TWI425066B

TWI425066B - Preparation method of adhesive composition, circuit board for connecting circuit member, and manufacturing method of semiconductor device

Info

Publication number: TWI425066B
Application number: TW99130501A
Authority: TW
Inventors: Akira Nagai; Keisuke Ookubo
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date: 2010-09-09
Filing date: 2010-09-09
Publication date: 2014-02-01
Also published as: TW201211188A

Description

接著劑組成物、電路構件連接用接著劑薄片及半導體裝置之製造方法

本發明係關於接著劑組成物、電路構件連接用接著劑薄片及半導體裝置之製造方法。

近年來，隨著電子設備之小型化、薄型化，電路構件中所形成之電路高密度化獲得進展，與鄰接電極之間隔或電極之寬度有變極為狹窄之傾向。伴隨於此，亦高度要求對應於半導體封裝之薄型化或小型化。因此，作為半導體晶片之安裝方式，代替使用金屬線連接之過去之導線黏合(wire-bonding)方式，而於晶片電極上形成稱為凸塊之突起電極，透過凸塊使基板電極與晶片電極直接連接之覆晶(Flip Chip)連接方式受到矚目。

至於覆晶連接方式已知有使用焊料凸塊之方式、使用金凸塊與導電性接著劑之方式、熱壓著方式、超音波方式等。該等方式均有因晶片與基板之熱膨脹係數之差所導致之熱應力集中於連接部份而造成連接可靠性降低之問題。為防止該種可靠性降低，一般係利用樹脂來形成充填於晶片與基板之間隙之底部填充(underfill)。由於利用朝底部填充之分散而緩和熱應力，故可改善連接可靠性。

形成底部填充之方法，一般已知有一種方法，係使晶片與基板連接後，將液狀樹脂注入於晶片與基板之間隙中(參照專利文獻1)。又，亦已知一種方法，其係在使用異向性導電性接著薄膜(以下稱為ACF)或非導電性接著薄膜(以下稱為NCF)等薄膜狀樹脂來連接晶片與基板之步驟中，亦完成底部填充之形成(參照專利文獻2)。

另一方面，近年來作為可進一步高功能化、高速動作者，以最短距離連接晶片間之三次元安裝技術的矽貫穿電極(TSV：Through Silicon Via)受到矚目(參照非專利文獻1)。結果，要求半導體晶圓之厚度儘可能地薄，且不降低機械強度。

又，隨著半導體裝置之更進一步薄型化的要求，為了使半導體晶圓更薄，而進行研削晶圓背面之所謂背面研磨(back grinding)，使半導體裝置之製造步驟變得煩雜。因此，提案有一種在背面研磨時可兼顧保持半導體晶圓之功能及底部填料功能之樹脂，來作為適於步驟簡化之方法(參照專利文獻3、4)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2000-100862號公報

[專利文獻2]特開2003-142529號公報

[專利文獻3]特開2001-332520號公報

[專利文獻4]特開2005-028734號公報

[非專利文獻]

[非專利文獻1]OKI Technology 2007年10月/第211號Vol.74 No.3

然而，隨著半導體裝置之薄膜化，連接部之空隙或端子間之間距變得更為狹窄。因此，由於連接時薄膜狀樹脂之流動不足造成界面之潤濕不足或因薄膜狀樹脂發泡產生孔洞等，使薄膜狀樹脂於間距間之填充變得不充分，而有連接可靠性降低之虞。因此，電路構件之連接所用之薄膜狀接著劑，就確保連接可靠性之觀點而言，需要具有壓著時難以產生孔洞之優異埋入性、或硬化後充分高之接著力。

且，在半導體晶片之電極部分形成焊料凸塊，並藉由焊接接合而直接將半導體晶片連接於電路基板上之倒裝焊接(face down bonding)方式，為了獲得良好之電性接合，而要求去除焊料表面及連接端子部份之金屬表面上所形成之氧化皮膜。然而，過去之接著劑以短時間加熱進行焊接接合時，無法獲得用以去除焊料表面及連接端子部分之金屬表面的氧化膜之助焊劑活性，而有使焊料潤濕性變得不足，造成連接可靠性下降之情況。

本發明係有鑒於上述問題而完成者，其目的係提供一種接著劑組成物、使用其之電路構件連接用接著劑薄片、及半導體裝置之製造方法，該接著劑組成物在作成薄膜狀時埋入性相當優異，且可製作連接可靠性優異之半導體裝置。

為解決上述課題，本發明提供一種接著劑組成物，其含有(A)熱可塑性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)潛在性硬化劑、(D)無機填料、(E)有機微粒子、及(F)室溫中為固體之最大粒徑為25μm以下之粉體化合物，且(F)成分為選自具有羧基之化合物、具有羥甲基之化合物及醯肼化合物之至少一種化合物。

依據本發明之接著劑組成物，藉由含有上述(A)、(B)、(C)、(D)及(E)成分，可形成一種薄膜狀接著劑，其連接時之埋入性優異，可充分減低孔洞發生，藉由進而調配(F)成分，可去除焊料表面及連接端子部分之金屬表面上形成之氧化皮膜，可改善焊料潤濕性。

又，本發明之接著劑組成物中，就改善耐熱性及接著性之觀點而言，(B)成分較好含有環氧樹脂。

本發明之接著劑組成物係可用於介於電路構件間，以使電路構件彼此接著，該電路構件具有相對向且焊接接合之電路電極。該情況，藉由使電路構件彼此熱壓著，可抑制孔洞發生且可以充分接著力接著，且可使電路電極彼此良好地焊接接合。因此，可獲得連接可靠性優異之連接體。

本發明之電路構件連接用接著劑薄片之特徵為具備支撐基材、及接著劑層，該接著劑層設置於該基材上，且係由上述本發明之接著劑組成物所構成。

上述支撐基材較佳為具備有塑膠薄膜及設置於該塑膠薄膜上之黏著劑層，而上述接著劑層係設置於黏著劑層上。據此，本發明之電路構件連接用接著劑薄片在半導體晶圓之背面研磨時，可穩定地保持半導體晶圓。

