TWI505392B - 基板處理模組以及包含該基板處理模組的基板處理裝置 - Google Patents

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TWI505392B
TWI505392B TW101147105A TW101147105A TWI505392B TW I505392 B TWI505392 B TW I505392B TW 101147105 A TW101147105 A TW 101147105A TW 101147105 A TW101147105 A TW 101147105A TW I505392 B TWI505392 B TW I505392B
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Byoung-Gyu Song
Kyong-Hun Kim
Yong-Ki Kim
Yang-Sik Shin
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Eugene Technology Co Ltd
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Description

基板處理模組以及包含該基板處理模組的基板處理裝置
本發明係關於基板處理模組以及包括該基板處理模組的基板處理裝置，尤其係關於包括複數個承座的基板處理模組以及包括該基板處理模組的基板處理裝置。
一半導體設備包括矽基板上複數個層，該等層透過沉積處理沉積於該基板上。
基板載入處理室內的一承座上。沉積處理在該處理室內執行。在此，根據載入的基板數量，基板處理裝置可區分成單一晶圓型以及批次型。在單一晶圓型基板處理裝置的案例中，一個基板載入一處理室內，然後在該一個基板上執行沉積處理。在另一方面，於批次型基板處理裝置的案例中，複數個基板載入一處理室內，然後同時在該等複數個基板上執行沉積處理。
【先前技術文件】 【專利文件】
韓國專利申請案第2007-0080767(2007.8.13)號
本發明提供一種基板處理模組，其同時在複數個基板上執行處理，以及包括該基板處理模組的一基板處理裝置。
本發明也提供一種基板處理模組，其中有效率地將複數個基 板載入一處理室以及從該處理室載出，以及包括該基板處理模組的一基板處理裝置。
參閱下列詳細說明以及附圖將可了解本發明的其他目的。
本發明的具體實施例提供基板處理模組，包括：一下方處理室，其具有一開放式上半部，該下方處理室具有一通道，容許一基板從其一側邊通過；複數個承座，其每一頂端表面上都放置該基板，該等複數個承座都放置在該下方處理室內並且固定在該下方處理室內的一預設中心四周；一旋轉構件，其位於該下方處理室的該預設中心上，該旋轉構件可繞著該預設中心旋轉；複數個固定器，其連接至該旋轉構件並且與該旋轉構件一起旋轉，該等複數個固定器具有於其上放置該基板的至少一放置表面；以及一驅動模組，其連接至該旋轉構件，該驅動模組利用驅動該旋轉構件，將該等固定器之一者移動到對應至該通道的一輸送位置。
在某些具體實施例內，驅動模組可升高旋轉構件，將每一固定器定位在一接收高度或一載入高度上，並且每一該等固定器都位於比在該接收高度上的承座還要高之高度上，並且該等固定器的至少一放置表面可位於比該載入高度上之承座的頂端表面還要低之高度上。
在其他具體實施例內，每一固定器都可在每一該等固定器位於接收高度上之狀態下移動至輸送位置。
仍舊在其他具體實施例內，每一固定器可包括：一叉狀物，其朝向下方處理室的外面打開，該叉狀物具有弧形以及大約180度或更多的中心角度；以及至少一支撐尖端，其連接至該叉狀物以從該叉狀物向內突出，該支撐尖端提供放置表面，其中每一承座可具有至少一***溝槽，其中當分別放置在該等承座上的每一該等固定器移動至載入高度時，則***該支撐尖端。
