KR20230068363A - 멀티-스테이션 프로세싱 모듈들을 위한 리브 커버 (rib cover) - Google Patents

멀티-스테이션 프로세싱 모듈들을 위한 리브 커버 (rib cover) Download PDF

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KR20230068363A
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KR
South Korea
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rib
cover
processing module
rib cover
channel
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KR1020227044524A
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키이스 조셉 마틴
토드 슈로더
케빈 엠. 맥라우글린
주위안 니에
지아링 양
치 와이 우
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

일부 예들에서, 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치된 (dispose) 리브 (rib) 를 갖는 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 위한 리브 커버 (rib cover) 가 제공된다. 예시적인 리브 커버는 리브 상에 리브 커버를 지지하기 위한 제 1 부분, 리브 커버가 피팅될 (fit) 때 리브의 제 1 벽을 커버하기 위한 제 1 측면 차폐부, 및 리브 커버의 내측 표면을 커버된 리브로부터 이격되게 (away from) 홀딩하기 위한 적어도 하나의 스페이서를 포함한다.

Description

멀티-스테이션 프로세싱 모듈들을 위한 리브 커버 (rib cover)
본 개시는 일반적으로 멀티-스테이션 기판 프로세싱 모듈을 위한 리브 커버 (rib cover) 에 관한 것이고, 보다 구체적으로 쿼드 스테이션 프로세싱 모듈 (quad station processing module; QSM) 을 위한 리브 커버에 관한 것이다.
쿼드 스테이션 프로세싱 모듈 (quad station processing module; QSM) 의 진공 챔버들 내 일부 기판 프로세스들에서, 인접한 프로세싱 챔버들 사이에서 연장하는 챔버 리브들에 가장 가까운 기판의 에지들을 따라 고 결함 수 (high defect count) 가 관찰될 수도 있다. 챔버 리브의 표면 상의 증착은 증착된 재료의 박리 또는 플레이킹을 통해 웨이퍼와 같은 기판의 표면에 재분배될 수 있다. 이 폴 아웃 (fallout) 은 웨이퍼 상의 결함 또는 입자 분포로서 관찰될 수 있다.
현재, 이러한 파편들 (debris) 을 제거하기 위해, 특정한 수의 웨이퍼 배치들 (batches) 을 프로세싱한 후 인 시츄 (in situ) 챔버 세정이 수행된다. 일부 예들에서, 세정들 사이의 웨이퍼 배치들의 수는 시간당 웨이퍼들의 쓰루풋 (throughput) 타깃들에 대한 컴플라이언스 (compliance) 를 허용하기에는 너무 적다. 챔버 세정들 사이의 시간을 연장하는 것은 웨이퍼 쓰루풋을 증가시킬 수도 있다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제시하기 위한 것이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
우선권 주장
본 출원은 2020년 9월 14일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 63/078,302 호의 우선권의 이익을 주장하고, 이는 전체가 본 명세서에 참조로서 인용된다.
일부 예들에서, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 위한 리브 커버 (rib cover) 가 제공된다. 프로세싱 모듈은 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치된 (dispose) 리브를 갖는다. 예시적인 리브 커버는 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 리브 상에 리브 커버를 지지하도록 구성된 제 1 부분; 리브의 제 1 벽을 커버하도록 구성된 제 1 측면 차폐부; 및 리브로부터 이격되게 리브 커버의 제 1 표면을 홀딩하도록 구성된 적어도 하나의 스페이서를 포함한다.
일부 예들에서, 리브 커버는 리브 커버가 리브에 피팅될 때 (fit) 리브의 제 2 벽을 커버하도록 제 2 측면 차폐부를 더 포함한다.
일부 예들에서, 리브 커버의 상부 부분 및 제 1 측면 차폐부 및 제 2 측면 차폐부는 리브 커버를 위한 채널을 규정한다.
일부 예들에서, 채널은 플레어된 마우스 (flared mouth) 를 포함한다.
일부 예들에서, 리브와 플레어된 마우스의 인게이지먼트 (engagement) 는 프로세싱 모듈에 대한 리브 커버의 방사상 이동을 방지한다.
일부 예들에서, 채널은 중력 하에서만 리브 상에 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성된다.
일부 예들에서, 적어도 하나의 스페이서는 채널 내에 위치되고, 채널은 슬라이딩 핏 (sliding fit) 에 의해 또는 적어도 하나의 스페이서와 리브 사이의 마찰 인게이지먼트에 의해 리브 상에 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성된다.
일부 예들에서, 적어도 하나의 스페이서는 리브 커버와 리브 사이의 열적 콘택트를 최소화하도록 구성된다.
일부 예들에서, 리브 커버와 리브 사이의 분리 거리는 0.05 내지 0.50 인치 (대략 1.27 내지 12.7 ㎜) 의 범위이다.
일부 예들에서, 리브 커버 또는 채널의 단면 두께는 0.25 내지 0.70 인치 (대략 6.35 내지 17.78 ㎜) 의 범위이다.
일부 예들에서, 리브 커버의 적어도 제 2 부분은 세라믹 재료를 포함한다.
일부 예들에서, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈은 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치된 리브를 갖는다. 예시적인 프로세싱 모듈은 리브 커버를 포함한다. 예시적인 리브 커버는 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 리브 상에 리브 커버를 지지하도록 구성된 제 1 부분; 리브의 제 1 벽을 커버하도록 구성된 제 1 측면 차폐부; 및 리브로부터 이격되게 리브 커버의 제 1 표면을 홀딩하도록 구성된 적어도 하나의 스페이서를 포함한다.
일부 예들에서, 리브 커버는 리브 커버가 리브에 피팅될 때 리브의 제 2 벽을 커버하도록 제 2 측면 차폐부를 더 포함한다.
일부 예들에서, 리브 커버의 제 1 부분 및 제 1 측면 차폐부 및 제 2 측면 차폐부는 리브 커버를 위한 채널을 규정한다.