另外，本發明之電路構件連接用接著劑薄片可用於介於電路構件間，以使電路構件彼此接著，該電路構件具有相對向且焊接接合之電路電極。該情況，藉由使電路構件彼此熱壓著，可抑制孔洞發生且可以充分接著力接著，且可使電路電極彼此良好地焊接接合。據此，可獲得連接可靠性優異之連接體。

本發明另提供一種半導體裝置之製造方法，該方法具備下列步驟：準備於主面之一方上具有複數個電路電極之半導體晶圓，在該半導體晶圓之設有電路電極之側，設置由本發明之接著劑組成物所構成之接著劑層之步驟；將半導體晶圓之設置有電路電極側之相反側予以研削而薄化半導體晶圓之步驟；切割(dicing)經薄化之半導體晶圓及接著劑層並使其單片化(singulation)為附有薄膜狀接著劑之半導體元件之步驟；及，將附有薄膜狀接著劑之半導體元件之電路電極，焊接接合於半導體元件搭載用支撐構件之電路電極之步驟。

依據本發明，可提供一種接著劑組成物及使用其之電路構件連接用接著劑薄片，該接著劑組成物在成為薄膜狀時之埋入性相當優異，且可製作連接可靠性優異之半導體裝置。又，依據本發明之半導體裝置之製造方法，可提供連接可靠性優異之半導體裝置。

圖1為顯示本發明之電路構件連接用接著劑薄片之較佳實施形態之概略剖面圖。圖1中所示之電路構件連接用接著劑薄片10具備支撐基材3、設置於該支撐基材3上且由本發明之接著劑組成物所構成之接著劑層2、及覆蓋接著劑層2之保護薄膜1。

首先，針對構成接著劑層2之本發明接著劑組成物加以說明。

本發明之接著劑組成物包含(A)熱可塑性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)潛在性硬化劑、(D)無機填料、(E)有機微粒子、及(F)室溫中為固體之最大粒徑為25μm以下之粉體化合物。

至於(A)熱可塑性樹脂列舉為聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯縮甲醛樹脂、苯氧樹脂、聚羥基聚醚樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、丁二烯樹脂、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、丙烯酸共聚物。該等可單獨使用或混合兩種以上使用。

(A)成分可使接著劑組成物之薄膜形成性變良好。所謂薄膜形成性表示使接著劑組成物成為薄膜狀時，不容易破裂、碎裂、黏糊之機械特性者。在通常狀態(例如常溫)下若薄膜之處理容易則稱為薄膜形成性良好。上述之熱可塑性樹脂中，就耐熱性及機械強度優異而言，較好使用聚醯亞胺樹脂或苯氧樹脂。

(A)成分之調配量，相對於樹脂成分的(A)、(B)及(C)成分之合計100質量份，較好為10~50質量份，更好為15~40質量份，又更好為20~35質量份。(A)成分之調配量在該範圍內時，接著劑組成物之薄膜形成性變良好，且熱壓著時顯示流動性，可使凸塊與電路電極間之樹脂排除性良好。(A)成分之調配量未達10質量份時，會有薄膜形成性降低、自支撐基材與保護薄膜之旁邊滲出之傾向。另一方面，(A)成分之調配量超過50質量份時，熱壓著時之流動性下降，有自凸塊與電極間之排除性降低之傾向。

(A)成分之重量平均分子量較好為2萬~80萬，更好為3萬~50萬，又更好為3.5萬~10萬，最好為4萬~8萬。重量平均分子量在該範圍時，由於作成薄片狀或薄膜狀之接著劑層2之強度、可撓性易良好地均衡，同時接著劑層2之流動性良好，故可充分確保配線之電路充填性(埋入性)。又，本說明書中，所謂重量平均分子量係表示以凝膠滲透層析儀測定，並使用標準聚苯乙烯檢量線換算之值。

且，就一方面維持薄膜形成性、一方面對硬化前之接著劑層2賦予黏接著性之觀點而言，(A)成分之玻璃轉移溫度較好為20~170℃，更好為25~120℃。(A)成分之玻璃轉移溫度未達20℃時室溫之薄膜形成性低，背面研磨步驟之半導體晶圓之加工中接著劑層2有容易變形之傾向，超過170℃時將接著劑層2貼合於半導體晶圓時之貼合溫度需要比170℃更高之高溫度，故會有(B)成分之熱硬化反應繼續進行、接著劑層2之流動性降低而容易發生連接不良之傾向。

(B)熱硬化性樹脂列舉為例如環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲甲醛樹脂、苯二甲酸二烯丙酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、三嗪樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、酚樹脂、氰基丙烯酸酯樹脂、聚異氰酸酯樹脂、呋喃樹脂、間苯二酚樹脂、二甲苯樹脂、苯并胍胺樹脂、矽氧樹脂、矽氧烷改質之環氧樹脂及矽氧烷改質之聚醯胺醯亞胺樹脂。該等可單獨使用或混合兩種以上使用。就改善耐熱性及接著性之觀點而言，較好含有環氧樹脂作為(B)成分。

至於上述環氧樹脂只要是硬化後具有接著作用者即無特別限制，例如可廣泛使用環氧樹脂手冊(新保正樹編，日刊工業新聞社)等所記載之環氧樹脂。具體而言，可使用例如雙酚A型環氧樹脂等二官能基環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂或甲酚酚醛清漆型環氧樹脂之酚醛清漆型環氧樹脂、參酚甲烷型環氧樹脂。又，多官能基環氧樹脂可使用縮水甘油基胺型環氧樹脂、含雜環之環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等一般已知者。

(B)成分之調配量，為了維持硬化後之接著劑之耐熱性、接著性，且展現高可靠性，相對於樹脂成分的(A)、(B)及(C)成分之合計100質量份，較好為5~88質量份，更好為20~50質量份，又更好為20~40質量份。(B)成分之調配量未達5質量份時，硬化物之凝聚力下降，容易造成連接可靠性下降。另一方面，(B)成分之調配量超過88質量份時，硬化前之薄膜狀態中之低分子量成分變得過多導致不易維持薄膜狀形體。

