JP2008052164A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の薄型化を図った場合でも、パネル構造体の分断に起因する歩留まり低下や
信頼性低下を防止することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子
機器を提供すること。
【解決手段】パネル構造体３００の外側表面をエッチングして基板の薄板化するエッチン
グ工程を行い、その後、分断工程では、パネル構造体３００に対する分断予定線３０１、
３０２、３０３、３０４、３０５の端部からスクライブ刃を進入させてパネル構造体３０
０の外側表面にスクライブ溝を形成する液晶装置の製造方法において、エッチング工程を
行う前に、パネル構造体３００の外側表面のうち、分断工程においてスクライブ刃の進入
開始位置とされる箇所に凹部３１１、３１２、３２１、３２２、３３２を形成する凹部形
成工程を行う。
【選択図】図４

Description

本発明は、２枚の基板が貼り合わされた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およ
び電子機器に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置は、素子基板
と対向基板とを貼り合せたパネル構造を有しており、素子基板と対向基板との間に液晶が
保持されている。ここで、素子基板および対向基板を各々、１枚ずつ製作したのでは生産
性が低いので、単品サイズの素子基板を多数取りできる第１の大型基板と、単品サイズの
対向基板を多数取りできる第２の大型基板とを貼り合わせて大型のパネル構造体を形成し
た後、パネル構造体を単品サイズのパネルに分断する。かかる分断を行う際、例えば、第
２の大型基板の方を分断する際には、図８に示すように、第２の大型基板２００に対する
分断予定線の端部からスクライブ刃５００を進入させて、第２の大型基板２００の外側表
面にスクライブ溝を形成した後、裏面側の第１の大型基板の側から押圧して第２の大型基
板２００を撓ませ、その曲げ応力により、第２の大型基板２００を割断する。第１の大型
基板を分断する場合も同様である（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−３１６８２９号公報

しかしながら、従来の方法では、スクライブ刃５００が第２の大型基板２００の直角な
縁部分に当たるため、液晶装置の薄型化を図ることを目的に基板の薄板化を図った場合、
その衝撃で第２の大型基板２００に水平方向のクラックが発生し、第２の大型基板２００
に欠けや割れが発生しやすくなるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板の薄型化を図った場合でも、パネル構造
体の分断に起因する歩留まり低下や信頼性低下を防止することができる電気光学装置の製
造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法では、第１の基板と
第２の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、前記パネル構造
体の外側表面をエッチングして前記第１の基板および前記第２の基板を薄板化するエッチ
ング工程と、前記パネル構造体に対する分断予定線の端部からスクライブ刃を進入させて
前記パネル構造体の外側表面にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成処理を含む分断
工程と、を有し、前記エッチング工程を行う前に、前記パネル構造体の外側表面のうち、
前記分断工程において前記スクライブ刃の進入開始位置に対応した箇所に凹部を形成する
凹部形成工程を有することを特徴とする。

本発明では、凹部形成工程において、分断工程でスクライブ刃の進入開始位置とされる
箇所に凹部を形成した後、第１の基板および第２の基板を薄板化するためのエッチング工
程を行うと、凹部は、内側面が傾斜部となった形状に拡大する。このため、分断工程で分
断予定線の端部からスクライブ刃を進入させる際、スクライブ刃は、エッチングにより拡
大された凹部の傾斜部に当接することになるので、スクライブ刃が基板の直角な縁部分に
当たる場合と比較して、スクライブ刃が基板に当たる際の衝撃を緩和することができる。
それ故、スクライブ刃が基板に当たった際の衝撃で基板にクラックが発生することを防止
でき、第１の基板および第２の基板を薄板化した場合でも、基板に欠けや割れが発生する
などといった問題を回避することができる。また、基板を薄板化するためのエッチング工
程を利用して、凹部形成工程で形成した凹部を所定形状に拡大するため、凹部形成工程を
追加するだけでよく、かつ、凹部形成工程では、傷程度の浅くて小さい凹部を形成するだ
けでよい。それ故、基板の薄型化を図った場合でも、パネル構造体の分断に起因する歩留
まり低下や信頼性低下が発生しない電気光学装置を効率よく製造することができる。

