JP2012507126A5

JP2012507126A5 -

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Publication number: JP2012507126A5
Application number: JP2011533610A
Authority: JP
Filing date: 2009-10-29
Publication date: 2012-12-20

Claims

有利には角柱状に構成された縦長の電極体を備えたＶＨＦプラズマ電極であって、
当該の電極体は、電極面を有しており、
当該の電極面は、電力を供給するための少なくとも２つの接続素子に電気的に接続されているかまたは接続可能であり、
少なくとも１つの第１の接続素子が、前記の電極体の第１の端面に接続されているかまたは当該第１の端面の近くに接続されており、また少なくとも１つの第２の接続素子が、前記の電極体の第２の端面に接続されているかまたは当該第２の端面の近くに接続されており、
前記の電極は、誘電体材料からなりかつ電極面を露出させる埋込コンポーネントに配置されており、また当該の電極面を露出させるシールド素子が設けられており、
当該シールド素子により、前記の電極と、埋込コンポーネントとが共に包囲され、
前記の複数の接続素子のうちの少なくとも１つの接続素子が、ＶＨＦ真空フィードスルー素子として構成されている、ＶＨＦプラズマ電極において、
前記の接続素子のうちの少なくとも１つの接続素子は、前記の電極体、埋込コンポーネントおよび／または前記のシールド素子を支持する構成部材として構成されていることを特徴とするＶＨＦプラズマ電極。
少なくとも１つの接続素子は、同軸線路の部分または帯状線路の部分として構成されている、
請求項１に記載のＶＨＦプラズマ電極。
前記のシールド素子は少なくとも、接続素子を構成する同軸線路の外部導線の一部に電気的に接続されているか、または
前記のシールド素子は、帯状線路の少なくとも一部分を構成している、
請求項１または２に１項に記載のＶＨＦプラズマ電極。
帯状線路の第１の極は、少なくとも１つの接続素子に接続されているかまたは接続可能であり、
前記の帯状線路の第２の極は、プラズマ電極の対向電極に接続可能であり、
前記の帯状電極は、有利には対称化素子に接続可能である、
請求項１から３までのいずれか１項に記載のＶＨＦプラズマ電極。
前記の電極は、プラズマ処理のためのプロセスガスを供給する少なくとも１つのガス放出開口部を有する、
請求項１から４までのいずれか１項に記載のＶＨＦプラズマ電極。
前記の複数の真空フィードスルー素子の少なくとも１つの真空フィードスルー素子には、ガス分散装置の少なくとも１つのガス供給管路および／または流体媒体を供給または排出するための媒体管路が含まれる、
請求項１から５までのいずれか１項に記載のＶＨＦプラズマ電極。
真空チャンバにて電極装置と対向電極との間に基板を配置することができ、
少なくとも１つのプラズマ電極装置と、対向電極との間の領域にてプラズマ放電を励起することが可能な平らな基板用のＶＨＦプラズマ処理装置において、
前記のプラズマ電極装置は、請求項１から６までのいずれか１項にしたがって構成された少なくとも１つのプラズマ電極を有することを特徴とする
ＶＨＦプラズマ処理装置。
平らな基板用のＶＨＦプラズマ処理装置であって、
真空チャンバにて電極装置と対向電極との間に基板を配置することができかつ少なくとも１つのプラズマ電極装置と対向電極との間の領域にプラズマ放電を励起することができ、
前記プラズマ電極装置は、互いに同一平面内にある複数の電極面と、２つのプラズマ電極の電極体の互いに平行な長手方向側面とを有しており、２つのプラズマ電極は互いに間隔が空けられて配置されており、２つの電極体の長手方向側面にギャップが設けられている、ＶＨＦプラズマ処理装置において、
前記電極体間のギャップに、プラズマ処理のためのプロセスガスを排出するためのポンプ開口部が配置されていることを特徴とする、
平らな基板用のＶＨＦプラズマ処理装置。
平らな基板用のＶＨＦプラズマ処理装置であって、
当該基板は、真空チャンバにて電極装置と対向電極との間に配置することができ、
電極と対向電極との間の領域にプラズマ放電を励起することができる、平らな基板用のＶＨＦプラズマ処理装置において、
少なくとも１つの部分電極は、電力を供給するために少なくとも２つの接続素子に接続されており、隣接する少なくとも２つの部分電極間のギャップに、導電性の有利にはアースに接続されるかまたは接続可能な分離素子が配置されていることを特徴とする、
平らな基板用のＶＨＦプラズマ処理装置。
ＶＨＦ真空フィードスルー素子として構成された複数の接続素子を用いて、前記の複数のプラズマ電極のうちの少なくとも１つのプラズマ電極を真空チャンバ壁に固定する、
請求項８または９に記載の装置。
前記複数の接続素子のうちの少なくとも１つの接続素子が、前記電極体、埋込コンポーネントおよび／またはシールド素子を支持する構成部材として構成されている、
請求項１０に記載の装置。
前記のギャップ幅をプラズマ放電の暗黒部間隔よりも狭く選択するかまたは場合によって前記分離素子と前記ギャップの縁部との間隔をプラズマ放電の暗黒部間隔よりも狭く選択する、
請求項８から１１までのいずれか１項に記載の装置。
前記ギャップは、１０ｍｍ以下の最大ギャップ幅を有する、
請求項８から１２までのいずれか１項に記載の装置。
平らな基板をＶＨＦプラズマ処理する方法であって、
当該のプラズマ処理は、析出またはエッチングまたは表面変更プロセスであり、
真空チャンバにて少なくとも１つのプラズマ電極を備えたプラズマ電極装置と、対向電極との間に前記の基板を配置し、
プラズマ電極と対向電極との間の領域にプラズマ放電を励起する形式の方法において、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の少なくとも１つのプラズマ電極によって前記のプラズマに電力を供給することを特徴とする
方法。
平らな基板をＶＨＦプラズマ処理する方法において、
当該プラズマ処理は、析出またはエッチングまたは表面修正プロセスである、方法において、
前記プラズマ処理は、請求項８から１４までのいずれか１項に記載の装置を用いることを特徴とする方法。