JP2009175307A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】大判基板から張出し部を有する電気光学装置を切り出す場合において、張出し部上に形成されたパターンに損傷を与えることのない電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】張出し部を有する電気光学装置を、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法において、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせ、第2の基板の張出し部に対向する領域である重畳部を張出し部の基端側において規定する第1の分断予定線と、重畳部を張出し部の先端側において規定する第2の分断予定線とのいずれか一方に沿って第2の基板を分断し、第1の分断予定線及び第2の分断予定線のうちの他方に沿って第2の基板に所定の深さの溝状部を形成し、第1の基板を複数の素子基板に分断し、溝状部を基点として対向基板と重畳部とを分断する。
【選択図】図12
【解決手段】張出し部を有する電気光学装置を、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法において、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせ、第2の基板の張出し部に対向する領域である重畳部を張出し部の基端側において規定する第1の分断予定線と、重畳部を張出し部の先端側において規定する第2の分断予定線とのいずれか一方に沿って第2の基板を分断し、第1の分断予定線及び第2の分断予定線のうちの他方に沿って第2の基板に所定の深さの溝状部を形成し、第1の基板を複数の素子基板に分断し、溝状部を基点として対向基板と重畳部とを分断する。
【選択図】図12
Description
本発明は、素子基板と対向基板とが貼り合わされてなり前記素子基板は前記対向基板側から見て前記対向基板よりも張り出すように延出した張出し部を有する電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。
電気光学装置の一例としての透過型の液晶表示装置は、ガラス、石英等からなる一対の透光性を有する基板間に液晶を挟持してなる。このような一対の基板が対向して配置される電気光学装置においては、該電気光学装置と他の装置とを電気的に接続するための外部接続端子が露出するように形成される。外部接続端子は、例えば電気光学装置を構成する一対の基板のうちの一方の基板に他方の基板よりも外部方向に張り出すように形成された張出し部の、他方の基板側の表面上に形成される。
ところで、電気光学装置が一対のガラス基板を具備して構成される場合、電気光学装置は、電気光学装置の最終的な大きさに比較してより大きい一対の大判ガラス基板が貼り合わされたものから切り出されることにより形成されることがある。
このような大判ガラス基板を分断して所定の大きさに切り出す方法としては、例えば特開2005−266684号公報に開示されているスクライブ法(スクライブ・ブレイク法とも称する)が知られている。スクライブ法は、ガラスよりも硬質な材料、例えばダイヤモンドからなるスクライブ刃の刃先によりガラス表面に線状の傷(スクライブライン)をつけ、この傷とは反対側のガラス表面を冶具により押圧することでガラスに曲げ応力を与えることにより、傷を基点とした厚さ方向のクラックを生じさせてガラスを分断するものである。
ここで、大きい一対の大判ガラス基板を貼り合わせたものから電気光学装置を切り出す場合、該電気光学装置の一方の基板に上述のような張出し部を形成するためには、他方の基板の該張出し部に対向して存在する重畳部を切除する必要がある。
特開2005−266684号公報
外部導通端子等のパターンが形成された張出し部に対向する重畳部を、スクライブ法により分断して取り除こうとした場合、外部導通端子上で重畳部にクラックを生じさせるよう力を加える必要があるため、分断した重畳部や冶具が張出し部の表面に接触してしまい、張出し部上に形成されたパターンに損傷を与えてしまうことがあるという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、一対の大判基板が貼り合わされたものから張出し部を有する電気光学装置を切り出す場合において、張出し部上に形成されたパターンに損傷を与えることのない電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供することを目的とする。
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板と対向基板とが貼り合わされてなり前記素子基板は前記対向基板側から見て前記対向基板よりも外部方向へ延出した張出し部を有する電気光学装置を、前記素子基板が複数構成された第1の基板と、前記対向基板が複数形成された第2の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法であって、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第2の基板の前記張出し部に対向する領域である重畳部を前記張出し部の基端側において規定する第1の分断予定線と、前記重畳部を前記張出し部の先端側において規定する第2の分断予定線とのいずれか一方に沿って前記第2の基板を分断する対向基板分断工程と、前記第1の分断予定線及び前記第2の分断予定線のうちの他方に沿って前記第2の基板に所定の深さの溝状部を形成する溝形成工程と、前記第1の基板を前記複数の素子基板に分断する素子基板分断工程と、前記溝状部を基点としたクラックを生じせしめ前記対向基板と前記重畳部とを分断する重畳部分断工程と、を具備することを特徴とする。
