JP2012054324A - 窒化物系半導体装置 - Google Patents
窒化物系半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012054324A JP2012054324A JP2010194279A JP2010194279A JP2012054324A JP 2012054324 A JP2012054324 A JP 2012054324A JP 2010194279 A JP2010194279 A JP 2010194279A JP 2010194279 A JP2010194279 A JP 2010194279A JP 2012054324 A JP2012054324 A JP 2012054324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor device
- nitride
- electrode
- based semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】AlGaN層20上に形成されたショットキー電極22が、正孔をソース電極30に流す(輸送する)ため、ゲート絶縁膜24、特にトレンチ部23のコーナー部に集中して電圧が印加されることがなくなる。
【選択図】図1
Description
12 ドレイン電極
14 基板
16 ドリフト層
18 ウェル層
19 2DEG層
20 AlGaN層
22 ショットキー電極
23 トレンチ部
24 ゲート絶縁膜
28 ゲート電極
30 ソース電極
Claims (5)
- 第1導電型の基板と、
前記基板の裏面に形成されたドレイン電極と、
前記基板の主面に形成され、かつ一部がメサ形状の凸部を有し、前記基板よりも不純物濃度が低い第1導電型の窒化ガリウム系半導体より成るドリフト層と、
前記ドリフト層上の前記凸部の側面に接触して該凸部を囲むように形成された、第2導電型の窒化ガリウム系半導体より成るウェル層と、
前記ドリフト層と前記ウェル層との上に形成された、AlxGa1−xN(0≦x<1)より成る電子供給層と、
前記電子供給層の表面から前記ウェル層に至る領域に形成されたトレンチの内部を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記電子供給層の上に形成され、かつソース電極に接続されて前記ソース電極にキャリアを輸送するためのキャリア輸送用電極と、
を備えた窒化物系化合物半導体装置。 - 前記キャリア輸送用電極は、前記電子供給層とショットキー接合されている、請求項1に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記キャリア輸送用電極は、前記ドリフト層にショットキー接触する金属から成る、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記キャリア輸送用電極は、第2導電型のAlxGa1−xN(0≦x<1)である、請求項1に記載の半導体装置。
- 少なくとも前記トレンチの底部の角部分から外周部分に沿って前記ソース電極に至るまでの領域に形成された、高濃度の第1導電型領域を備えた、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010194279A JP5545653B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 窒化物系半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010194279A JP5545653B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 窒化物系半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012054324A true JP2012054324A (ja) | 2012-03-15 |
JP5545653B2 JP5545653B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=45907372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010194279A Expired - Fee Related JP5545653B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 窒化物系半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5545653B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5907582B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-04-26 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
JPWO2017073047A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP2018133444A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化物半導体装置 |
WO2019163075A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10256532A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2002359378A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005203753A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-28 | Internatl Rectifier Corp | トレンチ構造を有するiii族窒化物半導体装置 |
JP2006190807A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Hitachi Ltd | シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ |
JP2008010781A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toyota Motor Corp | Iii族窒化物半導体装置とその製造方法 |
US20090068803A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for making an integrated circuit including vertical junction field effect transistors |
JP2009094337A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-08-31 JP JP2010194279A patent/JP5545653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10256532A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2002359378A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005203753A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-28 | Internatl Rectifier Corp | トレンチ構造を有するiii族窒化物半導体装置 |
JP2006190807A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Hitachi Ltd | シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ |
JP2008010781A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toyota Motor Corp | Iii族窒化物半導体装置とその製造方法 |
US20090068803A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for making an integrated circuit including vertical junction field effect transistors |
JP2009094337A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5907582B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-04-26 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
US9570436B2 (en) | 2012-06-20 | 2017-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor device |
JPWO2017073047A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP2018133444A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化物半導体装置 |
CN108470767A (zh) * | 2017-02-15 | 2018-08-31 | 丰田自动车株式会社 | 氮化物半导体器件 |
WO2019163075A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2019163075A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2020-08-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN111712925A (zh) * | 2018-02-23 | 2020-09-25 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
CN111712925B (zh) * | 2018-02-23 | 2023-07-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5545653B2 (ja) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9818835B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4755961B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
TWI400801B (zh) | 半導體元件 | |
US8928003B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
JP4737471B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8390029B2 (en) | Semiconductor device for reducing and/or preventing current collapse | |
US8519439B2 (en) | Nitride semiconductor element with N-face semiconductor crystal layer | |
JP5578873B2 (ja) | 窒化ガリウム半導体装置及びその製造方法 | |
WO2017138505A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5691267B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8258544B2 (en) | Field-effect transistor | |
JP2011181743A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2008034438A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015032675A (ja) | 半導体装置 | |
WO2014174550A1 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
US9680001B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
JP2008016588A (ja) | GaN系半導体素子 | |
JP6562359B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4815020B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5548906B2 (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
WO2012144100A1 (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
JP5545653B2 (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
JP2011142358A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5549081B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2013239735A (ja) | 電界効果トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131224 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140408 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140416 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5545653 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |