JP2008130735A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Koji Fushimi
宏司 伏見
Kengo Nishiyama
研吾 西山
Koji Kudo
幸二 工藤
Narimiya Yamamoto
済宮 山本
Kazuma Mitsuyama
和磨 光山
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Abstract

【課題】本発明は、上部電極および下部電極を備えた上下電極型発光ダイオードからなる発光装置の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、互いに絶縁されて対向するように分離された複数の電極部分を形成する金属基板と、前記複数の電極部分に接合された反射体と、前記電極部分の一方に下部電極が接合された上下電極型発光ダイオードと、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と他方の電極部分とを接合する導電性接続部材と、前記反射体の内部に充填された透明封止材料と、前記反射体の先端部に設けられた蛍光体含有膜体とから少なくとも構成される。
【選択図】図1

Description

本発明は、上部電極および下部電極を備えた上下電極型発光ダイオードからなる発光装置の製造方法に関するものである。特に、本発明は、前記上下電極型発光ダイオードを用いた発光装置であり、大きな電流を流すことができ、その時に発生した熱の放熱、あるいは前記熱による導電性接続部材の熱応力による伸縮等を考慮した発光装置の製造方法に関するものである。
図6(イ)は従来例における発光ダイオード組立体を説明するための概略断面図で、(ロ)は前記従来例における発光ダイオード組立体を説明するための平面図である。図6(イ)および(ロ)において、発光ダイオード組立体60は、印刷配線基板61と、当該印刷配線基板61の上に設けられたサブマウント基板62と、前記サブマウント基板62の周囲を囲むプラスチック製筒体63と、上下電極型発光ダイオード65と、前記上下電極型発光ダイオード65を覆う透明封止樹脂66とから構成される。
前記プラスチック製筒体63は、たとえば、エポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂により、リードフレーム64とともに一体成形される。前記印刷配線基板61は、前記上下電極型発光ダイオード65を点滅させるための図示されていない制御回路と接続するためのプリント配線611がエッチング等により所望のパターンで形成されている。前記サブマウント基板62は、上面にエッチングまたはマスクを用いて蒸着パターンを成形する等により一対の配線622が形成されている。
前記プラスチック製筒体63は、リードフレーム64が内部(埋め込み部641)を貫通している。また、前記プラスチック製筒体63は、上下電極型発光ダイオード65の発光を内部周囲により反射する。さらに、前記プラスチック製筒体63は、インジェクション成形の際にリードフレーム64を内部に埋設する、いわゆるインサートまたはアウトサート成形(インジェクション成形)により一体的に作製される。
上下電極型発光ダイオード65は、下部に二つの電極623を備えており、半導体ウエハからなるサブマウント基板62からダイシングにより切り出され、前記電極が前記サブマウント基板62の配線622と接続される。前記透明封止樹脂66は、耐熱性を有し、前記プラスチック製筒体63の内部に充填され、平板状または凸状のレンズを構成する。
特開2001−244508号公報に記載されている発光ダイオード用パッケージは、金属基板の一方に上下電極型発光ダイオードの下部電極を取り付け、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極をボンディングワイヤーで他方の絶縁された金属基板に接続している。従来の発光ダイオード用パッケージは、メタルコアの絶縁部に樹脂がインサートされたものがある。たとえば、前記発光ダイオード用パッケージの製造方法は、特開2005−116579号公報に記載されている。また、従来の表面実装型発光ダイオードは、メタルコア基板を絶縁性接着剤で分割して、サブマウント基板を載置している。たとえば、前記表面実装型発光ダイオードは、特開2003−303999号公報がある。
特開2001−244508号公報 特開2005−116579号公報 特開2003−303999号公報
前記サブマウントタイプのフリップチップ型発光ダイオードは、上部に電極がないため、発光した光が全て外部に照射されるという利点がある。しかし、上下電極型発光ダイオードは、近年、前記タイプのフリップチップ型発光ダイオードに勝る性能のものが開発されつつある。前記上下電極型発光ダイオードは、電流を多く流すことができ、照度も向上させることができるが、前記サブマウントタイプの構造にすると、熱伝導が悪く、フリップチップ型発光ダイオードの熱が放熱され難く、パッケージが高温になり易く、径年使用で配線が断線する等の欠点があった。また、サブマウントタイプは、量産に対する生産性が悪いという問題があった。
