JP2009175307A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】大判基板から張出し部を有する電気光学装置を切り出す場合において、張出し部上に形成されたパターンに損傷を与えることのない電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】張出し部を有する電気光学装置を、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法において、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ、第２の基板の張出し部に対向する領域である重畳部を張出し部の基端側において規定する第１の分断予定線と、重畳部を張出し部の先端側において規定する第２の分断予定線とのいずれか一方に沿って第２の基板を分断し、第１の分断予定線及び第２の分断予定線のうちの他方に沿って第２の基板に所定の深さの溝状部を形成し、第１の基板を複数の素子基板に分断し、溝状部を基点として対向基板と重畳部とを分断する。
【選択図】図１２

Description

本発明は、素子基板と対向基板とが貼り合わされてなり前記素子基板は前記対向基板側から見て前記対向基板よりも張り出すように延出した張出し部を有する電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。

電気光学装置の一例としての透過型の液晶表示装置は、ガラス、石英等からなる一対の透光性を有する基板間に液晶を挟持してなる。このような一対の基板が対向して配置される電気光学装置においては、該電気光学装置と他の装置とを電気的に接続するための外部接続端子が露出するように形成される。外部接続端子は、例えば電気光学装置を構成する一対の基板のうちの一方の基板に他方の基板よりも外部方向に張り出すように形成された張出し部の、他方の基板側の表面上に形成される。

ところで、電気光学装置が一対のガラス基板を具備して構成される場合、電気光学装置は、電気光学装置の最終的な大きさに比較してより大きい一対の大判ガラス基板が貼り合わされたものから切り出されることにより形成されることがある。

このような大判ガラス基板を分断して所定の大きさに切り出す方法としては、例えば特開２００５−２６６６８４号公報に開示されているスクライブ法（スクライブ・ブレイク法とも称する）が知られている。スクライブ法は、ガラスよりも硬質な材料、例えばダイヤモンドからなるスクライブ刃の刃先によりガラス表面に線状の傷（スクライブライン）をつけ、この傷とは反対側のガラス表面を冶具により押圧することでガラスに曲げ応力を与えることにより、傷を基点とした厚さ方向のクラックを生じさせてガラスを分断するものである。

ここで、大きい一対の大判ガラス基板を貼り合わせたものから電気光学装置を切り出す場合、該電気光学装置の一方の基板に上述のような張出し部を形成するためには、他方の基板の該張出し部に対向して存在する重畳部を切除する必要がある。
特開２００５−２６６６８４号公報

外部導通端子等のパターンが形成された張出し部に対向する重畳部を、スクライブ法により分断して取り除こうとした場合、外部導通端子上で重畳部にクラックを生じさせるよう力を加える必要があるため、分断した重畳部や冶具が張出し部の表面に接触してしまい、張出し部上に形成されたパターンに損傷を与えてしまうことがあるという問題がある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、一対の大判基板が貼り合わされたものから張出し部を有する電気光学装置を切り出す場合において、張出し部上に形成されたパターンに損傷を与えることのない電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板と対向基板とが貼り合わされてなり前記素子基板は前記対向基板側から見て前記対向基板よりも外部方向へ延出した張出し部を有する電気光学装置を、前記素子基板が複数構成された第１の基板と、前記対向基板が複数形成された第２の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第２の基板の前記張出し部に対向する領域である重畳部を前記張出し部の基端側において規定する第１の分断予定線と、前記重畳部を前記張出し部の先端側において規定する第２の分断予定線とのいずれか一方に沿って前記第２の基板を分断する対向基板分断工程と、前記第１の分断予定線及び前記第２の分断予定線のうちの他方に沿って前記第２の基板に所定の深さの溝状部を形成する溝形成工程と、前記第１の基板を前記複数の素子基板に分断する素子基板分断工程と、前記溝状部を基点としたクラックを生じせしめ前記対向基板と前記重畳部とを分断する重畳部分断工程と、を具備することを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる大判基板を分断し切り出した個片において、対向基板と重畳部との間には所定の深さの溝状部が形成されている。そしてこの対向基板と重畳部との間に溝状部が形成されていることにより、重畳部は、小さい力を加えることで容易に対向基板から分離される。

すなわち、重畳部は、個片を切り出した時点において対向基板に固定されたままであるため、重畳部が張出し部上に落下してしまうことがない。また、重畳部は、小さい力で対向基板から分離することが可能であることから、重畳部を分断する作業中に重畳部や重畳部を保持する冶具等が張出し部に接触してしまうことがない。

