JP2011114253A - 真空チャック - Google Patents

真空チャック Download PDF

Info

Publication number
JP2011114253A
JP2011114253A JP2009271134A JP2009271134A JP2011114253A JP 2011114253 A JP2011114253 A JP 2011114253A JP 2009271134 A JP2009271134 A JP 2009271134A JP 2009271134 A JP2009271134 A JP 2009271134A JP 2011114253 A JP2011114253 A JP 2011114253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
suction pad
vacuum chuck
adsorbed
holes
conductance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009271134A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Takada
篤 高田
Masakazu Takatsu
雅一 高津
Kazuki Kamidan
一樹 上段
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nano TEM Co Ltd
Original Assignee
Nano TEM Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nano TEM Co Ltd filed Critical Nano TEM Co Ltd
Priority to JP2009271134A priority Critical patent/JP2011114253A/ja
Priority to KR1020127011341A priority patent/KR20120116909A/ko
Priority to CN201080054148.3A priority patent/CN102668059B/zh
Priority to PCT/JP2010/006942 priority patent/WO2011065021A1/ja
Publication of JP2011114253A publication Critical patent/JP2011114253A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

【課題】真空チャックに求められる吸着力で、吸着面の一部に載置される被吸着物を確実に吸着する真空チャックを提供する。
【解決手段】大気圧をP1、真空チャック1に求められる最小吸着力をFminとし、到達圧力がPu、排気効率がSeの真空ポンプ5で背面側が吸引される吸着パッド2が、吸着パッドの単位表面積と該単位表面積内に露出する貫通孔の総開口面積との比である開口率nと、多数の貫通孔による吸着パッド全体のコンダクタンスCが、
Figure 2011114253

を満たす。(1)式を満たす真空チャック1は、被吸着物に覆われない吸着パッド2の一部から空気漏れがあっても、Fmin以上の吸着力で被吸着物を確実に吸着保持する。
【選択図】図2

Description

本発明は、密閉された背面側を真空ポンプで減圧し、多数の貫通孔を介して吸着パッドの表面上に載置される被吸着物を吸着して位置決めする真空チャックに関し、更に詳しくは、吸着面の一部が被吸着物で覆われない場合であっても、被吸着物を吸着可能な真空チャックに関するものである。
被吸着物を吸引する吸着パッドの表面に対して背面側を真空ポンプで減圧し、表面と背面に連通する貫通孔を介して作業対象の被吸着物を吸引して保持する真空チャックでは、表面側の大気圧に対して背面側の背圧を真空に近い圧力に保つ必要がある。このような真空チャックは、被吸着物が吸着面である表面全体を覆わないと、貫通孔の一部が表面に開口し、貫通孔を通して外気が流入し、表面側と背面側との差圧が充分にとれないので、所定の吸着力が得られないという問題があった。
そこで、吸着パッドの表面側と背面側に連通する多数の貫通孔を細径として、貫通孔全体のコンダクタンスを低下させた真空チャックが特許文献1、特許文献2で知られている。この従来の真空チャックによれば、一部の貫通孔が被吸着物に覆われずに表面に開口しても、貫通孔を通して表面から背面側に流れる流量が制限され、表面側と背面側との差圧を一定に保つことができ、表面の一部に載置される被吸着物であっても所定の吸着力で表面上に位置決め保持することができる。
実公昭43−16175号公報
特許第2693720号公報
上述の従来の吸着パッドは、単に多数の貫通孔を細径として吸着パッドのコンダクタンスを低下させることに着目して背圧を一定に保つものであるが、被吸着物を吸着する所定の吸着力は、コンダクタンスを低下させるだけでは得られない。すなわち、被吸着物は、貫通孔の開口を覆う底面の鉛直方向で、下方(表面から背面方向)に働く大気圧と上方(背面から表面方向)に働く背圧との差圧によって吸着パッドの表面側に吸着されるもので、その吸着力は、被吸着物が覆う貫通孔の開口の総面積に差圧を乗じて得られる。
従って、単に吸着パッド全体のコンダクタンスを低下させるために貫通孔を小径としたり、貫通孔密度を低下させるだけでは、被吸着物が覆う貫通孔の開口の総面積も減少するので、真空チャックに求められる所定の吸着力が得られないという従来の真空チャックでは解決されていない課題が残されていた。
本発明は、このような従来の問題点を考慮してなされたものであり、真空チャックに求められる吸着力で、吸着面の一部に載置される被吸着物を確実に吸着する真空チャックを提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、請求項1に記載の真空チャックは、側面の全体が密閉され、表面側と背面側が略等密度に形成された多数の貫通孔によって連通する多孔性基板の吸着パッドを備え、密閉された背面側を真空ポンプで減圧し、表面上に載置される被吸着物を被吸着物で覆われる複数の貫通孔を介して吸着する真空チャックであって、大気圧をP1、被吸着物の保持に要する単位面積あたりの最小吸着力をFminとし、到達圧力がPu、排気効率がSeの真空ポンプで背面側が吸引される吸着パッドは、吸着パッドの単位表面積と該単位表面積内に露出する貫通孔の総開口面積との比である開口率nと、多数の貫通孔による吸着パッド全体のコンダクタンスCが、
Figure 2011114253