甚至在其他具體實施例內，每一承座可包括：一加熱板；以及一蓋板，其位於該加熱板上，該蓋板具有於其上放置基板的一支撐表面，其中***溝槽可定義在該支撐表面的一邊緣內。
仍舊在其他具體實施例內，承座與固定器可相對於中心以等角間隔來排列，並且該等承座可具有與該等固定器相同的數量。
在進一步具體實施例內，承座之一者可對應於通道來放置。
仍舊在進一步具體實施例內，下方處理室可包括沿著其下方壁邊緣放置的複數個排氣口，並且該等排氣口可分別放置在承座之外。
甚至在進一步具體實施例內，基板處理模組另包括：一上方處理室，其連接至下方處理室的一上半部，該上方處理室具有對應至中心的一開口；一圓筒，其具有連接至該上方處理室的該開口之一開放式下半部；一氣體供應口，其連接至該圓筒，將由外面供應的一處理氣體供應至該圓筒內；以及一天線，其圍繞該圓筒以在該圓筒內產生一電場。
尚且在進一步具體實施例內，下方處理室可具有分別對應至承座的複數個開口，並且其中基板處理模組可進一步包括：噴灑頭，每一噴灑頭都具有從其頂端表面往下凹的一緩衝空間，以及連接至該緩衝空間的複數個注射孔，該等噴灑頭分別放置在該等開口上；以及上方處理室，其分別位於該等噴灑頭之上，將該緩衝空間與外面隔開，該等上方處理室具有氣體供應口，用於分別將由外面供應的一處理氣體供應至該緩衝空間中。
本發明的其他具體實施例內，基板處理裝置包括：一載入鎖定室，其中放入從外面送入的一基板，該載入鎖定室具有內部，其可變更為一真空或大氣狀態；一基板處理模組，其中執行關於該基板的一處理；以及一基板輸送模組，其位於該載入鎖定室與該基板處理模組之間，該基板輸送模組包括一基板輸送機械手臂，用於在該載入鎖定室與該基板處理模組之間輸送該基板，其中該基板處理模組包括：一下方處理室，其具有一開放式上半部，該下方處理室具有一通道，容許該基板從其一側邊通過；複數個承座，其每一頂端表面上都放置該基板，該等複數個承座都放置在該下方處理室內並且固定在該下方處理室內的一預設中心四周；一旋轉構件，其位於該下方處理室的該預設中心上，該旋轉構件可繞著該預設中心旋轉；複數個固定器，其連接至該旋轉構件並且與該旋轉構件一起旋轉，該等複數個固定器具有於其上放置該基板的至少一放置表面；以及一驅動模組，其連接至該旋轉構件，該驅動模組利用驅動該旋轉構件，將該等固定器之一者移動到對應至該通道的一輸送位置。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理設備
3‧‧‧設備前端模組
4‧‧‧介面壁
10‧‧‧下方處理室
11‧‧‧通道
12‧‧‧上方處理室
12a‧‧‧開口
13‧‧‧閘道閥
14‧‧‧圓筒
15‧‧‧排氣口
16‧‧‧氣體供應口
18‧‧‧天線
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧旋轉板
24‧‧‧支撐板
26‧‧‧驅動模組
27‧‧‧手臂
28‧‧‧叉狀物
29‧‧‧支撐尖端
32‧‧‧加熱板
34‧‧‧支撐轉軸
36‧‧‧托架
38‧‧‧蓋板
42‧‧‧上方隔板
44‧‧‧下方隔板
42a、44a‧‧‧貫穿孔
46、48‧‧‧支撐物
50‧‧‧框架
52‧‧‧支撐表面
54‧‧‧***溝槽
56‧‧‧接收溝槽
6‧‧‧載入口
60‧‧‧噴灑頭
62‧‧‧注射孔
64‧‧‧緩衝空間
70‧‧‧阻擋板
7‧‧‧框架機械手臂
102‧‧‧基板輸送模組
104‧‧‧基板輸送機械手臂
106‧‧‧載入鎖定室
110‧‧‧基板處理模組