本発明のこのような構成によれば、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされてなる大判基板を分断し切り出した個片において、対向基板と重畳部との間には所定の深さの溝状部が形成されている。そしてこの対向基板と重畳部との間に溝状部が形成されていることにより、重畳部は、小さい力を加えることで容易に対向基板から分離される。
すなわち、重畳部は、個片を切り出した時点において対向基板に固定されたままであるため、重畳部が張出し部上に落下してしまうことがない。また、重畳部は、小さい力で対向基板から分離することが可能であることから、重畳部を分断する作業中に重畳部や重畳部を保持する冶具等が張出し部に接触してしまうことがない。
よって、張出し部を有する電気光学装置を大判基板から切り出す場合において、張出し部に形成されている外部接続端子等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができる。
また、本発明は、前記対向基板分断工程において、前記第1の分断予定線に沿って前記第2の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第2の分断予定線に沿って前記第2の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することが好ましい。
本発明のこのような構成によれば、大判基板から個片を切り出した場合において、重畳部は、張出し部とは反対方向へ延出する。よって、重畳部の分断作業は張出し部から離れた箇所において実施することができるため、より効果的に張出し部に重畳部や冶具が接触することを防止しすることができる。
また、本発明は、前記対向基板分断工程において、前記第2の分断予定線に沿って前記第2の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第1の分断予定線に沿って前記第2の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することを特徴とする。
本発明のこのような構成によれば、大判基板から個片を切り出した場合において、重畳部は個片の対向基板に固定されたままであり、かつ対向基板と重畳部との間には所定の深さの溝状部が形成されている。したがって、重畳部が張出し部上に落下してしまうことがなく、張出し部に形成されている外部接続端子等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができる。
また、本発明は、前記対向基板分断工程及び前記素子基板分断工程においては、スクライブ法により前記第2の基板及び前記第1の基板を分断することが好ましい。
本発明のこのような構成によれば、より素早く大判基板から電気光学装置を切り出すことが可能となる。
また、本発明に係る電気光学装置は、上記電気光学装置の製造方法により製造されることを特徴とする。
(第1の実施形態)
以下、本発明の実施形態について図1から図13を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
以下、本発明の実施形態について図1から図13を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
まず、本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図1、図2及び図3を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。
図1はTFTアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図2は、図1のH−H'断面図である。図3は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る電気光学装置100は、対向して配設された一対の基板であるTFTアレイ基板10(素子基板)と対向基板20との間に、液晶50が挟持されてなる。TFTアレイ基板10及び対向基板20は、ガラス、石英、透光性セラミック等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材52により相互に接着されて張り合わせられている。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶50は、シール材52とTFTアレイ基板10と対向基板20とに囲まれた領域に充填されている。
本実施形態では、TFTアレイ基板10は、平面的に見て対向基板20よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、電気光学装置100を、TFTアレイ基板10の法線と平行であり、かつ対向基板20の側から見た視点であり、図1と同様の視点のことを指す。図1及び図2に示すように、TFTアレイ基板10と対向基板20とを、シール材52を介して位置決めして貼り合せた状態において、TFTアレイ基板10は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板20よりも外側に張り出した張出し部110を有している。
TFTアレイ基板10のシール材52が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張出し部110が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路101及び外部導通端子102(導通端子部)が設けられている。
外部導通端子102は、TFTアレイ基板10の張出し部110の液晶50側の表面上に露出して形成されている。外部導通端子102は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、電気光学装置100と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。外部導通端子102の最表面部は、例えばAl(アルミニウム)もしくはITO(Indium Tin Oxide)からなる導電性の膜により構成されている。