일부 예들에서, 채널은 플레어된 마우스를 포함한다.
일부 예들에서, 리브와 플레어된 마우스의 인게이지먼트는 프로세싱 모듈에 대한 리브 커버의 방사상 이동을 방지한다.
일부 예들에서, 채널은 중력 하에서만 리브 상에 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성된다.
일부 예들에서, 적어도 하나의 스페이서는 채널 내에 위치되고, 채널은 슬라이딩 핏에 의해 또는 적어도 하나의 스페이서와 리브 사이의 마찰 인게이지먼트에 의해 리브 상에 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성된다.
일부 예들에서, 적어도 하나의 스페이서는 리브 커버와 리브 사이의 열적 콘택트를 최소화하도록 구성된다.
일부 예들에서, 리브 커버와 리브 사이의 분리 거리는 0.05 내지 0.50 인치 (대략 1.27 내지 12.7 ㎜) 의 범위이다.
일부 예들에서, 리브 커버 또는 채널의 단면 두께는 0.25 내지 0.70 인치 (대략 6.35 내지 17.78 ㎜) 의 범위이다.
일부 예들에서, 리브 커버의 적어도 제 2 부분은 세라믹 재료를 포함한다.
일부 예들에서, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 동작시키는 방법이 제공된다. 예시적인 프로세싱 모듈은 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치된 리브를 갖는다. 예시적인 방법은 리브를 위한 리브 커버를 제공하는 단계로서, 리브 커버는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 리브 상에 리브 커버를 지지하도록 구성된 제 1 부분으로서, 리브는 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치되는, 제 1 부분; 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들의 제 1 프로세싱 챔버의 벽의 일부를 커버하기 위한 제 1 측면 차폐부; 및 프로세싱 모듈의 제 1 프로세싱 챔버의 벽의 표면으로부터 이격되게 제 1 부분의 제 1 표면, 또는 제 1 측면 차폐부의 표면을 홀딩하도록 구성된 적어도 하나의 스페이서를 포함하는, 리브를 위한 리브 커버를 제공하는 단계; 및 리브 커버를 리브에 피팅하는 단계를 포함한다.
일부 예들에서, 방법은 프로세싱 모듈의 프로세싱 사이클들 사이에 리브 커버로부터 잔여 증착물을 제거하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예들은 첨부된 도면의 도면들에 제한이 아니라 예로서 예시된다.
도 1 내지 도 5는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 기판 프로세싱 툴들의 개략도들을 도시한다.
도 6은 본 개시의 예들이 채용될 수도 있는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략도를 도시한다.
도 7은 예시적인 실시 예에 따른, 개방된 쿼드 스테이션 프로세싱 모듈 (quad station processing module; QSM) 의 그림도를 도시한다.
도 8a 및 도 8b는 예시적인 실시 예에 따른, 리브 커버의 상부 도면 및 하부 도면을 도시한다.
도 9는 예시적인 실시 예들에 따른, 예시적인 웨이퍼-상 입자 분포들을 예시하는 QSM의 개략도를 도시한다.
도 10은 일부 예들에 따른, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 동작시키는 예시적인 방법의 동작들을 도시한다.
이하의 기술 (description) 은 본 개시 (disclosure) 의 예시적인 실시 예들을 구현하는 시스템들, 방법들, 기법들, 인스트럭션 시퀀스들 및 컴퓨팅 머신 프로그램 제품들을 포함한다. 이하의 기술에서, 설명의 목적들을 위해, 예시적인 실시 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적 상세들이 제시된다. 그러나, 당업자에게 본 개시가 이들 구체적 상세들 없이 실시될 수도 있다는 것이 분명할 것이다.
이제 도 1을 참조하면, 예시적인 기판 프로세싱 툴 (100) 의 평면도 (top-down view) 가 도시된다. 기판 프로세싱 툴 (100) 은 복수의 프로세스 모듈들 (102) 을 포함한다. 일부 예들에서, 프로세스 모듈들 (102) 각각은 기판 상에서 하나 이상의 각각의 프로세스들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 프로세싱될 기판들은 EFEM (equipment front end module) (104) 의 로딩 스테이션의 포트들을 통해 기판 프로세싱 툴 (100) 내로 로딩되고 그리고 이어서 하나 이상의 프로세스 모듈들 (102) 내로 이송된다. 예를 들어, 기판은 프로세스 모듈들 (102) 각각에 연속적으로 로딩될 수도 있다.
이제 도 2를 참조하면, 복수의 기판 프로세싱 툴들 (204) 을 포함하는 제조실 (202) 의 예시적인 배치 (arrangement) (200) 가 도시된다.
도 3은 제 1 기판 프로세싱 툴 (302) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (304) 을 포함하는 제 1 예시적인 구성 (300) 을 도시한다. 제 1 기판 프로세싱 툴 (302) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (304) 은 순차적으로 배치되고 그리고 진공 하 (under vacuum) 인, 이송 스테이지 (306) 에 의해 연결된다. 도시된 바와 같이, 이송 스테이지 (306) 는 제 1 기판 프로세싱 툴 (302) 의 진공 이송 모듈 (vacuum transfer module; VTM) (308) 과 제 2 기판 프로세싱 툴 (304) 의 VTM (310) 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된 피봇팅 (pivoting) 이송 메커니즘을 포함한다. 그러나, 다른 예들에서, 이송 스테이지 (306) 는 선형 이송 메커니즘과 같은 다른 적합한 이송 메커니즘들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, VTM (308) 의 제 1 로봇 (미도시) 은 제 1 포지션에 배치된 지지부 (312) 상에 기판을 배치할 수도 있고, 지지부 (312) 는 제 2 포지션으로 피봇되고, VTM (310) 의 제 2 로봇 (미도시) 은 제 2 포지션의 지지부 (312) 로부터 기판을 회수한다. 일부 예들에서, 제 2 기판 프로세싱 툴 (304) 은 프로세싱 스테이지들 사이에 하나 이상의 기판들을 저장하도록 구성된 저장 버퍼 (storage buffer) (314) 를 포함할 수도 있다.
