JP2011047039A - 工業炉における金属材料/金属ワークピースの熱処理用のプロセスガスを調製する方法および装置 - Google Patents
工業炉における金属材料/金属ワークピースの熱処理用のプロセスガスを調製する方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】金属材料/金属ワークピースを熱処理するためのプロセスガス3を調製する方法および装置によって、各プロセスガス3を、工業炉1内の少なくとも1つの処理チャンバ1.1に、実際に完全に調製して、均質化して、かつ、加熱して供給する。この際に、上記方法を、上記装置を用いて、工業炉1の、新たに作成したユニット、および特に既に設置されているユニットにおいて行う。ここで、プロセスガス3は、処理チャンバ1.1内の温度からは切り離された温度で、処理チャンバ1.1内の熱処理プロセスとは別個のプロセスにおいて、約1250°Cまでの温度範囲において圧縮されて調製され、熱処理のために、節約されながら、かつ、排気が少ない状態で使用される。
【選択図】図3
Description
・GB第1,069,531号
・US第3,620,518号(Ni酸化物から成る触媒ライニングがセラミック内壁に配された硬化炉内でワークピースの表面を処理して利用可能な表面を拡大させる技術が記載されている)
・US第4,294,436号(Niから成る触媒壁を有する炉内の保護雰囲気内で金属部品を熱処理する技術が記載されている)
・US第5,645,808号(ガス流内で炭素化合物を触媒的に酸化させる技術が記載されている)
・US第2006/0081567号(プラズマを利用してワークピースを処理する技術が記載されている)
・JP第62199761号
・触媒床を有する工業炉の調製室において、二酸化炭素、酸素、および水蒸気といった成分が、供給された反応ガスである炭化水素と反応し、一酸化炭素および水素になり、
・保護ガスは、高いCポテンシャルを有していると共に、Cポテンシャルは調節され、
・触媒反応が加速され、
・このように調製された保護ガスは、再循環されて再び処理チャンバに供給される。
・表面焼き入れの深さ/浸炭の深さ、
・表面硬度/表面炭素含有量、
・パーライト/トルースタイトの継ぎ目、
・残留オーステナイト含有量、
・炭化物の形成、
・表面酸化の深さ、
・寸法変化および形状変化、
・コア硬度
といったパラメータに関する質的要件が、少なくとも間接的に浸炭の度合いと関連付けられ得る限り、これらの質的要件をもう一度分析する必要があった。ここで、浸炭の深さおよび炭素濃度が、重要な役割を果たしている。
1.浸炭ガス成分を、雰囲気内に生成するためのガス反応ステップ。
2.炭素含有分子を、気相内および浸炭対象部分まで輸送するための対流気相を均質化するステップ。
3.拡散輸送ステップ、すなわち、炭素含有分子を流れ境界層を介して前記浸炭対象部分の表面まで輸送するステップ。
4.前記浸炭対象部分の表面における前記分子の分離に関する、解離および吸着ステップ。
5.吸収ステップ、すなわち、前記浸炭対象部分の表面を介して炭素を受容するステップ。
6.炭素を前記浸炭対象部分に輸送するステップとしての拡散ステップ。
CO→C+1/2O2
に係る、部材の一酸化炭素の解離反応は、他の反応と共に、CO/H2混合物におけるガス浸炭のための炭素の基本的な移行反応であり、これによって、雰囲気の浸炭作用が連続的に行われ得る。これについては、公知の認識を具体的に示すために、図1に示す。
・炭素転移の速度を、雰囲気の特性に依存させ、
・解離反応時に生成される酸素を拘束し、対流的に遠ざける必要があった。
・温度、
・処理対象部材に流れを供給すること、
・気相の均質化、および
・迅速な反応速度、
を考慮した最適な浸炭条件を、工業炉の処理チャンバの全体において、一様に提供する。
・保護ガスを焼き尽くす際のような熱損失が、燃焼部(Abbrand)において生じること、
・供給された炭素のほぼ98%が、全く浸炭に利用されず、単に焼き尽くされるだけであり、
・このため、浸炭の効率は2%よりも低くなること、および
・周囲に放出された加熱エネルギーの利用は、別の技術を用いて行われること、
を再確認する必要がある。
2CH4+O2→2CO+4H2
CH4+CO2→2CO+2H2
CH4+H2O→CO+3H2
・触媒能がより良好に利用されること、
・本来必要とされる850°Cよりも高い炉室温度が、反応にとって欠点となるのではなく、既に「消費された」保護ガスの有効な再利用を導くこと、
・炉室温度に依存しない触媒効果が保証されること、すなわち、この炉室温度よりも大幅に高い、かつ、大幅に低い温度における触媒効果が保証されること、
・エンリッチガスが、最初に炉室に供給されるのではなく、直接、触媒を介して送られること、
を実現するためのものである。
2CH4+O2→2CO+4H2
CH4+CO2→2CO+2H2
CH4+H2O→CO+3H2
に係る加速反応が起こり、その後、このプロセスガスが、工業炉の処理チャンバに直接的に供給されることが促進される。その結果、処理チャンバでは、浸炭の反応、例えば、
2CO →C+O2
CO+H2→C+H2O
CO →C+1/2O2
が、上述の通常の温度において、直接作用して行われ得る。
