JP2011139050A5 - - Google Patents
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- 酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 酸化物半導体膜をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記島状の酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記島状の酸化物半導体膜と接するように、酸素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記島状の酸化物半導体膜と接するように、酸素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜上に、前記ゲート電極と重なる位置にチャネル保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、前記ゲート電極と重なる位置にチャネル保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項7または請求項8において、
前記チャネル保護膜は、酸素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記第1の電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜上に、前記第1の電極と離隔する第2の電極を形成し、
前記第1の電極、前記島状の酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで、前記島状の酸化物半導体膜の端部と重なるように、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施し、結晶領域を有する前記酸化物半導体膜を形成し、
前記第2の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、前記第1の電極と離隔する第2の電極を形成し、
前記第1の電極、前記島状の酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで、前記島状の酸化物半導体膜の端部と重なるように、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか1項において、
前記酸化物半導体膜への酸素の添加は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか1項において、
前記第1の加熱処理は、500℃以上850℃以下の範囲で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか1項において、
前記第2の加熱処理は、500℃以上850℃以下の範囲で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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