JP2012147587A - 半導体回路、電池監視システム、診断プログラム、及び診断方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放電回路51の均等化スイッチング素子SWnの均等化機能の診断を行う場合は、イニシャライズ動作により、比較回路26のコンデンサC1に信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差が充電された状態にし、かつコンデンサC2に信号線Vn−1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差が充電された状態にする。比較動作では、信号線DVnと信号線Lcとを接続し、コンデンサC1、C2に電圧DVnが入力されるようにする。均等化処理を行っていない場合は、出力OUT=Lレベルならば、正常に機能していると診断し、出力OUT=Hレベルならば、故障であると診断する。均等化処理を行っている場合は、出力OUT=Hレベルならば、正常に機能していると診断し、出力OUT=Lレベルならば、故障であると診断する。
【選択図】図2
Description
12 電池セル群
13 放電部
14、40 半導体回路
26 比較回路(チョッパ型コンパレータ)
22 診断回路
23 記憶部
24 スイッチング素子
42 基準電圧生成回路
44 分割抵抗
51 放電回路
IH 電圧調整部
Claims (10)
- 直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、
を備えた半導体回路。 - 前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた、請求項1に記載の半導体回路。
- 前記閾値電圧は、前記第1コンデンサの静電容量と、前記第2コンデンサの静電容量とに応じて定められる、請求項2に記載の半導体回路。
- 各前記第1信号線と前記比較手段とを接続する第1スイッチング素子と、
各前記第2信号線と前記比較手段とを接続する第2スイッチング素子と、
を備えた請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体回路。 - 前記比較手段の比較結果に基づいて、前記放電手段の異常を診断する診断手段を備えた請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体回路。
- 基準電圧生成手段と、
前記基準電圧生成手段により生成された電圧から所定の割合の電圧を生成する生成手段と、
接地電位を供給する接地手段と、
を備え、
前記比較手段は、さらに、前記基準電圧生成手段で生成された電圧と接地電位に応じた電圧との差に応じて設定される閾値電圧と、前記生成手段で生成された前記所定の割合の電圧とを比較する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体回路。 - 前記比較手段の比較結果に基づいて、前記比較手段の異常を検出する検出手段を備えた請求項6に記載の半導体回路。
- 直列に接続された複数の電池と、
前記複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段と、
前記請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体回路と、
を備えた電池監視システム。 - 直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備え前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた半導体回路の前記放電手段を診断する処理をコンピュータに実行させるための診断プログラムであって、
前記第1コンデンサに、前記第1信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電するステップと、
前記第2コンデンサに、前記第2信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電するステップと、
前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧を入力させるステップと、
前記比較手段から比較結果を出力するステップと、
を備えた処理をコンピュータに実行させるための診断プログラム。 - 直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備え前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた半導体回路の前記放電手段を診断する診断方法であって、
前記第1コンデンサに、前記第1信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電する工程と、
前記第2コンデンサに、前記第2信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電する工程と、
前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧を入力させる工程と、
前記比較手段から比較結果を出力する工程と、
を備えた診断方法。
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