在此包括附圖來進一步了解本發明，並且併入以及構成此說明書的一部分。圖式例示本發明的示範具體實施例，並且搭配內容說明可用來解釋本發明原理。圖式中：第一圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之示意圖；第二圖為例示第一圖中一基板處理模組的示意圖；第三圖為第二圖中一下方處理室內部的圖式；第四圖為例示第二圖中一蓋板的圖式；第五圖為例示第二圖中一固定器的圖式；第六圖和第七圖為例示第二圖中該固定器運作的圖式；第八圖為例示第二圖中該基板處理模組的修改範例之示意圖；以及第九圖為例示第二圖中該基板處理模組另一個修改範例的示意圖。
此後，將參照第一圖至第九圖來詳細說明本發明的範例具體實施例。不過，本發明可以有不同形式的修改，並且不受限於此處陳述的具體實施例。而是提供這些具體實施例，如此所揭示範圍將更完整，並且將本發明範疇完整傳達給精通此技術的人士。在圖式中，為了例示之清晰起見所以誇大了組件的形狀。
雖然底下說明一沉積處理當成範例，不過本發明可套用至包括該沉積處理的許多半導體製程。
第一圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之示意圖。基板處理裝置1包括處理設備2、一設備前端模組(equipment front end module，EFEM)3以及一介面壁4。EFEM 3固定在處理設備2的前側，用於在於其中接收基板的容器(未顯示)與處理設備2之間輸送一基板。
EFEM 3包括複數個載入口6和一框架50，框架50位於載入口6與處理設備2之間。於其中接收基板的容器由一輸送單元(未顯示)，例如一吸頂輸送器、一吸頂輸送帶或一自走車，放置於載入口6上。
可使用例如晶圓傳送盒(front open unified pod，FOUP)這類氣密容器當成容器。在框架50內放置一個框架機械手臂7，用於在載入口6上的容器與處理設備2之間傳送基板。在框架50內可有用於自動開啟或關閉該容器之門的開門裝置(未顯示)。框架50內也可提供將乾淨空氣供應到框架50內的風扇過濾單元(fan filter unit，FFU)(未顯示)，如此乾淨的空氣將從框架50的上側往下流。
關於基板的一預定處理都在處理設備2內執行，處理設備2包括一基板輸送模組102、一載入鎖定室106以及一基板處理模組110。從上方觀看時，基板輸送模組102可具有大體上多邊形的形狀。載入鎖定室106和基板處理模組110都位於基板輸送模組102的側邊表面上。
載入鎖定室106位於在基板輸送模組102側邊表面之間與EFEM 3相鄰的一側邊表面上。基板暫時存放在載入鎖定室106內之後，將該基板放入處理設備2，以便執行處理。處理完成之後，該基板從處理設備2卸載，然後暫時存放在載入鎖定室106內。基板輸送模組102以及基板處理模組110的內部分別維持真空狀態。載入鎖定室106轉換成真空或大氣狀態。載入鎖定室106避免外來汙染物進入基板輸送模組102和基板處理模組110。另外，因為在該基板之輸送期間該基板並未暴露在空氣中，所以可避免在該基板上生成氧化物層。
閘道閥(未顯示)分別位於載入鎖定室106與基板輸送模組102之間以及載入鎖定室106與EFEM 3之間。基板在EFEM 3與載入鎖定室106之間輸送時，位於載入鎖定室106與基板輸送模組102之間的該閘道閥會關閉。另外，該基板在載入鎖定室106與基板輸送模組102之間輸送時，位於載入鎖定室106與EFEM 3之間的該閘道閥會關閉。
基板輸送模組102包括一基板輸送機械手臂104。基板輸送機械手臂104在載入鎖定室106與基板處理模組110之間輸送基板。基板輸送模組102係密封，如此在輸送該基板時，基板輸送模組102將保持在真空狀態。維持真空狀態係用於避免該基板暴露在污染物之下(例如O2 、粒子材料等等)。
基板處理模組110用於在基板上沉積一薄膜。雖然在第一圖 內例示兩個基板處理模組110，不過本發明並不受限於此。例如，可提供三個或更多個基板處理模組110。另外，用於執行其他處理(例如清潔或蝕刻處理)的模組可位於基板輸送模組102的側邊表面上。
第二圖為例示第一圖中該基板處理模組的示意圖。第三圖為第二圖中一下方處理室內部的圖式。請參閱第二圖，基板處理模組110包括一下方處理室10、一上方處理室12以及一圓筒14。下方處理室10以及上方處理室12提供一處理空間。關於一基板W的處理都在該處理空間內執行。圓筒14提供一產生空間，供應至該產生空間內的處理氣體係產生電漿。
下方處理室10具有一開放式上半部。上方處理室12連接至下方處理室10的該上半部。上方處理室12朝外面往下傾斜。另外，上方處理室12在其中心具有一開口12a。圓筒14位於開口12a上，圓筒14關閉開口12a。上方處理室12與圓筒14一起關閉下方處理室10的開放式上半部。
氣體供應口16連接至圓筒14的上半部。透過氣體供應口16供應處理氣體至圓筒14中。提供該處理氣體，以便在基板W的一表面上沉積一薄膜。在此可根據薄膜種類使用許多種氣體。天線18具有線圈形狀以圍繞圓筒14的外面。天線18連接至RF產生器(未顯示)。另外，在天線18與該RF產生器之間可放置一RF匹配器(未顯示)。高頻電流流入天線18時，圓筒14內就會產生磁場。然後，可將該處理氣體供應至圓筒14來產生電漿。所產生的電漿移動到承座上該基板W的該表面之上，來形成一薄膜。
下方處理室10在其側邊內具有一通道11。基板W透過通道11載入下方處理室10。通道11外面有一閘道閥13，通道11可由該閘道閥13開啟或關閉。如上述，基板輸送機械手臂104與該基板W一起透過通道11移動到下方處理室10。然後，該基板W放置在叉狀物28上，這稍後說明，然後透過通道11移動到下方處理室10之外。在此，通道11由閘道閥13開啟。
如第二圖內所示，承座位於下方處理室10之內。如底下所 述，該承座包括一加熱板32以及一蓋板38。基板W利用基板輸送機械手臂104移動到下方處理室10內。執行該處理時，該基板W放置在該承座的一頂端表面上。該承座由一支撐轉軸34所支撐，支撐轉軸34透過托架36固定至下方處理室10的下半部。
如第三圖內所示，承座固定在下方處理室10之預設中心的四周。該等承座以等角(例如大約72°)間隔排列。該等承座之一者可位於通道11的前側上(代表基板透過通道11移動至下方處理室10的方向)。一處理可在基板W分別位於所有該等承座上的狀態下開始。在此，有關每一該等基板W的處理可同時執行。如此，該處理可同時在五個基板W上執行，以改善生產力。
如上述，基板W利用基板輸送機械手臂104移動到下方處理室10內。然後，基板輸送機械手臂104將該基板W放置在叉狀物28上。
一旋轉構件包括一旋轉軸22和一旋轉板23。如第二圖和第三圖內所示，五個叉狀物28分別透過手臂27連接至旋轉板23。另外，叉狀物28相對於旋轉板23的中心(或下方處理室10的預設中心)以等角(例如72°)間隔排列。旋轉板23連接至旋轉軸22。旋轉軸22通過下方處理室10的一下方壁。另外，旋轉軸22放置在下方處理室10的該預設中心上，並且相對於下方處理室10的該預設中心旋轉。旋轉軸22連接至驅動模組26。該旋轉軸由驅動模組26升高與旋轉。旋轉板23與旋轉軸22一起升高和旋轉。叉狀物28與旋轉板23一起升高和旋轉。驅動模組26固定至一支撐板24，該支撐板固定在下方處理室10的該下方壁上。
叉狀物28可藉由本身旋轉，放置在通道11的前側上(「輸送位置」)。基板輸送機械手臂104將基板W放置在位於該輸送位置上的叉狀物28之上。在此，該基板W放置在一支撐尖端29的一頂端表面上，此後將有說明。接收該基板W的叉狀物28旋轉離開該輸送位置。於其中未接收該基板W的下一個叉狀物28旋轉並移動至該輸送位置。在類似的方式中，基板輸送機械手臂104將一基板W放置在位於該輸送位置上的叉狀物28之上。叉狀物28可藉由旋轉板23的旋轉，連續移動至該輸送位置。基板W連續放置在叉狀物28的頂端表面上。透過上述處理，複數個基板 W可放置在叉狀物28的該頂端表面上。