本発明では、前記エッチング工程において、前記凹部は、当該凹部のサイズが拡大する
とともに内側面が傾斜部を有する形状に成長することが好ましい。

本発明において、前記エッチング工程では、ウエットエッチングを行うことが好ましい
。ウエットエッチングによれば、ドライエッチングに比して、多数のパネル構造体を一括
処理できるとともに、前記凹部を内側面が傾斜部を有する形状に成長させやすいという利
点がある。

本発明において、前記分断予定線は、前記パネル構造体の両側の外側表面の重なる位置
において一方方向に延びた複数本の第１の分断予定線と、前記パネル構造体の両側の外側
表面の重なる位置において前記第１の分断予定線に対して交差する方向に延びた複数本の
第２の分断予定線と、前記パネル構造体の一方の外側表面において前記第１の分断予定線
に並行して延びた複数本の第３の分断予定線と、を含み、前記分断工程では、前記第１の
分断予定線および前記第２の分断予定線の一方の分断予定線に沿っての分断、他方の分断
予定線に沿っての分断、および前記第３の分断予定線に沿っての分断の順に行い、前記凹
部形成工程では、少なくとも、前記第１の分断予定線と前記第２の分断予定線との交点、
および前記第２の分断予定線と前記第３の分断予定線の交点に対して前記凹部を形成する
。

本発明において、前記凹部形成工程では、さらに、前記一方の分断予定線の一方におけ
る端部に対して前記凹部を形成することが好ましい。

本発明において、前記エッチング工程では、前記第１の基板および前記第２の基板を０
．５ｍｍ以下の厚さ、さらには０．２５ｍｍ以下の厚さまで薄板化した場合に適用すると
効果的である。

本発明に係る方法で製造した電気光学装置では、第１の基板と第２の基板とが貼り合わ
され、前記第１の基板および前記第２の基板の複数の角部は、前記パネルの外面側で３本
の稜線が接続する出角部分が除去され、前記パネルの内面側で３本の稜線が接続する出角
部分が残されている形状を有している。凹部形成工程で形成した凹部をエッチング工程で
拡大化した後、パネル構造体を分断すると、かかる凹部は、第１の基板および第２の基板
の角部において、パネルの外面側の出角部分を除去した形状を形成する。このため、第１
の基板および第２の基板の角部では、外面側に位置する部分が尖っていないので、パネル
に対する駆動用ＩＣやフレキシブル配線基板の実装工程などの際、角部に過大な力が集中
してクラックが発生するなどの問題を回避することができる。

本発明を適用した電気光学装置は、例えば、モバイルコンピュータや携帯電話機などと
いった電子機器に用いられる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各
図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を相違させてある。

（液晶装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）をその上に形
成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図であ
る。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１に示す液晶装置を斜めからみた様子を模式的に
示す説明図、液晶装置に用いた基板の角部のパネル外面側の形状を示す説明図、および基
板の角部のパネル内面側の形状を示す説明図である。

図１（ａ）、（ｂ）および図２において、本形態の液晶装置１は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅ
ｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、あるいはＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉ
ｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの透過型のアクティブマトリクス型の液晶装置である
。この液晶装置１では、矩形の素子基板１０（第１の基板）と矩形の対向基板２０（第２
の基板）とがシール材２２を介して貼り合わされたパネル３０を有しており、パネル３０
では、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶１ｆが保持されている。素子基板１０の
基材は、厚さが０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下まで薄板化されたガラス基板
１１であり、対向基板２０の基材も、厚さが０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下
まで薄板化されたガラス基板２１である。

シール材２２は、素子基板１０と対向基板２０とをそれらの周辺で貼り合わせるための
光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするた
めのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール
材２２には、その途切れ部分によって液晶注入口２５が形成され、液晶１ｆを注入した後
、封止材２５０により封止されている。