이송 메커니즘은 또한 제 1 기판 프로세싱 툴 (302) 과 제 2 기판 프로세싱 툴 (304) 사이에 2 개 이상의 이송 시스템들을 제공하도록 스택될 (stack) 수도 있다. 이송 스테이지 (306) 는 또한 한번에 복수의 기판들을 이송하거나 버퍼링하기 위해 복수의 슬롯들을 가질 수도 있다.
예시적인 구성 (300) 에서, 제 1 기판 프로세싱 툴 (302) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (304) 은 단일 EFEM (316) 을 공유하도록 구성된다.
도 4는 순차적으로 배치되고 이송 스테이지 (406) 에 의해 연결된 제 1 기판 프로세싱 툴 (402) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (404) 을 포함하는 제 2 예시적인 구성 (400) 을 도시한다. 예시적인 구성 (400) 은 예시적인 구성 (400) 에서 EFEM이 제거된 것을 제외하고, 도 3의 예시적인 구성 (300) 과 유사하다. 이에 따라, 기판들은 에어 록 로딩 스테이션들 (408) 을 통해 (예를 들어, 진공 웨이퍼 캐리어, FOUP (front opening unified pod), ATM (atmospheric) 로봇, 등과 같은 저장 또는 이송 캐리어, 또는 다른 적합한 메커니즘들을 사용하여), 제 1 기판 프로세싱 툴 (402) 에 바로 로딩될 수도 있다.
본 개시의 장치, 시스템들, 및 방법들은 멀티-스테이션 프로세싱 모듈들, 보다 구체적으로 QSM들에 적용될 수도 있다. 일부 예들에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 프로세싱 툴 (500) 이 도시된다. 기판 프로세싱 툴 (500) 은 4 개의 QSM들 (506) 을 포함한다. QSM들 (506) 각각은 4 개의 스테이션들 (516) (따라서 쿼드 스테이션 모듈) 을 포함한다. 스테이션 (516) 각각은 프로세싱 챔버 또는 진공 챔버를 포함할 수도 있다. 기판 프로세싱 툴 (500) 은 이송 로봇 (502/504) 으로 집합적으로 지칭되는 이송 로봇 (502) 및 이송 로봇 (504) 을 포함한다. 기판 프로세싱 툴 (500) 은 예시적인 목적들을 위해 기계적 인덱서들이 없는 것으로 도시된다. 다른 예들에서, 기판 프로세싱 툴 (500) 의 각각의 QSM들 (506) 은 주어진 QSM (506) 의 스테이션으로부터 스테이션으로 기판들 (예를 들어, 웨이퍼들) 을 이송하기 위한 기계적 인덱서들을 포함할 수도 있다. 인덱서는 캐리어 또는 배제 링 (exclusion ring) 을 포함할 수도 있다.
VTM (514) 및 EFEM (508) 은 이송 로봇들 (502/504) 중 하나를 각각 포함할 수도 있다. 이송 로봇들 (502/504) 은 동일하거나 상이한 구성들을 가질 수도 있다. 일부 예들에서, 이송 로봇 (502) 은 각각 2 개의 수직으로 스택된 엔드 이펙터들 (end effectors) 을 갖는 2 개의 암들을 갖는 것으로 도시된다. VTM (514) 의 로봇 (504) 은 EFEM (508) 으로 그리고 EFEM (508) 으로부터 그리고 QSM들 (506) 사이에서 기판들을 선택적으로 이송한다. EFEM (508) 의 이송 로봇 (504) 은 EFEM (508) 내외로 기판들을 이송한다. 일부 예들에서, 이송 로봇 (504) 은 2 개의 암들을 가질 수도 있고, 암 각각은 단일 엔드 이펙터 또는 2 개의 수직으로 스택된 엔드 이펙터들을 갖는다. 시스템 제어기 (1200) 는 이로 제한되는 것은 아니지만, 로봇들 (502/504) 의 동작, 및 QSM들 (506) 의 각각의 인덱서들의 회전을 포함하는 예시된 기판 프로세싱 툴 (500) 및 이의 컴포넌트들의 다양한 동작들을 제어할 수도 있다.
VTM (514) 은 예를 들어, 각각의 슬롯 (510) 을 통해 액세스 가능한 단일 로드 스테이션을 각각 갖는 4 개의 QSM들 (506) 모두와 인터페이싱하도록 구성된다. 이 예에서, VTM (514) 의 측면들 (512) 은 기울어지지 않는다 (즉, 측면들 (512) 은 실질적으로 직선 또는 평면이다). 이러한 방식으로, 각각 단일 로드 스테이션을 갖는 2 개의 QSM들 (506) 이 VTM (514) 의 측면들 (512) 각각에 커플링 될 수도 있다. 따라서, EFEM (508) 은 기판 프로세싱 툴 (500) 의 풋 프린트를 감소시키도록 2 개의 QSM들 (506) 사이에 적어도 부분적으로 배치될 수도 있다.
