JP2012193080A - ブレーク方法、及びブレーク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】マザー基板から高品質な液晶装置を複数製造することが可能なブレーク方法、及びブレーク装置を提供する。
【解決手段】対向側マザー基板４２の表面にスクライブライン７１を形成する工程と、素子側マザー基板４１の表面を、素子側マザー基板４１における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバー６５ａで叩いて、スクライブライン７１に沿って対向側マザー基板４２をブレークする工程と、素子側マザー基板４１の表面にスクライブラインを形成する工程と、対向側マザー基板４２の表面を、対向側マザー基板４２における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、スクライブラインに沿って素子側マザー基板４１をブレークする工程と、を有している。
【選択図】図９

Description

本発明は、マザー基板をブレークするブレーク方法、及びブレーク装置に関する。

上記したブレーク装置は、例えば、特許文献１に記載のような装置が用いられ、ガラス基板等からなる基板間に液晶が挟持された一対のマザー基板をブレーク（分断）し、複数の液晶装置を切り出す。

液晶装置は、例えば、外部と電気的に接続するための外部接続端子が露出するように形成される。詳述すると、外部接続端子は、一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）において、他方の基板（例えば、対向基板）よりも外部方向に張り出すように形成された張出し部に形成されている。

ブレーク方法は、まず、対向基板側をブレークする。具体的には、対向基板における張出し部の基端に対応する部分にスクライブラインを形成する。次に、一対の基板を反転させ、素子基板側からブレークバーを用いて押圧し、スクライブラインに沿って対向基板をブレークする。素子基板側のブレーク方法も同様の方法を用いて行う。

特開２００４−１３１３４１号公報

しかしながら、対向基板における張出し部の基端に対応する部分をブレークする際、対向基板のみをブレークするが、マザー基板の外周側からクラックが入り、その結果、素子基板にもクラックが入る、いわゆる共割れが発生するという課題がある。

また、対向基板側をブレークした後、素子基板側をブレークするが、マザー基板の外周付近において、正規の分断ラインから反れ曲がってブレークする場合があり、バリや欠けが発生するという課題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係るブレーク方法は、複数の素子基板が面付けされた素子側マザー基板と、複数の対向基板が面付けされた対向側マザー基板と、が貼り合わされた一対のマザー基板をブレークすることにより、複数の電気光学装置を製造するブレーク方法であって、前記対向側マザー基板の表面に対向側スクライブラインを形成する対向側スクライブライン形成工程と、前記素子側マザー基板の表面を、前記素子側マザー基板における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバーで叩いて、前記対向側スクライブラインに沿って前記対向側マザー基板をブレークする第１ブレーク工程と、前記素子側マザー基板の表面に素子側スクライブラインを形成する素子側スクライブライン形成工程と、前記対向側マザー基板の表面を、前記対向側マザー基板における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、前記素子側スクライブラインに沿って前記素子側マザー基板をブレークする第２ブレーク工程と、を有していることを特徴とする。

この方法によれば、第１ブレーク工程において、対向側スクライブラインに沿って対向側マザー基板をブレークする際、中凸状のブレークバーを用いるので、マザー基板の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった（叩いた）ときのように、共割れ（割りたくない素子側マザー基板が割れる）が発生することを抑えることができる。また、第２ブレーク工程において、素子側スクライブラインに沿って素子側マザー基板をブレークする際、中凹状のブレークバーを用いるので、マザー基板の外周側を先に叩くことが可能となり、分断予定線に沿ってブレークできるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。

［適用例２］上記適用例に係るブレーク方法において、前記素子基板は、前記対向基板より外側に張り出した張出し部を有し、前記第１ブレーク工程は、前記対向側マザー基板における前記張出し部の基端に対応する部分をブレークすることが好ましい。

この方法によれば、張出し部の基端に対応する部分を中凸状のブレークバーを用いてブレークするので、マザー基板の略中央から周縁部に向かって順に叩いていくことが可能となる。よって、対向側マザー基板のみを分断することができ、素子側マザー基板まで割れてしまう共割れが発生することを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係るブレーク方法において、前記第１ブレーク工程の後、前記第２ブレーク工程を行うことが好ましい。

この方法によれば、第１ブレーク工程によって対向側マザー基板をブレークすると、対向側マザー基板（特に周縁部）の強度が弱くなり不安定な状態になりやすいが、第２ブレーク工程によって中凹状のブレークバーを用いて素子側マザー基板の周縁部から叩いていくので、分断予定線に沿ってブレークすることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。

