JP2011259000A - 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光装置の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光方法は、所定条件の下で光路空間K1を液体LQで満たした状態で基板ステージPSTを制御して基板ステージPSTを移動させつつ基板Pの位置情報を計測する第1ステップと、計測結果に基づいて基板ステージPSTの移動制御精度を求める第2ステップと、求めた移動制御精度に基づいて基板Pを露光するときの露光条件を決定する第3ステップと、決定された露光条件に基づいて基板Pを露光する第4ステップとを有する。これにより、液浸法に基づいて基板を露光する際、基板を良好に露光できる。
【選択図】図1
Description
特に、光路空間が液体で満たされている状況であっても、求めた移動制御精度に基づいて、最適な露光条件を決定することができる。
本実施形態に係る露光装置について図1〜図4を参照しながら説明する。図1は露光装置EXを示す概略構成図、図2はマスクステージMSTの平面図、図3は基板ステージPSTの平面図、図4はノズル部材70を下方から見た図である。
微動ステージ用干渉計94は、X移動鏡93Xに対してX軸に平行なレーザビームBMxを照射し、Y移動鏡93Y、93Yのそれぞれに対してY軸に平行なレーザビームBMy、BMyを照射する。Y移動鏡93Y、93Yで反射したレーザビームBMy、BMyのそれぞれは、反射ミラー93M、93Mで反射してY移動鏡93Y、93Yに戻される。
すなわち、微動ステージ用干渉計94のY移動鏡93Y、93YにレーザビームBMy、BMyを照射するY軸干渉計は所謂ダブルパス干渉計であり、これにより、微動ステージMST2が回転してもレーザビームの位置ずれが生じないようになっている。また、図2に示すように、マスクM上の露光光ELで照明される照明領域MRは、投影光学系PLの視野内でX軸方向を長手方向とするスリット状(矩形状)に設定されている。
また、本実施形態の回収口22には多孔部材が設けられている。多孔部材は、例えばセラミックス製の多孔体、チタン製の板状メッシュによって構成されている。
制御装置CONTの制御のもとで液体供給部11から液体LQが送出されると、その液体供給部11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収部21が駆動されると、投影光学系PLの像面側の液体LQは回収口22を介してノズル部材70の回収流路に流入し、回収管23を流れた後、液体回収部21に回収される。
制御装置CONTは、微動ステージMST2と基板ステージPSTとの相対位置誤差が小さくなるように、XY干渉計96及び微動ステージ用干渉計94の計測結果に基づいて、微動ステージMST2を駆動するといった所謂フィードバック制御を行う。
すなわち、制御装置CONTは、マスクステージMST及び基板ステージPSTそれぞれの位置情報を所定のサンプリング間隔で同時に取得する。制御装置CONTは、取得した計測値(微動ステージMST2及び基板ステージPSTの位置情報)を、ショット領域S1の露光開始時点を基準とした時間(時刻)に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。
制御装置CONTは、第2回収口22’による回収条件を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。
あるいは、上面87を形成するプレート部材を基板ステージPSTの基材と交換可能に設けておき、互いに異なる接触角を有するプレート部材を複数用意しておくことにより、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角を変えることができる。あるいは、基板ステージPSTの上面87をプラズマ加工などの機械的処理や化学薬品を用いた化学的処理を施してもよい。なお、基板ステージPSTの上面87の液体LQに対する接触角が変更できる場合には、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角と、基板Pの表面の液体LQとの接触角とをほぼ同じ値にすることによって、基板Pの表面を含む基板ステージPST上の接触角分布を均一化することができるため、液浸領域LRが基板Pの表面のみに形成されている状態での同期誤差と、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面とに同時に形成されている状態での同期誤差との差異を小さくすることができる。
また、上述したように、表面の膜によって液体LQとの接触角が変わり、同期誤差の起こり方も変化する可能性があるので、表面の膜が異なる複数種の評価用基板を順次基板ステージPSTに保持し、複数種の評価用基板のそれぞれについて液浸条件、基板の移動条件などを変えながら同期誤差を求め、デバイス製造に用いられる基板Pを露光するときに、その基板P表面の膜条件と同一または類似の評価用基板に関する同期誤差の評価結果に基づいて、最適な露光条件を決定するようにしてもよい。
以上、基板ステージPSTのXY方向に関する移動制御精度、すなわちマスクステージMSTと基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動するときの同期誤差を評価し、最適な露光条件を決定する場合を例にして説明したが、光路空間K1に満たされた液体LQによって、基板ステージPSTのZ軸方向に関する移動制御精度が変動(劣化)する可能性もある。以下の説明において、基板ステージPSTのZ軸方向に関する移動制御精度を適宜、「フォーカス制御精度(誤差)」と称する。
ここで、基板ステージPSTのフォーカス制御精度は、基板ステージPST上の所定面と、その所定面を一致させるべき目標面との位置誤差を含む。基板ステージPST上の所定面は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面、あるいは基板ステージPSTに保持された基板Pの周囲に配置された基板ステージPSTの上面87を含む。なお、基板ステージPSTに保持された基板Pの周囲(基板ステージPSTの上面87など)に、露光処理に関する計測器が搭載されている場合もある。
また上述の第1及び第2実施形態においては、干渉計システム90の計測結果やフォーカス・レベリング検出系30の検出結果に基づいて同期誤差やフォーカス制御精度を求めているが、上述の各種条件の下で基板Pをテスト露光して、その露光結果に基づいて、同期誤差やフォーカス制御誤差を評価してもよい。
Claims (37)
- 露光光の光路空間を液体で満たした状態で前記露光光に対して基板ステージに保持された基板を移動しつつ前記基板を露光する露光方法であって、
所定条件の下で前記光路空間を液体で満たした状態で前記基板ステージを制御して前記基板ステージを移動させつつ前記基板ステージに保持された基板の位置情報を計測する第1ステップと、
前記計測結果に基づいて前記基板ステージの移動制御精度を求める第2ステップと、
前記求めた移動制御精度に基づいて前記基板を露光するときの露光条件を決定する第3ステップと、
前記決定された露光条件に基づいて前記基板を露光する第4ステップとを有する露光方法。 - 前記第4ステップにおいて、パターンを有するマスクを移動可能なマスクステージと前記基板ステージとを所定の走査方向に関して同期移動しつつ前記基板が露光され、
前記移動制御精度は、前記マスクステージと前記基板ステージとの同期誤差を含む請求項1記載の露光方法。 - 前記走査方向に関して前記マスクステージと前記基板ステージとを移動しつつ前記マスクと前記基板との位置情報を計測し、前記計測結果に基づいて前記同期誤差を求める請求項2記載の露光方法。
- 前記マスク上の所定のスリット領域を前記露光光で照明し、前記同期誤差に基づいて、前記基板上の任意の点が前記スリット領域に入ってから出るまでの間の前記同期誤差の平均値、及び前記同期誤差の平均値のまわりの散らばり度合いの少なくとも一方を求める請求項2又は3記載の露光方法。
- 前記基板ステージは所定の二次元方向に移動可能であって、
前記移動制御精度は、前記二次元方向に関する移動制御精度を含む請求項1〜4のいずれか一項記載の露光方法。 - 前記基板ステージは所定の二次元方向に移動可能であって、
前記移動制御精度は、前記二次元方向に垂直な方向に関する移動制御精度を含む請求項1〜5のいずれか一項記載の露光方法。 - 前記二次元方向に垂直な方向に関する移動制御精度は、前記基板ステージ上の所定面と該所定面を一致させるべき目標面との位置誤差を含む請求項6記載の露光方法。
- 前記所定面は、前記基板ステージに保持された基板の表面、及び前記基板ステージに保持された基板の周囲に配置された部材の表面の少なくとも一方を含む請求項7記載の露光方法。
- 前記第4ステップにおいて、前記露光光は、前記基板と投影光学系との間の光路空間を液体で満たした状態で前記基板上に照射され、
前記目標面は、前記投影光学系と前記液体とを介して形成される像面に基づいて決定される請求項7又は8記載の露光方法。 - 前記光路空間を液体で満たすことによって、前記基板ステージに保持された基板の表面と前記基板ステージに保持された基板の周囲に配置された部材の表面との少なくとも一方に液浸領域が形成される請求項1〜9のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記露光条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件を含む請求項1〜10のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記液浸条件は、前記光路空間に液体を供給するときの供給条件、及び液体を回収するときの回収条件の少なくとも一方を含む請求項11記載の露光方法。
- 前記露光条件は、前記基板の移動条件を含む請求項1〜12のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記移動条件は、前記基板の移動速度、加減速度、及び移動方向の少なくとも一つを含む請求項13記載の露光方法。
- 前記移動条件は、前記光路空間と前記基板ステージとの位置関係を含む請求項13又は14記載の露光方法。
- 前記露光条件は、前記液体に接触する物体の条件を含む請求項1〜15のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記物体は、前記基板ステージに保持された基板、及び前記基板ステージに保持された基板の周囲に配置された部材の少なくとも一方を含む請求項16記載の露光方法。
- 前記物体の条件は、前記液体との接触角に関する条件を含む請求項16又は17記載の露光方法。
- 前記物体の条件は、前記物体の表面の膜に関する条件を含む請求項16〜18のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記露光条件は、前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け条件を含む請求項1〜19のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記第1ステップ及び第2ステップは、前記所定条件を変えて複数回行われる請求項1〜20のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記所定条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件、前記基板の移動条件、前記液体と接触する物体の条件、前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け状態の少なくとも一つを含む請求項1〜21のいずれか一項記載の露光方法。
- 請求項1〜22のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、
現像された基板を加工することとを含むデバイス製造方法。 - 露光光の所定の光路空間を液体で満たしつつ前記液体を介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記基板ステージにより保持された基板の位置情報を計測する計測装置と、
所定条件の下で前記光路空間を液体で満たした状態で前記露光光に対して前記基板が移動されるときに計測装置により計測された基板の位置情報に基づいて、前記基板ステージの移動制御精度を求め、求められた移動制御精度に基づいて露光条件を決定する制御装置と、を備える露光装置。 - さらに、パターンを有するマスクを移動可能なマスクステージを備え、前記基板の露光時、前記マスクステージと前記基板ステージとは所定の走査方向に同期移動され、前記移動制御精度は、前記マスクステージと前記基板ステージとの同期誤差を含む請求項24記載の露光装置。
- 前記計測装置は、前記走査方向に関する前記マスクステージと前記基板ステージの移動中に前記マスクと前記基板との位置情報を計測し、前記制御装置は、前記計測結果に基づいて前記同期誤差を求める請求項25記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記同期誤差に基づいて、前記露光光が照射される所定のスリット領域に前記基板上の任意の点が入ってから出るまでの間の前記同期誤差の平均値、及び前記同期誤差の平均値のまわりの散らばり度合いの少なくとも一方を求める請求項25又は26記載の露光装置。
- 前記基板ステージは所定の二次元方向に移動可能であり、
前記移動制御精度は、前記二次元方向、及びそれに垂直な方向の少なくとも1つの方向に関する移動制御精度を含む請求項24〜27のいずれか一項記載の露光装置。 - さらに、前記基板が像面側に配置される投影光学系を備え、前記露光光は、少なくとも前記投影光学系と前記基板との間の光路空間が前記液体で満たされた状態で前記基板上に照射される請求項24〜28のいずれか一項記載の露光装置。
- さらに、前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付ける装置を備える請求項24〜29のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件、前記基板の移動条件、前記液体に接触する物体の条件、及び前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け条件の少なくとも一つを含む請求項24〜30のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光条件は、前記光路空間に液体を供給するときの供給条件、及び液体を回収するときの回収条件の少なくとも一方を含む請求項24〜31のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記所定条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件、前記基板の移動条件、前記液体と接触する物体の条件、及び前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け状態の少なくとも一つを含む請求項24〜32のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項24〜33のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
- 基板を移動可能な基板ステージを有し、露光光の光路空間を液体で満たした状態で前記露光光に対して前記基板を移動しつつ露光する露光装置の制御精度の評価方法であって、
所定条件の下で前記光路空間を液体で満たした状態で前記基板ステージを制御して前記基板ステージを移動させつつ前記基板の位置情報を計測する第1ステップと、
前記計測結果に基づいて前記基板ステージの移動制御精度を評価する第2ステップとを有する評価方法。 - 基板を移動可能な基板ステージを有し、露光光に対して前記基板を移動しつつ液体を介して基板を露光する露光装置の制御精度の評価方法であって、
所定露光条件の下で、前記基板ステージを移動させつつ所定パターンを液体を介して基板にテスト露光するテスト露光ステップと、
基板上にテスト露光された露光パターンを計測する計測ステップと、
露光パターンの計測結果から基板ステージの移動制御精度を評価する評価ステップとを有する評価方法。 - 前記基板と所定パターンを有するマスクとを所定の走査方向に同期移動させながら前記液体を介して基板が露光され、前記所定パターンが、前記走査方向に直交する方向に延在するパターンを含む請求項36に記載の評価方法。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI345685B (en) * | 2005-09-06 | 2011-07-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method |
JP4902505B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2012-03-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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JP2008172102A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Canon Inc | 測定方法及び露光装置 |
DE102007046927A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
US8488109B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2005951A (en) * | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
JP6399739B2 (ja) | 2013-09-27 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0799148A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-11 | Nikon Corp | ステッピング精度計測方法 |
JP2005050900A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Nikon Corp | 走査露光特性の評価方法及び露光装置 |
WO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