이제 도 6을 참조하면, 스테이션들 (516) 각각에 제공된 플라즈마-기반 프로세싱 챔버의 예시적인, 단순화된 배치 (600) 가 도시된다. 본 주제는 다양한 반도체 제작 동작 및 웨이퍼 프로세싱 동작에서 사용될 수도 있지만, 예시된 예에서, 플라즈마-기반 프로세싱 챔버는 플라즈마-강화된 (plasma-enhanced) 또는 라디칼-강화된 (radical-enhanced) 화학적 기상 증착 (chemical vapor deposition; CVD) 또는 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 동작들의 맥락에서 기술된다. 숙련된 기술자는 다른 타입들의 ALD 프로세싱 기법들이 공지되고 (예를 들어, 열-기반 ALD 동작들) 비플라즈마 (non-plasma)-기반 프로세싱 챔버를 통합할 수도 있다는 것을 인식할 것이다. ALD 툴은 2 개 이상의 화학 종 사이에서 ALD 반응들이 발생하는 특수한 타입의 CVD 프로세싱 시스템이다. 2 개 이상의 화학 종은 전구체 가스들로 지칭되고 반도체 산업에서 사용되는 바와 같이 실리콘 웨이퍼와 같은, 기판 상에 재료의 박막 증착을 형성하도록 사용된다. 전구체 가스들은 ALD 프로세싱 챔버 내로 순차적으로 도입되고 증착 층을 형성하도록 기판의 표면과 반응한다. 일반적으로, 기판은 기판 상에 하나 이상의 재료 막들의 점점 두꺼운 층을 천천히 증착하도록 전구체들과 반복적으로 상호 작용한다. 특정한 적용 예들에서, 기판 제작 프로세스 동안 다양한 타입들의 막 또는 막들을 형성하도록 복수의 전구체 가스들이 사용될 수도 있다.
도 6은 샤워헤드 (604) (샤워헤드 전극일 수도 있음) 및 기판-지지 어셈블리 (608) 또는 페데스탈이 배치되는 플라즈마-기반 프로세싱 챔버 (102) 를 포함하는 것으로 도시된다. 통상적으로, 기판-지지 어셈블리 (608) 는 실질적으로 등온 표면을 제공하고 기판 (606) 에 대한 가열 엘리먼트 및 열 싱크 모두로서 역할할 (serve) 수도 있다. 기판-지지 어셈블리 (608) 는 상기 기술된 바와 같이 기판 (606) 의 프로세싱을 보조하기 위해 가열 엘리먼트들이 포함되는 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 을 포함할 수도 있다. 기판 (606) 은 예를 들어, 원소-반도체 재료들 (예를 들어, 실리콘 (Si) 또는 게르마늄 (Ge)) 또는 화합물-반도체 재료들 (예를 들어, 실리콘 게르마늄 (SiGe) 또는 갈륨 비소 (GaAs)) 를 포함하는 웨이퍼를 포함할 수도 있다. 부가적으로, 다른 기판들은 예를 들어, 석영, 사파이어, 반결정성 폴리머들, 또는 다른 비금속 재료 및 비반도체 재료와 같은 유전체 재료들을 포함한다.
동작 시, 기판 (606) 은 로딩 포트 (610) 를 통해 기판-지지 어셈블리 (608) 상으로 로딩된다. 배제 링은 기판-지지 어셈블리 (608) 상으로 웨이퍼를 로딩할 수도 있다. 다른 로딩 배치들이 가능하다. 가스 라인 (614) 은 하나 이상의 프로세스 가스들 (예를 들어, 전구체 가스들) 을 샤워헤드 (604) 로 공급할 수 있다. 결국, 샤워헤드 (604) 는 하나 이상의 프로세스 가스들을 플라즈마-기반 프로세싱 챔버 (602) 내로 전달한다. 하나 이상의 프로세스 가스들을 공급하기 위한 가스 소스 (612) (예를 들어, 하나 이상의 전구체 가스 앰플들) 가 가스 라인 (614) 에 커플링된다. 일부 예들에서, 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력 소스 (616) 는 샤워헤드 (604) 에 커플링된다. 다른 예들에서, 전력 소스는 기판-지지 어셈블리 (608) 또는 ESC에 커플링된다.
샤워헤드 (604) 내로 그리고 가스 라인 (614) 의 다운스트림으로 진입하기 전에, POU (point-of-use) 및 매니폴드 조합 (미도시) 이 플라즈마-기반 프로세싱 챔버 (602) 내로의 하나 이상의 프로세스 가스들의 진입을 제어한다. PEALD (plasma-enhanced ALD) 동작에서 박막들을 증착하도록 사용된 플라즈마-기반 프로세싱 챔버 (602) 의 경우, 전구체 가스들은 샤워헤드 (604) 내에서 혼합될 수도 있다.
동작 시, 플라즈마-기반 프로세싱 챔버 (602) 는 진공 펌프 (618) 에 의해 배기된다. RF 전력은 샤워헤드 (604) 와 기판-지지 어셈블리 (608) 내에 또는 기판-지지 어셈블리 (608) 상에 포함된 하부 전극 (620) 사이에 용량성으로 커플링된다. 기판-지지 어셈블리 (608) 는 통상적으로 2 개 이상의 RF 주파수들로 공급된다. 예를 들어, 다양한 실시 예들에서, RF 주파수들은 약 1 ㎒, 2 ㎒, 13.56 ㎒, 27 ㎒, 60 ㎒, 및 목표된 대로 다른 주파수들의 적어도 하나의 주파수로부터 선택될 수도 있다. 특정한 RF 주파수를 차단하거나 부분적으로 차단하도록 설계된 코일은 필요에 따라 설계될 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 논의된 특정한 주파수들은 단지 이해의 용이성을 위해 제공된다. RF 전력은 기판 (606) 과 샤워헤드 (604) 사이의 공간에서 플라즈마로 하나 이상의 프로세스 가스들을 에너자이징하도록 (energize) 사용된다. 플라즈마는 기판 (606) 상에 다양한 층들 (미도시) 을 증착하는 것을 보조할 수 있다. 다른 적용 예들에서, 플라즈마는 기판 (606) 상의 다양한 층들 내로 디바이스 피처들을 에칭하도록 사용될 수 있다. RF 전력은 적어도 기판-지지 어셈블리 (608) 를 통해 커플링된다. 기판-지지 어셈블리 (608) 는 내부에 통합된 히터들 (도 6에 도시되지 않음) 을 가질 수도 있다. 플라즈마-기반 프로세싱 챔버 (602) 의 상세한 설계는 가변할 수도 있다.