［適用例４］上記適用例に係るブレーク方法において、前記第１ブレーク工程において、前記対向側スクライブラインに対応する前記素子側マザー基板のラインは、分断ラインではなく、前記第２ブレーク工程において、前記素子側スクライブラインに対応する前記対向側マザー基板のラインは、分断ラインであることが好ましい。

この方法によれば、第２ブレーク工程は、素子側マザー基板及び対向側マザー基板の共通の分断ラインをブレークするので、例えば、中凹状のブレークバーを用いて共割れが発生したとしても、対向側マザー基板側に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。

［適用例５］上記適用例に係るブレーク方法において、前記対向側マザー基板及び前記素子側マザー基板は、ウエハー状であることが好ましい。

この方法によれば、ウエハー状のマザー基板を用いてブレークを行った際、マザー基板の周縁部が分断予定線に対し反れ曲がって分断されやすい傾向にあるが、第２ブレーク工程において中凹状のブレークバーを用いるので、周縁部が反れ曲がることを抑えることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。

［適用例６］本適用例に係るブレーク装置は、一対のマザー基板をブレークバーを用いてブレークすることにより複数の電気光学装置を製造するブレーク装置であって、前記ブレークバーは、中凸状のブレークバーと、中凹状のブレークバーと、を備え、前記一対のマザー基板において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は前記中凸状のブレークバーを用い、前記一対のマザー基板において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は前記中凹状のブレークバーを用いるように制御することを特徴とする。

この構成によれば、中凸状のブレークバーを用いることにより、例えば、一対のマザー基板のうち対向側マザー基板をブレークする際、マザー基板の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった（叩いた）ときのように、共割れ（割りたくない素子側マザー基板が割れる）が発生することを抑えることができる。また、中凹状のブレークバーを用いることにより、例えば、一対のマザー基板のうち素子側マザー基板をブレークする際、マザー基板の外周側を先に叩くことが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることが可能なブレーク装置を提供することができる。

液晶装置の構造を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 一対のマザー基板の構造を示す模式斜視図。 一対のマザー基板を分断する分断予定線を説明する平面図。 （ａ）はブレーク装置の構造を示す模式側面図、（ｂ）、（ｃ）はブレーク装置を構成するブレークバーの構造を示す模式側面図。 ブレーク装置の構造を斜め方向から見た模式斜視図。 第１実施形態の液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図。 第２実施形態の液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１００は、一対の基板を構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。

素子基板１２及び対向基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１００は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための注入口１６が設けられ、注入口１６は封止材１７により封止されている。

液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１００は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。

額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、対向基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。

表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。また、素子基板１２は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板１３よりも外側に張り出した張出し部２９を有している。この張出し部２９の領域には、信号線駆動回路２２及び外部接続端子２３が形成されている。

また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図１における上側）には、検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。

一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。

また、図２に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。

一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。

液晶装置１００は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１００の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。

図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。

図３に示すように、液晶装置１００は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。

ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、信号線３４が電気的に接続されている。各信号線３４には、例えば、信号線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。

また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。

走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、信号線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。

画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７と容量線３６との間に蓄積容量３７が形成されている。

このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。

＜一対のマザー基板（ウエハー）の構成＞
図４は、液晶装置を切り出す前の、一対のマザー基板（ウエハー）の構造を示す模式斜視図である。図５は、一対のマザー基板を分断する分断予定線を説明する平面図である。なお、本実施形態に係る液晶装置は、複数の液晶装置となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置は、いわゆるマザー基板から多面取りを行う方法により形成される。

具体的には、一対のマザー基板は、図４に示すように、素子側マザー基板４１上に複数の素子基板１２を構成する積層構造４４を行列状に連なった状態で形成し、また同様に対向側マザー基板４２上に複数の対向基板１３を構成する積層構造を行列状に形成し、この素子側マザー基板４１と対向側マザー基板４２とをシール材１４を介して貼り合わせることにより形成される。

本実施形態では、各マザー基板４１，４２は、オリエンテーションフラット（Orientation Flat：以下、「オリフラ」と称する。）４３を有するウエハー状の略円板形状を有する。マザー基板４１，４２の大きさは、例えば、２００ｍｍである。マザー基板４１，４２の厚みは、例えば、それぞれ（素子側マザー基板４１、対向側マザー基板４２）１．２ｍｍである。

