KR100539623B1 - 버텀 게이트형 폴리 실리콘 박막트랜지스터 소자의 제조방법 - Google Patents
버텀 게이트형 폴리 실리콘 박막트랜지스터 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막, 비정질 실리콘층을 차례대로 형성하는 단계와;상기 게이트 전극에 대응하는 비정질 실리콘층 영역을 제 1 영역으로 정의하고, 상기 비정질 실리콘층의 제 1 영역을 선택적으로 결정화하여, 상기 제 1 영역에 폴리 실리콘층을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층의 식각 속도가 폴리 실리콘층의 식각 속도 보다 더 빠른 식각 조건에 의해, 상기 비정질 실리콘층을 제거하고, 상기 제 1 영역에 폴리 실리콘층으로 이루어진 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 상부에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층을 형성하는 단계에서는, 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층을 차례대로 형성하는 단계인 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 반도체층은, 순수 폴리 실리콘 물질로 이루어진 액티브층과, 불순물 폴리 실리콘 물질로 이루어진 오믹콘택층이 차례대로 적층된 구조로 이루어지는 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 불순물 비정질 실리콘층의 두께치는 오믹콘택층의 두께치보다 큰값을 가지는 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층에 대한 폴리 실리콘층의 식각 선택비는 0.6 ~ 0.8인 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택적으로 결정화하는 단계는, 레이저 에너지를 이용한 결정화 단계인 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택적 결정화 단계는, 상기 게이트 전극과 동일 단계에서 동일 물질로 이루어지며, 상기 기판의 주변부에 위치하는 얼라인 키를 기준으로 이루어지는 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 따른 제조 방법에 따라 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극이 형성된 제 1 기판과;상기 제 1 기판과 대향되게 배치되며, 공통 전극이 형성된 제 2 기판과;상기 제 1, 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정표시장치.
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