另外，基板W可放置在承座上，或由叉狀物28的升高與該承座分隔。稍後將有叉狀物28升高的詳細說明。
如第二圖與第三圖內所示，下方處理室10包括位於其底部表面邊緣內的排氣口15。排氣口15分別位於承座外面，排氣口15具有與該等承座相同的數量。執行一處理時，副產品以及未反應氣體透過排氣口15排放到下方處理室10之外。一上方隔板42和一下方隔板44放在該承座四周。支撐物46和48支撐上方隔板42和下方隔板44，上方隔板42和下方隔板44分別具有貫穿孔42a和44a(請參閱第七圖和第八圖)。該等副產品和該等未反應氣體都透過貫穿孔42a和44a進入排氣口15。
承座包括加熱板32以及蓋板38。加熱板32具有對應至基板W形狀的一圓碟形狀。執行處理時，加熱板32將其上的該基板W加熱至一處理溫度。蓋板38放在加熱板32上，不過與目前的具體實施例不同，加熱板32以及蓋板38可一體成型。
第四圖為例示第二圖中一蓋板的圖式。蓋板38具有一支撐表面52。支撐表面52具有大體上與基板W相同的形狀。一***溝槽54從支撐表面52往下凹。如底下所述，固定器下降時，支撐尖端29***該***溝槽54。在類似方式中，一接收溝槽56從支撐表面52往下凹。該固定器下降時，叉狀物28接收至該接收溝槽56內。***溝槽54大體上可具有與支撐尖端29相同的尺寸與形狀。接收溝槽56大體上可具有與叉狀物28相同的尺寸與形狀。
第五圖為例示第二圖中一固定器的圖式。該固定器包括叉狀物28以及支撐尖端29。叉狀物28可具有弧形，其內徑大於基板W的直徑。叉狀物28可具有中心角度大於大約180°的弧形。支撐尖端29連接至叉狀物28以從叉狀物28往內突出。支撐尖端29連接至叉狀物28的中心與兩端。固定器上的該基板W放在叉狀物28內，以及在支撐尖端29的一頂端表面(或一放置表面)上。該基板W由三個支撐尖端29穩定支撐。替代地，該固定器可具有與目前具體實施例內所述不同的形狀。
第六圖和第七圖為例示第二圖中該固定器運作的圖式。此 後，將參考第六圖和第七圖來說明將一基板W放在承座上的方法。另外，此後將只說明一個固定器與承座當成範例。以下說明同樣適用於其他固定器與承座。
如上述，一個基板W放置在五個固定器的每一個之上時，該基板W由該固定器放在承座上。然後，同時在該等個別基板上執行處理。
叉狀物28和支撐尖端29利用驅動模組26與旋轉板23一起升高。請參閱第六圖，叉狀物28上升時，基板W放置在支撐尖端29上。在此，叉狀物28和支撐尖端29放置在高於承座的位置上(「接收高度」)。在叉狀物28和支撐尖端29都放置在該接收高度的狀態下，該基板W可由基板輸送機械手臂104移動至下方處理室10內，並且放置在支撐尖端29上。放置在支撐尖端29上的該基板W，可由基板輸送機械手臂104移動到下方處理室10之外。在基板輸送機械手臂104將該基板W抬升至比支撐尖端29還要高的高度之狀態下，基板輸送機械手臂104將該基板W輸送到支撐尖端29之上。然後該基板W下降並放置在支撐尖端29上。如上述，在叉狀物28位於該接收高度上的狀態下，叉狀物28可旋轉並移動至輸送位置。
請參閱第七圖，叉狀物28下降時，基板W放置在承座(或蓋板38)上。在此，支撐尖端29的頂端表面(或放置表面)可位於比蓋板38的支撐表面52還要低之位置上(「載入高度」)。支撐尖端29已經***至***溝槽54，並且叉狀物28接收至接收溝槽56內。