なお、外部導通端子102は、本実施例に限らず、他に例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Cu(銅)、Au(金)等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。
例えば、図示しないが、外部導通端子102上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接着剤等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、電気光学装置100と電気光学装置100を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。
枠状のシール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。すなわち、本実施形態の電気光学装置10では、画像表示領域10aの中心から見て、この額縁遮光膜53より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に設けられるものであってもよい。
走査線駆動回路104は、張出し部110が形成された一辺に隣接する2辺に沿い、かつ額縁遮光膜53に覆われた領域内に設けられている。また、TFTアレイ基板10の張出し部110が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜53に覆われた領域には、複数の配線105が設けられている。該配線105によって、二つの走査線駆動回路104は、互いに電気的に接続されている。
また、対向基板20のコーナー部の少なくとも一箇所は、TFTアレイ基板10と対向基板20との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらの上下導通材106に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材106と上下導通端子を介して、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な接続が行われる。
TFTアレイ基板10の液晶50側の表面上であり、かつ画像表示領域10a内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるTFTが積層構造を有して形成されている。図2に示すように、TFTアレイ基板10の液晶50側の表面上には、TFTに対応して複数の画素電極9aが形成されており、さらに画素電極9a上には配向膜16が形成されている。
配向膜16は、有機材料又は無機材料からなり液晶50の配向状態を規制する膜である。配向膜16が有機材料により構成される場合、配向膜16は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜16が無機材料により構成される場合、配向膜16は、例えばSiO2、SiO、MgF2等の無機材料によって構成され、TFTアレイ基板10の液晶50側の表面に対し所定の角度をもってSiO2、SiO、MgF2等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
他方、対向基板20の液晶50側の表面上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜22が形成されている。配向膜22は、配向膜16と同様に、有機材料又は無機材料からなり液晶50の配向状態を規制する膜である。配向膜22が有機材料により構成される場合、配向膜22は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜22が無機材料により構成される場合、配向膜22は、例えばSiO2、SiO、MgF2等の無機材料によって構成され、TFTアレイ基板10の液晶50側の表面に対し所定の角度をもってSiO2、SiO、MgF2等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
液晶50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜16及び22の間で、所定の配向状態をとる。
次に、図3を参照して、上述した電気光学装置100の電気的な構成について説明する。図3に示すように、本実施形態における電気光学装置100の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されている。
TFT30のゲート3aには、走査線11aが電気的に接続されている。走査線11aには、走査線駆動回路104により、走査信号G1、G2、…、Gmが、所定のタイミングで順次供給される。走査線11aを介してゲート3aに走査信号が供給されることにより、当該走査線11aに電気的に接続された複数のTFT30はON状態となる。
TFT30のソースには、画像信号が供給されるデータ線6aが電気的に接続されており、TFT30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。データ線6aには、データ線駆動回路101により、画像信号S1、S2、…、Snが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線6aに供給される画像信号S1、S2、…、Snは、走査信号が供給されることによってON状態となったTFT30に電気的に接続された画素電極9aに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。