至於(C)潛在性硬化劑，可列舉為例如酚系、咪唑系、醯肼系、硫醇系、苯并噁嗪、三氟化硼-胺錯合物、鋶鹽、胺醯亞胺、聚胺之鹽、二氰二胺及有機過氧化物系之硬化劑。不過，電路構件連接用接著劑薄片10，在使用於對半導體晶圓之貼合、半導體晶圓研削時之電路電極之保護、半導體晶圓之切割、及對所得半導體元件之電路電極之接合等半導體裝置之製造之一連串步驟中時，必須保持下述特性：在長時間暴露於常溫環境下的同時，不受製造步驟中之熱、溫度、光等影響而可使用於對電路電極之接合。除該方面以外，就可延長可使用期間之觀點而言，(C)之潛在性硬化劑較好為微膠囊型之潛在性硬化劑。

微膠囊型之潛在性硬化劑，列舉為利用下述被膜來實質上覆蓋由上述硬化劑所構成之核者：聚胺基甲酸酯、聚苯乙烯、明膠及聚異氰酸酯等高分子物質；矽酸鈣或沸石等無機物；或鎳或銅等金屬薄膜。

微膠囊型之潛在性硬化劑之平均粒徑，就確保反應起始點之均勻分散與薄膜平坦性之觀點而言，較好為10μm以下，更好為5μm以下。又，平均粒徑之下限值，就確保對於薄膜形成時之漆料所使用之溶劑的耐溶劑性之觀點而言，較好為1μm以上。

(C)成分之調配量相對於樹脂成分的(A)、(B)及(C)成分之合計100質量份，較好為2~45質量份，更好為10~40質量份，又更好為22~40質量份。(C)成分之調配量未達2質量份時，會有硬化反應難以進行之傾向。另一方面，(C)成分之調配量超過45質量份時，由於接著劑組成物之硬化劑比例太多，相對地熱硬化性樹脂之比例變少，而有耐熱性或接著性等特性下降之傾向。

藉由使接著劑組成物含有(D)無機填料，由於可降低硬化後之接著劑層2之吸濕率及線膨脹係數，且提高彈性模數，故可改善製作之半導體裝置之連接可靠性。且，為了防止接著劑層2中之可見光之散射且改善可見光透光率，故(D)成分可選擇不降低可見光透光率之無機填料。較好選擇具有比可見光之波長更細之粒徑之無機填料作為可抑制可見光透光率下降之(D)成分，或者較好選擇具有折射率近似於由樹脂成分的(A)、(B)及(C)成分所組成之樹脂組成物(以下有時稱為「樹脂組成物」)之折射率的無機填料。

具有比可見光之波長更細之粒徑的無機填料，只要是具有透明性之填料則填料之組成無特別限制，較好平均粒徑未達0.3μm，更好為0.1μm以下。且，該無機填料之折射率較好為1.46~1.7。

具有近似於樹脂組成物折射率之折射率的無機填料，可在製作由(A)、(B)及(C)所組成之樹脂組成物並測定折射率後，選定具有近似於該折射率之折射率的無機填料。至於該無機填料，就接著劑層2之對半導體晶片與電路基板之空隙之填充性之觀點，及抑制連接步驟中孔洞發生之觀點而言，較好使用微細填料。該種無機填料之平均粒徑較好為0.01~5μm，更好為0.1~2μm，又更好為0.3~1μm。平均粒徑未達0.01μm時，粒子之比表面積變大使接著劑組成物之黏度增加，會有無機填料難以填充之傾向。

具有近似於樹脂組成物折射率之折射率的無機填料，其折射率較好為樹脂組成物之折射率±0.06之範圍。例如，樹脂組成物之折射率為1.60時，可使用折射率為1.54~1.66之無機填料。折射率可使用Abbe折射計，以鈉D線(589nm)作為光源來測定。至於該種無機填料，列舉為複合氧化物填料、複合氫氧化物填料、硫酸鋇及黏土礦物，具體而言可使用堇青石、鎂橄欖石、莫來石(Mullite)、硫酸鋇、氫氧化鎂、硼酸鋁、鋇或二氧化矽氧化鈦。

又，上述兩類之無機填料亦可組合使用。但，為了不影響接著劑組成物之黏度增加，具有比可見光之波長更細之粒徑之無機填料的添加量，以(D)成分作為基準，較好為未達10質量%。

又，(D)成分，就改善接著劑層2之彈性模數之觀點而言，線膨脹係數在0~700℃之溫度範圍較好為7×10^-6 /℃以下，更好為3×10^-6 /℃以下。

(D)成分之調配量，相對於樹脂成分的(A)、(B)及(C)成分之合計100質量份，較好為25~200質量份，更好為50~150質量份，又更好為75~125質量份。(D)成分之調配量未達25質量份時，容易導致由接著劑組成物形成之接著劑層2之線膨脹係數增大及彈性模數下降。據此，容易使壓著後之半導體晶片與基板之連接可靠性下降，而且，亦難以獲得連接時之孔洞抑制效果。另一方面，(D)成分之含量超過200質量份時，由於接著劑組成物之熔融黏度增加，且半導體晶片與接著劑層2之界面、或電路基板與接著劑層2之界面的潤濕性下降，容易產生剝離或因埋入不足所造成之孔洞殘留。

(E)有機微粒子，列舉為含有例如丙烯酸樹脂、矽氧樹脂、丁二烯橡膠、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚乙烯縮丁醛、聚芳酯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸橡膠、聚苯乙烯、NBR、SBR、矽氧烷改質之樹脂等作為成分之共聚物。至於有機微粒子，就對接著劑組成物之分散性、應力緩和性、接著性提高之觀點而言，較好為分子量100萬以上之有機微粒子或具有三次元交聯構造之有機微粒子。該等有機微粒子列舉為選自(甲基)丙烯酸烷酯-丁二烯-苯乙烯共聚物、(甲基)丙烯酸烷酯-矽氧共聚物、矽氧-(甲基 )丙烯酸共聚物或複合物中之一種以上。此處，所謂「分子量100萬以上之有機微粒子或具有三次元交聯構造之有機微粒子」，係因為超高分子量故對於溶劑之溶解性差者、或者因具有三次元網目構造故對於溶劑之溶解性差者。又，亦可使用具有芯殼型之構造且芯層與殼層之組成不同之有機微粒子來作為(E)成分。至於芯殼型有機微粒子、具體而言列舉為：以矽氧-丙烯酸橡膠作為芯且以丙烯酸樹脂作為殼而成之粒子、於丙烯酸共聚物上接枝丙烯酸樹脂而成之粒子。