を満たすことを特徴とする。
単位面積あたりの吸着力は、大気圧P1と背圧との差圧に、開口率nを乗じた値であり、差圧は、(P1−Pu)・Se/(Se+C)で表される。従って、
Figure 2011114253

を満たす吸着パッドの表面上に被吸着物を載置しない状態で、排気効率がQである真空ポンプで吸引した際の吸着力は、被吸着物の保持に要する単位面積あたりの最小吸着力Fmin以上となる。表面上に被吸着物を載置するとその大きさにかかわらず、吸着パッドのコンダクタンスCが低下するので、n・(P1−Pu)・Se/(Se+C)から得られる吸着力は、最小吸着力Fmin以下とならない。従って、吸着パッドの表面の一部が被吸着物によって覆われなくても、被吸着物は最小吸着力Fmin以上の吸着力で保持される。
また、請求項2に記載の真空チャックは、吸着パッドの貫通孔の内径が、1μm乃至10μmであることを特徴とする。
(1)式から、開口率nはできるだけ大きく、吸着パッドのコンダクタンスCは、できるだけ小さい値とするほど大きな吸着力が得られる。真空に近い分子流領域で、円筒孔のコンダクタンスは、その半径の3乗に比例し、大気圧の粘性領域では4乗に比例する一方、開口率nを決定する貫通孔の総開口面積は、各貫通孔が円筒形であるとすると、開口面積はその半径の二乗に比例する。従って、貫通孔の内径を、1μm乃至20μmの微小径とすることにより、所定の開口率n以上としつつ、効率的に吸着パッド全体のコンダクタンスCを小さくすることできる。
また、請求項3に記載の真空チャックは、吸着パッドが、開口率nが20%以上の多孔質セラミック基板であることを特徴とする。
セラミック焼結により、微細な貫通孔を開口率nが20%以上となる高密度で形成することできる。開口率nが20%未満のセラミック基板では、貫通孔の一部が閉塞し、表裏面が連通しない部分が生じる。
請求項1の発明によれば、真空ポンプの吸引能力に応じて、(1)式を満たす開口率nとコンダクタンスCの吸着パッドを用いることにより、確実に被吸着物の大きさにかかわらず吸着保持できる。
請求項2の発明によれば、コンダクタンスCが低く、開口率nが高い吸着パッドが得られる。
請求項3の発明によれば、開口率nを20%以上として微細な貫通孔を高密度で形成し、コンダクタンスCの低い吸着パッドが得られる。また、セラミック基板とするので、比較的薄肉としても被吸着物を表面上に載置する所定の強度が得られる。
図1は、本発明の一実施の形態に係る真空チャック1を示す説明図である。 図2は、吸着パッド2へ被吸着物Wを載置して吸引している状態の真空チャック1を示す説明図である。
以下、本発明の一実施の形態に係る真空チャック1を図1と図2を用いて説明する。図に示すように、真空チャック1は、被吸着物をWを吸着してその表面に保持する吸着パッド2と、吸着パッド2の全ての側面を密封し、吸着パッド2の背面側に外気と遮断した減圧室3を形成するチャック本体4と、減圧室3に連通する排気路から排気する真空ポンプ5と真空ポンプ5の排気効率Seを検出する為の単位時間あたりの排気量を検出する流量計6を備えているが、流量計6は、後述する条件を満たす好適な吸着パッド2を選定した後は、取り除いても良い。