画像信号S1、S2、…、Snが書き込まれた画素電極9aと、対向基板に形成された対向電極21との間の電位差、すなわち液晶50に印加される電圧に応じて、液晶50の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶50を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。
また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極9aには、蓄積容量70の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量70の他方の電極は、走査線11aに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線400に電気的に接続されている。
なお、上述したTFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
以下に、上述した構成を有する本実施形態の電気光学装置100の製造方法を図4から図13を参照して説明する。
図4は、大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。図5は、大判基板を分断する分断予定線を説明するための平面図である。図6は、電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。図7から図13は、図5におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
なお、各図中おいて、本実施形態の電気光学装置100の製造工程における重力の方向は特に示していない。すなわち、各図における各構成要素の配置はそれぞれの相対的な位置関係を示すものであり、重力中における上下関係を示すものではない。
本実施形態に係る電気光学装置100は、複数の電気光学装置100となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、電気光学装置100は、いわゆる大判基板から多面取りを行う方法により形成される。
概略的には、大判基板は、図4に示すように、第1の基板であるマザー基板35上に複数のTFTアレイ基板10を構成する積層構造を行列状に連なった状態で形成し、また同様に第2の基板である対向側マザー基板40上に複数の対向基板20を構成する積層構造を行列状に形成し、このマザー基板35と対向側マザー基板40とをシール材52を介して貼り合わせることにより形成される。
本実施形態では、マザー基板35は、オリエンテーションフラット(Orientation Flat:以下オリフラと略称する)35cを有するウェハ状の略円板形状を有する。以下の説明においては、マザー基板35の対向側マザー基板40と対向する面上においてオリフラ35cと平行な軸をX軸とし、また当該面上において該X軸と直交する軸をY軸とする。また、X軸及びY軸に直交する軸をZ軸とする。
マザー基板35上に形成される複数の積層構造10bは、マザー基板35の対向側マザー基板に対向する面上においてX軸及びY軸に沿う行列状に配列される。
そして、図5に示すように、複数のTFTアレイ基板10の外形に沿うようにX軸と略平行に延在する複数の第2の分断予定線130(図5中、横方向の一点鎖線により図示)と、同様にTFTアレイ基板10の外形に沿うようにY軸と略平行に延在する複数の第3の分断予定線140(図5中、縦方向の一点鎖線により図示)とにおいて、マザー基板35及び対向側マザー基板40の双方を分断すると共に、複数の対向基板20の外形に沿うようにX軸と略平行に延在する複数の第1の分断予定線120(図5中、横方向の二点鎖線により図示)において対向側マザー基板40のみを分断することで、上述した電気光学装置100が切り出される。
なお、本実施形態では、マザー基板35及び対向側マザー基板40は略円板形状のものとしているが、マザー基板35及び対向側マザー基板40の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板35及び対向側マザー基板40の少なくとも一方が構成されるものであってもよい。
以下に、本実施形態に係る電気光学装置100の製造方法の詳細を図6のフローチャートに沿って説明する。
まず、ステップS01において、図7に示すように、マザー基板35の一方の面上に、複数の積層構造10bを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で行列状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する。
ここで積層構造10bは、上述のように、TFTアレイ基板10の液晶50側表面上に形成される構成であって、配向膜16、画素電極9a、走査線11a、データ線6a、容量配線400、蓄積容量70、TFT30、外部導通端子102等を有して構成されるものである。
積層構造10bを形成する詳細の工程については、公知の液晶表示装置の製造工程と同様であるため、説明を省略する。
次に、ステップS02において、図8に示すように、複数の対向基板20となる積層構造が形成された対向側マザー基板40を、シール材52を介してマザー基板35に貼り合わせる貼り合わせ工程を実施する。ここで、対向側マザー基板40に形成されている積層構造は、対向電極21及び配向膜22からなる。
また、このステップS02においては、上記貼り合わせ工程と同時に、マザー基板35と対向側マザー基板40との間に液晶50を充填する液晶充填工程も実施する。本実施形態においては、複数の積層構造10b上にそれぞれ枠状のシール材52を形成し、該枠状のシール材52により囲まれた領域内に所定量の液晶50を滴下した後に対向側マザー基板40を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。
