JP2008184358A - 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一対のマザー基板を切断して複数の電気光学装置を製造する際、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、一対のマザー基板(S1、S2)をパネル形成領域(810)毎に切断して、一対の基板(10、20)を備えた電気光学装置を製造する。更に、一方のマザー基板(S2)における他方のマザー基板(S1)に対向する面とは反対側の面に、パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線(L2)に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝(510)を形成する工程と、一方のマザー基板を他方のマザー基板に対向する面側から押圧することによりスクライブ溝を起点とするクラック(520)を形成する工程と、このクラックを形成する工程の後、ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝(530)を形成する工程とを含む。
【選択図】図6
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、一対のマザー基板(S1、S2)をパネル形成領域(810)毎に切断して、一対の基板(10、20)を備えた電気光学装置を製造する。更に、一方のマザー基板(S2)における他方のマザー基板(S1)に対向する面とは反対側の面に、パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線(L2)に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝(510)を形成する工程と、一方のマザー基板を他方のマザー基板に対向する面側から押圧することによりスクライブ溝を起点とするクラック(520)を形成する工程と、このクラックを形成する工程の後、ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝(530)を形成する工程とを含む。
【選択図】図6
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置の製造方法によって製造された液晶装置等の電気光学装置の技術分野に関する。
この種の電気光学装置の一例として、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶パネルを有する液晶装置がある。
このような液晶装置を製造するにあたっては、個々のパネルに対応した大きさに切断した2枚の基板を重ねて貼り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を製造する場合には特に複数のパネルを形成できるマザー基板(大型のガラス基板)に対して複数の液晶装置分の配線パターンや各種電子素子を形成するなど、製造工程の途中までは、大型のマザー基板のままで処理を行い、その後、マザー基板を個々のガラス基板に切断、分割することが多い。
このようなマザー基板を切断する方法としては、例えば、マザー基板の表面にダイヤモンドチップなどのカッタを当接させたまま、このカッタをマザー基板の切断予定線に沿って相対移動させることにより、マザー基板にスクライブ溝(スクライブライン)を形成し、しかる後に、マザー基板をブレーク用の治具(例えば、ゴムローラ)などで裏面側から押圧して曲げ応力を加え、この応力によりスクライブ溝を起点とするクラックを発生させることでマザー基板を切断する方法がある(以下、この方法を適宜「スクライブ・ブレイク法」と呼ぶ)。
しかしながら、スクライブ・ブレイク法では、個々のガラス基板の切断面がスクライブ溝を起点とするクラックによって規定されるので、所望の切断面(例えば、基板面に対して垂直な面)に対して斜めにずれてしまうおそれがある。個々のガラス基板の切断面は、例えば、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いるため、所望の切断面からのずれによって、実装ケース内における液晶装置の位置ずれが生じてしまったり、実装ケース内に液晶装置を収容できなくなってしまったりするおそれがある。
そこで、スクライブ・ブレイク法に代えて、高速回転させたダイヤモンド製の円形回転刃(ダイシングブレード)によってマザー基板の切断予定線に対してハーフダイシングを施すことでダイシング溝を形成し、しかる後に、裏面側から曲げ応力を加えてダイシング溝を起点とするクラックを発生させることでマザー基板を切断する方法が採られることがある(以下、この方法を適宜「ハーフダイシング・ブレイク法」と呼ぶ)。ハーフダイシング・ブレイク法によれば、個々のガラス基板の切断面にはダイシング溝の側面によって規定される面が含まれるので、スクライブ・ブレイク法と比べて、所望の切断面からのずれを小さくすることができ、例えば、実装ケース内における液晶装置の位置ずれの発生を低減できる。
また、例えば特許文献1では、ガラス基板表面にスクライブラインを形成した後に、このスクライブラインに沿ってレーザー光を照射することでガラス基板を切断する技術が開示されている。
しかしながら、上述したハーフダイシング・ブレイク法によってマザー基板を切断する場合、切断面のうちダイシング溝を起点とするクラックによって規定される部分は、例えばスクライブ・ブレイク法におけるスクライブ溝を起点とするクラックによって規定される切断面に比べて平滑性が低く、ガラス屑が発生しやすいという技術的問題点がある。このように発生したガラス屑によって、基板上に形成される配線パターンや各種電子素子に不具合が発生してしまうおそれがある。
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、一対のマザー基板を切断して複数の電気光学装置を製造する際、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断可能な電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を提供することを課題とする。