如上述，基板輸送機械手臂104可連續輸送個別固定器上的複數個基板W。當該等固定器在載入高度上移動時，該等基板W同時放置在個別承座上。此後，同時執行關於該等個別基板W的處理。該處理完成時，該固定器在接收高度上移動。然後，基板輸送機械手臂104連續將該等基板W放置在該等個別固定器上。在此，該等固定器可連續移動至輸送位置，如上所述。
第八圖為例示第二圖中該基板處理模組的修改範例之示意圖。與第二圖不同的是，上方處理室12可具有一平板形狀，並且下方隔板44可被移除。上述內容可取代底下省略的說明。
第九圖為例示第二圖中該基板處理模組另一個修改範例的示意圖。下方處理室10具有複數個開口12a。開口12a定義在一承座之上。開口12a可具有與該承座相同的數量。
一噴灑頭60放在每一開口12a之上，噴灑頭60具有從其頂端表面往下凹的一緩衝空間64，以及連接至緩衝空間64的複數個注射孔62。上方處理室12分別放在噴灑頭60上，將緩衝空間64與外界隔開。每一上方處理室12都具有一氣體供應口16。透過氣體供應口16供應處理氣體至緩衝空間64內。提供該處理氣體，以便在一基板W的一表面上沉積一薄膜。在此可根據薄膜種類使用許多種氣體。一阻擋板70放在緩衝空間64內，並且具有複數個擴散孔。
透過氣體供應口16供應處理氣體至緩衝空間64內，並且透過阻擋板70擴散。然後，該處理氣體透過擴散孔供應到承座的一頂端表面上。該處理氣體移動到放在每一承座上之基板W的一頂端表面上，在該基板W的該表面上形成一薄膜。
根據具體實施例，複數個基板可有效率地載入處理室以及從該處理室卸載。另外，可同時在該等複數個基板上執行處理。
雖然本發明以參考範例具體實施例來詳細說明，不過本發明可在不同的形式內具體實施。因此，底下所陳述的技術理念與申請專利範圍的範疇都不受限於所首選之具體實施例。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理設備
3‧‧‧設備前端模組
4‧‧‧介面壁
50‧‧‧框架
6‧‧‧載入口
7‧‧‧框架機械手臂
104‧‧‧基板輸送機械手臂
106‧‧‧載入鎖定室
110‧‧‧基板處理模組

Claims (10)

  1. 一種基板處理模組，包含：一下方處理室，其具有一開放式上半部，該下方處理室具有一通道，容許一基板從其一側邊通過；複數個承座，其每一頂端表面上都放置該基板，該等複數個承座都放置在該下方處理室內並且固定在該下方處理室內的一預設中心四周；一旋轉構件，其位於該下方處理室的該預設中心上，該旋轉構件可繞著該預設中心旋轉；複數個固定器，其連接至該旋轉構件並且與該旋轉構件一起旋轉，該等複數個固定器具有於其上放置該基板的至少一放置表面；一驅動模組，其連接至該旋轉構件，該驅動模組利用驅動該旋轉構件，將該等固定器之一者移動到對應至該通道的一輸送位置；複數個外支撐物，自該下方處理室之一底表面穿出，而分別設置於該等承座外側；以及複數個內支撐物，各該內支撐物係設置於該外支撐物內側並與該外支撐物分開設置，使得該內支撐物與該外支撐物之間形成一排氣空間；以及其中該下方處理室包括含沿著其下方壁邊緣放置的複數個排氣口，該等排氣口分別位於該等承座外面而可與該排氣空間相連通，以將該排氣空間內的一副產品引導至該下方壁邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理模組，其中該驅動模組升高該旋轉構件，將每一該等固定器定位在一接收高度或一載入高度上，以及每一該等固定器都位於比在該接收高度上的該等承座還要高的一高度上，並且該等固定器的該至少一放置表面可位於比該載入高度上之承座的頂端表面還要低的一高度上。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理模組，其中每一該等固定器都在每一該等固定器位於該接收高度上之狀態下移動至該輸送位置。