前記上下電極型発光ダイオードは、大型で、発光効率が良く、照度の高いものが得られるようになって来た。しかし、前記上下電極型発光ダイオードは、照明に使用すると、上部電極を金線で配線されており、多くの電流を流すと発熱による熱応力で配線が断線したり、上部電極と金線との間の接続抵抗により、上下電極型発光ダイオードに焼けが発生するという問題があった。また、スリットを備えた金属基板に取り付けられた発光ダイオードは、透明樹脂で封止され、前記透明樹脂で強度を持たせるために、硬度の高いものが使用されている。しかし、前記硬度の高い封止材料は、発光ダイオードから発生する熱応力が大きいという問題があった。前記熱応力は、発光ダイオードに電力を供給する配線を断線させる恐れがあった。
以上のような課題を解決するために、本発明は、金属基板が分離されて電極部分に上下電極型発光ダイオードの電極部分と金属板部材とを共晶ハンダにより接合する発光装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、量産性に優れ、大電流および熱応力に耐えるとともに、高い強度で保持される発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
(第1発明)
第1発明における発光装置の製造方法は、金属基板からなり、分離された複数の電極部分を成形する工程と、前記複数の電極部分に反射体を接合する工程と、前記電極部分の一方と上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記電極部分の他方と金属板部材との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と前記金属板部材の腕部との間、を共晶ハンダで接合する工程と、前記反射体の先端部に蛍光体含有膜体を設ける工程と、前記上下電極型発光ダイオードを封止し、前記金属基板の裏側から前記分離部を介して、前記反射体の内部に透明封止材料を充填する工程とから少なくともなることを特徴とする。
(第2発明)
第2発明における発光装置の製造方法は、第1発明の透明封止材料の硬度がショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のエラストマーであることを特徴とする。
(第3発明)
第3発明における発光装置の製造方法は、第1発明または第2発明の透明封止材料が1液性または2液性の熱硬化型シリコーン系樹脂からなるエラストマーであることを特徴とする。
(第3発明)
第3発明における発光装置の製造方法は、第1発明から第3発明の透明封止材料を充填する前記反射体内が吸引により減圧状態になっていることを特徴とする。
(第4発明)
第4発明における発光装置の製造方法は、第1発明から第4発明の金属基板が多数のパッケージ単位が形成されており、前記パッケージ単位に分離された複数の電極部分を形成するスリットを成形する工程を有することを特徴とする。
本発明によれば、金属基板を分離して成形された複数の電極部分と、上下電極型発光ダイオードの上部電極と前記金属基板に設けられた他方の電極部分とを金属板のような金属板部材とによって接続されているため、大電流を流すことができるだけでなく、放熱性に優れ、熱応力が発生しても緩和することができる。
本発明によれば、上下電極型発光ダイオードの上部電極と金属基板とを接続する金属板部材の形状を変えることにより、前記上下電極型発光ダイオードの発光効率を向上させたり、あるいは熱膨張による熱応力を緩和することができる。
本発明によれば、分離された金属基板であるにも関わらず、反射体を取り付けることにより、パッケージとしての強度を十分に保つことができる。また、前記スリットおよび前記反射体の内部に充填する透明封止材料に弾力を持たせることにより、大電流を流す際に発生する熱応力を緩和することができる。
本発明によれば、特に、前記反射体の内部にエラストマー系の透明封止材料が充填された上下電極型発光ダイオード用パッケージは、上下電極型発光ダイオードを取り付けて、大電流を流しても、前記反射体に充填されたエラストマータイプの透明封止材料により、十分に熱応力を吸収することができる。また、本発明によれば、パッケージ集合体の状態で発光ダイオードを取り付け、透明封止材料を封止することが可能なので、生産性が向上する。
(第1発明)
第1発明における発光装置の製造方法は、金属基板からなり、分離された複数の電極部分を成形する工程と、前記複数の電極部分と反射体とを合成樹脂製接着剤により接合する工程と、前記電極部分の一方と上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と開口部を有する金属板部材との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と前記金属板部材との間をそれぞれ共晶ハンダにより接合する工程と、前記反射体の先端部に蛍光体含有膜体を設ける工程と、前記上下電極型発光ダイオードを封止し、前記反射体の内部に前記金属基板の裏側から前記分離部を介して透明封止材料を充填する工程とから少なくとも構成されている。
前記複数の電極部分成形する工程は、前記上下電極型発光ダイオードを取り付ける位置に対応するように、たとえば、プレスによって成形する。また、前記電極部分を成形する工程は、前記電極部分の形状を直線状、曲線状、あるいは十字状、T字状、H字状等にすることができる。
前記金属基板を分離して成形された複数の対向する電極部分は、たとえば、前記金属基板自体、または所定の大きさの金および/または銀メッキ層が形成される。前記反射体の前記電極部分に対する接合工程は、合成樹脂系接着剤を使用する。前記電極部分、導電性接続部材、および上下電極型発光ダイオードの上下電極との接合工程は、たとえば、共晶ハンダを所定部分に置き、熱をかけることにより一度に行うことができる。前記反射体の先端部には、所望の蛍光体含有膜体が取り付けられる。その後、透明封止材料は、前記金属基板の裏側における前記分離部から前記反射体の内部に充填され、前記上下電極型発光ダイオードが封止される。
(第2発明)
第2発明における発光装置の製造方法は、第7発明における透明封止材料の硬度をショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のエラストマーとすることで、パッケージを分割する前または後に関係なく、充填することが容易になった。また、前記硬度を有する透明封止材料は、一方から他方の電極部分に大きな電流を流した際に発生する熱の応力を吸収するのに適度の硬さになっている。
(第3発明)
第3発明における発光装置の製造方法は、第1発明または第2発明における透明封止材料は、1液性または2液性の熱硬化型シリコーン系樹脂からなるエラストマータイプにすることができる。前記エラストマータイプの透明封止材料は、適度の硬度を有するため、前記上下電極型発光ダイオードに大電流を流しても、その発生する熱による応力を緩和させることができる。
(第4発明)
第4発明における発光装置の製造方法は、第1発明から第3発明における透明封止材料を前記反射体に封止する際に、前記反射体の内部を減圧状態にして、前記透明封止材料の内部に気泡等が発生しないようにして、光反射の不都合を防止している。
(第5発明)
第5発明における発光装置の製造方法は、一つの金属基板に多数のパッケージ単位で分割できるように成形されている。前記パッケージ単位の金属基板は、スリットを成形することにより分離され、複数の電極部分が成形されている。
次に、本発明の発光装置を説明する。前記複数の電極部分および金属板部材は、必要に応じて、金および/または銀メッキ等が形成されている。前記反射体は、複数の電極に取り付けられるとともに、前記上下電極型発光ダイオードからの光を反射させる上方に向かって広がるほぼ筒状のものである。また、前記反射体は、たとえば、アルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミック等の部材からなり、前記それぞれの電極部分に対応するように、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤によって前記電極部分に接合される。また、前記反射体の形状は、正方形、円形、楕円形、長方形等の形状からなる。前記反射体は、内部に前記上下電極型発光ダイオードが封止されるとともに、透明封止材料が充填される。
前記電極部分は、前記金属基板を分割しているスリットの間に絶縁材料を充填することもできる。前記金属基板は、金および/または銀メッキを施した電極部分が形成されることで、上下電極型発光ダイオードの下部電極および導電性接続部材との電気的接続を良好にすることができる。また、前記上下電極型発光ダイオードが形成されている以外の金属基板には、前記上下電極型発光ダイオードから出る光を前記反射体とともに有効に外部に照射するように、銀および/または金の膜が形成されている。
本発明は、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と他方の電極部分とを接続する際に、たとえば、金属板部材を使用するため、一本または二本の金線等によって接続するものと比較して、大容量の電流(たとえば、350mA以上)を流すことができるだけでなく、前記金属板部材自体からも放熱することができる。また、前記金属板部材および上下電極型発光ダイオードを載置する金属基板を含む電極部分は、光の反射、上下電極型発光ダイオードの放熱、大容量の電流を流す導電体の3つの役目を同時に果たすものである。
前記金属板部材は、金線と比較して断面積および表面積が非常に大きいため、この部分の電気抵抗が少なく、発熱も少ない。また、前記金属基板に形成された金および/または銀メッキは、上下電極型発光ダイオードから発生する光の反射および電極との接続に共晶ハンダが使用できるようになる。なお、前記金属基板は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金等がある。
金属板部材は、ほぼ水平方向またはほぼ垂直方向に湾曲した腕部を有するように成形される前記湾曲した金属板部材は、上下電極型発光ダイオードの側部から放射される光の邪魔にならないような形状、および/または対向した電極部分における熱応力の違いを吸収できる形状にする。前記金属板部材は、表面積を大きくしているため、長さが多少長くなっても、流れる電流の電気抵抗に影響を及ぼすことがない。
前記金属基板は、上下電極型発光ダイオードが上部電極と前記金属基板に形成された他方の電極部分との間に段差ができないように、前記一方の金属基板に一方の電極部分を形成した凹部内が設けられる。前記凹部は、前記上下電極型発光ダイオードの厚さと同じにすることにより、配線を行う際に、前記段差を完全に無くすことができる。さらに、前記金属板部材は、前記段差がないため、最短距離の配線を行うことができ、電気的抵抗を減らすことができる。
前記金属基板は、他方の電極部分に前記金属板部材と接続する凸部が成形され、上下電極型発光ダイオードの上部電極と同じ高さになるようにしている。前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と、他方の金属基板基板を含む電極部分との高さが同じであるため、前記金属板部材は、両電極を最短距離で接続することが容易にできる。前記凹部または凸部は、金属基板の場合、プレス等による成形される。