도 7은 개방된 멀티-스테이션 프로세싱 모듈, 이 경우, QSM (702) 의 그림도 (700) 이다. QSM (702) 의 사분면 각각에서 일 프로세싱 스테이션 (703) 이 보일 수도 있다. 다른 수의 스테이션들이 가능하다. 스테이션 (703) 각각은 기판 프로세싱 챔버 (704) 를 포함한다. 명확성을 위해, 프로세싱 챔버 (704) 내에 진공 시일을 형성하기 위한 기판 이송 패들들 및 상단 플레이트와 같은 컴포넌트들은 도시되지 않는다. 프로세싱 챔버 (704) 각각은 기판-지지 어셈블리 (706) (기판은 도시되지 않음) 및 패들 스핀들 (710) 을 포함하는 것으로 도시된다.
알루미늄 챔버 리브 (708) 가 프로세싱 챔버들 (704) 각각 사이에 배치된다. 이 예에서, QSM (702) 은 4 개의 챔버 리브들 (708) 을 포함한다. 다른 수의 리브들 (708) 이 가능하다. 챔버 리브 (708) 각각은 패들 스핀들 (710) 로부터 이격되게 방사상 방향으로 이의 내측 단부 (712) 로부터 외측 단부 (714) 로 연장한다. 이하에 보다 완전히 기술된 리브 커버 (716) 는 리브 (708) 각각을 커버한다.
상기 언급된 바와 같이, QSM (702) 의 프로세싱 챔버들에서 수행된 일부 기판 프로세스들에서, 고 결함 수가 각각의 챔버 리브 (708) 에 가장 가깝게 위치된 프로세싱된 기판의 에지들을 따라 관찰될 수도 있다. 챔버 리브 (708) 의 표면 상에 증착된 재료는 증착된 재료의 박리 또는 플레이킹을 통해 프로세싱된 기판의 표면에 재분배되기 쉽다. 일부 예들에서, 리브 커버 (716) 의 제공은 이 문제를 해결한다. 리브 (708) 위에 피팅된 세라믹 리브 커버 (716) 는 리브 (708) 의 아래에 놓인 표면 상으로의 재료의 증착을 방지하거나 감소시킬 수도 있다. 대안적으로, 기판 프로세싱 동안 리브 커버 (716) 상에 형성될 수도 있는 증착물은 증착된 재료가 기판 상으로 떨어지는 것을 방지하기 위해 (또는 최소화하기 위해) 다수의 사이클들 후에 세정될 수도 있다. 일부 예들에서, 세라믹 표면 특성들의 감소에 의해, 리브 커버 (716) 상으로의 재료의 증착 레이트는 리브 (708) 의 아래에 놓인 알루미늄 표면 상에서 발생하는 것보다 보다 낮고, 그리고 증착된 재료는 리브 (708) 의 아래에 놓인 알루미늄 표면보다 리브 커버 (716) 의 세라믹 표면에 접착 시 보다 강인할 (tenacious) 수도 있다.
도 8a 및 도 8b는 예시적인 리브 커버 (716) 의 상단부 도면 및 하단부 도면을 도시한다. 리브 커버 (716) 는 QSM (702) 의 2 개의 인접한 프로세싱 챔버들 (704) 사이에 배치된 챔버 리브 (708) 를 커버하도록, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈, 예를 들어, QSM (702) 내에 설치될 수도 있다.
리브 커버 (716) 는 리브 (708) 상에 리브 커버 (716) 를 지지하기 위한 제 1 (또는 지지부) 부분 (802) (또한 상부 부분으로 지칭됨) 을 포함한다. 리브 커버 (716) 는 2 개의 측면 차폐부들, 제 1 측면 차폐부 (804) 및 제 2 측면 차폐부 (812) 를 더 포함한다. 설치될 때, 측면 차폐부 (804 및 812) 각각은 인접한 프로세싱 챔버들 (704) 사이의 리브 (708) 의 일부, 예를 들어 도 7의 벽 (718) 을 커버한다. 대부분의 예들에서, 벽 (718) 의 커버된 부분은 리브 (708) 의 일부일 필요는 없을 수도 있다. 다른 벽 또는 리브 커버 배치들이 가능하다. 4 개의 리브 커버들 (716) 의 세트는 도 7에 도시된 방식으로 QSM (702) 의 각각의 리브 (708) 를 각각 커버할 수도 있다.
특히 도 8b를 참조하면, 예시적인 리브 커버 (716) 는 적어도 하나의 스페이서, 이 경우, 4 개의 스페이서들 (806) 을 포함한다. 스페이서 (806) 각각은 제 1 부분 (802) 의 표면 (808) (예를 들어, 내측 표면), 또는 각각의 제 1 측면 차폐부 (804) 및 제 2 측면 차폐부 (812) 의 표면들 (810 및 814) (예를 들어, 내측 표면들) 을 제 1 프로세싱 챔버 (704) 의 벽 또는 리브 (708) 의 벽의 표면으로부터 이격되게 홀딩한다.
일부 예들에서, 리브 커버 (716) 의 제 1 부분 (802) 및 제 1 측면 차폐부 (804) 및 제 2 측면 차폐부 (812) 는 리브 커버 (716) 를 위한 개방 채널 (816) 을 규정한다. 제 1 부분 (802) 및 측면 차폐부들 (804 및 812) 에 의해 규정된 채널 (816) 의 체적은 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이, 리브 (708) 에 피팅될 때 리브 (708) 의 제 1 부분 (또한 상부 부분으로 지칭됨) 을 수용하도록 구성된다. 일부 예들에서, 채널 (816) 은 플레어된 (flared), 개방된 마우스 (818) 를 포함한다. (예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이) 리브 (708) 의 발산하는 (diverge), 방사상으로 내측 단부와 플레어된 마우스 (818) 의 인게이지먼트는 리브 (708) 및 QSM (702) 의 프로세싱 챔버들 (704) 에 대해 리브 커버 (716) 의 추가의 내향 방사상 이동을 방지한다.
