JP2011519488A - マルチ電圧静電気放電保護 - Google Patents
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Abstract
Description
(電圧制限素子)を設けることが一般的である。
Claims (20)
- 電子素子であって、
当該電子素子に含まれる被保護半導体素子又は集積回路の第1の端子と第2の端子に渡って結合される静電放電(ESD)クランプを具現し、
当該電子素子は、
ソースとドレインとゲートと本体とを有する第1のESDトランジスタであって、該第1のESDトランジスタのソースは前記第2の端子に結合され、該第1のESDトランジスタのドレインは前記第1の端子に結合される第1のESDトランジスタ、
該第1のESDトランジスタのゲートとソースとの間に結合される第1の抵抗器、
前記第1のESDトランジスタの本体とソースとの間に結合される第2の抵抗器、及び
ソースとドレインとゲートとを有する第1及び第2の制御トランジスタであって、該第1の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第1の抵抗器に並列に結合され、前記第1の制御トランジスタのゲートは第1のバイアス電圧に結合されるよう適応され、前記第2の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第2の抵抗器に並列に結合され、前記第2の制御トランジスタのゲートは第2のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第1及び第2の制御トランジスタ、
を有する電子素子。 - ソースとドレインとゲートと本体とを有する第2のESDトランジスタであって、該第2のESDトランジスタのソース及びドレインは前記第1のESDトランジスタのソースと前記第2の端子との間に直列に結合される第2のESDトランジスタ、
該第2のESDトランジスタのゲートとソースとの間に結合される第3の抵抗器、
前記第2のESDトランジスタの本体とソースとの間に結合される第4の抵抗器、及び
ソースとドレインとゲートとを有する第3及び第4の制御トランジスタであって、該第3の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第3の抵抗器に並列に結合され、前記第3の制御トランジスタのゲートは第3のバイアス電圧に結合されるよう適応され、前記第4の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第4の抵抗器に並列に結合され、前記第4の制御トランジスタのゲートは第4のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第3及び第4の制御トランジスタ、
を更に有する請求項1に記載の電子素子。 - 前記第2のESDトランジスタのドレインは、前記第1のESDトランジスタのソースと結合される、
ことを特徴とする請求項2に記載の電子素子。 - 前記第2のESDトランジスタのソースは、前記第1のESDトランジスタのソースと結合される、
ことを特徴とする請求項2に記載の電子素子。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧は、Vddから引き出され、
Vddは、被保護半導体素子又は集積回路の主電源線電圧である、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子素子。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧の電源と前記第1及び第2の制御トランジスタのゲ―トとの間の1又は複数の低域通過フィルタ、
を更に有する請求項1に記載の電子素子。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧は、共通の電源から引き出され、
単一の低域通過フィルタは、該共通の電源と前記第1及び第2の制御トランジスタのゲートとの間に設けられる、
ことを特徴とする請求項6に記載の電子素子。 - 前記1又は複数の低域通過フィルタは、約800メガヘルツより低い周波数の信号を実質的に通過させ、約800メガヘルツより上の信号を実質的に減衰する、
ことを特徴とする請求項6に記載の電子素子。 - 前記1又は複数の低域通過フィルタは、
該フィルタへの入力に渡る第1及び第2の端子を有する第1のキャパシタ、
前記フィルタへの出力に渡る第1及び第2の端子を有する第2のキャパシタ、及び
前記第1のキャパシタの第1の端子と前記第2のキャパシタの第1の端子とを結合する更なる抵抗器、
を有する請求項6に記載の電子素子。 - 前記1又は複数の低域通過フィルタのそれぞれは、入力端子及び出力端子を有し、
該フィルタは、
第1及び第2の端子を有するキャパシタであって、該キャパシタの第1の端子又は第2の端子のうちの一方は該フィルタの入力端子又は出力端子のうちの一方に結合されるキャパシタ、
該キャパシタの第1の端子又は第2の端子のうちの他方を前記フィルタの入力端子又は出力端子のうちの他方に結合する更なる抵抗器、
を有する、
ことを特徴とする請求項6に記載の電子素子。 - 前記第1のバイアス電圧は、前記第1の制御トランジスタのゲートの絶縁破壊電圧より低く、
前記第2のバイアス電圧は、前記第2の制御トランジスタのゲートの絶縁破壊電圧より低い、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子素子。 - 電子部品であって、
当該電子部品に含まれる被保護半導体素子又は集積回路の第1の端子と第2の端子に渡って結合される縦列接続された静電放電(ESD)クランプを有し、
当該電子部品は、直列に結合された少なくとも第1及び第2のESDクランプ段を有し、
該第1及び第2のESDクランプ段のそれぞれは、
ソース接点とドレイン接点とゲート接点と本体接点とを有するESDトランジスタ、
該ESDトランジスタのゲート接点とソース接点との間に結合される第1の抵抗器、
前記ESDトランジスタの本体接点とソース接点との間に結合される第2の抵抗器、
ソース接点とドレイン接点とゲート接点とを有する第1の制御トランジスタであって、該第1の制御トランジスタのソース接点及びドレイン接点は前記第1の抵抗器に渡って結合され、該第1の制御トランジスタのゲート接点は第1のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第1の制御トランジスタ、及び
ソース接点とドレイン接点とゲート接点とを有する第2の制御トランジスタであって、該第2の制御トランジスタのソース接点及びドレイン接点は前記第2の抵抗器に渡って結合され、該第2の制御トランジスタのゲート接点は第2のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第2の制御トランジスタ、
を有し、
前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソース接点又はドレイン接点は、前記第2の端子に結合され、
前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのドレイン接点は、前記第1の端子に結合され、