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理模組，其中每一該等固定器包含： 一叉狀物，其朝向該下方處理室的外面打開，該叉狀物具有弧形以及大約180度或更多的中心角度；以及至少一支撐尖端，其連接至該叉狀物以從該叉狀物向內突出，該支撐尖端提供該放置表面，其中每一該等承座具有至少一***溝槽，其中當分別放置在該等承座上的每一該等固定器移動至該載入高度時，則***該支撐尖端。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理模組，其中每一該等承座包含：一加熱板；以及一蓋板，其放在該加熱板上，該蓋板具有於其上放置該基板的一支撐表面，其中該***溝槽定義在該支撐表面的一邊緣內。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理模組，其中該等承座和該等固定器都相對於該中心以等角間隔排列，以及該等承座具有與該等固定器相同的數量。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理模組，其中該等承座之一者對應至該通道來放置。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理模組，另包含：一上方處理室，其連接至該下方處理室的一上半部，該上方處理室具有對應至該中心的一開口；一圓筒，其具有連接至該上方處理室的該開口之一開放式下半部；一氣體供應口，其連接至該圓筒，將由外面供應的一處理氣體供應至該圓筒內；以及一天線，其圍繞該圓筒以在該圓筒內產生一電場。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理模組，其中該下方處理室具有分別對應至該等承座的複數個開口，以及其中該基板處理模組另包含： 噴灑頭，每一噴灑頭都具有從其頂端表面往下凹的一緩衝空間，以及連接至該緩衝空間的複數個注射孔，該等噴灑頭分別放置在該等開口上；以及上方處理室，其分別位於該等噴灑頭之上，將該緩衝空間與該外面隔開，該等上方處理室具有氣體供應口，用於分別將由該外面供應的一處理氣體供應至該緩衝空間內。
  10. 一種基板處理裝置，包含：一載入鎖定室，其中放入從該外面送入的一基板，該載入鎖定室具有該內部，其可變更為一真空或大氣狀態；一基板處理模組，其中執行關於該基板的一處理；以及一基板輸送模組，其位於該載入鎖定室與該基板處理模組之間，該基板輸送模組包含一基板輸送機械手臂，用於在該載入鎖定室與該基板處理模組之間輸送該基板，其中該基板處理模組包含：一下方處理室，其具有一開放式上半部，該下方處理室具有一通道，容許該基板從其一側邊通過；複數個承座，其每一頂端表面上都放置該基板，該等複數個承座都放置在該下方處理室內並且固定在該下方處理室內的一預設中心四周；一旋轉構件，其位於該下方處理室的該預設中心上，該旋轉構件可繞著該預設中心旋轉；複數個固定器，其連接至該旋轉構件並且與該旋轉構件一起旋轉，該等複數個固定器具有於其上放置該基板的至少一放置表面；一驅動模組，其連接至該旋轉構件，該驅動模組利用驅動該旋轉構件，將該等固定器之一者移動到對應至該通道的一輸送位置；複數個外支撐物，自該下方處理室之一底表面穿出，而分別設置於該等承座外側；以及 複數個內支撐物，各該內支撐物係設置於該外支撐物內側並與該外支撐物分開設置，使得該內支撐物與該外支撐物之間形成一排氣空間；其中該下方處理室包括含沿著其下方壁邊緣放置的複數個排氣口，該等排氣口分別位於該等承座外面而可與該排氣空間相連通，以將該排氣空間內的一副產品引導至該下方壁邊緣。
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