図1(イ)から(ハ)は本発明の第1実施例で、(イ)はパッケージに上下電極型発光ダイオードを取り付けた状態図、(ロ)は(イ)の拡大図、(ハ)はパッケージおよび上下電極型発光ダイオードの平面図である。図1(イ)から(ハ)において、本実施例における発光装置は、金属基板12、14と、前記金属基板12と14との間に設けられているスリットまたは絶縁部材13と、上下電極型発光ダイオード11と、前記金属基板14と前記上下電極型発光ダイオード11の上部電極111を接続する導電性接続部材(金属板部材)15と、前記金属基板12、14に取り付けられ、反射膜161が形成されている反射体16と、前記反射体16の内部に充填された透明封止材料(図示されていない)とから少なくとも構成されている。前記反射体16は、上部に向かって広がるように傾斜した反射部分を有するほぼ筒状体からなる。前記金属基板12、14は、たとえば、銅に亜鉛を微量含有させ、強度を上げているとともに、表面を銀メッキした後に金メッキすることができる。前記金属基板12、14および反射体16は、円形、正方形、長方形、楕円形等にすることができる。
また、前記絶縁部材13は、たとえば、セラミック材料、あるいは1液性または2液性のエポキシ系樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂、あるいはシリコン系樹脂からなる樹脂を充填できるが、単なる空間として絶縁性を持たせることができる。上部に向かって広がった筒状の反射体16は、前記金属基板12、14と接着剤により接合しているため、パッケージとして高い強度を保持することができる。また、前記反射体16の内部には、透明封止材料が充填される。前記透明封止材料は、エラストマータイプにすることができる。前記エラストマータイプの樹脂の硬度は、ショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のものを使用することが望ましい。さらに、前記絶縁部材13は、シリコン系樹脂からなるエラストマーであることが望ましい。
前記金属基板12は、スリットまたは絶縁部材13によって金属基板14と電気的に分離されている。また、前記金属基板12、14、および導電性接続部材15は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金とすることができる。前記反射体16は、たとえば、アルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミックからなり、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤で前記金属基板12、14に接合されている。また、反射体16は、前記部材の他に、合成樹脂製とし、金、銀、あるいはアルミニウム等の膜をコーティングすることもできる。
前記金属基板12には、上下電極型発光ダイオード11が収納できる収納凹部121が形成されている。前記上下電極型発光ダイオード11は、上部電極111と下部電極112が設けられている。前記金属基板12、14上には、必要に応じて、予めマスクにより、電極部分(図1に示されていない)が金メッキ等により形成される。
前記金属基板12の一方に形成された電極部分は、前記上下電極型発光ダイオード11の下部電極112と、たとえば、共晶ハンダにより接合される。前記上下電極型発光ダイオード11の上部電極111は、導電性接続部材15により、前記金属基板14に形成された電極部分と、たとえば、共晶ハンダにより接続される。前記上下電極型発光ダイオード11および導電性接続部材15が存在していない金属基板12、14の表面には、後述する反射体16の内部に相当する領域に銀メッキ162、163が施され、上下電極型発光ダイオード11の発光を効率良く反射させる。
図1(ハ)において、上下電極型発光ダイオード11の上部電極111は、目字状に開口部113を有し、この部分から光を効率良く照射する。前記開口部113は、目字状以外に、日字状、ロ字状、コ字状等、各種変形が可能である。また、導電性接続部材15は、たとえば、2本の接続部151を有し、前記上下電極型発光ダイオード11の上部電極111の一部に接続されている。また、前記導電性接続部材15の金属基板14側は、広い面積を有し、前記金属基板14に形成された電極部分と接続される。前記導電性接続部材15は、前記上部電極111および前記金属基板14と、たとえば、共晶ハンダにより接続される。前記共晶ハンダによる接続は、互いに金メッキを施すことにより、接合強度を強くすることができる。
図2(イ)は本発明の第2実施例で、上下電極型発光ダイオードを金属基板上に取り付けた他の例を説明するための断面図で、(ロ)および(ハ)は本発明のパッケージ集合体を説明するための図である。図2(イ)において、金属基板22には、上下電極型発光ダイオード11を収納する収納凹部が設けられていない。前記収納凹部の代わりに、金属基板14は、たとえば、プレスにより凸部141と凹部141′が同時に成形される。一枚のほぼ水平な板部材からなる導電性接続部材25は、上下電極型発光ダイオード11の上部電極111と、他方の電極部分とを共晶ハンダにより接合される。前記導電性接続部材25は、金および/または銀のメッキを施すことにより、共晶ハンダの接合強度を向上させるとともに、上下電極型発光ダイオード11から発射される光を反射体等を介して、所望の方向に放射することができる。