よって、張出し部を有する電気光学装置を大判基板から切り出す場合において、張出し部に形成されている外部接続端子等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができる。

また、本発明は、前記対向基板分断工程において、前記第１の分断予定線に沿って前記第２の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第２の分断予定線に沿って前記第２の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することが好ましい。

本発明のこのような構成によれば、大判基板から個片を切り出した場合において、重畳部は、張出し部とは反対方向へ延出する。よって、重畳部の分断作業は張出し部から離れた箇所において実施することができるため、より効果的に張出し部に重畳部や冶具が接触することを防止しすることができる。

また、本発明は、前記対向基板分断工程において、前記第２の分断予定線に沿って前記第２の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第１の分断予定線に沿って前記第２の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、大判基板から個片を切り出した場合において、重畳部は個片の対向基板に固定されたままであり、かつ対向基板と重畳部との間には所定の深さの溝状部が形成されている。したがって、重畳部が張出し部上に落下してしまうことがなく、張出し部に形成されている外部接続端子等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができる。

また、本発明は、前記対向基板分断工程及び前記素子基板分断工程においては、スクライブ法により前記第２の基板及び前記第１の基板を分断することが好ましい。

本発明のこのような構成によれば、より素早く大判基板から電気光学装置を切り出すことが可能となる。

また、本発明に係る電気光学装置は、上記電気光学装置の製造方法により製造されることを特徴とする。

（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態について図１から図１３を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。

まず、本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１、図２及び図３を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。

図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る電気光学装置１００は、対向して配設された一対の基板であるＴＦＴアレイ基板１０（素子基板）と対向基板２０との間に、液晶５０が挟持されてなる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、ガラス、石英、透光性セラミック等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材５２により相互に接着されて張り合わせられている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶５０は、シール材５２とＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とに囲まれた領域に充填されている。

本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て対向基板２０よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、電気光学装置１００を、ＴＦＴアレイ基板１０の法線と平行であり、かつ対向基板２０の側から見た視点であり、図１と同様の視点のことを指す。図１及び図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して位置決めして貼り合せた状態において、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板２０よりも外側に張り出した張出し部１１０を有している。

ＴＦＴアレイ基板１０のシール材５２が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張出し部１１０が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路１０１及び外部導通端子１０２（導通端子部）が設けられている。

外部導通端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０の液晶５０側の表面上に露出して形成されている。外部導通端子１０２は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、電気光学装置１００と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。外部導通端子１０２の最表面部は、例えばＡｌ（アルミニウム）もしくはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる導電性の膜により構成されている。

なお、外部導通端子１０２は、本実施例に限らず、他に例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。

例えば、図示しないが、外部導通端子１０２上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接着剤等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、電気光学装置１００と電気光学装置１００を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。

枠状のシール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。すなわち、本実施形態の電気光学装置１０では、画像表示領域１０ａの中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられるものであってもよい。

走査線駆動回路１０４は、張出し部１１０が形成された一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域内に設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域には、複数の配線１０５が設けられている。該配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は、互いに電気的に接続されている。

また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。

ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上であり、かつ画像表示領域１０ａ内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるＴＦＴが積層構造を有して形成されている。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上には、ＴＦＴに対応して複数の画素電極９ａが形成されており、さらに画素電極９ａ上には配向膜１６が形成されている。

配向膜１６は、有機材料又は無機材料からなり液晶５０の配向状態を規制する膜である。配向膜１６が有機材料により構成される場合、配向膜１６は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜１６が無機材料により構成される場合、配向膜１６は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。

他方、対向基板２０の液晶５０側の表面上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。配向膜２２は、配向膜１６と同様に、有機材料又は無機材料からなり液晶５０の配向状態を規制する膜である。配向膜２２が有機材料により構成される場合、配向膜２２は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜２２が無機材料により構成される場合、配向膜２２は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＦ_２等の無機材料によって構成され、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＦ_２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。

液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。

次に、図３を参照して、上述した電気光学装置１００の電気的な構成について説明する。図３に示すように、本実施形態における電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。

ＴＦＴ３０のゲート３ａには、走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４により、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、所定のタイミングで順次供給される。走査線１１ａを介してゲート３ａに走査信号が供給されることにより、当該走査線１１ａに電気的に接続された複数のＴＦＴ３０はＯＮ状態となる。

