JP2012150437A - 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイのアレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明はTFT−LCDアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。
【選択図】図1
Description
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 半導体層
5 ドップされた半導体層
6 ソース電極
7 ドレイン電極
8 パッシベーション層
9 ブラックマトリクス
11 ゲートライン
12 データライン
13 画素電極
14 共通電極
20 フォトレジスト
21 透明導電性薄膜
22 ブラックマトリクス金属薄膜
Claims (19)
- ベース基板と、
ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインと、
導電性材料により製造されるブラックマトリクスと、
を含む薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板であって、
それぞれの前記画素領域内には、画素電極と、薄膜トランジスタと、前記画素電極と共に多次元空間複合電場を形成する共通電極とが設置され、
前記ブラックマトリクスは前記共通電極と電気接続される
ことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。 - 前記薄膜トランジスタはゲート電極と、活性層と、ソース電極とドレイン電極とを含み、パッシベーション層は、ベース基板の全体を覆うように前記薄膜トランジスタ上に形成される、請求項1に記載された薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記共通電極は順次並べられた複数の電極ストリップを含み、前記パッシベーション層上に形成され、前記ブラックマトリクスは前記パッシベーション層と前記共通電極上に形成される請求項2に記載された薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記共通電極とブラックマトリクスは同一なパターニング加工工程により形成される請求項3に記載された薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスは前記パッシベーション層上に形成され、前記共通電極は順次並べられた複数の電極ストリップを含み、前記ブラックマトリクス上に形成される請求項2記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスと共通電極はそれぞれのパターニング加工工程により形成される請求項5記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスは前記ゲートライン及び/あるいはデータラインの上方に位置する部分を含む請求項1記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスは前記薄膜トランジスタの上方に位置する部分を含む請求項7記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスの表面に防反射層が設置されている請求項7記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスは金属薄膜材料により製造される請求項1記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- 前記ブラックマトリクスはカーボンナノチューブ材料により製造される請求項1記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- ブラックマトリクスを構成する前記導電性材料の導電性は共通電極の導電性より強い請求項1記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板。
- ベース基板上にゲートライン、データライン、画素電極と薄膜トランジスタを形成するステップ1と、
前記ステップ1を完了したベース基板上に共通電極とブラックマトリクスを形成し、前記ブラックマトリクスと前記共通電極を電気的に接続させるステップ2と、
を含む薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。 - ベース基板上にゲートライン、データライン、画素電極と薄膜トランジスタを形成する工程は、
ベース基板上にゲート金属薄膜を堆積し、該ゲート金属薄膜をパターニングしゲートラインとゲート電極を形成するステップと、
ベース基板上にゲート絶縁層、半導体薄膜とドップされた半導体薄膜を順次堆積し、パターニング加工により薄膜トランジスタの活性層を形成するステップと、
ベース基板上に透明導電性薄膜を堆積し、該透明導電性薄膜をパターニングし画素電極を形成するステップと、
ベース基板上にソース・ドレイン金属薄膜を堆積し、該ソース・ドレイン金属薄膜をパターニングしデータラインとソース電極、ドレイン電極及びTFTチャネル領域を形成するステップとを含み、
前記活性層は半導体層とドップされた半導体層の積層を含み、ゲート絶縁層上に形成されゲート電極の上方に位置し、
前記ソース電極の一端は活性層上に位置し、他端はデータラインと接続され、前記ドレイン電極の一端は活性層上に位置し、他端は画素電極と直接接続され、前記ソース電極とドレイン電極の間にチャネル領域が形成される、
請求項13記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。 - 共通電極とブラックマトリクスを形成する工程は、
前記ステップ1が完了したベース基板上に、パッシベーション層と透明導電性薄膜を順次堆積し、該透明導電性薄膜をパターニングし、複数の電極ストリップを順次並べられた共通電極を形成ステップと、
共通電極が完成したベース基板上にブラックマトリクス導電性薄膜を堆積し、該ブラックマトリクス導電性薄膜をパターニングし共通電極と接続されるブラックマトリクスを形成するステップと、
を含む請求項13記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。 - 共通電極とブラックマトリクスを形成する工程は、
前記ステップ1が完了したベース基板上に、まずパッシベーション層を堆積し、その後透明導電性薄膜とブラックマトリクス導電性薄膜を順次堆積するステップと、
ブラックマトリクス導電性薄膜上に一層のフォトレジストを塗布するステップと、
ハーフトーンまたはグレートーンマスクを用いフォトレジストに露光を施し、露光後のフォトレジストは、ブラックマトリクスパターンが位置する領域に対応したフォトレジスト完全保留領域、共通電極パターンが位置する領域に対応したフォトレジスト一部保留領域、前記パターン以外の領域に対応したフォトレジスト完全除去領域、を形成するステップと、
第一回エッチングによりフォトレジスト完全除去領域のブラックマトリクス導電性薄膜と透明導電性薄膜をエッチングして除去し、ブラックマトリクスを形成するステップと、
アッシングによりフォトレジスト一部保留領域のフォトレジストを除去し、該領域のブラックマトリクス導電性薄膜を露出させるステップと、
第二回エッチングによりフォトレジスト一部保留領域のブラックマトリクス導電性薄膜を完全にエッチングにより除去し、共通電極を形成するステップと、
残留したフォトレジストを剥離するステップと、
を含む請求項13記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。 - 共通電極とブラックマトリクスを形成する工程は、
前記ステップ1が完了したベース基板上にパッシベーション層とブラックマトリクス導電性薄膜を堆積し、該ブラックマトリクス導電性薄膜をパターニングしブラックマトリクスを形成するステップと、
ブラックマトリクスが完成したベース基板上に透明導電性薄膜を堆積し、該透明導電性薄膜をパターニングし、複数の順次並べられた電極ストリップを含むとともにブラックマトリクスと電気接続される共通電極を形成するステップと、
を含む請求項13記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。 - 前記ブラックマトリクス導電性薄膜は、金属薄膜材料あるいはカーボンナノチューブ材料である請求項13記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。
- 前記ブラックマトリクスを構成する導電性薄膜材料の導電性は共通電極の導電性より強い請求項13記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイアレイ基板製造方法。
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