素子基板１０において、シール材２２で囲まれた領域内には、画素トランジスタ１ｃや
画素電極２ａがマトリクス状に形成され、その表面に配向膜１９が形成されている。対向
基板２０には、シール材２２の内側領域に遮光性材料からなる額縁２６（図１（ｂ）では
図示を省略）が形成され、その内側が画像表示領域１ａ（画素領域）になっている。対向
基板２０には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマ
トリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜が形成され、その上層側
には、対向電極２８および配向膜２９が形成されている。また、対向基板２０において、
素子基板１０の各画素に対向する領域には、ＲＧＢのカラーフィルタ（図示せず）がその
保護膜とともに形成され、それにより、液晶装置１をモバイルコンピュータ、携帯電話機
、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができる。なお、
図１（ａ）に模式的に示すように、素子基板１０と対向基板２０との間では、シール材２
２に配合された基板間導通用の導電材２３などにより、素子基板１０に形成された共通配
線と対向基板２０の対向電極２８とが電気的に接続されている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、素子基板１０は、シール材２２の外側で対
向基板２０の基板縁から張り出した張り出し領域１５を備えている。張り出し領域１５に
は、ＩＣ実装領域１ｓが形成されており、このＩＣ実装領域１ｓには、ゲート線駆動回路
６６およびソース線駆動回路６７を内蔵の駆動用ＩＣ６０がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ）実装されている。また、素子基板１０の張り出し領域１５には、ＩＣ実装領域
１ｓより外周縁側に基板接続領域１ｔが形成されており、この基板接続領域１ｔにはフレ
キシブル配線基板７０が接続されている。従って、素子基板１０において、画像表示領域
１ａからＩＣ実装領域１ｓに向けては、画像表示領域１ａの外側領域１ｂを通って引き回
し配線１ｘ、１ｙが延びているとともに、ＩＣ実装領域１ｓと基板接続領域１ｔとの間に
は配線（図示せず）が形成されている。

（基板の角部の形状）
本形態の液晶装置１において、素子基板１０の４つの角部１０１、１０２、１０３、１
０４はいずれも、パネル３０の外面側では、図２（ｂ）に示すように、３本の稜線が接続
する出角部分３８０が除去されたテーパ面３９０になっている一方、パネル３０の内面側
では、図２（ｃ）に示すように、３本の稜線が接続する出角部分３８０が残った形状にな
っている。

また、対向基板２０の４つの角部２０１、２０２、２０３、２０４はいずれも、パネル
３０の外面側では、図２（ｂ）に示すように、３本の稜線が接続する出角部分３８０が除
去されたテーパ面３９０になっている一方、パネル３０の内面側では、図２（ｃ）に示す
ように、３本の稜線が接続する出角部分３８０が残った形状になっている。

このため、素子基板１０の角部１０１、１０２、１０３、１０４、および対向基板２０
の角部２０１、２０２、２０３、２０４において、パネル３０の外面側に位置する部分が
尖っていないので、パネル３０に対する駆動用ＩＣ３０やフレキシブル配線基板７０の実
装工程などの際、角部に過大な力が集中してクラックが発生するなどの問題を回避するこ
とができる。

（液晶装置１の製造方法）
図３は、図１に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図であり、図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各々には、液晶装置の製造に用いた第１の大型基板（第１の基
板）、第２の大型基板（第２の基板）、および第１の大型基板と第２の大型基板とを貼り
合わせた大型のパネル構造体を示してある。図４は、図１に示す液晶装置を製造する際の
凹部形成工程の説明図である。図５は、図１に示す液晶装置を製造する際のエッチング工
程および分断工程の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各々には、大
型のパネル構造体にエッチング工程を施した後の様子、大型のパネル構造体を短冊状に分
断した後の様子、短冊状のパネル構造体を単品サイズのパネルに分断した後の様子、およ
び単品サイズのパネルに張り出し領域を形成した後の様子を示してある。図６は、図１に
示す液晶装置を製造する際にパネルに形成する凹部の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の各々には、凹部形成工程において分断予定線の端部に形成し
た凹部、凹部形成工程において分断予定線同士交点に形成した凹部、分断予定線の端部に
形成した凹部のエッチング工程後の様子、凹部形成工程において分断予定線同士交点に形
成した凹部のエッチング工程後の様子、およびスクライブ溝形成処理におけるスクライブ
刃と凹部との位置関係を示してある。なお、図３、図４および図５には、大型基板やパネ
ル構造体などを上面側（表示光が出射される側）からみた様子と、矢印Ｔで示すように表
裏反転させて下面側（表示光が出射される側とは反対側）からみた様子とを示してある。

本形態の液晶装置１において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも、基板厚が
０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下である。但し、最初から薄い基板を用いると
、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ１ｃ、画素電極２ａ、対向電極２８などを
形成すると基板が割れてしまうおそれがある。また、素子基板１０および対向基板２０を
各々、１枚ずつ製作したのでは生産性が低い。