JP2006049644A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Canon Inc | 液浸露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP3336436B2 (ja) | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US5798195A (en) | 1993-09-24 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Stepping accuracy measuring method |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP3484684B2 (ja) | 1994-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び走査型露光装置 |
US6721034B1 (en) | 1994-06-16 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
AU5067898A (en) | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1167655A (ja) | 1997-08-11 | 1999-03-09 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び同期誤差解析方法 |
JPH11102061A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 投影露光用フォトマスクパターン、投影露光用フォトマスク、焦点位置検出方法、焦点位置制御方法および半導体装置の製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JPH11354420A (ja) * | 1998-06-12 | 1999-12-24 | Nikon Corp | 同期精度計測方法 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4109832B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 露光用マスク及びフォーカスモニタ方法 |
US6701512B2 (en) | 2001-01-24 | 2004-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Focus monitoring method, exposure apparatus, and exposure mask |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
ATE424026T1 (de) | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
JP4364806B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
TWI338323B (en) | 2003-02-17 | 2011-03-01 | Nikon Corp | Stage device, exposure device and manufacguring method of devices |
KR20110104084A (ko) * | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI463533B (zh) | 2003-05-23 | 2014-12-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
JP4479911B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7522261B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2136250A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
2006
- 2006-03-17 KR KR1020077003584A patent/KR20070115859A/ko not_active Application Discontinuation
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- 2006-03-17 US US11/886,506 patent/US8638422B2/en not_active Expired - Fee Related
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-
2011
- 2011-10-03 JP JP2011219293A patent/JP2011259000A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0799148A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-11 | Nikon Corp | ステッピング精度計測方法 |
JP2005050900A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Nikon Corp | 走査露光特性の評価方法及び露光装置 |
WO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
JP2006049644A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Canon Inc | 液浸露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1879217A1 (en) | 2008-01-16 |
US20080212056A1 (en) | 2008-09-04 |
US8638422B2 (en) | 2014-01-28 |
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EP1879217A4 (en) | 2010-06-09 |
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