일부 예들에서, 스페이서들 (806) 중 하나 이상은 채널 (816) 내에 위치된다. 일부 예들에서, 채널 (816) 은 중력 하에서만 리브 (708) 상에 리브 커버 (716) 를 지지하거나 홀딩하도록 구성되고 사이징된다 (size). 이 예에서, 스페이서들 (806) 중 하나 이상은 루스 (loose) 또는 슬라이딩 핏 (sliding fit) 으로 리브 (708) 와 인게이지할 수도 있다. 일부 예들에서, 채널 (816) 은 하나 이상의 스페이서들 (806) 과 리브 (708) 또는 프로세싱 챔버 (704) 의 벽 사이의 마찰 인게이지먼트에 의해 리브 (708) 상에 리브 커버 (716) 를 지지하거나 홀딩하도록 구성된다.
기판 프로세싱 동안 특정한 원치 않은 결함 수들의 발생은 상기에 더 언급되었다. 일부 예들에서, AHM (ashable hard mask) 프로세스들을 실행하는 QSM (702) 은 프로세싱 챔버 또는 진공 챔버 내에서 알루미늄 챔버 리브 (708) 에 가장 가까운 웨이퍼의 에지를 따라 고 결함 카운트들을 관찰한다. 리브 (708) 의 표면 상의 증착은 필링 또는 플레이킹을 통해 프로세싱된 기판 (예를 들어, 웨이퍼) 상에 재분배되는 것으로 여겨진다. 이 문제를 방지하는 것을 보조하기 위해, 일부 예시적인 스페이서들은 "최소 콘택트" 스페이서들 (806), 또는 미니 패드들로서 제공된다. 이러한 예들에서, 미니 패드/스페이서 (806) 는 리브 커버 (716) 가 피팅되는 리브 커버 (716) 와 리브 (708) 또는 프로세싱 챔버 벽 사이의 물리적 및/또는 열적 콘택트를 감소시키거나 최소화하도록 구성된다. 리브 커버 (716) 는 알루미늄 프로세싱 챔버 (704) 의 열 싱크로부터 이격되게 유지된다. 이 감소된 물리적 및/또는 열적 콘택트는 리브 커버 (716) 로 하여금 기생 플라즈마 (parasitic plasma) 노출 하에서 가열되게 하고, 이에 따라 AHM 막의 응결을 방지하거나 감소시키고 결함 소스로서 이 현상을 제거하거나 완화시킨다.
일부 예들에서, 미니 패드/스페이서 (806) 는 분리 거리만큼 리브 (708) 또는 프로세싱 챔버 (704) 의 벽으로부터 이격되게 채널 (816) 의 표면을 홀딩한다. 분리 거리는 0.05 내지 0.50 인치 (대략 1.27 내지 12.7 ㎜) 의 범위일 수도 있다. 감도 품질을 최적화하기 위해, 예를 들어, 리브 커버 (716) 와 리브 (708) 사이의 공기 공간 (air space) 에 걸친 잠재적인 전기 아크를 최소화하기 위해, 분리 거리가 이 범위 내에서 선택될 수도 있다. 분리 거리는 또한 리브 커버 (716) 아래의 파편들 또는 프로세싱 아티팩트들 (processing artifacts) 의 축적을 최소화하도록 선택될 수도 있다.
일부 예들에서, 리브 커버 (716) 는 거친 핸들링 및 프로세싱 챔버 (704) 내로의 복수의 반복된 피트먼트들 (fitments) 을 견디도록 충분히 견고하도록 (robust) 구성된다. 일부 예들은 가혹한 기판 프로세싱 조건들에 대한 반복된 노출을 견디도록 더 구성된다. 이를 위해, 리브 커버 (716) 또는 채널 (816) 의 일부의 단면 두께, 예를 들어, 측면 차폐부 (804 또는 812) 의 단면 두께는 0.25 내지 0.70 인치 (대략 6.35 내지 17.78 ㎜) 의 범위로 제공될 수도 있다. 일부 예들에서, 리브 커버의 적어도 일부는 알루미나와 같은 세라믹 재료를 포함한다. 다른 세라믹들이 용인될 수도 있다.
통상적으로, QSM (702) 의 알루미늄 챔버들은 수냉되지만, 채널 (816) 내의 최소 콘택트 스페이서들 (예컨대, 미니 패드들/스페이서들 (806)) 의 배치와 함께 적절한 세라믹 재료의 선택은 캡처된 (capture) 열이 알루미늄 프로세싱 챔버 (704) 내로 전도되지 않기 때문에 리브 커버 (716) 의 세라믹 재료로 하여금 기생 플라즈마로부터 방출되는 열의 대부분을 흡수하게 한다. 이는 결국 챔버 (704) 내에서 프로세싱될 기판이 아닌 리브 커버 (716) 로의 증착된 재료의 보다 강인한 접착 및 막 응결을 방지할 수 있다.
도 9에 관하여, 테스트는 개략도에서 STN 1-4로 라벨링된 4 개의 스테이션들을 포함하는 QSM (702) 상에서 수행된다. QSM (702) 의 4 개의 리브들 (708) 중 2 개는 도시된 바와 같이, 즉 STN1과 STN2 사이, 그리고 STN2와 STN3 사이에 리브 커버들 (716) 로 피팅된다. 테스트 후, 웨이퍼-상의 입자들의 분포가 스테이션 각각에 대해 식별되었다. 무거운 입자 분포들 (902) 은 커버되지 않은 리브 (708) 에 인접한 기판 영역들에 대해 관찰될 수도 있다. 리브 커버 (716) 에 의해 보호된 커버된 리브 (708) 에 인접한 기판 영역들에 대해 훨씬 보다 가벼운 입자 분포들 (904) 이 관찰될 수도 있다. 이에 따라 웨이퍼-상의 결함 성능이 상당히 개선된다.