以下の説明においては、対向側マザー基板４２と対向する面上においてオリフラ４３と平行な軸をＸ軸とし、また当該面上において該Ｘ軸と直交する軸をＹ軸とする。また、Ｘ軸及びＹ軸に直交する軸をＺ軸とする。

素子側マザー基板４１上に形成される複数の積層構造４４は、対向側マザー基板４２に対向する面上においてＸ軸及びＹ軸に沿う行列状に配列される。

また、図５に示すように、貼り合わされた状態の一対のマザー基板４１，４２を平面的に見た場合、Ｘ方向に平行な対向基板１３の外形の一辺を規定すると共に、張出し部２９の基端側を規定する線を第１分断予定線５１（分断ライン）とする。また、Ｘ軸に平行な素子基板１２の１辺を規定すると共に、張出し部２９の先端側を規定する線を第２分断予定線５２（分断ライン）とする。また、Ｙ軸に平行な外形の１辺を規定する線を第３分断予定線５３（分断ライン）とする。

＜ブレーク装置の構造＞
図６（ａ）は、ブレーク装置の構造を示す模式側面図である。図６（ｂ）、（ｃ）は、ブレーク装置を構成するブレークバーの構造を示す模式側面図である。図７は、ブレーク装置の構造を斜め方向から見た模式斜視図である。以下、ブレーク装置の構造について、図６及び図７を参照しながら説明する。

図６及び図７に示すように、ブレーク装置６１には、ステージ６２が設けられている。ステージ６２の大きさは、例えば、５２０ｍｍ×５２０ｍｍである。また、ステージ６２の材質は、ステンレス板とゴム板との合板である。

ステージ６２には、一対のマザー基板４１，４２を吸引して固定するための開口部が複数設けられている。複数の開口部は、ステージ６２に加工された図示しない真空回路に接続されている。ステージ６２の上部には、ブレーク（切断）の対象となる一対のマザー基板４１，４２が載置される。

また、ブレーク装置６１には、図７に示すように、ステージ６２の上方に移動自在の枠状部６３が設けられている。枠状部６３の囲まれた中には、シリンダー６４によってステージ６２と平行に上下動することが可能なブレークバー６５が設けられている。

ブレークバー６５の下降速度や最下端で停止する時間、また一対のマザー基板４１，４２を押圧させるためにシリンダー６４に供給される圧力などは、調整自在とする。ブレークバー６５は、棒状の金属部材６６の下面に断面がＶ字形状をなすＶ字部材６７（例えば、ウレタンゴム）が接合されたものである。また、ブレークバー６５の長さは、例えば、５２０ｍｍである。ブレークバー６５の硬度は、例えば、ショアＡ硬度９０である。

なお、ブレークバー６５は、Ｖ字部材６７の中央に向かって除々に凸状となった第１ブレークバー６５ａと、Ｖ字部材６７の中央に向かって除々に凹状となった第２ブレークバー６５ｂとを有する。凸部の高さ、及び凹部の深さは、例えば、１ｍｍである。

第１ブレークバー６５ａは、マザー基板４１，４２をブレークする際、マザー基板４１，４２の周縁部と比較して中央部を先に接触したい場合に用いられる。また、第２ブレークバー６５ｂは、マザー基板４１，４２の中央部と比較して周縁部を先に接触したい場合に用いられる。

また、ステージ６２は、回転機構により９０°ごと回転させることができる。つまり、直交するスクライブラインが形成されているマザー基板４１，４２に対しても、マザー基板４１，４２をブレーク（分断）することが可能となっている。

ブレーク装置６１は、一対のマザー基板４１，４２において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は中凸状の第１ブレークバー６５ａを用い、一対のマザー基板４１，４２において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は中凹状の第２ブレークバー６５ｂを用いるように制御する。

＜電気光学装置の製造方法、ブレーク方法＞
図８は、電気光学装置としての液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャートである。図９〜図１１は、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を、図８〜図１１を参照しながら説明する。

まず、ステップＳ１１では、素子側マザー基板４１の一方の面上に、複数の積層構造４４を、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で形成する。具体的には、図９（ａ）に示すように、素子側マザー基板４１の面上に、公知の製造方法を用いて積層構造４４を形成する。積層構造４４は、素子基板１２の液晶層１５側に形成される構成であって、第１配向膜２８、画素電極２７、走査線３５、信号線３４、容量線３６、ＴＦＴ素子３３、外部接続端子２３などを有する。

