JP5771969B2 - 半導体ウェハ加工用接着フィルム - Google Patents
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Description
フェノキシ樹脂(InChem社製、PKHC)30重量部、三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂(DIC株式会社製、N−672−EXP)20重量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂(旭化成株式会社製、HX−3941HP)50重量部及びシランカップリング剤(東レ・ダウコーニング社製、SH6040)を用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解し、ワニスを得た。さらにこのワニスに、粉砕し、大粒径を除去するための5μmの分級処理を行った平均粒径1μmのコージェライト粒子(2MgO・2Al2O3・5SiO2、比重2.4、線膨張係数1.5×10−6/℃、屈折率1.57)100重量部を混ぜ、撹拌して分散して、接着剤層形成用樹脂組成物のワニスを得た。このワニスを、表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を形成した。
三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂(DIC株式会社製、N−672−EXP)15重量部、三次元架橋性樹脂と反応する硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂(三井化学株式会社製、XLC−LL)15重量部、アクリルゴム(ブチルアクリレート40部エチルアクリレート30部アクリロニトリル30部グリシジルメタクリレート3部の共重合体、分子量:85万)20重量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂(旭化成株式会社製、HX−3941HP)50重量部及びシランカップリング剤(東レ・ダウコーニング社製、SH6040)を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解し、ワニスを得た。さらにこのワニスに、粉砕し、大粒径を除去するための5μmの分級処理を行った平均粒径1μmのコージェライト粒子(2MgO・2Al2O3・5SiO2、比重2.4、線膨張係数1.5×10−6/℃、屈折率1.57)100重量部を混ぜ、撹拌、分散して、接着剤層形成用樹脂組成物のワニスを得た。このワニスを、表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を形成した。
実施例1と同様にして接着剤層形成用樹脂組成物のワニスを得た。このワニスを表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を形成した。
実施例2と同様にして接着剤層形成用樹脂組成物のワニスを得た。このワニスを、表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を形成した。
Claims (4)
- キャリアテープ上に、離型層、接着剤層、分離層及び基材フィルムをこの順に有してなる、半導体ウェハの加工に用いられる接着フィルムであって、
前記接着剤層、前記分離層及び前記基材フィルムが、加工する半導体ウェハと略同一の大きさのウェハ形状に形成され、
前記接着剤層が、少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、前記熱硬化性樹脂の架橋反応を開始させるための化合物と、からなる樹脂組成物、及びフィラー、を含み、
前記分離層が、少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、前記熱硬化性樹脂の架橋反応を促進させるための化合物と、からなる樹脂組成物、を含み、
前記分離層の凝集力が前記接着剤層の凝集力よりも小さく、
前記接着剤層の前記分離層とは反対側の面が半導体ウェハへの貼り付け面であることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルム。 - 前記接着剤層が、突出電極が設けられた半導体ウェハの前記突出電極側に、前記キャリアテープ及び前記離型層が除去された前記半導体ウェハ加工用接着フィルムの前記接着剤層をラミネートしたときの接着剤層の厚みが前記突出電極の高さよりも大きくなるように形成され、かつ、前記半導体ウェハから得られる半導体チップがフリップチップ接続される回路基板の回路電極の高さと前記突出電極の高さとの合計よりも大きくなる厚みで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 前記分離層及び前記接着剤層が、熱硬化性を有し、且つ、加熱硬化前の20℃以上40℃未満での粘度が150000Pa・s以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルムを用意する工程と、
前記半導体ウェハ加工用接着フィルムの前記キャリアテープ及び離型層が剥離されて前記分離層とは反対側の面が露出した前記接着剤層を、回路面を有する半導体ウェハの前記回路面に貼り付ける工程と、
前記半導体ウェハの前記回路面とは反対側を研削する工程と、
研削された前記半導体ウェハを、前記接着剤層、前記分離層及び前記基材フィルムとともにダイシングした後、前記分離層の一部及び前記基材フィルムを除去して、又は、研削された前記半導体ウェハを、前記分離層の一部及び前記基材フィルムを除去した後、前記接着剤層及び前記分離層の一部とともにダイシングして、個片化された前記接着剤層及び前記分離層の一部を有する半導体チップを得る工程と、
前記半導体チップと回路基板とを個片化された前記接着剤層を介して接続して半導体装置を得る工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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