なお、液晶50をTFTアレイ基板10と対向基板20との間に充填する方法は、この液晶滴下方式に限られるものではなく、TFTアレイ基板10及び対向基板20が貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材52に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよく特に限定されるものではない。
次に、ステップS03において、図9に示すように、スクライブ刃により第1の分断予定線120及び第3の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40にスクライブライン121を形成し、該スクライブライン121を基点としたクラック122を生じさせて対向側マザー基板40を分断する対向基板分断工程を実施する。
ここで、第1の分断予定線120は、貼り合わされた状態のマザー基板35及び対向側マザー基板40を平面的に見た場合(図5の視点)に、対向基板20の外形の1辺を規定すると共に、張出し部110の基端側を規定する線である。
なお、対向基板分断工程において第1の分断予定線120及び第3の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する方法であってもよいし、ダイシング、エッチング等の周知の技術により切断する方法であってもよい。
次に、ステップS04において、図10に示すように、ダイシングにより第2の分断予定線130に沿って対向側マザー基板40に所定の深さの溝状部131を形成する溝形成工程を実施する。
溝状部131の深さは、対向側マザー基板40の厚さよりも小さい値であり、対向側マザー基板40が完全に切断されない厚さ、例えば100μmから500μm程度の厚さを残すように設定される。このような対向側マザー基板40を切断せずに所定の深さの溝状部131を形成するダイシングは、いわゆるハーフダイシングと称されるものである。
なお、溝形成工程において溝状部131を形成する方法は、ダイシングに限らず、レーザ照射やエッチング等の周知の技術により行われるものであってもよい。
ここで、第2の分断予定線130は、貼り合わされた状態のマザー基板35及び対向側マザー基板40を平面的に見た場合(図5の視点)に、TFTアレイ基板10のX軸に平行な2辺と対向基板20の1辺とを規定すると共に、張出し部110の先端側を規定する線である。
すなわち、張出し部110は、その先端及び基端が第1の分断予定線120及び第2の分断予定線130により規定されており、ステップS04の対向基板分断工程とステップS05の溝形成工程とによって、対向側マザー基板20における張出し部110に対向する領域である重畳部111は、クラック122と溝状部131とにより挟まれた状態となる。
次に、ステップS05において、図11に示すように、スクライブ刃により第2の分断予定線130及び第3の分断予定線140に沿ってマザー基板35にスクライブライン133を形成し、該スクライブライン133を基点としたクラック134を生じさせてマザー基板35を分断する素子基板分断工程を実施する。
この素子基板分断工程により、図12に示すように、マザー基板35及び対向側マザー基板40が貼り合わされてなる大判基板は複数の個片100aに分断される。この個片100aは、上述した電気光学装置100の構成に対して、対向基板20から重畳部111が張出し部110とは反対の方向へ延出している点が異なるものである。
なお、素子基板分断工程において第2の分断予定線130及び第3の分断予定線140に沿ってマザー基板35を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する方法であってもよいし、ダイシング、エッチング等の周知の技術により切断する方法であってもよい。
次に、ステップS06において、図13に示すように、個片100aの対向基板20から延出する重畳部111に対して、溝状部131において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部111を対向基板20から分断する重畳部分断工程を実施する。これにより、上述した電気光学装置100が大判基板から切り出される。
ここで、重畳部111を溝状部131において折り曲げる方向は、溝状部131の幅を拡開する方向(図13中、下方向)であっても、溝状部131の幅を狭くする方向(図13中、上方向)であってもよい。これは、溝状部131の底面部の厚さが比較的薄いため、どちらの方向に重畳部を折り曲げたとしても溝状部131の底面部にクラックが生じるからである。
以上に説明した電気光学装置100の製造方法では、マザー基板35と対向側マザー基板40とが貼り合わされてなる大判基板を分断し切り出した個片100aにおいて、対向基板20と重畳部111との間には所定の深さの溝状部131が形成されている。そしてこの対向基板20と重畳部111との間に溝状部131が形成されていることにより、重畳部111は、小さい力で上下方向どちらに折り曲げても対向基板20から分離される。
したがって、本実施形態においては、重畳部111は、個片100aを切り出した時点において対向基板20に固定されたままであるため、重畳部111が張出し部110上に落下してしまうことがない。
また、重畳部111は、小さい力で上下方向どちらに折り曲げても対向基板20から分離することが可能であることから、重畳部111を分断する作業中に重畳部111や重畳部111を保持する冶具等が張出し部110に接触してしまうことがない。
よって、本実施形態によれば、張出し部110を有する電気光学装置100を大判基板から切り出す場合において、張出し部110に形成されている外部接続端子102等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができるのである。
また、本実施形態では、ステップS03において対向側マザー基板40をX軸方向に分断する第1の分断予定線120と、ステップS04においてマザー基板35をX軸方向に分断する第2の分断予定線130とを、平面的に見て張出し部110の基端側と先端側に配設している。