(E)成分由於具有交聯構造、或為超高分子量樹脂，故不溶解於有機溶劑中，因此可維持粒子形狀就此調配於接著劑組成物中。因此，可使(E)成分島狀地分散於硬化後之接著劑層2中，可高度保持連接體之強度。(E)成分為具有作為含有應力緩和性之耐衝擊緩和劑之功能者。

(E)成分之平均粒徑較好為0.1~2μm。(E)成分之平均粒徑未達0.1μm時有接著劑組成物之熔融黏度增加，妨礙連接時之焊料潤濕性之傾向，超過2μm時會使熔融黏度之減低效果減少，而有連接時難以獲得孔洞抑制效果之傾向。

(E)成分之調配量，為了賦予接著劑層2在連接時之孔洞抑制與連接後之應力緩和效果，相對於(A)、(B)及(C)成分之合計100質量份，較好為5~20質量份。(E)成分之調配量未達5質量份時會有難以達到抑制連接時之孔洞之效果、亦難以展現應力緩和效果之傾向，超過20質量%時由於流動性低，故有焊料之潤濕性下降而成為殘留孔洞原因且硬化物之彈性模數過低而有連接可靠性下降之傾向。

(F)室溫中為固體之最大粒徑為25μm以下之粉體化合物為含有選自具有羧基之化合物、具有羥甲基之化合物及醯肼化合物之至少一種之化合物。(F)成分具有作為焊料潤濕性改質劑之功能(以下稱(F)成分為「焊料潤濕性改質劑」)。亦即，(F)成分具有比焊料之熔點低溫度之熔點，熔融後藉由去除焊料表面及電路電極等之金屬表面之氧化物，可改善接著劑層2之焊料潤濕性。至於(F)成分列舉為例如乙醯基水楊酸、苯甲酸、二苯乙醇酸(benzilic acid)、己二酸、壬二酸、苄基苯甲酸、丙二酸、2,2-雙(羥基甲基)丙酸、水楊酸、間-羥基苯甲酸、琥珀酸、2,6-二羥基甲基對甲酚、苯甲酸醯肼、碳醯肼、丙二酸二醯肼、琥珀酸二醯肼、戊二酸二醯肼、水楊酸醯肼、亞胺二乙酸二醯肼、衣康酸二醯肼、檸檬酸三醯肼、硫代碳醯肼、二苯甲酮腙、4,4’-氧基雙苯磺醯肼及己二酸二醯肼。然而，只要是在室溫為固體，具有羧基之化合物、具有羥甲基之化合物或醯肼化合物，則不限於該等者。就改善對接著劑層2之分散性之觀點而言，較好使用以研缽將該等化合物粉碎，經微粉化後，以至少25μm之過濾器去除粒徑大者。(F)成分之最大粒徑較好為20μm以下。又，(F)成分之最小粒徑為0.01μm左右。

(F)成分之熔點較好為100℃以上，更好為130~200℃，又更好為140~180℃。(F)成分之熔點未達100℃時，會有在薄膜形成時之乾燥溫度中粉體溶解，與熱硬化性成分反應，而損及保存性之傾向。

(F)成分之調配量，相對於接著劑組成物100質量份，較好為1~20質量份，更好為1~10質量份。(F)成分之調配量未達1質量份時，改善潤濕性之效果不足，即使調配超過20質量份，由於焊料潤濕性改善效果達飽和故使成分變得過剩。

接著劑組成物中，為了將無機填料之表面改質而改善異種材料間之界面結合並增大接著強度，亦可添加各種偶合劑。至於偶合劑列舉為例如矽烷系、鈦系及鋁系之偶合劑，其中就效果高之方面而言較好為矽烷系偶合劑。

矽烷系偶合劑列舉為例如γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。

接著劑組成物中，為了吸附離子性雜質，改善吸濕時之絕緣可靠性，亦可添加離子捕捉劑。該種離子捕捉劑並無特別限制。列舉為例如：三嗪硫醇化合物、雙酚系還原劑等之用以防止銅發生離子化而溶出之已知作為銅害防止劑之化合物；鋯系、銻鉍系鎂鋁化合物等無機離子吸附劑。

接著劑組成物，為了抑制半導體晶片與電路基板連接後之因溫度變化或因加熱吸濕造成之膨脹等，並達成高連接可靠性，其硬化後之接著劑層2之於40~100℃的線膨脹係數，較好為60×10^-6 /℃以下，更好為55×10^-6 /℃以下，又更好為50×10^-6 /℃以下，硬化後之接著劑層2之線膨脹係數超過60×10^-6 /℃時，有因安裝後之溫度變化或因加熱吸濕造成之膨脹而無法維持半導體晶片之連接端子與電路基板之配線間之電性連接之情況。另外，電路構件連接用接著劑薄片10，可於構成接著劑層2之接著劑組成物中含有導電粒子而成為異向性導電性接著薄膜(ACF)，但較好是不含導電性粒子而成為非導電性接著薄膜(NCF)。

由接著劑組成物形成之接著劑層2在250℃加熱10秒後，以示差掃描熱量測定(以下稱為「DSC」)測定之反應率較好在60%以上，更好為70%以上。又，將電路構件連接用組成物薄片在室溫放置14天後，以DSC測定之接著劑層2之反應率較好未達10%。據此，藉由使用本發明之接著劑組成物，可獲得連接時之反應性相當優異且保存安定性亦優異之薄膜狀接著劑。

接著劑層2未硬化時之可見光透光率較好為5%以上，更好可見光透光率為8%以上，又更好可見光透光率為10%以上。可見光透光率未達5%時，無法進行以覆晶固晶之辨識標示識別，而有無法進行位置對位作業之傾向。另一方面，可見光透光率之上限並無特別限制。