리브 커버 (716) 의 제공은 일부 예들에서 패시브 솔루션이고 따라서 본질적으로 저비용으로 간주될 수도 있다. 리브 커버 (716) 는 새로운 툴들 상에 쉽게 설치될 수 있을뿐만 아니라 기존 하드웨어의 제거를 요구하지 않고 현장에서 툴들에 재피팅될 (retrofit) 수 있다. 일부 예들에서, 리브 커버 (716) 의 제공은 기존의 프로세스 레시피들에 영향을 주지 않는다; 즉, 레시피 투과형이다 (recipe transparent).
본 개시의 일부 예들은 방법 실시 예들을 포함한다. 도 10을 참조하면, 예시적인 동작들은 프로세싱 모듈의 인접한 챔버들 사이에 배치된 리브를 갖는 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 동작시키는 방법 (1000) 에 제공된다. 방법 (1000) 은, 동작 (1002) 에서, 리브를 위한 리브 커버를 제공하는 단계로서, 리브 커버는, 리브 상에 리브 커버를 지지하기 위한 제 1 부분 (또한 상부 부분으로 지칭됨); 리브 커버가 리브에 피팅될 때 리브의 제 1 벽을 커버하기 위한 제 1 측면 차폐부; 및 커버된 리브로부터 이격되게 리브 커버의 제 1 표면을 홀딩하기 위한 적어도 하나의 스페이서를 포함하는, 리브를 위한 리브 커버를 제공하는 단계; 및, 동작 (1004) 에서, 리브 커버를 리브에 피팅하는 단계를 포함한다. 방법 (1000) 은 동작 (1006) 에서, 프로세싱 모듈의 프로세싱 사이클들 사이에 리브 커버로부터 잔여 증착물을 제거하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
예들이 구체적인 예시적인 실시 예들 또는 방법들을 참조하여 기술되었지만, 다양한 수정들 및 변화들이 보다 넓은 범위의 본 실시 예들로부터 벗어나지 않고 이들 실시 예들로 이루어질 수도 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다 예시로서 간주된다. 이의 일부를 형성하는 첨부 도면들은 제한이 아닌 예시로서, 주제가 실시될 수도 있는 특정한 실시 예들을 도시한다. 예시된 실시 예들은 당업자들로 하여금 본 명세서에 개시된 교시들을 실시하게 하도록 충분히 상세히 기술된다. 다른 실시 예들은 구조 및 논리적 대용물들 및 변화들이 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수도 있도록, 이로부터 활용되고 도출될 수도 있다. 따라서, 이 상세한 기술은 따라서 제한하는 의미로 생각되지 않고, 다양한 실시 예들의 범위는 첨부된 청구항들로 인정되는 등가물들의 전체 범위와 함께, 첨부된 청구항들에 의해서만 규정된다.
본 발명의 주제의 이러한 실시 예들은, 단순히 편의성을 위해 그리고 임의의 단일 발명 또는 실제로 2 개 이상이 개시된다면 발명의 개념으로 본 출원의 범위를 자의적으로 제한하는 것을 의도하지 않고, 용어 "발명"으로 개별적으로 그리고/또는 집합적으로 참조될 수도 있다. 따라서, 특정한 실시 예들이 본 명세서에 예시되고 기술되었지만, 동일한 목적을 달성하도록 계산된 임의의 구성이 도시된 특정한 실시 예들을 대체할 수도 있다는 것이 인식되어야 한다. 이 개시는 다양한 실시 예들의 임의의 변형들 또는 적응들을 커버하도록 의도된다. 상기 실시 예들 및 본 명세서에 구체적으로 기술되지 않은 다른 실시 예들의 조합들이, 상기 기술을 검토하면 당업자들에게 자명할 것이다.
예들이 구체적인 예시적인 실시 예들 또는 방법들을 참조하여 기술되었지만, 다양한 수정들 및 변화들이 보다 넓은 범위의 본 실시 예들로부터 벗어나지 않고 이들 실시 예들로 이루어질 수도 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다 예시로서 간주된다. 이의 일부를 형성하는 첨부 도면들은 제한이 아닌 예시로서, 주제가 실시될 수도 있는 특정한 실시 예들을 도시한다. 예시된 실시 예들은 당업자들로 하여금 본 명세서에 개시된 교시들을 실시하게 하도록 충분히 상세히 기술된다. 다른 실시 예들은 구조 및 논리적 대용물들 및 변화들이 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수도 있도록, 이로부터 활용되고 도출될 수도 있다. 따라서, 이 상세한 기술은 따라서 제한하는 의미로 생각되지 않고, 다양한 실시 예들의 범위는 첨부된 청구항들로 인정되는 등가물들의 전체 범위와 함께, 첨부된 청구항들에 의해서만 규정된다.
본 발명의 주제의 이러한 실시 예들은, 단순히 편의성을 위해 그리고 임의의 단일 발명 또는 실제로 2 개 이상이 개시된다면 발명의 개념으로 본 출원의 범위를 자의적으로 제한하는 것을 의도하지 않고, 용어 "발명"으로 개별적으로 그리고/또는 집합적으로 참조될 수도 있다. 따라서, 특정한 실시 예들이 본 명세서에 예시되고 기술되었지만, 동일한 목적을 달성하도록 계산된 임의의 구성이 도시된 특정한 실시 예들을 대체할 수도 있다는 것이 인식되어야 한다. 이 개시는 다양한 실시 예들의 임의의 변형들 또는 적응들을 커버하도록 의도된다. 상기 실시 예들 및 본 명세서에 구체적으로 기술되지 않은 다른 실시 예들의 조합들이, 상기 기술을 검토하면 당업자들에게 자명할 것이다.