ＴＦＴ３０のソースには、画像信号が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには、データ線駆動回路１０１により、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、走査信号が供給されることによってＯＮ状態となったＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。

画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが書き込まれた画素電極９ａと、対向基板に形成された対向電極２１との間の電位差、すなわち液晶５０に印加される電圧に応じて、液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶５０を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。

また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極９ａには、蓄積容量７０の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量７０の他方の電極は、走査線１１ａに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線４００に電気的に接続されている。

なお、上述したＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

以下に、上述した構成を有する本実施形態の電気光学装置１００の製造方法を図４から図１３を参照して説明する。

図４は、大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。図５は、大判基板を分断する分断予定線を説明するための平面図である。図６は、電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。図７から図１３は、図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。

なお、各図中おいて、本実施形態の電気光学装置１００の製造工程における重力の方向は特に示していない。すなわち、各図における各構成要素の配置はそれぞれの相対的な位置関係を示すものであり、重力中における上下関係を示すものではない。

本実施形態に係る電気光学装置１００は、複数の電気光学装置１００となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、電気光学装置１００は、いわゆる大判基板から多面取りを行う方法により形成される。

概略的には、大判基板は、図４に示すように、第１の基板であるマザー基板３５上に複数のＴＦＴアレイ基板１０を構成する積層構造を行列状に連なった状態で形成し、また同様に第２の基板である対向側マザー基板４０上に複数の対向基板２０を構成する積層構造を行列状に形成し、このマザー基板３５と対向側マザー基板４０とをシール材５２を介して貼り合わせることにより形成される。

本実施形態では、マザー基板３５は、オリエンテーションフラット（Orientation Flat:以下オリフラと略称する）３５ｃを有するウェハ状の略円板形状を有する。以下の説明においては、マザー基板３５の対向側マザー基板４０と対向する面上においてオリフラ３５ｃと平行な軸をＸ軸とし、また当該面上において該Ｘ軸と直交する軸をＹ軸とする。また、Ｘ軸及びＹ軸に直交する軸をＺ軸とする。

マザー基板３５上に形成される複数の積層構造１０ｂは、マザー基板３５の対向側マザー基板に対向する面上においてＸ軸及びＹ軸に沿う行列状に配列される。

そして、図５に示すように、複数のＴＦＴアレイ基板１０の外形に沿うようにＸ軸と略平行に延在する複数の第２の分断予定線１３０（図５中、横方向の一点鎖線により図示）と、同様にＴＦＴアレイ基板１０の外形に沿うようにＹ軸と略平行に延在する複数の第３の分断予定線１４０（図５中、縦方向の一点鎖線により図示）とにおいて、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０の双方を分断すると共に、複数の対向基板２０の外形に沿うようにＸ軸と略平行に延在する複数の第１の分断予定線１２０（図５中、横方向の二点鎖線により図示）において対向側マザー基板４０のみを分断することで、上述した電気光学装置１００が切り出される。

なお、本実施形態では、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０は略円板形状のものとしているが、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板３５及び対向側マザー基板４０の少なくとも一方が構成されるものであってもよい。

以下に、本実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の詳細を図６のフローチャートに沿って説明する。

まず、ステップＳ０１において、図７に示すように、マザー基板３５の一方の面上に、複数の積層構造１０ｂを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で行列状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する。

ここで積層構造１０ｂは、上述のように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側表面上に形成される構成であって、配向膜１６、画素電極９ａ、走査線１１ａ、データ線６ａ、容量配線４００、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、外部導通端子１０２等を有して構成されるものである。

積層構造１０ｂを形成する詳細の工程については、公知の液晶表示装置の製造工程と同様であるため、説明を省略する。

次に、ステップＳ０２において、図８に示すように、複数の対向基板２０となる積層構造が形成された対向側マザー基板４０を、シール材５２を介してマザー基板３５に貼り合わせる貼り合わせ工程を実施する。ここで、対向側マザー基板４０に形成されている積層構造は、対向電極２１及び配向膜２２からなる。

また、このステップＳ０２においては、上記貼り合わせ工程と同時に、マザー基板３５と対向側マザー基板４０との間に液晶５０を充填する液晶充填工程も実施する。本実施形態においては、複数の積層構造１０ｂ上にそれぞれ枠状のシール材５２を形成し、該枠状のシール材５２により囲まれた領域内に所定量の液晶５０を滴下した後に対向側マザー基板４０を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。

なお、液晶５０をＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に充填する方法は、この液晶滴下方式に限られるものではなく、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材５２に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよく特に限定されるものではない。

次に、ステップＳ０３において、図９に示すように、スクライブ刃により第１の分断予定線１２０及び第３の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０にスクライブライン１２１を形成し、該スクライブライン１２１を基点としたクラック１２２を生じさせて対向側マザー基板４０を分断する対向基板分断工程を実施する。

ここで、第１の分断予定線１２０は、貼り合わされた状態のマザー基板３５及び対向側マザー基板４０を平面的に見た場合（図５の視点）に、対向基板２０の外形の１辺を規定すると共に、張出し部１１０の基端側を規定する線である。

なお、対向基板分断工程において第１の分断予定線１２０及び第３の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する方法であってもよいし、ダイシング、エッチング等の周知の技術により切断する方法であってもよい。

次に、ステップＳ０４において、図１０に示すように、ダイシングにより第２の分断予定線１３０に沿って対向側マザー基板４０に所定の深さの溝状部１３１を形成する溝形成工程を実施する。

溝状部１３１の深さは、対向側マザー基板４０の厚さよりも小さい値であり、対向側マザー基板４０が完全に切断されない厚さ、例えば１００μｍから５００μｍ程度の厚さを残すように設定される。このような対向側マザー基板４０を切断せずに所定の深さの溝状部１３１を形成するダイシングは、いわゆるハーフダイシングと称されるものである。

なお、溝形成工程において溝状部１３１を形成する方法は、ダイシングに限らず、レーザ照射やエッチング等の周知の技術により行われるものであってもよい。

ここで、第２の分断予定線１３０は、貼り合わされた状態のマザー基板３５及び対向側マザー基板４０を平面的に見た場合（図５の視点）に、ＴＦＴアレイ基板１０のＸ軸に平行な２辺と対向基板２０の１辺とを規定すると共に、張出し部１１０の先端側を規定する線である。

すなわち、張出し部１１０は、その先端及び基端が第１の分断予定線１２０及び第２の分断予定線１３０により規定されており、ステップＳ０４の対向基板分断工程とステップＳ０５の溝形成工程とによって、対向側マザー基板２０における張出し部１１０に対向する領域である重畳部１１１は、クラック１２２と溝状部１３１とにより挟まれた状態となる。

次に、ステップＳ０５において、図１１に示すように、スクライブ刃により第２の分断予定線１３０及び第３の分断予定線１４０に沿ってマザー基板３５にスクライブライン１３３を形成し、該スクライブライン１３３を基点としたクラック１３４を生じさせてマザー基板３５を分断する素子基板分断工程を実施する。

この素子基板分断工程により、図１２に示すように、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０が貼り合わされてなる大判基板は複数の個片１００ａに分断される。この個片１００ａは、上述した電気光学装置１００の構成に対して、対向基板２０から重畳部１１１が張出し部１１０とは反対の方向へ延出している点が異なるものである。

なお、素子基板分断工程において第２の分断予定線１３０及び第３の分断予定線１４０に沿ってマザー基板３５を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する方法であってもよいし、ダイシング、エッチング等の周知の技術により切断する方法であってもよい。

次に、ステップＳ０６において、図１３に示すように、個片１００ａの対向基板２０から延出する重畳部１１１に対して、溝状部１３１において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部１１１を対向基板２０から分断する重畳部分断工程を実施する。これにより、上述した電気光学装置１００が大判基板から切り出される。

ここで、重畳部１１１を溝状部１３１において折り曲げる方向は、溝状部１３１の幅を拡開する方向（図１３中、下方向）であっても、溝状部１３１の幅を狭くする方向（図１３中、上方向）であってもよい。これは、溝状部１３１の底面部の厚さが比較的薄いため、どちらの方向に重畳部を折り曲げたとしても溝状部１３１の底面部にクラックが生じるからである。

以上に説明した電気光学装置１００の製造方法では、マザー基板３５と対向側マザー基板４０とが貼り合わされてなる大判基板を分断し切り出した個片１００ａにおいて、対向基板２０と重畳部１１１との間には所定の深さの溝状部１３１が形成されている。そしてこの対向基板２０と重畳部１１１との間に溝状部１３１が形成されていることにより、重畳部１１１は、小さい力で上下方向どちらに折り曲げても対向基板２０から分離される。