吸着パッド2は、一辺が60cmの正方形状の多孔質セラミック基板で形成され、本実施の形態では、平均孔径が10μmの貫通孔が密接して形成され、気孔率nが35%の吸着パッド2となっている。ここで、気孔率nとは、背面側と連通する貫通孔が吸着パッド2の平面に等密度で形成されているものとして、吸着パッド2表面の単位面積に対する単位面積内に開口する貫通孔の総開口面積の比率をいう。セラミック焼結技術を用いれば、平均孔径が1乃至200μmの範囲で、気孔率nを10乃至60%の範囲で多孔質セラミック基板を形成することができるが、気孔率nを20%未満とすると、貫通孔の一部が閉塞し、算定した吸着力が得られない場合があり、また、60%以上とすると、空隙が増加して強度が劣化し、破損する恐れがある。
このように構成された真空チャック1の減圧室3から到達圧力Puの真空ポンプ5で排気したときの減圧室3内の圧力(以下、背圧という)P2は、吸着パッド2の表面側の大気圧をP1、吸着パッド2全体のコンダクタンスをC、流量計6で計測される真空ポンプ5の排気効率をSeとすると、一般に、
P2=(Pu+C/Se・P1)/(1+C/Se)・・・(2)式
で表される。
(2)式を用いて、大気圧P1と背圧P2との差圧ΔPは、
ΔP=P1−P2=(P1−Pu)・Se/(Se+C)・・・(3)式
となる。
一方、背圧がP2となっている吸着パッド2に、図2に示すように、被吸着物Wを載置すると、被吸着物Wにより覆われた貫通孔の開口において、鉛直方向に大気圧P1と背圧P2との差圧ΔPを受けて吸着され、被吸着物Wは、被吸着物Wにより覆われた全ての貫通孔の開口面積の総和S2に差圧ΔPを乗じた吸着力Fを受ける。
被吸着物Wの吸着パッド2表面への投影面積をS1とすれば、開口率nから上記総和S2は、S1・nであり、被吸着物Wの吸着力Fは、
F=nS1・ΔP・・・(4)式
で表され、被吸着物Wの単位面積あたりの吸着力F’は、
F’=F/S1=n・ΔP・・・(5)式
となる。
更に、(3)式と(5)式から、被吸着物Wの単位面積あたりの吸着力F’は、
F’=n・(P1−Pu)・Se/(Se+C)・・・(6)式が得られる。
(6)式において、P1は、大気圧、Puは、真空ポンプ5の到達圧力として既知であり、Seは、図1に示す被吸着物Wを載置しない状態で単位時間中に流量計6で計測される流量を真空ポンプ5の排気効率として計測できるので、(6)式から、開口率nとコンダクタンスCの吸着パッド2による最小の吸着力F’が得られる。
すなわち、吸着パッド2の表面上に被吸着物Wを載置しない状態から、図2に示すように被吸着物Wを載置して貫通孔の一部を覆うと、吸着パッド2のコンダクタンスCが低下し、排気効率Seは、
Se=(P1−P2)/(P2−Pu)・C・・・(7)式
で得られるSeまで低下する。(7)式から算定されるSeの値に安定するまでの間、コンダクタンスCが排気効率Seに先行して低下するので、(6)式中のSe/(Se+C)は、少なくとも図1の状態より大きく、単位面積あたりの吸着力F’は上昇する。
従って、被吸着物Wの有無に関わらず、単位面積あたりの吸着力F’は、図1に示す状態で(6)式から算定される吸着力F’を下回ることはなく、この吸着力F’を、真空チャック1の被吸着物Wを吸着保持するために必要な最小吸着力Fminとして、
Figure 2011114253