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断して、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面に、前記パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝を形成する工程と、前記一方のマザー基板を前記対向する面側から押圧することにより、前記一方のマザー基板に、前記スクライブ溝を起点とすると共に前記対向する側の面に達するクラックを形成する工程と、前記クラックを形成する工程の後、前記反対側の面に、前記切断予定線に沿ってハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する工程とを含む。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、一対のマザー基板は、例えばシール材によって互いに貼り合わされる。一対のマザー基板のうち一方は、例えば、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板を、パネル形成領域毎に1つずつ、複数含んでなる。一対のマザー基板のうち他方は、複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板を、パネル形成領域毎に1つずつ、複数含んでなる。この互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断することで、例えば素子基板及び対向基板として構成される一対の基板間に例えば液晶等である電気光学物質が挟持された電気光学装置が製造される。尚、例えば液晶等である電気光学物質は、例えば、一対のマザー基板のいずれか一方におけるパネル形成領域毎に液晶を滴下した後に、一対のマザー基板を貼り合わせることで一対の基板間に挟持されるようにしてもよいし、シール材によって貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断した後に、一対の基板間に封入するようにしてもよい。このように製造された電気光学装置では、その動作時に、例えば光源から入射された光が各画素において電気光学物質を透過して表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。
本発明では特に、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を切断する際、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行う。
即ち、先ず、一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面(即ち、電気光学物質に対向しないことになる面)に、パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝(即ち、スクライブライン或いはV字状の切溝)を形成する工程を行う。スクライブは、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを一方のマザー基板の表面に当接させたまま、このカッタを切断予定線に沿って相対移動させることにより行う。
次に、スクライブ溝が形成された一方のマザー基板を、他方のマザー基板に対向する面(即ち、電気光学物質に対向することになる面)側から押圧或いは加圧し、一方のマザー基板に曲げ応力を加えることにより、一方のマザー基板に、スクライブ溝を起点とすると共に他方のマザー基板に対向する側の面に達するクラックを形成する工程を行う。ここで、スクライブ溝は切断予定線に沿って形成されているため、スクライブ溝を起点とするクラックも切断予定線に概ね沿って形成される。このようなスクライブ溝を起点とするクラックによって規定される切断面は、上述したハーフダイシング・ブレイク法におけるダイシング溝を起点とするクラックと比較して、平滑性が高いため、例えばガラス屑など、一方のマザー基板を構成する材料の屑(即ち、材料屑)が殆ど或いは全く発生しないという特性を有する。よって、例えば、一方のマザー基板を切断する際に例えばガラス屑などの材料屑が発生し、該材料屑が一対のマザー基板のいずれかに含まれる素子基板上に形成された配線或いは電子素子に対してダメージ或いは悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
次に、一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面(言い換えれば、スクライブ溝を形成した面)に、切断予定線に沿って(即ち、スクライブ溝及び該スクライブ溝を起点とするクラックに重ねて)ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する。ハーフダイシングは、高速回転させた例えばダイヤモンド製等の円形回転刃(即ち、ダイシングブレード)を、一方のマザー基板における切断予定線に沿って所定の深さまで押し当てることにより行う。よって、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面を、ダイシング溝の側面によって規定される部分と、スクライブ溝を起点とするクラックによって規定される部分とを含むように形成できる。即ち、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面のうち、一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面から所定の深さまでの部分は、ダイシング溝によって規定され、該ダイシング溝によって規定される部分よりも一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面側の部分は、スクライブ溝を起点とするクラックによって規定されるように、一方のマザー基板を切断することができる。このようなダイシング溝の側面によって規定される切断面は、上述したスクライブ・ブレイク法による切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。従って、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面(即ち、一対のマザー基板を切断することにより得られる一対の基板のうち一方のマザー基板に含まれる各基板の端面)のうちダイシング溝の側面によって規定される部分を、例えば、電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、電気光学装置を実装ケースに収容する際、ダイシング溝の側面によって規定される部分を位置決め手段として用いることで、実装ケース内における電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に電気光学装置を収容できなくなる事態を回避できる。