前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのドレイン接点又はソース接点は、前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソース接点に結合される、
ことを特徴とする電子部品。 - 前記第1のESDクランプ段の前記制御トランジスタのゲート接点は、一緒に結合され、第1のバイアス電圧に結合されるよう適応され、
前記第2のESDクランプ段の前記制御トランジスタのゲート接点は、一緒に結合され、第2のバイアス電圧に結合されるよう適応される、
ことを特徴とする請求項12に記載の電子部品。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧は、異なる、
ことを特徴とする請求項13に記載の電子部品。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧は、実質的に同一である、
ことを特徴とする請求項13に記載の電子部品。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧は、第1及び第2のバイアス供給接続から得られ、
前記第1及び第2のESDクランプ段の前記制御トランジスタのゲートは、該第1のバイアス供給接続に結合されるよう適応され、
前記縦列接続されたESDクランプは、
前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのドレイン又はソースと、前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソースとに結合された第1の端部、及び
前記第2のバイアス供給接続に結合されるよう適応された第2の端部、
を有する、
ことを特徴とする請求項12に記載の電子部品。 - 電子装置であって、
当該装置内の被保護半導体素子又は集積回路の第1の端子と第2の端子に渡って結合される双方向静電放電(ESD)クランプを有し、
当該電子装置は、直列に結合された第1及び第2のESDクランプ段を有し、
該第1及び第2のESDクランプ段のそれぞれは、
ソースとドレインとゲートと本体とを有するESDトランジスタ、
該ESDトランジスタのゲートとソースとの間に結合される第1の抵抗器、
前記ESDトランジスタの本体とソースとの間に結合される第2の抵抗器、
ソースとドレインとゲートとを有する第1の制御トランジスタであって、該第1の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第1の抵抗器に渡って結合され、該第1の制御トランジスタのゲートは第1のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第1の制御トランジスタ、
ソースとドレインとゲートとを有する第2の制御トランジスタであって、該第2の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第2の抵抗器に渡って結合され、該第2の制御トランジスタのゲート接点は第2のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第2の制御トランジスタ、
前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソースとドレインとの間に結合される第1のバイパス・ダイオード、及び
前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソースとドレインとの間に結合される第2のバイパス・ダイオード、
を有し、
前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのドレインは、前記第2の端子に結合され、
前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのドレインは、前記第1の端子に結合され、
前記第1及び第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソースは、一緒に結合される、
ことを特徴とする電子装置。 - 前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソースとドレインとの間に結合された前記第1のバイパス・ダイオードは、前記第1の端子に到来するESD過渡電流が前記第2の端子に対して正のとき、前記第1のバイパス・ダイオードが導通し、それにより前記ESD過渡電流の結果として生じる電流を主として前記第1のダイオードを通じて流し、前記第1のESDクランプ段の前記ESDトランジスタを実質的にバイパスさせるようにし、
前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタのソースとドレインとの間に結合された前記第2のバイアス・ダイオードは、前記第1の端子に到来するESD過渡電流が前記第2の端子に対して負のとき、前記第2のバイパス・ダイオードを導通し、それにより前記ESD過渡電流の結果として生じる電流を主として前記第2のダイオードを通じて流し、前記第2のESDクランプ段の前記ESDトランジスタを実質的にバイパスさせるようにする、
ことを特徴とする請求項17に記載の電子装置。 - 前記第1及び第2のバイアス電圧の一方又は両方と前記制御トランジスタのゲートとの間に直列に結合されるよう適応された1又は複数の低域通過フィルタ、
を更に有する請求項17に記載の電子装置。 - 前記1又は複数の低域通過フィルタの少なくとも幾つかは、直列抵抗器及び1又は複数のシャント・キャパシタを有する、
ことを特徴とする請求項19に記載の電子装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214740A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Highdeev Co Ltd | チューナブルキャパシタ |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8693148B2 (en) * | 2009-01-08 | 2014-04-08 | Micron Technology, Inc. | Over-limit electrical condition protection circuits for integrated circuits |
TWI399844B (zh) * | 2009-11-24 | 2013-06-21 | Nuvoton Technology Corp | 晶片及其靜電放電保護元件 |
US8982516B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-03-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Area-efficient high voltage bipolar-based ESD protection targeting narrow design windows |