を満たす開口率nとコンダクタンスCの吸着パッド2を選定すれば、被吸着物Wの大きさにかかわらず、確実に最小吸着力Fmin以上の吸着力で被吸着物Wを吸着可能な真空チャック1とすることができる。
(実施例)
吸着パッド2のコンダクタンスCは、その表面側と背面側に既知の差圧ΔPを加え状態での表面と背面間に流れる単位時間あたりの流量Qを計測し、Q/ΔPより算定できる。本実施の形態では、本実施の形態に係る発明に係る吸着パッド2と同材質の多孔性セラミック基板(B材という)と、比較する為従来の真空チャックに用いられている多孔性基板(A材という)とを、それぞれ直径10mmの円形に切断した試験片の表裏に大気圧P1の1/10の差圧(11kPa)を加えて、それぞれの単位時間あたりの流量Qを計測した。
その結果、単位時間あたりの流量Q(MPa*m/s)は、A材が0.9133*10−3、B材が0.0458*10−3であった。大気圧P1の差圧を加えた場合の各試験片のコンダクタンスCは、A材が9.133*10−3(MPa・m/s)、B材が0.458*10−3(MPa・m/s)であり、これより60cm平方の吸着パッド2の大きさに換算した各コンダクタンスC(L/min)は、A材が197.4、B材が9.9となる。
真空に近く分子の平均自由行程が長く、貫通孔の内壁に衝突する分子流領域では、貫通孔が円筒形のパイプと仮定した各貫通孔のコンダクタンスcは、kをボルツマン定数、mを分子質量、rをパイプの半径、Lをパイプの長さ、Tを温度として、
c=4/3・r/L・(2π・k・T/m)1/2・・・(8)式
で表され、半径rを小さい値とするほど、πrで表される開口面積に対して、rに比例するコンダクタンスcを低下させることができる。本実施の形態に係るB材による吸着パッド2は、貫通孔を10μmの微細孔で形成することによって、気孔率nが45%であるA材に対して気孔率nが35%とわずかに低下させるだけで、コンダクタンスCを、A材の約1/20まで低下させている。
(1)式において、真空チャック1に求められる最小吸着力Fminを33kPa、すなわち大気圧P1の3/10とし、真空ポンプ5の到達圧力Puをほぼ真空圧とすると、(1)式は、
Figure 2011114253

に置き換えられる。
A材のコンダクタンスCは、197.4(L/min)、気孔率nは0.45であるので、それぞれ(9)式に代入すると、
Figure 2011114253

となるが、被吸着物Wを載置しない吸着パッドが開放状態での排気効率Seは、394.8(L/min)未満であるので、33kPaの最小吸着力Fminが得られない。
一方、本実施の形態に係るB材のコンダクタンスCは、9.9(L/min)、気孔率nが0.35であるので、それぞれ(9)式に代入すると、
Figure 2011114253

となるが、被吸着物Wを載置しない図1の状態での排気効率Seは、59.4(L/min)以上であるので、被吸着物Wの大きさにかかわらず、最小吸着力Fmin以上の吸着力で被吸着物Wを吸着保持できる。
上述の実施の形態では、吸着パッド2として、60cm平方の多孔質セラミック基板で説明したが、(1)式の開口率nとコンダクタンスCを満たす基板であれば、種々の材質、構造の基板を吸着パッドとすることができる。
また、吸着パッドの開口率nは、構造上多数の貫通孔を形成できれば、任意の値とすることができるが、吸着力の最大値が大気圧P1である関係から、真空チャック1に求められる最小吸着力Fminの大気圧P1に対する比以下の開口率nとすることはできない。
本発明は、半導体、液晶、プリント配線基板などの製造装置や印刷機の作業工程で種々の大きさのワークを吸着パッドを変更せずに保持する真空チャックに適している。
1 真空チャック
2 吸着パッド
3 減圧室
5 真空ポンプ
6 流量計

Claims (3)

  1. 側面の全体が密閉され、表面側と背面側が略等密度に形成された多数の貫通孔によって連通する多孔性基板の吸着パッドを備え、密閉された背面側を真空ポンプで減圧し、表面上に載置される被吸着物を被吸着物で覆われる複数の貫通孔を介して吸着する真空チャックであって、
    大気圧をP1、被吸着物の保持に要する単位面積あたりの最低吸着力をFminとし、
    到達圧力がPu、排気効率がSeの真空ポンプで背面側が吸引される吸着パッドは、
    吸着パッドの単位表面積と該単位表面積内に露出する貫通孔の総開口面積との比である開口率nと、多数の貫通孔による吸着パッド全体のコンダクタンスCが、
    Figure 2011114253

    を満たすことを特徴とする真空チャック。
  2. 吸着パッドの貫通孔の内径が、1μm乃至20μmであることを特徴とする請求項1に記載の真空チャック。
  3. 吸着パッドが、開口率nが20%以上の多孔質セラミック基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空チャック。
JP2009271134A 2009-11-30 2009-11-30 真空チャック Pending JP2011114253A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009271134A JP2011114253A (ja) 2009-11-30 2009-11-30 真空チャック
KR1020127011341A KR20120116909A (ko) 2009-11-30 2010-11-29 진공 척
CN201080054148.3A CN102668059B (zh) 2009-11-30 2010-11-29 真空卡盘
PCT/JP2010/006942 WO2011065021A1 (ja) 2009-11-30 2010-11-29 真空チャック

