（７）が設けられており、前記凹部（７）が、前記第１の電気接続ゾーン（５）を、少なくともいくつかの領域において、前記第２の電気接続ゾーン（６）から隔てており、前記凹部（７）の中に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が突き出しており、
    前記コンタクトフレーム（３）にコンタクト要素（３０）が設けられており、前記コンタクト要素（３０）が前記コンタクトフレーム（３）を前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）に電気的に接続している、
    オプトエレクトロニクス部品（１）。
  2. 前記コンタクト要素（３０）が、前記第１の電気接続ゾーン（５）の一部分であり、ワイヤを使用せずに前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を前記第１の電気接続ゾーン（５）に電気的に接続している、
    請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  3. 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が、前記第２の電気接続ゾーン（６）の前記コンタクトキャリア（４）の上に配置されており、ワイヤを使用せずに前記コンタクトキャリア（４）に電気的に接続されている、
    請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  4. 前記コンタクトフレーム（３）および前記コンタクトキャリア（４）が一体構造である、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  5. 前記コンタクトフレーム（３）および前記コンタクトキャリア（４）が、薄板金属から一体に形成されている、
    請求項４に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  6. 前記コンタクトフレーム（３）および前記コンタクトキャリア（４）が２つの個別の要素である、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  7. 前記コンタクトフレーム（３）が前記コンタクトキャリア（４）の上に配置されている、
    請求項６に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  8. 前記コンタクトフレーム（３）が、少なくともいくつかの領域において、前記コンタクトキャリア（４）に、接着剤によって接合されている、共晶接合されている、またははんだ付けされている、
    請求項６または７に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  9. 前記コンタクトフレーム（３）が薄板金属から形成されている、
    請求項６〜８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  10. 前記コンタクトキャリア（４）が薄板金属から形成されている、
    請求項６〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  11. 前記コンタクトキャリア（４）が、少なくとも１つの導電性ゾーン（１６）を有する基板（１５）を備えており、前記基板（１５）が、セラミック材料、半導体材料、またはプラスチック材料を含んでいる、
    請求項６〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  12. 前記コンタクトフレーム（３）が、前記コンタクトキャリア（４）に面している面、または、前記コンタクトキャリア（４）とは反対側の面に、さらなる凹部（８）を備えている、
    請求項１〜１１のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  13. 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、前記コンタクトフレーム（３）と、前記コンタクトキャリア（４）のアセンブリとが、封止部（１１）に埋め込まれている、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  14. 前記さらなる凹部（８）が封止材料によって満たされている、
    請求項１２または１３に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
  15. さらなる半導体チップ（１７）、
    を備えており、
    前記コンタクトフレーム（３）がさらなるコンタクト要素（３０）を備えており、前記さらなるコンタクト要素（３０）が前記さらなる半導体チップ（１７）に結合されており、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）および前記さらなる半導体チップ（１７）が、直列、並列、または逆並列に接続されている、
    請求項１〜１４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
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