JP2015053478A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 絶縁表面上の絶縁層と、
   前記絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
   前記絶縁層と、前記酸化物半導体層は島状の形状であり、
   前記絶縁層は過剰酸素を有し、
   前記絶縁層は第１の領域と、第２の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記ゲート電極と重畳する領域を有し、
   前記第２の領域は、前記絶縁層の側面を有し、
   前記第２の領域は、不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面上に過剰酸素が含まれる絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
   前記絶縁層と前記酸化物半導体層を島状に加工し、
   前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極をマスクとして前記酸化物半導体層及び前記絶縁層にイオンドーピング法またはイオン注入法を用いて不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。