そこで、本形態では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、単品サイズの素子基板１０を
多数取りできる厚いガラス製の第１の大型基板１００と、単品サイズの対向基板２０を多
数取りできる厚いガラス製の第２の大型基板２００とを準備して、これらの大型基板１０
０、２００に対して、半導体プロセスなどを利用して、画素トランジスタ１ｃ、画素電極
２ａ、および対向電極２８などの各構成要素を複数の基板分を形成する。

次に、貼り合わせ工程では、第１の大型基板１００あるいは第２の大型基板２００に対
して、素子基板１０あるいは対向基板２０として切り出される領域の各々に対してシール
材２２（図１（ａ）、（ｂ）参照）を塗布、あるいは印刷した後、図３（ｂ）に示すよう
に、大型基板１００、２００同士をシール材２２によって貼り合わせ、大型のパネル構造
体３００を形成する。

ここで、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００は、後述する分断工程にお
いて分断されるので、図３〜図５には、分断の際、スクライブ溝が形成される分断予定線
を一点鎖線で示してある。本形態において、分断予定線は、パネル構造体３００の両側の
外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基板２００の外側表面）の
重なる位置において一方方向に延びた複数本の第１の分断予定線３０１、３０２と、パネ
ル構造体３００の両側の外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基
板２００の外側表面）の重なる位置において第１の分断予定線３０１、３０２に対して交
差する方向に延びた複数本の第２の分断予定線３０３、３０４と、パネル構造体３００の
一方の外側表面（第２の大型基板２００の外側表面）で第１の分断予定線３０１、３０２
に並行して延びた複数本の第３の分断予定線３０５とを含んでいる。

次に、凹部形成工程では、図４に示すように、後述する分断工程においてスクライブ刃
５００の進入開始位置とされる箇所に凹部３１１、３１２、３２１、３２２、３３２を形
成する。すなわち、本形態において、後述する分断工程では、第１の分断予定線３０１、
３０２に沿っての分断、第２の分断予定線３０３、３０４に沿っての分断、および第３の
分断予定線３０５に沿っての分断の順に行うため、本形態では、まず、第１の分断予定線
３０１、３０２の一方側端部に対してダイモンド刃などで、図６（ａ）に示すような、浅
い傷状の凹部３１１、３１２を形成する。また、図４に示すように、第１の分断予定線３
０１、３０２と第２の分断予定線３０３、３０４との交点、および第２の分断予定線３０
３、３０４と第３の分断予定線３０５の交点に対しても、図６（ｂ）に示すような、浅い
傷状の凹部３２１、３２２、３３２を形成する。なお、第１の分断予定線３０１、３０２
と第２の分断予定線３０３、３０４との交点のうち、交点３４１、３４２は、ダイモンド
刃の進入開始位置とはならないので、凹部３２１、３２２の形成を省略してもよいが、本
形態では、パネル構造体３００から分断される全てのパネル３の構造を同一とするという
観点から、交点３４１、３４２に対しても凹部３２１、３２２を形成している。

次に、エッチング工程（薄板化工程）では、パネル構造体３００の外周縁で開口する大
型基板１００、２００の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材で塞いだ状態で
フッ酸を含むエッチング液にパネル構造体３００を浸漬し、パネル構造体３００の外側表
面（大型基板１００、２００の外側表面）をエッチングし、図５（ａ）に示すように、大
型基板１００、２００を０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下にまで薄板化する。
次に、パネル構造体３００を洗浄する。なお、被覆材として用いたエポキシ樹脂やピッチ
系塗料については溶剤などにより除去してもよいが、以下に説明する分断工程により、被
覆材が付着している部分を除去することが好ましい。また、基板に対するエッチングとし
ては、ウエットエッチングの他、ドライエッチングを採用してもよい。

その結果、図６（ａ）に示す凹部３１１、３１２は、図６（ｃ）に示すように、サイズ
が拡大するとともに、内側面が傾斜部を有するピット形状に成長する。また、図６（ｂ）
に示す凹部３２１、３２２、３３２は、図６（ｄ）に示すように、サイズが拡大するとと
もに、内側面が傾斜部を有するピット形状に成長する。

次に、分断工程を行う。この分断工程では、まず、図５（ａ）に示す第１の分断予定線
３０１、３０２に沿ってパネル構造体３００（第１の大型基板１００および第２の大型基
板２００）を分断して、図５（ｂ）に示す短冊状のパネル構造体３５０を得る。