したがって、本実施形態においては、重畳部１１１は、個片１００ａを切り出した時点において対向基板２０に固定されたままであるため、重畳部１１１が張出し部１１０上に落下してしまうことがない。

また、重畳部１１１は、小さい力で上下方向どちらに折り曲げても対向基板２０から分離することが可能であることから、重畳部１１１を分断する作業中に重畳部１１１や重畳部１１１を保持する冶具等が張出し部１１０に接触してしまうことがない。

よって、本実施形態によれば、張出し部１１０を有する電気光学装置１００を大判基板から切り出す場合において、張出し部１１０に形成されている外部接続端子１０２等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができるのである。

また、本実施形態では、ステップＳ０３において対向側マザー基板４０をＸ軸方向に分断する第１の分断予定線１２０と、ステップＳ０４においてマザー基板３５をＸ軸方向に分断する第２の分断予定線１３０とを、平面的に見て張出し部１１０の基端側と先端側に配設している。

このため、重畳部１１１は張出し部１１０とは反対の方向に延出するように、個片１１０ａは大判基板から切り出される。よって、本実施形態によれば、ステップＳ０６における重畳部１１１の分断作業は張出し部１１０から離れた箇所において実施することができるため、より効果的に張出し部１１０に重畳部１１１や冶具が接触することを防止しすることができ、外部接続端子１０２等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することが可能となる。また、重畳部１１１を分断する際の作業の自由度があがり、かつ容易となるため、生産性を向上させることも可能である。

なお、上述した実施形態において、図９に示したステップＳ０３の対向基板分断工程と、図１０に示したステップＳ０４の溝形成工程との実施順序は逆であってもよい。

すなわち、対向側マザー基板４０にダイシングにより第２の分断予定線１３０に沿って所定の深さの溝状部１３１を形成した後に、第１の分断予定線１２０及び第３の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０を分断してもよい。

このように、対向基板分断工程よりも先に溝形成工程を実施する電気光学装置の製造方法においても、上述した実施形態と同様の状態で大判基板は個片１００ａに分断されるため、上述した効果が得られる。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図１４から図１８を参照して説明する。図１４から図１８は、第２の実施形態に係る各工程を順を追って説明する図である。

第２の実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、第１の実施形態に対してフローチャートは同一であるがステップＳ０３以降の格工程の詳細が異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。

第２の実施形態では、ステップＳ０３において、図１４に示すように、スクライブ刃により第２の分断予定線１３０及び第３の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０にスクライブライン１３５を形成し、該スクライブライン１３５を基点としたクラック１３６を生じさせて対向側マザー基板４０を分断する対向基板分断工程を実施する。

次に、ステップＳ０４において、図１５に示すように、ダイシングにより第１の分断予定線１２０に沿って対向側マザー基板４０に所定の深さの溝状部１２３を形成する溝形成工程を実施する。

溝状部１３１の深さは、対向側マザー基板４０の厚さよりも小さい値であり、対向側マザー基板４０が完全に切断されない厚さ、例えば１００μｍから５００μｍ程度の厚さを残すように設定される。

次に、ステップＳ０５において、図１６に示すように、スクライブ刃により第２の分断予定線１３０及び第３の分断予定線１４０に沿ってマザー基板３５にスクライブライン１３７を形成し、該スクライブライン１３７を基点としたクラック１３８を生じさせてマザー基板３５を分断する素子基板分断工程を実施する。

この素子基板分断工程により、図１７に示すように、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０が貼り合わされてなる大判基板は複数の個片１００ｂに分断される。この個片１００ｂは、上述した電気光学装置１００の構成に対して、対向基板２０から重畳部１１１が張出し部１１０と同一の方向へ延出している点が異なる。

次に、ステップＳ０６において、図１８に示すように、個片１００ｂの対向基板２０から延出する重畳部１１１に対して、溝状部１２３において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部１１１を対向基板２０から分断する重畳部分断工程を実施する。これにより、上述した電気光学装置１００が大判基板から切り出される。

ここで、重畳部１１１を溝状部１３１において折り曲げる方向は、溝状部１２３の幅を狭くする方向（図１８中、上方向）であることが好ましい。

以上に説明した第２の実施形態の電気光学装置１００の製造方法では、マザー基板３５と対向側マザー基板４０とが貼り合わされてなる大判基板を分断し切り出した個片１００ｂにおいて、対向基板２０と重畳部１１１との間には所定の深さの溝状部１２３が形成されている。そしてこの対向基板２０と重畳部１１１との間に溝状部１２３が形成されていることにより、重畳部１１１は、小さい力で張出し部１１０から離間する方向へ折り曲げることにより対向基板２０から分離される。