以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対のマザー基板を切断する際、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うので、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断することができる。よって、製造プロセスにおいて、例えばガラス屑などの材料屑によって、マザー基板上に形成された例えば配線或いは電子素子に不具合が発生してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、歩留まりを向上させることができ、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記電気光学装置は、前記一対の基板として、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる。
この態様によれば、対向基板を複数含む一方のマザー基板に対して、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うことにより、該一方のマザー基板を切断予定線に沿って切断する。よって、一方のマザー基板を切断する際に、例えばガラス屑などの材料屑によって、素子基板を複数含む他方のマザー基板上に形成された配線或いは電子素子に対して悪影響が及んでしまうことを回避できる。
尚、素子基板を複数含む他方のマザー基板に対して、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うことにより、該他方のマザー基板を切断予定線に沿って切断してもよい。また、素子基板を複数含む他方のマザー基板と対向基板を複数含む他方のマザー基板とのうちいずれのマザー基板を先に切断してもよい。
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備え、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における端部は、ハーフダイシングによる切断面を有するダイシング部分と、該ダイシング部分よりも前記少なくとも一方の基板の基板面に沿って外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面を有するクラック部分とを有する。
本発明の電気光学装置によれば、例えば上述した本発明の電気光学装置の製造方法によって製造され、少なくとも一方の基板における側面の平滑性が高められている。よって、例えばガラス屑など少なくとも一方の基板を構成する材料の屑が発生しにくく、信頼性の高い電気光学装置を提供可能である。更に、ダイシング部分を、当該電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における当該電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図1及び図2を参照して説明する。 図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H´断面図である。
図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「一対の基板」の一例としてのTFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材52により互いに貼り合わされている。
図1において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。
図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFT(Thin Film Transistor)や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9aがマトリクス状に設けられている。画素電極9a上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9aと対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
尚、後に詳細に説明するが、TFTアレイ基板10及び対向基板20の各々の端面は、ハーフダイシングによる切断面とスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面とを含んでいる。
尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
次に、上述の如く構成された本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図3から図8を参照して説明する。
図3は、複数個のTFTアレイ基板を含んで構成される第1マザー基板の一部を示す部分平面図であり、図4は、複数個の対向基板を含んで構成される第2マザー基板を示す平面図である。図5は、第1マザー基板と第2マザー基板とを互いに貼り合せた場合における図4のA−A´断面図である。
本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、先ず、図3に示すように、図1及び図2を参照して上述したTFTアレイ基板10側の各種の構成要素(即ち、画素電極9a及び画素スイッチング用TFTや、走査線駆動回路104或いはデータ線駆動回路101など)を含む積層構造が、パネル形成領域810毎に第1マザー基板S1上に形成される。第1マザー基板S1は、比較的大型のガラス基板からなる。尚、第1マザー基板S1は、シリコン基板からなるようにしてもよい。
他方、このような第1マザー基板S1側の形成工程と相前後して或いは並行して、図4に示す別の第2マザー基板S2上に、図1及び図2を参照して上述した対向基板20側の各種の構成要素(対向電極21、遮光膜23など)を含む積層構造が、パネル形成領域810毎に形成される。第2マザー基板S2は、比較的大型のガラス基板からなる。
その後、図5に示すように、貼合工程によって、第1マザー基板S1と第2マザー基板S2とを対向させて、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなるシール材52によって貼り合わせる。この際、第1マザー基板S1上にシール材52を各パネル形成領域810における枠状のシール領域に所定の高さで形成し、このシール材52の内側の領域に液晶層50を構成する所定量の液晶を滴下した後に、マザー基板S1及びS2をシール材52によって互いに貼り合せる。即ち、本実施形態では、所謂、液晶滴下貼り合わせ方式を採用している。尚、シール材52を、枠状のシール領域の一部において欠落させておき、貼り合わされたマザー基板S1及びS2を、後述するようにパネル形成領域810毎に切断した後に、シール材52が欠落された部分を注入口として液晶をTFTアレイ基板10及び対向基板20間に注入するようにしてもよい。