かかる分断を行う際は、図６（ｅ）に示すように、スクライブ溝形成処理として、第１
の大型基板１００に対して、矢印Ａ１で示すように、第１の分断予定線３０１の端部から
スクライブ刃５００を進入させて、第１の分断予定線３０１に沿ってスクライブ溝を形成
した後、ブレーク処理として、第２の大型基板２００の側からブレークバーやブレークロ
ーラなどによって押圧して第１の大型基板１００を撓ませ、その曲げ応力により、第１の
大型基板１００を割断する。ここで、第１の分断予定線３０１の端部には、図６（ｃ）に
示す凹部３１１が形成されているので、スクライブ刃５００は、第１の分断予定線３０１
への進入開始時、凹部３１１の傾斜部分に当接する。このため、スクライブ刃５００が基
板の直角な縁部分に当たる場合と比較して、スクライブ刃５００が基板に当たる際の衝撃
を緩和することができる。

第２の大型基板１００を分断する際も、同様なスクライブ溝形成処理およびブレーク処
理を行う。その際、第１の分断予定線３０２の端部には、図６（ｃ）に示す凹部３１２が
形成されているので、スクライブ刃５００は、矢印Ａ２に示すように、第１の分断予定線
３０２への進入を開始する際、凹部３１２の傾斜部分に当接する。このため、スクライブ
刃５００が基板の直角な縁部分に当たる場合と比較して、スクライブ刃５００が基板に当
たる際の衝撃を緩和することができる。

このようにして、大型のパネル構造体３００を短冊状のパネル構造体３５０に分断する
と、図１に示すシール材２２の途切れ部分が液晶注入口２５として、短冊状のパネル構造
体３５０の外周縁で開口するので、液晶注入口２５から液晶をパネル内に注入した後、液
晶注入口２５を封止材２５０により封止する。

次に、図５（ｂ）に示す第２の分断予定線３０３、３０４に沿って短冊状のパネル構造
体３５０を分断して、図５（ｃ）に示すように、単品サイズのパネル３０を得る。かかる
分断を行う際も、短冊状のパネル構造体３５０を構成する第１の大型基板１００および第
２の大型基板２００の各々に対して、前記のスクライブ溝形成処理およびブレーク処理を
行う。その際、第１の分断予定線３０１、３０２と第２の分断予定線３０３、３０４との
交点には、図６（ｄ）に示す凹部３２１、３２２が形成されていたので、大型のパネル構
造体３００を短冊状のパネル構造体３５０に分断した結果、第２の分断予定線３０３、３
０４の端部は、図６（ｃ）に示すような凹部が形成されている状態となる。従って、スク
ライブ刃５００は、矢印Ｂ１、Ｂ２で示すように、第２の分断予定線３０３、３０４への
進入を開始する際、凹部３２１、３２２の傾斜部分に当接することになる。このため、ス
クライブ刃５００が基板の直角な縁部分に当たる場合と比較して、スクライブ刃５００が
基板に当たる際の衝撃を緩和することができる。

次に、図５（ｃ）に示す第３の分断予定線３０５に沿って対向基板２０を分断して、図
５（ｄ）に示すように、対向基板２０のうち、素子基板１０の張り出し領域１５に被さる
部分を除去し、張り出し領域１５に形成されているＩＣ実装領域１ｓや基板接続領域１ｔ
の上方を開放する。

かかる分断を行う際も、対向基板２０に対して、前記のスクライブ溝形成処理およびブ
レーク処理を行う。その際、第１の分断予定線３０１、３０２と第３の分断予定線３０５
との交点には、図６（ｄ）に示す凹部３３２が形成されていたので、短冊状のパネル構造
体３５０を単品サイズのパネル３０に分断した結果、第３の分断予定線３０５の端部は、
図６（ｃ）に示すような凹部が形成されている状態となる。従って、スクライブ刃５００
は、矢印Ｃ２で示すように、第３の分断予定線３０５への進入を開始する際も、凹部３３
２の傾斜部分に当接することになる。このため、スクライブ刃５００が基板の直角な縁部
分に当たる場合と比較して、スクライブ刃５００が基板に当たる際の衝撃を緩和すること
ができる。