Claims (24)

  1. 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 위한 리브 커버 (rib cover) 에 있어서,
    멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 리브 상에 리브 커버를 지지하도록 구성된 제 1 부분으로서, 상기 리브는 상기 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치되는 (dispose), 상기 제 1 부분;
    상기 리브의 제 1 벽을 커버하도록 구성되는 제 1 측면 차폐부; 및
    상기 리브로부터 이격되게 (away from) 상기 리브 커버의 제 1 표면을 홀딩하도록 구성되는 적어도 하나의 스페이서를 포함하는, 리브 커버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리브 커버가 상기 리브에 피팅될 때 상기 리브의 제 2 벽을 커버하도록 제 2 측면 차폐부를 더 포함하는, 리브 커버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리브 커버의 상기 제 1 부분 및 상기 제 1 측면 차폐부 및 상기 제 2 측면 차폐부는 상기 리브 커버를 위한 채널을 규정하는, 리브 커버.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 채널은 플레어된 마우스 (flared mouth) 를 포함하는, 리브 커버.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 플레어된 마우스와 상기 리브의 인게이지먼트 (engagement) 는 상기 프로세싱 모듈에 대한 상기 리브 커버의 방사상 이동을 방지하는, 리브 커버.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 채널은 중력 하에서만 상기 리브 상에 상기 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성되는, 리브 커버.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스페이서는 상기 채널 내에 위치되고, 상기 채널은 슬라이딩 핏 (sliding fit) 에 의해 또는 상기 적어도 하나의 스페이서와 상기 리브 사이의 마찰 인게이지먼트에 의해 상기 리브 상에 상기 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성되는, 리브 커버.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스페이서는 상기 리브 커버와 상기 리브 사이의 열적 콘택트를 최소화하도록 구성되는, 리브 커버.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 리브 커버와 상기 리브 사이의 분리 거리는 0.05 내지 0.50 인치 (대략 1.27 내지 12.7 ㎜) 의 범위인, 리브 커버.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 리브 커버 또는 상기 채널의 단면 두께는 0.25 내지 0.70 인치 (대략 6.35 내지 17.78 ㎜) 의 범위인, 리브 커버.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 리브 커버의 적어도 제 2 부분은 세라믹 재료를 포함하는, 리브 커버.
  12. 멀티-스테이션 프로세싱 모듈에 있어서,
    리브 커버로서,
    멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 리브 상에 리브 커버를 지지하도록 구성된 제 1 부분으로서, 상기 리브는 상기 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치되는 (dispose), 상기 제 1 부분;
    상기 리브의 제 1 벽을 커버하도록 구성되는 제 1 측면 차폐부; 및
    상기 리브로부터 이격되게 상기 리브 커버의 제 1 표면을 홀딩하도록 구성되는 적어도 하나의 스페이서를 포함하는, 상기 리브 커버를 포함하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 리브 커버는 상기 리브 커버가 상기 리브에 피팅될 때 상기 리브의 제 2 벽을 커버하도록 제 2 측면 차폐부를 더 포함하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 리브 커버의 상기 제 1 부분 및 상기 제 1 측면 차폐부 및 상기 제 2 측면 차폐부는 상기 리브 커버를 위한 채널을 규정하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 채널은 플레어된 마우스를 포함하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 플레어된 마우스와 상기 리브의 인게이지먼트는 상기 프로세싱 모듈에 대한 상기 리브 커버의 방사상 이동을 방지하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 채널은 중력 하에서만 상기 리브 상에 상기 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성되는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스페이서는 상기 채널 내에 위치되고, 상기 채널은 슬라이딩 핏에 의해 또는 상기 적어도 하나의 스페이서와 상기 리브 사이의 마찰 인게이지먼트에 의해 상기 리브 상에 상기 리브 커버를 지지하거나 홀딩하도록 구성되는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스페이서는 상기 리브 커버와 상기 리브 사이의 열적 콘택트를 최소화하도록 구성되는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 리브 커버와 상기 리브 사이의 분리 거리는 0.05 내지 0.50 인치 (대략 1.27 내지 12.7 ㎜) 의 범위인, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  21. 제 14 항에 있어서,
    상기 리브 커버 또는 상기 채널의 단면 두께는 0.25 내지 0.70 인치 (대략 6.35 내지 17.78 ㎜) 의 범위인, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  22. 제 12 항에 있어서,
    상기 리브 커버의 적어도 제 2 부분은 세라믹 재료를 포함하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈.
  23. 멀티-스테이션 프로세싱 모듈을 동작시키는 방법에 있어서,
    리브를 위한 리브 커버를 제공하는 단계로서, 상기 리브 커버는,
    멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 상기 리브 상에 상기 리브 커버를 지지하도록 구성된 제 1 부분으로서, 상기 리브는 상기 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 인접한 프로세싱 챔버들 사이에 배치되는, 상기 제 1 부분;
    상기 멀티-스테이션 프로세싱 모듈의 상기 인접한 프로세싱 챔버들의 제 1 프로세싱 챔버의 벽의 일부를 커버하기 위한 제 1 측면 차폐부; 및
    상기 프로세싱 모듈의 상기 제 1 프로세싱 챔버의 상기 벽의 표면으로부터 이격되게 상기 제 1 부분의 제 1 표면, 또는 상기 제 1 측면 차폐부의 표면을 홀딩하도록 구성된 적어도 하나의 스페이서를 포함하는, 상기 리브를 위한 리브 커버를 제공하는 단계; 및
    상기 리브 커버를 상기 리브에 피팅하는 단계를 포함하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈 동작 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 프로세싱 모듈의 프로세싱 사이클들 사이에 상기 리브 커버로부터 잔여 증착물을 제거하는 단계를 더 포함하는, 멀티-스테이션 프로세싱 모듈 동작 방법.
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