JP2011529136A - 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと、前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含んで、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生する対称的な形状を有することを特徴とする。本発明の多重基板処理チャンバーは、内部処理空間がパーテーション部材との結合によって、対称的な形状を有するので処理反応が内部処理空間の全領域にかけ均一に発生して基板処理工程の再現性と均一性を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
Claims (16)
- 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含み、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生するように対称的な形状を有することを特徴とする多重基板処理チャンバー。
- 前記チャンバーハウジングは、所定曲率を有する第一曲面を含み、前記パーテーション部材は前記第一曲面と同じ曲率の第二曲面を含み、前記第一曲面と前記第二曲面が結びついて、対称的な円になることを特徴とする請求項1記載の多重基板処理チャンバー。
- 前記チャンバーハウジングは、相互結びつく複数のハウジングを含むことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の多重基板処理チャンバー。
- 前記チャンバーハウジングは、基板支持ステーションが具備される中間ハウジングと前記中間ハウジングの上部に結びついて第一曲面が形成される上部ハウジングおよび前記中間ハウジングの下部に結びつく下部ハウジングとを含むことを特徴とする請求項3記載の多重基板処理チャンバー。
- パーテーション部材により区切られる複数の内部処理空間を有する少なくとも一つの多重基板処理チャンバーと前記少なくとも一つの多重基板処理チャンバーが枠領域に配置される移送チャンバーおよび前記移送チャンバーに具備され、前記多重基板処理チャンバーの内部処理空間に基板を移送する基板移送ユニットとを含むことを特徴とする多重基板処理システム。
- 前記内部処理空間は、前記パーテーション部材と結びついて均一な反応が発生する対称的形状を有することを特徴とする請求項5記載の多重基板処理システム。
- 前記移送チャンバーは、多角形の形状で具備され、前記多重基板処理チャンバーは前記移送チャンバーの各辺に具備されることを特徴とする請求項5又は請求項6記載の多重基板処理システム。
- 前記基板移送ユニットは、回動自在に具備されるスピンドルと、待機位置と前記基板を前記多重基板処理チャンバーに積載する移送位置の間を折りたたみ自在に動き、かつ前記スピンドルに連結している移送アームと、前記移送アームの端部領域に結びついて前記移送位置で前記多重基板処理チャンバーの複数の内部処理空間に各々位置される複数のエンドエフェクタを有するエンドエフェクタ部を含むことを特徴とする請求項7記載の多重基板処理システム。
- 前記移送アームは、前記待機位置から前記エンドエフェクタ部が前記移送チャンバーの中心領域へと移動させるよう具備されることを特徴とする請求項8記載の多重基板処理システム。
- 前記エンドエフェクタ部は、前記移送アームに回動自在に結びつくことを特徴とする請求項9記載の多重基板処理システム。
- 前記基板移送ユニットは、前記基板を前記多重基板処理チャンバーにローディングするロディン用基板移送ユニットと、前記基板を前記多重基板処理チャンバーからアンローディングするアンローディン用基板移送ユニットを含むことを特徴とする請求項10記載の多重基板処理システム。
- 基板支持部が具備される複数の内部処理空間と、ガス供給源から前記複数の内部処理空間に供給されるガスの供給比を制御する第一ガス供給比制御部と、前記第一ガス供給比制御部と前記各内部処理空間の間に具備され、前記内部処理空間に供給されるガスを前記内部処理空間の少なくとも二個以上の分割された領域に分割して供給する第二ガス供給比制御部を含むことを特徴とする多重基板処理チャンバー。
- 前記第二ガス供給比制御部は、前記内部処理空間の中心領域と枠領域とでガスを分割して供給することを特徴とする請求項12記載の多重基板処理システム。
- 前記第二ガス供給比制御部は前記中心領域と前記枠領域に供給されるガスの量に差異があるようにガス供給比を制御することを特徴とする請求項13記載の多重基板処理システム。
- 前記複数の内部処理空間のガスが排気される共通排気チャンネルと、前記第一ガス供給比制御部と前記第二ガス供給比制御部の間に具備され、前記内部処理空間に供給されるガスの経路を前記共通排気チャンネルに迂回させるバイパス調節部とをさらに含むことを特徴とする請求項12乃至請求項15のいずれか一項に記載の多重基板処理チャンバー。
- 前記バイパス調節部は、前記第一ガス供給比制御部と前記第二ガス供給比制御部の間に具備され、前記内部処理空間でのガス供給の有無を管理する第一開閉バルブと、前記第一ガス供給比制御部と前記共通排気チャンネルの間に具備され、前記共通排気チャンネルでのガス供給の有無を取り締まる第二開閉バルブとを含むことを特徴とする請求項15記載の多重基板処理チャンバー。
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