次に、実装工程では、図示を省略するが、ステージ上にパネルを載置した状態で、素子
基板のＩＣ実装領域１ｓに対して異方性導電材を介して駆動用ＩＣ６０を配置し、しかる
後に、異方性導電材を加熱しながら、ヘッドにより駆動用ＩＣ６０を押圧する。その結果
、素子基板１０のパッドと駆動用ＩＣ６０のバンプとは、異方性導電材に含まれる導電粒
子によって接続される。このようなＩＣ実装工程の後、あるいはその前に、異方性導電材
などを用いて、基板接続領域１ｔにフレキシブル基板７０を接続する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１の製造方法では、凹部形成工程において、分
断工程でスクライブ刃５００の進入開始位置とされる箇所に凹部３１１、３１２、３２１
、３２２、３３２を形成した後、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００を薄
板化するためのエッチング工程を行うため、凹部３１１、３１２、３２１、３２２、３３
２は、内側面が傾斜部となった形状に拡大する。このため、分断工程で分断予定線３０１
、３０２、３０３、３０４、３０５の端部からスクライブ刃５００を進入させる際、スク
ライブ刃５００は、エッチングにより拡大された凹部３１１、３１２、３２１、３２２、
３３２の傾斜部に当接することになるので、スクライブ刃５００が基板の直角な縁部分に
当たる場合と比較して、スクライブ刃５００が第１の大型基板１００、第２の大型基板２
００、および対向基板２０に当たる際の衝撃を緩和することができる。それ故、スクライ
ブ刃５００が第１の大型基板１００、第２の大型基板２００、および対向基板２０に当た
った際の衝撃でクラックが発生することを防止でき、第１の大型基板１００および第２の
大型基板２００（素子基板１０および対向基板２０）を薄板化した場合でも、第１の大型
基板１００および第２の大型基板２００（素子基板１０および対向基板２０）に欠けや割
れが発生するなどといった問題を回避することができる。

また、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００を薄板化するためのエッチン
グ工程を利用して、凹部形成工程で形成した凹部３１１、３１２、３２１、３２２、３３
２を所定形状に拡大するため、凹部形成工程を追加するだけでよく、かつ、凹部形成工程
では、傷程度の浅くて小さい凹部３１１、３１２、３２１、３２２、３３２を形成するだ
けでよい。それ故、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００（素子基板１０お
よび対向基板２０）の薄型化を図った場合でも、パネル構造体３００、３５０の分断に起
因する歩留まり低下や信頼性低下が発生しない液晶装置１を効率よく製造することができ
る。

また、本形態では、エッチング工程では、ウエットエッチングを採用したため、ドライ
エッチングに比して、多数のパネル構造体３００を一括処理できるとともに、図６（ａ）
、（ｂ）に示す凹部３１１、３１２、３２１、３２２、３３２を、図６（ｃ）、（ｄ）に
示すように、内側面が傾斜部を有する形状に成長させやすいという利点がある。

［その他の実施の形態］
上記形態では、第１の分断予定線３０１、３０２に沿っての分断、第２の分断予定線３
０３、３０４に沿っての分断、第３の分断予定線３０５に沿っての分断の順に行ったが、
液晶注入口の位置との関係などによっては、第２の分断予定線３０３、３０４に沿っての
分断、第１の分断予定線３０１、３０２に沿っての分断、第３の分断予定線３０５に沿っ
ての分断の順に行う場合もある。この場合には、第１の分断予定線３０１、３０２の一方
側端部への凹部３１１、３１２の形成に代えて、第２の分断予定線３０３、３０４の一方
側端部に対して凹部を形成すればよい。

上記形態では、スクライブ刃５００の進入開始位置とされる箇所の全てに凹部３１１、
３１２、３２１、３２２、３３２を形成したが、本形態のように、第１の大型基板１００
および第２の大型基板２００の最外周領域は、切除されて液晶装置１に用いられない。従
って、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００の最外周領域にクラックが発生
しても液晶装置１の信頼性などを低下させることがない。従って、第１の分断予定線３０
１、３０２の一方側端部への凹部３１１、３１２の形成を省略し、第１の分断予定線３０
１、３０２と第２の分断予定線３０３、３０４との交点、および第２の分断予定線３０３
、３０４と第３の分断予定線３０５の交点のみに凹部３２１、３２２、３３２を形成して
もよい。

上記形態では、分断工程として、スクライブ溝形成工程の後、ブレーク処理を行ったが
、例えば、基板に予め撓みを与えた上でスクライブ溝を形成し、スクライブ溝の形成と同
時に真空吸引などで撓みを強めて基板を分断するなどの方法を採用した場合に本発明を適
用してもよい。

なお、上記実施の形態では、ＴＮモード、ＥＣＢモード、ＶＡＮモードのアクティブマ
トリクス型の液晶装置を例に説明したが、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇ）モードの液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。

また、電気光学装置として液晶装置に限らず、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）装置、さらにはその他の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。

［電子機器の実施形態］
図７は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施
形態を示している。ここに示す電子機器は、パーソナルコンピュータや携帯電話機などで
あり、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジ
ェネレータ１７３、そして液晶装置１を有する。また、液晶装置１は、パネル１７５およ
び駆動回路１７６を有しており、前述した液晶装置１を用いることができる。表示情報出
力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユ
ニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１
７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等
といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。表示情報処理回路１７１は、シ
リアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、
クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。電源回路１７２は、
各構成要素に所定の電圧を供給する。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置（電気光学装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１に示す液晶装置を斜めからみた様子を模式的に示す説明図、液晶装置に用いた基板の角部のパネル外面側の形状を示す説明図、および基板の角部のパネル内面側の形状を示す説明図である。 図１に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図である。 図１に示す液晶装置を製造する際の凹部形成工程の説明図である。 図１に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程および分断工程の説明図である。 図１に示す液晶装置を製造する際にパネルに形成する凹部の説明図である。 本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いた場合の説明図である。 従来の液晶装置の製造方法においてスクライブ溝を形成する様子を示す説明図である。

符号の説明

１・・液晶装置、１０・・素子基板（第１の基板）、２０・・対向基板（第２の基板）、
３０・・単品サイズのパネル、１００・・第１の大型基板（第１の基板）、１０１、１０
２、１０３、１０４・・素子基板の角部、２００・・第２の大型基板（第２の基板）、２
０１、２０２、２０３、２０４・・対向基板の角部、３００、３５０・・パネル構造体、
３０１、３０２・・第１の分断予定線、３０３、３０４・・第２の分断予定線、３０５・
・第３の分断予定線、３１１、３１２、３２１、３２２、３３２・・凹部、５００・・ス
クライブ刃

Claims (9)

1. 電気光学装置の製造方法において、
   第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、
   前記パネル構造体の外側表面をエッチングして前記第１の基板および前記第２の基板を
   薄板化するエッチング工程と、
   前記パネル構造体に対する分断予定線の端部からスクライブ刃を進入させて前記パネル
   構造体の外側表面にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成処理を含む分断工程と、
   を有し、
   前記エッチング工程を行う前に、前記パネル構造体の外側表面のうち、前記分断工程に
   おいて前記スクライブ刃の進入開始位置に対応した箇所に凹部を形成する凹部形成工程を
   有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記エッチング工程において、前記凹部は、当該凹部のサイズが拡大するとともに内側
   面が傾斜部を有する形状に成長することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製
   造方法。
3. 前記エッチング工程では、ウエットエッチングを行うことを特徴とする請求項１または
   ２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記分断予定線は、前記パネル構造体の両側の外側表面の重なる位置において一方の方
   向に延びた複数本の第１の分断予定線と、前記パネル構造体の両側の外側表面の重なる位
   置において前記第１の分断予定線に対して交差する方向に延びた複数本の第２の分断予定
   線と、前記パネル構造体の一方の外側表面において前記第１の分断予定線に並行して延び
   た複数本の第３の分断予定線と、を含み、
   前記分断工程では、前記第１の分断予定線および前記第２の分断予定線の一方の分断予
   定線に沿っての分断、他方の分断予定線に沿っての分断、および前記第３の分断予定線に
   沿っての分断の順に行い、
   前記凹部形成工程では、少なくとも、前記第１の分断予定線と前記第２の分断予定線と
   の交点、および前記第２の分断予定線と前記第３の分断予定線の交点に対して前記凹部を
   形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法
   。
5. 前記凹部形成工程では、さらに、前記一方の分断予定線の一方における端部に対して前
   記凹部を形成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記エッチング工程では、前記第１の基板および前記第２の基板を０．５ｍｍ以下の厚
   さまで薄板化することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置の
   製造方法。
7. 請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置
   。
8. 第１の基板と第２の基板とが貼り合わされたパネルを備えた電気光学装置において、
   前記第１の基板および前記第２の基板の複数の角部は、前記パネルの外面側で３本の稜
   線が接続する出角部分が除去され、前記パネルの内面側で３本の稜線が接続する出角部分
   が残されていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項７または８に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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