ステップＳ１２では、素子側マザー基板４１と対向側マザー基板４２とを貼り合わせる。具体的には、図９（ｂ）に示すように、複数の素子基板１２の積層構造４４が形成された素子側マザー基板４１と、複数の対向基板１３の積層構造が形成された対向側マザー基板４２とを、シール材１４を介して貼り合わせる。対向側マザー基板４２に形成されている積層構造は、共通電極３１や第２配向膜３２などからなる。

また、このステップＳ１２においては、一対のマザー基板４１，４２を貼り合わせると共に、一対のマザー基板４１，４２との間に液晶を充填する。本実施形態においては、複数の積層構造４４上にそれぞれ枠状のシール材１４を形成し、シール材１４により囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下した後に対向側マザー基板４２を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。

なお、素子側マザー基板４１と対向側マザー基板４２との間に液晶を充填する方法は、液晶滴下方式に限定されるものではなく、素子側マザー基板４１と対向側マザー基板４２とが貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材１４に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよい。

ステップＳ１３（対向側スクライブライン形成工程、第１ブレーク工程）では、対向側マザー基板４２に対し一次ブレーク処理を行う。具体的には、図９（ｃ）に示すように、スクライブ刃（図示せず）によって、第１分断予定線５１に沿って、対向側マザー基板４２に対向側スクライブラインとしてのスクライブライン７１を形成する。

ここで、第１分断予定線５１は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板４１，４２を平面的に見た場合、対向基板１３の外形の一辺を規定すると共に、張出し部２９の基端側を規定する線である。

次に、第１分断予定線５１のスクライブライン７１を基点としたクラック７２を生じさせて、対向側マザー基板４２を分断（一次ブレーク）する（クラック７２を伸張させる）。分断には、Ｖ字部材６７の中央が凸状になった第１ブレークバー６５ａを用いる。これにより、対向側マザー基板４２の中央付近から第１ブレークバー６５ａを当てることが可能となり、従来の対向側マザー基板の周縁部から当たったときのような、共割れが発生することを抑えることができる。

なお、図９（ｃ）は、一対のマザー基板４１，４２の配置（上下方向の向き）を他の図と同じにして示しており、図７に示すブレーク装置６１を用いて実際に加工するときは、第１ブレークバー６５ａが上方に配置され、素子側マザー基板４１と接触することとなる。

ステップＳ１４では、対向側マザー基板４２に対してダイシングを行う。具体的には、図１０（ａ）に示すように、第１分断予定線５１、第２分断予定線５２、及び第３分断予定線５３に沿って、対向側マザー基板４２に所定の深さの溝状部５７を形成する。

溝状部５７の深さは、対向側マザー基板４２の厚みよりも小さい値であり、対向側マザー基板４２が完全に切断されない厚さ（例えば、１００μｍ）を残すように設定される。ダイシングは、例えば、外形の寸法精度を出すために行われる。よって、寸法精度が高く要求されなければ、ダイシングを行わなくてもよい。

ここで、第２分断予定線５２は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板４１，４２を平面的に見た場合、素子基板１２のＸ軸に平行な２辺と対向基板１３の１辺とを規定すると共に、張出し部２９の先端側を規定する線である。

すなわち、張出し部２９は、その先端及び基端が第１分断予定線５１及び第２分断予定線５２によって規定されている。対向側マザー基板４２における張出し部２９に対向する領域である重畳部５８（図１０（ｃ）参照）は、クラック及び溝状部５７によって挟まれた状態となる。

ステップＳ１５（素子側スクライブライン形成工程、第２ブレーク工程）では、素子側マザー基板４１を分断（二次ブレーク）する。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、図示しないスクライブ刃により第２分断予定線５２及び第３分断予定線５３に沿って、素子側マザー基板４１に素子側スクライブラインとしてのスクライブライン７３を形成する。次に、第３分断予定線５３に沿って形成したスクライブライン７３を基点としたクラック７４を生じさせて（伸張させて）、素子側マザー基板４１を分断する。

分断には、Ｖ字部材６７の中央が凹状になった第２ブレークバー６５ｂを用いる。これにより、素子側マザー基板４１の周縁部から第２ブレークバー６５ｂを当てることが可能となり、分断予定線に沿ってブレークできるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。