したがって、本実施形態においては、重畳部１１１は、個片１００ｂを切り出した時点において対向基板２０に固定されたままであるため、重畳部１１１が張出し部１１０上に落下してしまうことがない。

また、重畳部１１１は、張出し部１１０から離間する方向へ小さい力を加えることで対向基板２０から分離することが可能であることから、重畳部１１１を分断する作業中に重畳部１１１や重畳部１１１を保持する冶具等が誤って張出し部１１０に接触してしまうことを防止できる。

よって、本実施形態によれば、上述した第１の実施形態と同様に張出し部１１０を有する電気光学装置１００を大判基板から切り出す場合において、張出し部１１０に形成されている外部接続端子１０２等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができるのである。

なお、上述した実施形態において、図１４に示したステップＳ０３の対向基板分断工程と、図１５に示したステップＳ０４の溝形成工程との実施順序は逆であってもよい。

すなわち、対向側マザー基板４０にダイシングにより第２の分断予定線１３０に沿って所定の深さの溝状部１３１を形成した後に、第１の分断予定線１２０及び第３の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０を分断してもよい。

このように、対向基板分断工程よりも先に溝形成工程を実施する電気光学装置の製造方法においても、上述した実施形態と同様の状態で大判基板は個片１００ｂに分断されるため、上述した効果が得られる。

なお、上述した本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態においては、対向側マザー基板４０に加工を施す工程（ステップＳ０３及びステップＳ０４）を、マザー基板３５に加工を施す工程（ステップＳ０５）に先立って実施しているが、マザー基板３５に加工を施す工程を先に実施したとしても上述した効果が得られることは言うまでもない。

なお、上述した本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態においては、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０からなる大判基板から複数の電気光学装置１００が切り出されるものとして説明しているが、本発明はこのようないわゆる多面取りにおける基板の分断に限らず、電気光学装置の外形が所定の形状となるように基板周囲を分断する場合にも適用可能である。

また、上述の実施形態では、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを電気光学装置１００として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス駆動方式（単純マトリクス駆動方式とも称される）を採用した電気光学装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の電気光学装置に限られるものではなく、反射型、半透過半反射型又は自発光型等の電気光学装置にも本発明を適用可能である。

例えば、本発明は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置の製造方法に適用できる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ'断面図である。 画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。 大判基板を分断する分断領域を説明するための平面図である。 電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 第２の実施形態について各工程を順を追って説明する図である。 第２の実施形態について各工程を順を追って説明する図である。 第２の実施形態について各工程を順を追って説明する図である。 第２の実施形態について各工程を順を追って説明する図である。 第２の実施形態について各工程を順を追って説明する図である。

符号の説明

１０ ＴＦＴアレイ基板、 ２０ 対向基板、 １００ 個片、 １０２ 外部導通端子、 １１０ 張出し部、 １１１ 重畳部、 １３１ 溝状部

Claims (5)

1. 素子基板と対向基板とが貼り合わされてなり前記素子基板は前記対向基板側から見て前記対向基板よりも外部方向へ延出した張出し部を有する電気光学装置を、前記素子基板が複数構成された第１の基板と、前記対向基板が複数形成された第２の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
   前記第２の基板の前記張出し部に対向する領域である重畳部を前記張出し部の基端側において規定する第１の分断予定線と、前記重畳部を前記張出し部の先端側において規定する第２の分断予定線とのいずれか一方に沿って前記第２の基板を分断する対向基板分断工程と、
   前記第１の分断予定線及び前記第２の分断予定線のうちの他方に沿って前記第２の基板に所定の深さの溝状部を形成する溝形成工程と、
   前記第１の基板を前記複数の素子基板に分断する素子基板分断工程と、
   前記溝状部を基点としたクラックを生じせしめ前記対向基板と前記重畳部とを分断する重畳部分断工程と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記対向基板分断工程において、前記第１の分断予定線に沿って前記第２の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第２の分断予定線に沿って前記第２の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記対向基板分断工程において、前記第２の分断予定線に沿って前記第２の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第１の分断予定線に沿って前記第２の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記対向基板分断工程及び前記素子基板分断工程においては、スクライブ法により前記第２の基板及び前記第１の基板を分断することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 上記請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする電気光学装置。

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