US8390092B2 (en) | 2010-11-12 | 2013-03-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Area-efficient high voltage bipolar-based ESD protection targeting narrow design windows |
JP2012142502A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Sony Corp | 保護素子及び保護素子を備えた半導体装置 |
US8547169B2 (en) * | 2011-05-10 | 2013-10-01 | Qualcomm Incorporated | Programmable noise filtering for bias kickback disturbances |
US8611058B2 (en) | 2011-08-23 | 2013-12-17 | Micron Technology, Inc. | Combination ESD protection circuits and methods |
US8724268B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-05-13 | Micron Technology, Inc. | Over-limit electrical condition protection circuits and methods |
EP2769531B1 (en) * | 2011-10-21 | 2017-12-13 | NXP USA, Inc. | Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor |
CN104143820A (zh) * | 2013-05-08 | 2014-11-12 | 博通集成电路(上海)有限公司 | 静电放电保护电路及方法 |
US9330961B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Stacked protection devices and related fabrication methods |
TWI501498B (zh) * | 2013-10-04 | 2015-09-21 | Silicon Motion Inc | 靜電放電保護電路及其靜電保護方法 |
US9225163B2 (en) * | 2013-11-01 | 2015-12-29 | Infineon Technologies Ag | Combined ESD active clamp for cascaded voltage pins |
US9299669B2 (en) * | 2014-01-23 | 2016-03-29 | Amlogic Co., Ltd. | Electrostatic discharge device gate biasing for a transmitter |
US9780558B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-10-03 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device and related protection methods |
US9620496B2 (en) | 2015-03-10 | 2017-04-11 | Nxp Usa, Inc. | Stacked protection devices with overshoot protection and related fabrication methods |
US9893050B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-02-13 | Nxp Usa, Inc. | ESD protection structure |
US10263577B2 (en) * | 2016-12-09 | 2019-04-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Gate drive circuit and method of operating the same |
JP2018120955A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10193338B2 (en) * | 2017-05-05 | 2019-01-29 | Synaptics Incorporated | Voltage triggered edge insensitive protection circuit |
US10141300B1 (en) * | 2017-10-19 | 2018-11-27 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Low capacitance transient voltage suppressor |
US11088540B2 (en) * | 2018-10-30 | 2021-08-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Switch circuit with high voltage protection that reduces leakage currents |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275624A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Sony Corp | 半導体保護回路 |
JPH077406A (ja) * | 1989-12-19 | 1995-01-10 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 集積回路用の静電放電保護 |
JPH0851184A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
JP2001339044A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の静電保護回路 |
JP2002261241A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Denso Corp | 静電気保護回路 |
JP2006517350A (ja) * | 2003-02-10 | 2006-07-20 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 低電圧nmos型静電気放電クランプ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5086365A (en) * | 1990-05-08 | 1992-02-04 | Integrated Device Technology, Inc. | Electostatic discharge protection circuit |