可見光透光率可使用日立製造之U-3310型分光光度計測定。例如，以膜厚50μm之帝人杜邦製造之PET薄膜(Purex，於555nm之透光率86.03%)為基準進行基準線校正測定後，以25μm之厚度在PET薄膜上形成接著劑層2後，測定400~800nm之可見光區域之透光率。由於覆晶固晶所使用之鹵素光源與光導之波長相對強度中以550~600nm最強，故本說明書中使用555nm之透光率來進行接著劑層2之透光率比較。

接著劑層2可藉由使上述本發明之接著劑組成物溶解或分散於溶劑中作成漆料，將該漆料塗佈於保護薄膜(以下有時稱為「第一薄膜」)1上，利用加熱去除溶劑而形成。隨後，在常溫至60℃將支撐基材3層合於接著劑層2上，可獲得本發明之電路構件連接用接著劑薄片10。又，接著劑層2亦可藉由將上述漆料塗佈於支撐基材3，利用加熱去除溶劑而形成。

使用之溶劑並無特別限制，但較好由沸點來考慮接著劑層形成時之揮發性等而加以決定。具體而言，就接著劑層形成時難以促進接著劑層硬化之方面而言，以例如甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯等比較低沸點之溶劑較佳。該等溶劑可單獨使用一種或組合兩種以上。

保護薄膜1可使用例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜等塑膠薄膜。就剝離性之觀點而言，亦較好使用如聚四氟乙烯薄膜之由氟樹脂所構成之表面能量低之薄膜作為保護薄膜1。

為了提高保護薄膜1之剝離性，保護薄膜1之形成接著劑層2之面較好以矽氧系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈丙烯酸烷酯系剝離劑等脫模劑處理。至於市售者，可購自帝人杜邦薄膜公司製造之「A-63」(脫模處理劑：改質矽氧系)及「A-31」(脫模處理劑：Pt系矽氧系)。

保護薄膜1之厚度較好為10~100μm，更好為10~75μm，又更好為25~50μm。該厚度未達10μm時，塗佈時有保護薄膜破裂之傾向，超過100μm時會有廉價性變差之傾向。

將上述漆料塗佈於保護薄膜1(或支撐基材3)上之方法列舉為刮刀塗佈法、輥塗佈法、噴霧塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、簾流塗佈法等一般習知之方法。

接著劑層2之厚度並無特別限制，較好為5~200μm，更好為7~150μm，又更好為10~100μm。厚度小於5μm時，難以確保充分之接著力，而有無法使電路基板之凸電極埋入之傾向，比200μm厚時不僅不經濟且難以符合半導體裝置之小型化要求。

支撐基材3列舉為例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜等塑膠薄膜。另外，支撐基材3可為使選自上述材料之兩種以上混合而成者，或亦可為上述之薄膜經多層化者。

支撐基材3之厚度並無特別限制，較好為5~250μm。厚度比5μm薄時，半導體晶圓研削(背面研磨)時會有切到支撐基材之可能性，厚度超過250m時不經濟故不佳。

支撐基材3較好為光透光性高者，具體而言較好為於500~800nm之波長區域之最小透光率為10%以上。

又，亦可使用於上述塑膠薄膜(以下有時稱為「第二薄膜」)上層合黏著劑層而成者作為支撐基材3。

圖2顯示本發明之電路構件連接用接著劑薄片之較佳之一實施形態之概略剖面圖。圖2所示之電路構件連接用接著劑薄片11具備：支撐基材3，其具有塑膠薄膜3b與設置於該塑膠薄膜3b上之黏著劑層3a；及設置於該黏著劑層3a上且由本發明之接著劑組成物所組成之接著劑層2、及覆蓋接著劑層2之保護薄膜1。

為了提高第二薄膜3b與黏著劑層3a之密著性，第二薄膜之表面亦可經鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射線處理等化學或物理性處理。

黏著劑層3a較好在室溫下具有黏著力且對被黏著體具有必要之密著力，且較好為具備藉由輻射線等高能量線或熱而硬化(亦即，降低黏著力)特性者。黏著劑層3a可使用例如丙烯酸系樹脂、各種合成橡膠、天然橡膠、聚醯亞胺樹脂而形成。黏著劑層3a之厚度通常為5~20μm 左右。

上述之電路構件連接用接著劑薄片10及11可用於介於電路構件與半導體元件之間、或半導體元件彼此之間，以使電路構件與半導體元件接著、或使半導體元件彼此接著，該電路構件具有相對向且焊接接合之電路電極。該情況下，藉由使電路構件與半導體元件熱壓著、或使半導體元件彼此熱壓著，可抑制孔洞發生且可以充分接著力接著，且可使電路電極彼此良好地焊接接合。據此，可獲得連接可靠性優異之連接體。又，電路構件連接用接著劑薄片10及11亦可在使用矽貫通電極之層合技術中作為接著劑使用。

以下針對使用電路構件連接用接著劑薄片10製造半導體裝置之方法加以說明。

圖3~圖7為說明使用本發明之半導體裝置之製造方法之實施形態之概略剖面圖。本實施形態之半導體裝置之製造方法具備有下列步驟：(a)準備於主面之一方上具有複數個電路電極之半導體晶圓，在該半導體晶圓之設有電路電極之側設置由本發明之接著劑組成物所組成之接著劑層之步驟，(b)將半導體晶圓之設置有電路電極側之相反側予以研削而薄化半導體晶圓之步驟，(c)切割經薄化之半導體晶圓及接著劑層並使其單片化為附有薄膜狀接著劑之半導體元件之步驟，與(d)將附有薄膜狀接著劑之半導體元件之電路電極，焊接接合於半導體元件搭載用支撐構件之電路電極之步驟。

本實施形態中之(a)步驟係藉由將上述電路構件連接用接著劑薄片10之接著劑層2貼合於半導體晶圓之設有電路電極側上，而設置接著劑層。且，本實施形態之(d)步驟係利用加熱進行焊接接合，同時亦進行介於半導體元件與半導體元件搭載用支撐構件之間之薄膜狀接著劑之硬化。以下參照圖面針對各步驟加以說明。

(a)步驟

首先，將電路構件連接用接著劑薄片10配置在特定之裝置上，剝離保護薄膜1。接著，準備於主面之一方上具有複數個電路電極20之半導體晶圓A，在該半導體晶圓A之設有電路電極之側貼合接著劑層2，獲得以支撐基材3/接著劑層2/半導體晶圓A層合之層合體(參照圖3)。於電路電極20上設置已塗佈焊接接合用焊料之凸塊。又，亦可在半導體元件搭載用支撐構件之電路電極上設置焊料。