図6は、第2マザー基板を切断する一連の切断工程を示す工程断面図である。図6(a)は、スクライブ溝形成工程を示す工程断面図であり、図6(b)は、クラック形成工程を示す工程断面図であり、図6(c)は、ダイシング溝形成工程を示す工程図である。図7は、図6(c)の部分C1を拡大して示す拡大図である。図8は、比較例としてのハーフダイシング・ブレイク法によるマザー基板の切断面を、図7に対応して示す図である。尚、図6は、図5に示した断面図に対応して示されている。
次に、図6に示す一連の切断工程によって、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に(即ち、図4に示す第2マザー基板S2におけるパネル形成領域810間の境界に位置する切断予定線L2に沿って)切断する。続いて、第1マザー基板S1を、第2マザー基板S2を切断する切断工程と同様の切断工程によって、パネル形成領域810毎に(即ち、図4に示す第1マザー基板S1におけるパネル形成領域810間の境界に位置する切断予定線L1に沿って)切断する。このように、互いに貼り合わされたマザー基板S1及びS2を、パネル形成領域810毎に切断することによって、図1及び図2に示したような各個別の液晶装置が製造されることになる。
尚、第1マザー基板S1をパネル形成領域810毎に切断した後に、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断してもよい。つまり、マザー基板S1及びS2のいずれを先に切断してもよい。
図6に示すように、本実施形態では特に、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断する際、スクライブ溝形成工程(図6(a)参照)と、クラック形成工程(図6(b)参照)と、ダイシング溝形成工程(図6(c)参照)とをこの順に行う。
即ち、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断する際、先ず、図6(a)に示すように、スクライブ溝形成工程によって、第2マザー基板S2における第1マザー基板S1に対向する面とは反対側の面(即ち、液晶層50に対向しない面、つまり、図中で上側の面)に、パネル形成領域810間の境界に位置する切断予定線L2(図4参照)に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝510を形成する。スクライブは、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを第2マザー基板S2の表面に当接させたまま、このカッタを切断予定線L2に沿って相対移動させることにより行う。
次に、図6(b)に示すように、クラック形成工程によって、スクライブ溝510が形成された第2マザー基板S2を、第1マザー基板S1に対向する面(即ち、液晶層50に対向する面、つまり、図中で下側の面)側から押圧して第2マザー基板S2に曲げ応力を加えることにより、第2マザー基板S2に、スクライブ溝510を起点とすると共に第1マザー基板S1に対向する側の面に達するクラック520を形成する。ここで、スクライブ溝510は切断予定線L2に沿って形成されているため、スクライブ溝510を起点とするクラック520も切断予定線L2に概ね沿って形成される。このようなスクライブ溝510を起点とするクラック520によって規定される切断面は、図8に比較例として示すハーフダイシング・ブレイク法(即ち、上述したスクライブ溝形成工程及びクラック形成工程を行うことなく、先ず、第2マザー基板S2の表面にハーフダイシングを施すことによりダイシング溝530bを形成し、第2マザー基板S2に曲げ応力を加えることでクラック540bを形成することによりマザー基板S2を切断する方法)におけるダイシング溝530bを起点とするクラック540bによって規定される切断面541bと比較して、平滑性が高い。よって、第2マザー基板S2を切断する際にガラス屑が発生し、該ガラス屑が第1マザー基板S1上に形成されたTFTアレイ基板10側の各種構成要素に対して悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
次に、図6(c)に示すように、ダイシング溝形成工程によって、第2マザー基板S2における第1マザー基板S1に対向する面とは反対側の面(言い換えれば、スクライブ溝510を形成した面)に、切断予定線L2に沿って(即ち、スクライブ溝510及びクラック520に重ねて)ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝530を形成する。ハーフダイシングは、高速回転させたダイヤモンド製のダイシングブレードを、第2マザー基板S2における切断予定線L2に沿って所定の深さまで押し当てることにより行う。
よって、図7に示すように、第2マザー基板S2における切断予定線L2に沿った切断面を、ダイシング溝530の側面によって規定される切断面531と、スクライブ溝510を起点とするクラック520によって規定される切断面521とを含むように形成できる。このようなダイシング溝530の側面によって規定される切断面531は、上述したスクライブ・ブレイク法による切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。従って、このようなダイシング溝530の側面によって規定される切断面531を、例えば、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、ダイシング溝の側面によって規定される切断面531を、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における液晶装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に液晶装置を収容できなくなる事態を回避できる。
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対のマザー基板S1及びS2を切断する際、スクライブ溝形成工程と、クラック形成工程と、ダイシング溝形成工程とをこの順に行うので、一対のマザー基板S1及びS2を、平滑性の高い切断面を有するように切断することができる。よって、製造プロセスにおいて、切断面から発生し得るガラス屑を低減でき、このようなガラス屑によって、例えば、第1マザー基板S1上に形成されたTFTアレイ基板10側の各種構成要素に不具合が発生してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、歩留まりを向上させることができ、信頼性の高い液晶装置を製造することが可能である。