そして、一対のマザー基板４１，４２を短冊状に分割した後、図１０（ｃ）に示すように、複数の個片１００ａに分断する。この個片１００ａは、上述した液晶装置１００の構成に対して、対向基板１３から重畳部５８が張出し部２９とは反対の方向へ延出している。

ステップＳ１６では、重畳部５８を分断する。具体的には、図１１に示すように、個片１００ａの対向基板１３から延出する重畳部５８に対して、溝状部５７において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部５８を対向基板１３から分断する。これにより、一対のマザー基板４１，４２から液晶装置１００が切り出される。

以上詳述したように、第１実施形態のブレーク方法、及びブレーク装置によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態のブレーク方法によれば、一次ブレーク（第１ブレーク工程）において、第１分断予定線５１に沿って対向側マザー基板４２をブレークする際、中凸状の第１ブレークバー６５ａを用いるので、一対のマザー基板４１，４２の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった（叩いた）ときのように、共割れ（割りたくない素子側マザー基板４１が割れる）が発生することを抑えることができる。また、二次ブレーク（第２ブレーク工程）において、スクライブライン７３に沿って素子側マザー基板４１をブレークする際、中凹状の第２ブレークバー６５ｂを用いるので、一対のマザー基板４１，４２の周縁部を先に叩くことが可能となり、正規の分断ラインに近いラインで分断できるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。

（２）第１実施形態のブレーク装置６１によれば、中凸状の第１ブレークバー６５ａと中凹状の第２ブレークバー６５ｂとの２本のブレークバー６５を備えているので、ブレーク工程の種類によって専用のブレークバー６５に交換する手間がなく、効率よく生産することができるブレーク装置６１を提供することができる。

（第２実施形態）
＜電気光学装置の製造方法、ブレーク方法＞
図１２は、第２実施形態の電気光学装置としての液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャートである。図１３は、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図である。以下、第２実施形態の液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を、図１２及び図１３を参照しながら説明する。

第２実施形態のブレーク方法は、貼り合わされた一対のマザー基板４１，４２において先に張出し部２９の領域を露出させる部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。なお、ステップＳ２１〜ステップＳ２２は、第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１２と同様である。

ステップＳ２３では、対向側マザー基板４２に対し一次ブレーク処理を行う。具体的には、図１３（ａ）に示すように、スクライブ刃（図示せず）用いて第１分断予定線５１に沿って、対向側マザー基板４２にスクライブライン７１を形成する。次に、第１分断予定線５１のスクライブライン７１を基点としたクラック７２を生じさせて、対向側マザー基板４２を分断（一次ブレーク）する。

第１実施形態と同様に、分断には、Ｖ字部材６７の中央が凸状になった第１ブレークバー６５ａを用いる。これにより、対向側マザー基板４２の中央付近から第１ブレークバー６５ａを当てることが可能となり、従来の対向側マザー基板の周縁部から当たったときのような、共割れが発生することを抑えることができる。

なお、第１分断予定線５１は、上記したように、貼り合わされた状態の一対のマザー基板４１，４２を平面的に見た場合、対向基板１３の外形の一辺を規定すると共に、張出し部２９の基端側を規定する線である。

ステップＳ２４では、対向側マザー基板４２に対してダイシングを行う。具体的には、図１３（ｂ）に示すように、第１分断予定線５１、第２分断予定線５２、及び第３分断予定線５３に沿って、対向側マザー基板４２に所定の深さの溝状部５７を形成する。

なお、第１実施形態と異なる点として、溝状部５７の深さは、第２分断予定線５２のみ素子側マザー基板４１に食い込む深さまでダイシングを行う。これにより、張出し部２９に対応する対向側マザー基板４２の重畳部５８が除去され、張出し部２９が露出する。

なお、上記したように、第２分断予定線５２は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板４１，４２を平面的に見た場合、素子基板１２のＸ軸に平行な２辺と対向基板１３の１辺とを規定すると共に、張出し部２９の先端側を規定する線である。

ステップＳ２５では、素子側マザー基板４１を分断する。具体的には、図１３（ｃ）に示すように、図示しないスクライブ刃により第２分断予定線５２及び第３分断予定線５３に沿って、素子側マザー基板４１にスクライブライン７３を形成する。次に、素子側マザー基板４１に形成したスクライブライン７３を基点としたクラック７４を生じさせて、素子側マザー基板４１を分断する。

第１実施形態と同様に、分断には、Ｖ字部材６７の中央が凹状になった第２ブレークバー６５ｂを用いる。これにより、素子側マザー基板４１の周縁部から第２ブレークバー６５ｂを当てることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。