上述(a)步驟中，作為獲得以支撐基材3/接著劑層2/半導體晶圓A層合之層合體之方法，可使用市售之薄膜貼合裝置或層合機。為了不將孔洞捲入半導體晶圓A中而貼合接著劑層2，較好於貼合裝置上具備加熱機構及加壓機構，更好具備真空吸引機構。又，電路構件連接用接著劑薄片10之形狀，只要為可藉貼合裝置來作業之形狀即可，可為輥狀或薄片狀，亦可為配合半導體晶圓A之外形而加工者。

半導體晶圓A與接著劑層2之層合，較好在使接著劑層2軟化之溫度進行。層合溫度較好為40~80℃，更好為50~80℃，又更好為60~80℃。以未達使接著劑層2軟化之溫度進行層合時，於半導體晶圓A突出之電路電極20周邊會發生埋入不足，成為捲入孔洞之狀態。該情況下，容易產生切割時之接著劑層之剝離、拾取時接著劑層之變形、定位時辨識標記之辨識不良、進而因孔洞造成連接可靠性降低。

(b)步驟

接著，如圖4所示，將半導體晶圓A之設置有電路電極20側之相反側藉由研削機4予以研削，使半導體晶圓薄化。半導體晶圓之厚度可為例如10~300μm。就半導體裝置之小型化、薄型化之觀點而言，半導體晶圓之厚度較好為20~100μm。

(b)步驟中，半導體晶圓A之研削可使用一般背面研磨(B/G)裝置進行。於B/G步驟為了不會厚度不均而可均勻研削半導體晶圓A，較好將(a)步驟中之接著劑層2以不捲入孔洞之方式均勻貼合。

(c)步驟

接著，如圖5(a)所示，將切割膠帶5貼合於層合體之半導體晶圓A上，將其配置於特定裝置上並剝離支撐基材3。此時，支撐基材3具備有黏著劑層3a，當黏著劑層3a為輻射線硬化性時，藉由自支撐基材3側照射輻射線，可使黏著劑層3a硬化而降低接著劑層2與支撐基材3之間之接著力。此處，使用之輻射線列舉為例如紫外線、電子束、紅外線等。據此可容易地剝離支撐基材3。支撐基材3剝離後，如圖5(b)所示，利用切割鋸6切割半導體晶圓A及接著劑層2。如此，可將半導體晶圓A分割成複數個之半導體元件A’，將接著劑層2切割成複數個之薄膜狀接著劑2a。

接著，如圖6所示，一邊藉由使切割膠帶5擴張，而使上述切割獲得之半導體元件A’相互分離，一邊以吸附套爪7自切割膠帶5側吸附拾取以針推起之貼附薄膜狀接著劑之半導體元件12，該貼附薄膜狀接著劑之半導體元件12係由半導體元件A’及薄膜狀接著劑2a所組成。貼附薄膜狀接著劑之半導體元件12可置於托盤中回收，亦可直接以覆晶固晶安裝於電路基板上。

(c)步驟中，將切割膠帶5貼合於經研削之半導體晶圓A上之作業係使用一般之晶圓貼片機，且可與對切割導線架之固定以相同之步驟進行。切割膠帶5可使用市售之切割膠帶，可使用UV硬化型，亦可為感壓型。

(d)步驟

接著，如圖7所示，使附著薄膜狀接著劑2a之半導體元件A’之電路電極20、與半導體元件搭載用支撐構件8之電路電極22位置對位，使貼附薄膜狀接著劑之半導體元件12與半導體元件搭載用支撐構件8熱壓著。藉由該熱壓著，可利用焊接接合使電路電極20與電路電極22電性且機械性連接，同時在半導體元件A’與半導體元件搭載用支撐構件8之間形成薄膜狀接著劑2a之硬化物。

熱壓著時之溫度就焊接接合之觀點而言，較好為200℃以上，更好為220~260℃。熱壓著時間可為1~20秒。熱壓著之壓力可為0.1~5MPa。

使用覆晶固晶對電路基板之安裝，可透過半導體晶片之電路面上形成之薄膜狀接著劑層2a確認形成於半導體晶片之電路面上之對準標記，可確認於電路基板之搭載位置而實施。

經由以上步驟，獲得半導體裝置30。由本發明之接著劑組成物組成之薄膜狀接著劑之埋入性及硬化後之接著力優異，同時即使以短時間焊接接合亦可去除焊料表面上形成之氧化皮膜，可改善焊料之潤濕性。據此，半導體裝置30可成為充分抑制孔洞發生，使電路電極彼此良好地焊接接合，並以充分接著力接著半導體元件A’與半導體元件搭載用支撐構件，且耐回焊龜裂性及連接可靠性優異者。

[實施例]

以下列舉實施例及比較例更具體說明本發明。但，本發明並不受限於該等實施例。

(支撐基材之準備)

首先，使用丙烯酸2-乙基己酯與甲基丙烯酸甲酯作為主單體，使用丙烯酸羥基乙酯與丙烯酸作為官能基單體，利用溶液聚合法合成丙烯酸共聚物。所得丙烯酸共聚物之重量平均分子量為40萬，玻璃轉移溫度為-38℃。相對於該丙烯酸共聚物100質量份，調配多官能基異氰酸酯交聯劑(日本Polyurethan工業股份有限公司製造，商品名「Coronate HL」)10質量份，調製黏著劑組成物溶液。

將所得黏著劑組成物溶液以乾燥時之黏著劑層厚度成為10μm之方式塗佈於聚烯烴薄膜(Okamoto股份有限公司製造，商品名「WNH-2110」，厚度：100μm)上並乾燥。接著，將第二薄膜即經矽氧系脫模劑表面處理之雙軸延伸聚酯薄膜(帝人杜邦薄膜公司製造，商品名「A3170」，厚度：25μm)層合於黏著劑層面上。將該貼附黏著劑層之層合體於室溫放置一週進行充分長時間硬化後，使用剝離聚烯烴薄膜者作為支撐基材。

