JP2011077077A - 半導体試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体試験装置は、載置台1と、載置台1を上下に移動させる移動手段6と、半導体チップ9の図示しない表面電極(エミッタ電極やゲート電極)と接触し電流を流すプローブ4と、載置台1に付着した異物を吹き飛ばすクリーニング機構であるブローノズル5とで構成され、載置台1の表面をシリコンより硬度が高い材料である、たとえば、超硬合金で形成する。
【選択図】 図1
Description
しかし、ステージ64の交換には費用がかかり、さらに装置を長時間止めて、新品のステージの水平出しなどの調整が必要となり、製造コストは増大する。また研磨においては、その研磨粉自体が異物になるなど確実な対策にはならない。
特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、請求項1記載の発明において、前記載置台が超硬合金からなるステージであるとよい。
特許請求の範囲の請求項6記載の発明によれば、請求項1記載の発明において、前記載置台がステージ台と該ステージ台に固定し前記被検査体と接触する接触板で構成され、該接触板が超硬合金で形成されるとよい。
特許請求の範囲の請求項7記載の発明によれば、請求項1記載の発明において、前記載置台がステージ台と該ステージ台に固定し前記被検査体と接触する接触板で構成され、該接触板の前記被検査体と接触する面がNi−P膜で被覆されるとよい。
特許請求の範囲の請求項9記載の発明によれば、請求項1記載の発明において、前記クリーニング機構が、ブローノズルもしくはクリーニングブラシで構成されるとよい。
まず、半導体チップ9の裏面を載置台1に真空吸着で接触させる。
つぎに、載置台1を移動手段6を用いて上昇させて、半導体チップ9の表面電極にプローブ4を構成する接触ピン2を接触させる。
つぎに、図3に示すように、ブローノズル5から載置台1の表面に空気17を吹きつけ載置台1に付着した異物16を吹き飛ばして除去する。
また、定格電流を流してオン電圧を測定する場合は、図4に示すように、半導体チップ9の裏面電極と載置台1の表面との間の接触抵抗20の影響を避けるために、載置台1に貫通孔1aを形成し、半導体チップ9の裏面電極に接する測定ピン18を載置台1に設け、この測定ピン18(ケルビン端子)と表面電極との間で電圧を測定することで、接触抵抗20の影響を小さくしてオン電圧を測定することができる。図中の19は測定ピン18(ケルビン端子)に接続するリード線である。
まず、半導体ウエハ29の裏面を接触板22に真空吸着で接触させる。
つぎに、移動手段26を用いて載置台23を上昇させて半導体ウエハ29の表面電極(切り出す前の半導体チップ38の表面電極のこと)にカンチレバー36を接触させる。
つぎに、載置台23を移動手段26を用いて下降させて半導体ウエハ29の表面電極からカンチレバー36を離す。続いて、載置台23を移動手段26を用いて横方向に移動させた後、上昇させて隣接する未測定の半導体チップ38の表面電極にカンチレバー36を接触さる。その後でカンチレバー36に電流を流して隣接する半導体チップ38のオン電圧と耐圧特性を測定する。但し、オン電圧を測定するために流す電流の大きさは数A程度であり接触抵抗の影響は小さい。
つぎに、新規の半導体ウエハ29を接触板22に載置し、前記の手順で半導体チップ38のオン電圧と耐圧特性を測定する。
前記の工程で、半導体ウエハ29を取り外し、つぎの半導体ウエハ29を載置する段階で、半導体ウエハ29の構成物(半導体チップ38の構成物と同じ)であるSiやNiなどの異物39が接触板22に付着することがある。
2 接触ピン
3、35 支持板
4、24 プローブ
5、25 ブローノズル
6、26 移動手段
9 半導体チップ
11、21 ステージ台
12、22、33 接触板
14、30 Ni−P膜
16、39 異物
17 空気
29 半導体ウエハ
36 カンチレバー
38 半導体チップ(切り出す前のウエハに形成された)
40 空気
50 クリーニングブラシ
Claims (9)
- 被検査体の裏側の面が接触し該被検査体を載置する載置台と、前記被検査体の表側の面に接触するプローブとを有する半導体試験装置において、前記被検査体と接する側の前記載置台の面がシリコンより硬度が高い材料面からなり、前記被検査体と接触する前記材料面に付着した異物を除去するクリーニング機構を有することを特徴とする半導体試験装置。
- 前記被検査体が、半導体チップもしくは切り出される前の半導体チップが形成された半導体ウエハであることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記硬度の高い材料面が、超硬合金面もしくはNi−P膜面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記載置台が超硬合金からなるステージであることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記載置台がNi−P膜で被覆されたステージであることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記載置台がステージ台と該ステージ台に固定し前記被検査体と接触する接触板で構成され、該接触板が超硬合金で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記載置台がステージ台と該ステージ台に固定し前記被検査体と接触する接触板で構成され、該接触板の前記被検査体と接触する面がNi−P膜で被覆されることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記プローブが接触ピンもしくはカンチレバーで構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記クリーニング機構が、ブローノズルもしくはクリーニングブラシで構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
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Cited By (3)
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KR20160091841A (ko) | 2015-01-26 | 2016-08-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 평가 장치, 검사용 반도체 장치, 및 척 스테이지의 검사 방법 |
CN107356852A (zh) * | 2016-05-03 | 2017-11-17 | 无锡华润安盛科技有限公司 | Tsot芯片测试装置 |
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2009
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