図2(ロ)において、導電性接続部材251は、板状部材がほぼL字状に成形されて、上下電極型発光ダイオード11の上部電極111と、金属基板14に形成された他方の電極部分(図示されていない)とを接続する。また、図2(ハ)において、前記導電性接続部材252は、一枚の板部材からなり、上下電極型発光ダイオードの上部電極111と、金属基板14に形成された他方の電極部分(図示されていない)との段差を吸収するように折り曲げられている。前記導電性接続部材の形状は、段差を吸収するだけでなく、熱応力も吸収できる形状に曲げることができる。前記上下電極型発光ダイオード11の大きさは、約1.0mm×1.0mm、厚さ0.1mm程度であるため、前記上下電極型発光ダイオード11を収納する収納凹部、または前記導電性接続部材25の形状のいずれを加工するのも容易である。
図3(イ)から(ハ)は本発明の第3実施例で、ストリップ状または短冊状の金属基板に二列のパッケージ集合体が成形される状態を説明するための図である。図3(イ)から(ハ)において、ストリップ状または短冊状の金属基板31は、たとえば、一列または二列に内部スリット312、互いに絶縁されて対向した電極部分313、314、前記電極部分の一方313が中心となるように配置された反射体16が設けられている。前記内部スリット312は、たとえば、空間、あるいは絶縁樹脂が予め充填される。前記絶縁樹脂は、エポキシ系樹脂のように、弾性および接着性の高いものが望ましい。前記内部スリット312は、十字状にした場合、2個の上下電極型発光ダイオード(図示されていない)が並列に配置され、照度の高い発光装置に利用することができる。
前記内部スリット312の長さは、前記反射体16の少なくとも一方の幅より長く、一部が突出するように配置される。前記反射体16が取り付けられた金属基板31は、パッケージ単体またはパッケージ集合体として出荷されて、上下電極型発光ダイオードが接続されるとともに、前記反射体16の内部に透明封止材料が充填されて、パッケージ単体またはパッケージ集合体ができる。
図3(イ)から(ハ)において、金属基板31は、パッケージ単位を囲む周囲スリット311−1、311−2、311−3、311−4が成形されている。図3(ロ)の拡大された図において、前記4本の周囲スリット311−1、311−2、311−3、311−4は、脆弱部315により、電極部分が金属基板31から落下せずに連結している。そして、前記パッケージ単位は、完成後にわずかな押圧力によって、周囲スリット311−1、311−2、311−3、311−4で囲まれた部分で分離することができる。また、複数の上下電極型発光ダイオードを有するパッケージ集合体は、予め複数のパッケージの周囲に前記周囲スリットを設けて置くことができる。
前記金属基板の分離は、前記反射体16を取り付けた後、または上下電極型発光ダイオード等および透明封止材料が充填された後のいずれでも良い。また、前記周囲スリットは、一辺を一つのスリットに限定されない。たとえば、前記周囲スリットは、点状のスリット、複数個のスリット、あるいは同様な凹部から構成することができる。要するに、前記周囲スリットは、僅かな押圧力で分離ができれば、一つ一つの形状に限定されない。
図4(イ)および(ロ)は本発明の第4実施例で、スリットまたは反射体に絶縁材料を充填する方法を説明するための図である。図4(イ)および(ロ)において、金属基板12、14に反射体16が接合され、電極部分(図示されていない)、上下電極型発光ダイオード11、導電性接続部材15等が取り付けられ、その後、蛍光体含有膜45が前記反射体16の先端部分に取り付けられる。反射体16に充填する透明封止材料46は、前記金属基板12、14のスリット13から前記反射体16の内部に充填される。前記スリット13には、前記透明封止樹脂46以外に異なる絶縁樹脂41を充填することもできる。
図5は本発明における発光装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。図5において、ストリップ状または短冊状の金属基板は、図示されていない、基台上を連続して加工できるように移動する(ステップ511、512)。前記金属基板は、上下電極型発光ダイオードを取り付ける位置に対応するように、一列または複数列に互いに絶縁された内部スリットおよび分割用の周囲スリットが形成される(ステップ513)。電極部分は、前記内部スリットの両側に金および/または銀メッキ等により形成される(ステップ514)。前記金および/または銀メッキは、電極部分のみではなく、上下電極型発光ダイオードの反射を考慮して反射体の内部全面(スリットの部分を除く)に渡るように形成される。
前記反射体は、前記金属基板に形成された電極部分の一方が中心になるように前記金属基板に接合される(ステップ515)。前記上下電極型発光ダイオードは、一方の電極部分に共晶ハンダを介して置かれ、また、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極の上および他方の電極部分に、共晶ハンダを介して導電性接続部材が置かれる(ステップ516)。この状態で、前記金属基板は、リフロー炉の中を通過させることにより、加熱処理が行われる(ステップ517)。