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009271134A JP2011114253A (ja) 2009-11-30 2009-11-30 真空チャック

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011114253A true JP2011114253A (ja) 2011-06-09

Family

ID=44066126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009271134A Pending JP2011114253A (ja) 2009-11-30 2009-11-30 真空チャック

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2011114253A (ja)
KR (1) KR20120116909A (ja)
CN (1) CN102668059B (ja)
WO (1) WO2011065021A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016103626A (ja) * 2014-11-13 2016-06-02 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
WO2017154085A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
JP2018041799A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 株式会社ディスコ チャックテーブル、チャックテーブルを構成するポーラスセラミックスの生成方法、及び吸引保持システム

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098143B (zh) * 2018-01-31 2021-06-04 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种芯片吸附装置及芯片键合***
CN109051771B (zh) * 2018-07-05 2020-10-02 珠海格力电器股份有限公司 表针放料***、方法和装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009253247A (ja) * 2008-04-11 2009-10-29 Ariake Materials Co Ltd 真空吸着装置用吸着体及び真空吸着装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4316175Y1 (ja) * 1965-07-21 1968-07-05
JP2693720B2 (ja) * 1994-05-25 1997-12-24 シーケーディ株式会社 真空チャックにおける被吸着物の吸着方法
CN2892771Y (zh) * 2005-12-29 2007-04-25 袁建中 排气吸盘
JP5231064B2 (ja) * 2008-03-28 2013-07-10 太平洋セメント株式会社 真空吸着装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009253247A (ja) * 2008-04-11 2009-10-29 Ariake Materials Co Ltd 真空吸着装置用吸着体及び真空吸着装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016103626A (ja) * 2014-11-13 2016-06-02 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
WO2017154085A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
JPWO2017154085A1 (ja) * 2016-03-08 2018-11-22 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
US20190084778A1 (en) * 2016-03-08 2019-03-21 Nano Tem Co., Ltd. Conveying pad, conveying apparatus using the conveying pad, and conveying method
JP2018041799A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 株式会社ディスコ チャックテーブル、チャックテーブルを構成するポーラスセラミックスの生成方法、及び吸引保持システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120116909A (ko) 2012-10-23
CN102668059A (zh) 2012-09-12
WO2011065021A1 (ja) 2011-06-03
CN102668059B (zh) 2015-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5733700B2 (ja) 真空チャック
WO2011065021A1 (ja) 真空チャック
JP5291687B2 (ja) 吸着テーブル
WO2017154085A1 (ja) 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
KR101242420B1 (ko) 흡착 테이블
JP2014028418A (ja) 吸着テーブルの製造方法並びに吸着テーブル
KR101801994B1 (ko) 흡착 유닛에의 작업 대상물의 흡착 방법 및 세라믹 콘덴서의 제조 방법
TWI466225B (zh) Suspended air float working platform
KR20140117413A (ko) 흡착반
US10480873B2 (en) Flow path member, and adsorption device and cooling device using the same
JP2014203904A (ja) 真空吸着装置及び吸着プレート
JP2006027795A5 (ja)
JP5957330B2 (ja) ウェーハ貼着装置
JP2004152941A (ja) 非接触支持装置
JP2014175541A (ja) ウェーハ貼着方法
JP4782587B2 (ja) チャックテーブルの検査方法
JP2016103626A (ja) 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
CN112407956A (zh) 一种可吸附可气浮的装置
JP6148084B2 (ja) 吸着部材
JP2008270233A (ja) 真空吸着装置用吸着体及び真空吸着装置
JP2010171172A (ja) 部品保持治具及び、該部品保持治具を用いた負圧吸着装置
JP2006269989A (ja) 基板保持具
CN113078095A (zh) 承载装置及半导体检测设备
JP5316172B2 (ja) ウェハ吸引パッド及びそれを備えたプリアライナ
JP6328003B2 (ja) レーザーアブレーションicp分析方法及び分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110609

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20110609

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20110826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110920

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120228