(實施例1) <接著劑組成物之調製>

將「ZX1356-2」(東都化成股份有限公司製造之商品名，苯氧樹脂)100質量份，「1032H60」(日本環氧樹脂股份有限公司製造之商品名，環氧樹脂)100質量份，「Epikote 828」(日本環氧樹脂公司製造之商品名，液狀環氧樹脂)60質量份及「HX3941HP」(旭化成電子股份有限公司製造之商品名，微膠囊型潛在性硬化劑)140質量份溶解於甲苯與乙酸乙酯之混合溶劑中。將「KW-4426」(三菱嫘縈股份有限公司製造之商品名，芯殼型有機微粒子)40質量份、進行5μm分級處理之平均粒徑1μm之堇青石粒子(2MgO．2Al₂ O₃ ．5SiO₂ ，比重2.4，線膨脹係數：1.5×10^-6 /℃，折射率：1.57)400質量份、進行10μm分級處理之「ADH」(大塚化學公司製造之商品名，己二酸二醯肼)40質量份分散於該溶液中，獲得接著劑漆料。

<電路構件連接用接著劑薄片之製備>

使用輥塗佈器將所得接著劑漆料塗佈於第一薄膜即聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(帝人杜邦薄膜公司製造，商品名「AH-3」，厚度：50μm)上，以70℃烘箱乾燥10分鐘，形成厚度25μ m之接著劑層。接著，於常溫貼合接著劑層與上述支撐基材中之黏著劑層面，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(實施例2)

除調配「EXL2655」(羅門哈斯公司製造之商品名)代替接著劑漆料之調製中之「KW-4426」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(實施例3)

除調配「2,2-雙(羥基甲基)丙酸」(東京化成工業公司製造，以下簡稱為「BHPA」)代替接著劑漆料之調製中之「ADH」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(實施例4)

除分別調配「EXL2655」代替接著劑漆料之調製中之「KW-4426」，調配「BHPA」代替「ADH」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(實施例5)

除調配「2,6-二羥基甲基對甲酚」(旭有機材料公司製造之商品名，「26DMPC」)代替接著劑漆料之調製中之「ADH」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(實施例6)

除調配「EXL2655」代替接著劑漆料之調製中之「KW-4426」，以「260DMPC」代替「ADH」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(比較例1)

除未調配接著劑漆料之調製中之「ADH」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

(比較例2)

除調配「EXL2655」代替接著劑漆料之調製中之「KW-4426」，且未調配「ADH」以外，餘與實施例1同樣，獲得電路構件連接用接著劑薄片。

[接著劑層之評價] (線膨脹係數測定)

將實施例及比較例中獲得之電路構件連接用接著劑薄片放置於設定為180℃之烘箱中3小時，進行加熱硬化。自支撐基材剝離加熱硬化後之接著劑層，製作30mm×2mm大小之試驗片。使用Seiko Instruments公司製造之「TMA/SS6100」(商品名)，將上述試驗片以夾具間距為20mm之方式裝設於裝置內，以測定溫度範圍：20~300℃，升溫速度：5℃/分鐘，荷重條件：使壓力對於試驗片之剖面積為0.5MPa之條件，以拉伸試驗模式進行熱機械分析，測定線膨脹係數。

(反應率測定)

於鋁製測定容器中稱量2~10mg之實施例及比較例中獲得之電路構件連接用接著劑薄片中之接著劑層，使用Perkin Elmer公司製造之DSC(差分掃描卡計)「Pylis 1」(商品名)，測定以升溫速度20℃/分鐘自30℃升溫至300℃之發熱量，以此作為起始發熱量。接著，以夾持於分離器之熱電偶，對熱壓著裝置之加熱頭進行溫度確認，設定成在10秒後達到250℃之溫度。以該加熱頭設定，將電路構件連接用接著劑薄片夾持在分離器中並加熱20秒，獲得施以與熱壓著時同樣之加熱處理之狀態的接著劑層。亦對加熱處理後之接著劑層同樣測定發熱量，以其作為加熱後之發熱量。且，亦同樣測定電路構件連接用接著劑薄片在室溫(20~25℃)下保存14天後之接著劑層之發熱量，以其作為保存後之發熱量。由所得發熱量以下式計算出反應率(%)。

反應率(%)=(起始發熱量-加熱後之發熱量或保存後之發熱量)/(起始發熱量)×100

<半導體裝置之製作及評價>

使用上述獲得之電路構件連接用接著劑薄片，以下列順序製作半導體裝置且進行評價。結果示於表1。

(對半導體晶圓之貼合)

使形成鍍金凸塊之半導體晶圓(直徑6英吋，厚度725μm)，以使凸塊側朝上的方式搭載於JCM製造之貼晶(Die Attach)薄膜安裝機之加熱至80℃之吸附台上。將電路構件連接用接著劑薄片切斷成200mm×200mm，將去除保護薄膜即第一薄膜之接著劑層朝向半導體晶圓之凸塊側，以不使空氣捲入之方式自半導體晶圓端以貼晶安裝機之貼附輥壓住並層合。經層合後，沿著晶圓之外形切斷接著劑之露出部分。

(半導體晶圓背面之背面研磨及支撐基材之剝離)

以DISCO股份有限公司製造之背面研磨裝置，將上述電路構件連接用接著劑薄片與半導體晶圓(厚度625μm)之層合體進行半導體晶圓背面之背面研磨至厚度成為150μm為止。隨後，以使經背面研磨之半導體晶圓向上之狀態設置於JCM製造之貼晶薄膜安裝機之吸附台上，在室溫下與切割導線架同時貼附Adeka製切割膠帶「AD80H」。接著，將日東電工製造之背面研磨膠帶剝離膠帶貼附於支撐基材上，以180度剝離拉開，而僅剝離支撐基材。

(切割)

以DISCO股份有限公司製造之全自動切割鋸「DFD6361」將固定於上述切割導線架上之貼附接著劑層之半導體晶圓切割成10mm×10mm。切割後，經洗淨且甩開水分後，自切割膠帶側進行UV照射後，拾取經單片化之貼附接著劑之半導體晶片。

(壓著)