このため、重畳部111は張出し部110とは反対の方向に延出するように、個片110aは大判基板から切り出される。よって、本実施形態によれば、ステップS06における重畳部111の分断作業は張出し部110から離れた箇所において実施することができるため、より効果的に張出し部110に重畳部111や冶具が接触することを防止しすることができ、外部接続端子102等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することが可能となる。また、重畳部111を分断する際の作業の自由度があがり、かつ容易となるため、生産性を向上させることも可能である。
なお、上述した実施形態において、図9に示したステップS03の対向基板分断工程と、図10に示したステップS04の溝形成工程との実施順序は逆であってもよい。
すなわち、対向側マザー基板40にダイシングにより第2の分断予定線130に沿って所定の深さの溝状部131を形成した後に、第1の分断予定線120及び第3の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40を分断してもよい。
このように、対向基板分断工程よりも先に溝形成工程を実施する電気光学装置の製造方法においても、上述した実施形態と同様の状態で大判基板は個片100aに分断されるため、上述した効果が得られる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態について、図14から図18を参照して説明する。図14から図18は、第2の実施形態に係る各工程を順を追って説明する図である。
以下、本発明の第2の実施形態について、図14から図18を参照して説明する。図14から図18は、第2の実施形態に係る各工程を順を追って説明する図である。
第2の実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、第1の実施形態に対してフローチャートは同一であるがステップS03以降の格工程の詳細が異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第1の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
第2の実施形態では、ステップS03において、図14に示すように、スクライブ刃により第2の分断予定線130及び第3の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40にスクライブライン135を形成し、該スクライブライン135を基点としたクラック136を生じさせて対向側マザー基板40を分断する対向基板分断工程を実施する。
次に、ステップS04において、図15に示すように、ダイシングにより第1の分断予定線120に沿って対向側マザー基板40に所定の深さの溝状部123を形成する溝形成工程を実施する。
溝状部131の深さは、対向側マザー基板40の厚さよりも小さい値であり、対向側マザー基板40が完全に切断されない厚さ、例えば100μmから500μm程度の厚さを残すように設定される。
次に、ステップS05において、図16に示すように、スクライブ刃により第2の分断予定線130及び第3の分断予定線140に沿ってマザー基板35にスクライブライン137を形成し、該スクライブライン137を基点としたクラック138を生じさせてマザー基板35を分断する素子基板分断工程を実施する。
この素子基板分断工程により、図17に示すように、マザー基板35及び対向側マザー基板40が貼り合わされてなる大判基板は複数の個片100bに分断される。この個片100bは、上述した電気光学装置100の構成に対して、対向基板20から重畳部111が張出し部110と同一の方向へ延出している点が異なる。
次に、ステップS06において、図18に示すように、個片100bの対向基板20から延出する重畳部111に対して、溝状部123において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部111を対向基板20から分断する重畳部分断工程を実施する。これにより、上述した電気光学装置100が大判基板から切り出される。
ここで、重畳部111を溝状部131において折り曲げる方向は、溝状部123の幅を狭くする方向(図18中、上方向)であることが好ましい。
以上に説明した第2の実施形態の電気光学装置100の製造方法では、マザー基板35と対向側マザー基板40とが貼り合わされてなる大判基板を分断し切り出した個片100bにおいて、対向基板20と重畳部111との間には所定の深さの溝状部123が形成されている。そしてこの対向基板20と重畳部111との間に溝状部123が形成されていることにより、重畳部111は、小さい力で張出し部110から離間する方向へ折り曲げることにより対向基板20から分離される。
したがって、本実施形態においては、重畳部111は、個片100bを切り出した時点において対向基板20に固定されたままであるため、重畳部111が張出し部110上に落下してしまうことがない。
また、重畳部111は、張出し部110から離間する方向へ小さい力を加えることで対向基板20から分離することが可能であることから、重畳部111を分断する作業中に重畳部111や重畳部111を保持する冶具等が誤って張出し部110に接触してしまうことを防止できる。
よって、本実施形態によれば、上述した第1の実施形態と同様に張出し部110を有する電気光学装置100を大判基板から切り出す場合において、張出し部110に形成されている外部接続端子102等のパターンに損傷を与えてしまうことを防止することができるのである。
なお、上述した実施形態において、図14に示したステップS03の対向基板分断工程と、図15に示したステップS04の溝形成工程との実施順序は逆であってもよい。
すなわち、対向側マザー基板40にダイシングにより第2の分断予定線130に沿って所定の深さの溝状部131を形成した後に、第1の分断予定線120及び第3の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40を分断してもよい。