US5841814A (en) * | 1995-10-17 | 1998-11-24 | Paradyne Corporation | Sampling system for radio frequency receiver |
US5686751A (en) * | 1996-06-28 | 1997-11-11 | Winbond Electronics Corp. | Electrostatic discharge protection circuit triggered by capacitive-coupling |
US6160434A (en) * | 1998-05-14 | 2000-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ninety-degree phase shifter |
US6459553B1 (en) * | 1999-03-19 | 2002-10-01 | Ati International Srl | Single gate oxide electrostatic discharge protection circuit |
US6621675B2 (en) * | 2001-02-02 | 2003-09-16 | Broadcom Corporation | High bandwidth, high PSRR, low dropout voltage regulator |
US6747857B1 (en) * | 2002-02-01 | 2004-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Clamping circuit for stacked NMOS ESD protection |
JP2005260039A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US7221551B2 (en) * | 2004-06-11 | 2007-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cascaded gate-driven ESD clamp |
US7027278B1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-04-11 | National Semiconductor Corporation | Stacked high-voltage ESD protection clamp with triggering voltage circuit control |
FR2875335B1 (fr) * | 2004-09-15 | 2007-03-02 | Atmel Nantes Sa Sa | Circuit electronique a double alimentation et a moyens de protection contre les claquages, et moyens de protection correspondants |
JP4617231B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-01-19 | 太陽誘電株式会社 | ランプ駆動装置 |
US7626243B2 (en) * | 2006-08-04 | 2009-12-01 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | ESD protection for bipolar-CMOS-DMOS integrated circuit devices |
JP4641021B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2011-03-02 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | マルチバンド無線機及び半導体集積回路 |
US7804669B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-09-28 | Qualcomm Incorporated | Stacked ESD protection circuit having reduced trigger voltage |
-
2008
- 2008-04-30 US US12/112,209 patent/US8279566B2/en active Active
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2009
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-
2012
- 2012-09-12 US US13/612,466 patent/US8432654B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077406A (ja) * | 1989-12-19 | 1995-01-10 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 集積回路用の静電放電保護 |
JPH05275624A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Sony Corp | 半導体保護回路 |
JPH0851184A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
JP2001339044A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の静電保護回路 |
JP2002261241A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Denso Corp | 静電気保護回路 |
JP2006517350A (ja) * | 2003-02-10 | 2006-07-20 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 低電圧nmos型静電気放電クランプ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214740A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Highdeev Co Ltd | チューナブルキャパシタ |
US9520854B2 (en) | 2012-04-03 | 2016-12-13 | Hideep Inc. | Tunable capacitor integrated on one semiconductor die or on one module |
US9712132B2 (en) | 2012-04-03 | 2017-07-18 | Hideep Inc. | Tunable capacitor integrated on one semiconductor die or on one module |
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