その後、反射体の先端部には、蛍光含有膜体が取り付けられる。(ステップ518)。前記上下電極型発光ダイオードが取り付けられた金属基板は、必要に応じて、減圧槽の内部に入れるか、または減圧状態にする(ステップ519)。透明封止材料は、前記スリットを介して反射体の内部に充填される(ステップ520)。前記反射体内部の減圧は、前記透明封止材料に気泡が入らないようにでき、発光装置の品質を向上させることができる。次に、前記金属基板は、特別な機械を使用することなく、たとえば、裏面に僅かな押圧力を加えることにより、パッケージ単位に分割することができる(ステップ521)。なお、前記発光装置の製造方法は、プレスおよび電子部品取付ロボットを主体としたラインで構成され、発光装置を一つずつ作製する場合、およびパッケージの集合体からなる発光装置のいずれをも作製することができる。
前記方法により作製された発光装置は、たとえば、縦3mm、幅20mm程度の大きさとすることにより、液晶表示装置の導光板用、あるいは広告表示装置等のバックライトに使用できる。また、前記発光装置は、前記上下電極型発光ダイオードに定格350mA以上の電力を供給することができ、従来のものより、輝度を高くすることができた。
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではない。そして、本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。本発明の上下電極型発光ダイオードの上下電極、金属基板、導電性接続部材等の接続は、共晶ハンダ、共晶ハンダペースト、共晶ハンダとフラックス、金−錫共晶ハンダペースト等、公知または周知のものを使用することができる。本発明の反射体の部材および反射膜は、前記同様に、公知または周知のものを使用することができる。
(イ)から(ハ)は本発明の第1実施例で、(イ)はパッケージに上下電極型発光ダイオードを取り付けた状態図、(ロ)は(イ)の拡大図、(ハ)はパッケージおよび上下電極型発光ダイオードの平面図である。(実施例1) (イ)は本発明の第2実施例で、上下電極型発光ダイオードを金属基板上に取り付けた他の例を説明するための断面図で、(ロ)および(ハ)は本発明のパッケージ集合体を説明するための図である。(実施例2) (イ)から(ハ)は本発明の第3実施例で、ストリップ状または短冊状の金属基板に二列のパッケージ集合体が成形される状態を説明するための図である。(実施例3) (イ)および(ロ)は本発明の第4実施例で、スリットまたは反射体に絶縁材料を充填する方法を説明するための図である。(実施例4) 本発明における発光装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。 (イ)は従来例における発光ダイオード組立体を説明するための概略断面図で、(ロ)は前記従来例における発光ダイオード組立体を説明するための平面図である。
符号の説明
11・・・上下電極型発光ダイオード
111・・・上部電極
112・・・下部電極
113・・・開口部
12、14・・・金属基板
121・・・収納凹部
13・・・絶縁部材
114・・・側部
15、25、251、252・・・導電性接続部材
151・・・接続部
161・・・反射膜(反射部分)
162、163・・・銀メッキ
311−1、311−2、311−3、311−4・・・周囲スリット
312・・・内部スリット
313、314・・・電極部分
315・・・脆弱部
41・・・絶縁材料

Claims (5)

  1. 金属基板からなり、分離された複数の電極部分を成形する工程と、
    前記複数の電極部分と反射体とを接合する工程と、
    前記電極部分の一方と上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記電極部分の他方と金属板部材との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と金属板部材の腕部との間、をそれぞれ共晶ハンダで接合する工程と、
    前記反射体の先端部に蛍光体含有膜体を設ける工程と、
    前記上下電極型発光ダイオードを封止し、前記金属基板の裏側から前記分離部を介して、前記反射体の内部に透明封止材料を充填する工程と、
    から少なくともなることを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 前記透明封止材料の硬度は、ショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のエラストマーであることを特徴とする請求項1に記載された発光装置の製造方法。
  3. 前記透明封止材料は、1液性または2液性の熱硬化型シリコーン系樹脂からなるエラストマーであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された発光装置の製造方法。
  4. 前記透明封止材料を充填する前記反射体内は、吸引により減圧状態になっていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載された発光装置の製造方法。
  5. 前記金属基板は、多数のパッケージ単位が形成されており、前記各パッケージ単位に分離された複数の電極部分を形成するようにスリットを成形する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165979A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Rohm Co Ltd Ledモジュールの製造方法およびledモジュール