そして、一対のマザー基板４１，４２は、ブレークによって複数の個片１００ａに分断され、チップソーターなどを用いて、複数の個片をピックアップする。これにより、一対のマザー基板４１，４２から液晶装置１００が切り出される。

以上詳述したように、第２実施形態のブレーク方法によれば、上記した第１実施形態の（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（３）第２実施形態のブレーク方法によれば、第１実施形態の製造工程と異なる工程を有する製造設備を有していた場合でも、複数の高品質な液晶装置１００を製造することができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、ブレーク装置６１は、中凸状の第１ブレークバー６５ａと、中凹状の第２ブレークバー６５ｂと、の２本のブレークバー６５を備えているが、これに限定されず、１本のブレークバー６５を備え、中凸状のブレークバーと中凹状のブレークバーとを交互に交換して用いるようにしてもよい。

また、１本のブレークバー６５のみを用い、先端のＶ字部材のみ中凸状のブレークバーや中凹状のブレークバーに交換できるようにしてもよい。また、Ｖ字部材が交互に反転できるような機構を備えていてもよい。

（変形例２）
上記したように、電気光学装置は、液晶装置１００に限定されず、例えば、有機ＥＬ装置やプラズマ装置などであってもよい。

１２…素子基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…信号線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…張出し部、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…信号線、３５…走査線、３６…容量線、３７…蓄積容量、４１…素子側マザー基板、４２…対向側マザー基板、４３…オリフラ、４４…積層構造、５１…第１分断予定線、５２…第２分断予定線、５３…第３分断予定線、５７…溝状部、５８…重畳部、６１…ブレーク装置、６２…ステージ、６３…枠状部、６４…シリンダー、６５…ブレークバー、６５ａ…第１ブレークバー、６５ｂ…第２ブレークバー、６６…金属部材、６７…Ｖ字部材、７１…対向側スクライブラインとしてのスクライブライン、７２，７４…クラック、７３…素子側スクライブラインとしてのスクライブライン、１００…電気光学装置としての液晶装置、１００ａ…個片。

Claims (6)

1. 複数の素子基板が面付けされた素子側マザー基板と、複数の対向基板が面付けされた対向側マザー基板と、が貼り合わされた一対のマザー基板をブレークすることにより、複数の電気光学装置を製造するブレーク方法であって、
   前記対向側マザー基板の表面に対向側スクライブラインを形成する対向側スクライブライン形成工程と、
   前記素子側マザー基板の表面を、前記素子側マザー基板における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバーで叩いて、前記対向側スクライブラインに沿って前記対向側マザー基板をブレークする第１ブレーク工程と、
   前記素子側マザー基板の表面に素子側スクライブラインを形成する素子側スクライブライン形成工程と、
   前記対向側マザー基板の表面を、前記対向側マザー基板における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、前記素子側スクライブラインに沿って前記素子側マザー基板をブレークする第２ブレーク工程と、
   を有していることを特徴とするブレーク方法。
2. 請求項１に記載のブレーク方法であって、
   前記素子基板は、前記対向基板より外側に張り出した張出し部を有し、
   前記第１ブレーク工程は、前記対向側マザー基板における前記張出し部の基端に対応する部分をブレークすることを特徴とするブレーク方法。
3. 請求項１又は請求項２に記載のブレーク方法であって、
   前記第１ブレーク工程の後、前記第２ブレーク工程を行うことを特徴とするブレーク方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のブレーク方法であって、
   前記第１ブレーク工程において、前記対向側スクライブラインに対応する前記素子側マザー基板のラインは、分断ラインではなく、
   前記第２ブレーク工程において、前記素子側スクライブラインに対応する前記対向側マザー基板のラインは、分断ラインであることを特徴とするブレーク方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のブレーク方法であって、
   前記対向側マザー基板及び前記素子側マザー基板は、ウエハー状であることを特徴とするブレーク方法。
6. 一対のマザー基板をブレークバーを用いてブレークすることにより複数の電気光学装置を製造するブレーク装置であって、
   前記ブレークバーは、中凸状のブレークバーと、中凹状のブレークバーと、を備え、
   前記一対のマザー基板において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は前記中凸状のブレークバーを用い、
   前記一対のマザー基板において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は前記中凹状のブレークバーを用いるように制御することを特徴とするブレーク装置。

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