使貼附接著劑之半導體晶片，以松下電器產業製之覆晶黏合機「FCB3」於玻璃環氧樹脂基板上進行位置對位後，在250℃、0.5MPa熱壓著10秒，獲得半導體裝置，該玻璃環氧樹脂基板係在與凸塊對向之位置具有以SnAgCu作為構成成分之焊料所形成之電路。

評價如上述製作之半導體裝置中之薄膜狀接著劑之埋入性及連接電阻。接著，將製作之半導體裝置於85℃、60%RH之恆溫恆濕器中放置168小時使吸濕，且暴露於設定在260℃之回焊爐中三次。暴露後，確認連接電阻及連接部份之界面狀態。

<壓著後之埋入性>

以日立建機製超音波探傷裝置(SAT)觀察接著劑層之貼合狀態，基於下列基準進行評價。

A：未觀察到剝離、孔洞

B：觀察到剝離、孔洞

<回焊後之連接性>

以日立建機製超音波探傷裝置(SAT)觀察接著劑層之回焊後之連接狀態，基於下列基準進行評價。

A：未觀察到剝離

B：觀察到剝離

<連接電阻>

針對製作之半導體裝置，使用數位多功能計(Advantest公司製造，商品名)測定壓著後之連接電阻及回焊後之連接電阻，基於下列基準進行評價。

(壓著後之連接電阻)

A：試驗所使用之安裝TEG之全部端子(176端子)連結之電阻值為7~10Ω

B：未獲得全部端子連結之電阻，或全部端子連結之電阻值大於10Ω

(回焊後之連接電阻)

A：相對於壓著後之連接電阻值，電阻上升20%以內

B：相對於壓著後之連接電阻，電阻上升超過20%

<溫度循環試驗>

將上述回焊後之半導體裝置投入於溫度循環試驗，該溫度循環試驗係以-55℃歷時30分鐘及在125℃歷時30分鐘作為一次循環，評價在試驗機內有無連接電阻維持。可通電之循環數示於表1。

如表1所示，使用實施例1~6獲得之電路構件連接用接著劑薄片時，沒有產生孔洞，回焊後仍顯示良好之連接性，而且在溫度循環試驗中經1000次循環以上仍可導通。相對於此，使用比較例1、2獲得之電路構件連接用接著劑薄片時，雖然沒有產生孔洞，且回焊後亦顯示良好之連接性，但溫度循環試驗於300次循環時產生連接不良，且凸塊潤濕性不足，故確認焊接接合不充分且連接可靠性差。

1‧‧‧保護薄膜

2‧‧‧接著劑層

3‧‧‧支撐基材

3a‧‧‧黏著劑層

3b‧‧‧塑膠薄膜

4‧‧‧研磨機

5‧‧‧切割膠帶

6‧‧‧切割鋸

7‧‧‧吸附套爪

8‧‧‧半導體元件搭載用支撐構件

10‧‧‧電路構件連接用接著劑薄片

11‧‧‧電路構件連接用接著劑薄片

12‧‧‧貼附薄膜狀接著劑之半導體元件

20‧‧‧電路電極

30‧‧‧半導體裝置

A‧‧‧半導體晶圓

圖1為顯示本發明之電路構件連接用接著劑薄片之較佳實施形態之概略剖面圖。

圖2為顯示本發明之電路構件連接用接著劑薄片之較佳實施形態之概略剖面圖。

圖3為說明本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態之概略剖面圖。

圖4為說明本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態之概略剖面圖。

圖5為說明本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態之概略剖面圖。

圖6為說明本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態之概略剖面圖。

圖7為說明本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態之概略剖面圖。

Claims

一種電路構件連接用接著劑薄片，其係用於介於電路構件間以使前述電路構件彼此接著，前述電路構件具有相對向且焊接接合之電路電極，該電路構件連接用接著劑薄片具備支撐基材、及接著劑層，該接著劑層設置於該支撐基材上且由接著劑組成物所構成，前述接著劑組成物含有：(A)重量平均分子量為2萬~80萬之熱可塑性樹脂、(B)含有環氧樹脂之熱硬化性樹脂、(C)潛在性硬化劑、(D)平均粒徑為0.01~5μ m之無機填料、(E)分子量為100萬以上之有機微粒子或具有三次元交聯結構之有機微粒子、及(F)室溫中為固體之最大粒徑為25μ m以下之粉體化合物，前述(C)成分係含有選自酚系、咪唑系、硫醇系、苯并噁嗪、三氟化硼-胺錯合物、鋶鹽、胺醯亞胺、聚胺之鹽、二氰二胺及有機過氧化物系之硬化劑所成之群組中的至少一種之潛在性硬化劑，前述(F)成分係選自乙醯基水楊酸、苯甲酸、二苯乙醇酸、己二酸、壬二酸、苄基苯甲酸、丙二酸、2,2-雙(羥基甲基)丙酸、水楊酸、琥珀酸、2,6-二羥基甲基對甲酚、苯甲酸醯肼、碳醯肼、丙二酸二醯肼、琥珀酸二醯肼、戊二酸二醯肼、水楊酸醯肼、亞胺二乙酸二醯肼、衣康酸二醯肼、檸檬酸三醯肼、硫代碳醯肼、4,4’-氧基雙苯磺醯肼及己二酸二醯肼所成之群組中的至少1種之化合物。
如請求項1之電路構件連接用接著劑薄片，其中，前述支撐基材具備塑膠薄膜及設置於該塑膠薄膜上之黏著劑層，而前述接著劑層係設置於前述黏著劑層上。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具備以下步驟：準備於主面之一方上具有複數個電路電極之半導體晶圓，在該半導體晶圓之設有前述電路電極之側，設置如請求項1或2之電路構件連接用接著劑薄片中的前述接著劑層之步驟；將前述半導體晶圓之設置有前述電路電極側之相反側予以研削而薄化前述半導體晶圓之步驟；切割(dicing)前述經薄化之半導體晶圓及前述接著劑層並使其單片化(singulation)為附有薄膜狀接著劑之半導體元件之步驟；及將前述附有薄膜狀接著劑之半導體元件之前述電路電極，焊接接合於半導體元件搭載用支撐構件之電路電極之步驟。