WO2010150810A1 (ja) * 2009-06-26 2010-12-29 富士フイルム株式会社 光反射基板およびその製造方法
KR20110136887A (ko) * 2009-04-02 2011-12-21 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자
JP2012195361A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2013069972A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JP2013089905A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
US9287476B2 (en) 2008-09-03 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JPWO2021039825A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490411B2 (en) 2008-09-03 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US11094854B2 (en) 2008-09-03 2021-08-17 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10700241B2 (en) 2008-09-03 2020-06-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10573789B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10573788B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10115870B2 (en) 2008-09-03 2018-10-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9537071B2 (en) 2008-09-03 2017-01-03 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9287476B2 (en) 2008-09-03 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP2010165979A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Rohm Co Ltd Ledモジュールの製造方法およびledモジュール
KR101678244B1 (ko) 2009-04-02 2016-12-06 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자
US8742448B2 (en) 2009-04-02 2014-06-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
JP2012523108A (ja) * 2009-04-02 2012-09-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品
KR20110136887A (ko) * 2009-04-02 2011-12-21 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자
WO2010150810A1 (ja) * 2009-06-26 2010-12-29 富士フイルム株式会社 光反射基板およびその製造方法
JP2012195361A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2013069972A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JP2013089905A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JPWO2021039825A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04
WO2021039825A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04 京セラ株式会社 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
CN114223066A (zh) * 2019-08-28 2022-03-22 京瓷株式会社 发光元件搭载用封装件以及发光装置
JP7248803B2 (ja) 2019-08-28 2023-03-29 京セラ株式会社 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置

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