次に、上述のような製造方法によって製造される、本実施形態に係る液晶装置の一対の基板の端部における特徴的な構成について、図9を参照して説明する。
図9は、本実施形態に係る液晶装置の一対の基板の端部における特徴的な構成を示す模式図である。尚、図9では、TFTアレイ基板10、対向基板20、シール材52及び液晶層50のみを示し、図1及び図2を参照して上述した各種構成要素を省略している。また、図9は、図5に示した断面図に対応して示されており、図5に示された一対のマザー基板の一部から製造される複数の液晶装置のうちの一つを示している。
図9において、本実施形態に係る液晶装置は、図6を参照して上述した切断工程によって切断されることで製造されているので、対向基板20における端部20eは、ダイシング部分20e1と、クラック部分20e2とを有している。ダイシング部分20e1は、ハーフダイシングによる切断面531を有している。クラック部分20e2は、このダイシング部分20e1よりも対向基板20の基板面に沿って(即ち、対向基板20上で平面的に見て、対向基板20の中央部から対向基板20の周縁へ向かう方向に沿って)外側へ突出すると共にスクライブ溝510を起点として形成されたクラック520による切断面521を有している。更に、TFTアレイ基板10における端部10eは、ダイシング部分10e1と、クラック部分10e2とを有している。ダイシング部分10e1は、ハーフダイシングによる切断面532を有している。クラック部分10e2は、このダイシング部分10e1よりもTFTアレイ基板10の基板面に沿って(即ち、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、TFTアレイ基板10の中央部からTFTアレイ基板10の周縁へ向かう方向に沿って)外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面522を有している。
よって、対向基板20及びTFTアレイ基板10の各々における側面の平滑性が高められている。従って、対向基板20及びTFTアレイ基板10の各々における側面からガラス屑が発生しにくく、信頼性の高い液晶装置を提供可能である。更に、ダイシング部分20e1の切断面531或いはダイシング部分10e1の切断面532を、当該液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における当該液晶装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。
尚、図6に示したマザー基板を切断する切断工程は、例えば、一対のTFTアレイ基板10及び対向基板20の外側表面(即ち、一対の基板における液晶層50に対向しない側の面)に設けられ得る防塵用基板を形成する際に適用してもよい。即ち、例えば、マザー基板S1及びS2とは別に、複数の防塵用基板がパネル形成領域毎に1つずつ形成された第3マザー基板を用意し、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断した後に、第2マザー基板S2の外側表面に貼り合わせ、しかる後に、第3マザー基板を、図6に示した切断工程と同様の工程によって切断してもよい。この場合には、防塵用基板の端面の平滑性を高めることができ、防塵用基板の端面から例えばガラス屑などの材料屑が発生してしまうことを低減できる。ここで、液晶装置の一対の基板の外側表面に防塵用基板を設けることで、一対の基板の外側表面に直接に粉塵が付着するのを防止できると共に、防塵用基板上に仮に粉塵が付着したとしても、該防塵用基板が所定の厚さを有することにより、画像上に粉塵の像が投影されるというような事態を未然に回避することができる。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
7…サンプリング回路、9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、10e…端部、10e1…ダイシング部分、10e2…クラック部分、20…対向基板、20e…端部、20e1…ダイシング部分、20e2…クラック部分、21…対向電極、23…遮光膜、50…液晶層、52…シール材、53…額縁遮光膜、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、106…上下導通端子、107…上下導通材、510…スクライブ溝、520…クラック、530…ダイシング溝、810…パネル形成領域、S1、S2…マザー基板、L1、L2…切断予定線
Claims (3)
- 互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断して、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面に、前記パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝を形成する工程と、
前記一方のマザー基板を前記対向する面側から押圧することにより、前記一方のマザー基板に、前記スクライブ溝を起点とすると共に前記対向する側の面に達するクラックを形成する工程と、
前記クラックを形成する工程の後、前記反対側の面に、前記切断予定線に沿ってハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記電気光学装置は、前記一対の基板として、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、
前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、
前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。 - 電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備え、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における端部は、
ハーフダイシングによる切断面を有するダイシング部分と、
該ダイシング部分よりも前記少なくとも一方の基板の基板面に沿って外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面を有するクラック部分と
を有することを特徴とする電気光学装置。
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2007
- 2007-01-30 JP JP2007018868A patent/JP2008184358A/ja not_active Withdrawn
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