このように、対向基板分断工程よりも先に溝形成工程を実施する電気光学装置の製造方法においても、上述した実施形態と同様の状態で大判基板は個片100bに分断されるため、上述した効果が得られる。
なお、上述した本発明の第1の実施形態及び第2の実施形態においては、対向側マザー基板40に加工を施す工程(ステップS03及びステップS04)を、マザー基板35に加工を施す工程(ステップS05)に先立って実施しているが、マザー基板35に加工を施す工程を先に実施したとしても上述した効果が得られることは言うまでもない。
なお、上述した本発明の第1の実施形態及び第2の実施形態においては、マザー基板35及び対向側マザー基板40からなる大判基板から複数の電気光学装置100が切り出されるものとして説明しているが、本発明はこのようないわゆる多面取りにおける基板の分断に限らず、電気光学装置の外形が所定の形状となるように基板周囲を分断する場合にも適用可能である。
また、上述の実施形態では、TFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを電気光学装置100として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス駆動方式(単純マトリクス駆動方式とも称される)を採用した電気光学装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の電気光学装置に限られるものではなく、反射型、半透過半反射型又は自発光型等の電気光学装置にも本発明を適用可能である。
例えば、本発明は、LCOS(Liquid Crystal On Silicon)、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、FED(Field Emission Display)装置、SED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置の製造方法に適用できる。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
10 TFTアレイ基板、 20 対向基板、 100 個片、 102 外部導通端子、 110 張出し部、 111 重畳部、 131 溝状部
Claims (5)
- 素子基板と対向基板とが貼り合わされてなり前記素子基板は前記対向基板側から見て前記対向基板よりも外部方向へ延出した張出し部を有する電気光学装置を、前記素子基板が複数構成された第1の基板と、前記対向基板が複数形成された第2の基板とが貼り合わされてなる大判基板から切り出して得る電気光学装置の製造方法であって、
前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第2の基板の前記張出し部に対向する領域である重畳部を前記張出し部の基端側において規定する第1の分断予定線と、前記重畳部を前記張出し部の先端側において規定する第2の分断予定線とのいずれか一方に沿って前記第2の基板を分断する対向基板分断工程と、
前記第1の分断予定線及び前記第2の分断予定線のうちの他方に沿って前記第2の基板に所定の深さの溝状部を形成する溝形成工程と、
前記第1の基板を前記複数の素子基板に分断する素子基板分断工程と、
前記溝状部を基点としたクラックを生じせしめ前記対向基板と前記重畳部とを分断する重畳部分断工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記対向基板分断工程において、前記第1の分断予定線に沿って前記第2の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第2の分断予定線に沿って前記第2の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記対向基板分断工程において、前記第2の分断予定線に沿って前記第2の基板を分断し、前記溝形成工程において前記第1の分断予定線に沿って前記第2の基板に所定の深さの切り込み溝を形成することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記対向基板分断工程及び前記素子基板分断工程においては、スクライブ法により前記第2の基板及び前記第1の基板を分断することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする電気光学装置。
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JP2008012301A JP2009175307A (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
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Cited By (2)
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WO2013001771A1 (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
CN105785615A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-07-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种基板的切割方法及装置 |
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2008
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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