・最小成分である一酸化炭素、水素、および窒素に加えて、二酸化炭素、酸素、および水蒸気といった成分を備える第1の処理媒体、例えば保護ガスと、
・浸炭処理または浸炭窒化処理に導く第2の処理媒体、例えば反応ガスと
を少なくとも有するプロセスガスを、
(a)上記プロセスガスの、化学反応、温度、圧力、または流速といった、熱処理に必要な少なくとも1つの特性において、処理チャンバおよび工業炉の外部にある、外部モジュールの調製室において、1250°C未満の温度の下で、かつ、圧縮機を用いて、例えば、
2CH4+O2→2CO+4H2
CH4+CO2→2CO+2H2
CH4+H2O→CO+3H2
といった反応に従って、別個に調製し、この際、二酸化炭素、酸素、および水蒸気といった成分が、反応ガスである炭化水素と触媒反応して、一酸化炭素および水素になり、この反応の後、保護ガスは、必要とされるCポテンシャルを有する。
2CO →C+O2
CO+H2→C+H2O
CO →C+1/2O2
といった反応に係る浸炭処理または浸炭窒化処理が行われる。ここで、
(c)処理チャンバ内では、プロセスガスの少なくとも1つの処理媒体が、再循環されて導かれ、ステップ(a)に係る調製ステップのために、再利用される。
(a)2CH4+O2→2CO+4H2
(b)CH4+CO2→2CO+2H2
(c)CH4+H2O→CO+3H2
が起こり、CO2、H2O、およびO2の濃度は、再び低下する。
(a)触媒および温度調節装置を備える、プロセスガスを調製するための閉鎖可能な調製チャンバであって、該プロセスガスは、工業炉の処理チャンバの中に導入される、調製されたプロセスガス用の取り外し可能かつ閉鎖可能な供給ラインによって供給され、工業炉のある領域または処理チャンバからの処理媒体用の、閉鎖可能な排出ラインによって排出される、調製チャンバと、
(b)調製チャンバに取り付けられかつ供給ラインに機能的に連結された、駆動部を備えるファン状の圧縮機と、
(c)機能的に、工業炉の処理チャンバ、調製チャンバ、および圧縮機に接続され、プロセスガスの処理媒体の供給量、処理チャンバ内の圧力、圧縮機の回転速度、および触媒の温度を測定するための装置と、
(d)調製チャンバにおいて調製されるプロセスガスの圧力、温度、体積流量といったパラメータを、処理媒体の供給量、調製されたプロセスガスを工業炉の処理チャンバの中に供給する量、およびC量に関して、制御および調節するための関連するスイッチユニットとを備えている。
2CH4+O2→2CO+4H2
CH4+CO2→2CO+2H2
CH4+H2O→CO+3H2
といった、少なくとも1つの反応関係または作用が同一の反応関係に従って、別個に行われる。
2CO →C+O2
CO+H2→C+H2O
CO →C+1/2O2
といった、少なくとも1つの反応関係または作用が同一の反応関係に係る、浸炭または熱処理の処理ステップの後に、再び処理チャンバに供給される。
・一酸化炭素、水素、および窒素といった成分に加えて、二酸化炭素、酸素、および水蒸気といった成分も含むことが可能な、例えば保護ガスといった第1の処理媒体と、
・熱化学的プロセスを導く、例えば反応ガスといった第2の処理媒体とを含む、
プロセスガスの調製は、次のように行われることが可能である。
(a)調製ステップにおいて、プロセスガスを、例えばその化学的特性、温度、圧力、または流速といった、熱処理に必要なプロセスガスの特性のうちの少なくとも1つに関して、処理チャンバおよび工業炉の外部の分離されたモジュールにおいて調製する。ここで、
(b)例えば、二酸化炭素、酸素、および水蒸気といった成分が、反応ガスである炭化水素と触媒反応して、一酸化炭素および水素になり、この反応の後、保護ガスは、調節されたCポテンシャルを有する。ここで、
(c)Cポテンシャルを、温度、圧力、および流速といった少なくとも1つのパラメータに関して、処理チャンバ内の条件に応じて調節し、この調製されたプロセスガスを、プロセスガス圧縮機を用いて、処理チャンバに、圧縮して、均質化して、および加速して供給すると共に、一点または多点供給部を用いて、材料/ワークピースの上に方向付けると共に制御して、供給する。
(d)処理チャンバでは、プロセスガスの少なくとも1つの処理媒体を、再循環させて供給し、別個のモジュールにおける調製のために再利用する。
(a)閉鎖可能な調製チャンバ、触媒、および温度調節装置を備えるハウジングであって、工業炉の処理チャンバの中に導入される調製されたプロセスガス、またはその例えば処理媒体といった成分用の少なくとも1つの取外し可能かつ閉鎖可能な供給ラインと、工業炉のある領域または処理チャンバからの、少なくとも1つの処理媒体用の少なくとも1つの取外し可能かつ閉鎖可能な排出ラインとを有するハウジングと、
(b)プロセスガスの処理媒体の供給量、処理チャンバ内の圧力、プロセスガス圧縮機の回転速度、プロセスガスの部分質量流を生成するための弁などの手段の駆動、および触媒の温度を測定するための装置と、
(c)調製チャンバにおいて調製されるプロセスガスの圧力、温度、体積流量といったパラメータを制御および調節するためのスイッチユニットとを、含む。
ここで、処理チャンバは、プロセスガス圧縮機に関連付けられていてよい。
(a)処理チャンバ内の温度、CO含有量、および圧力を測定するため、並びに、処理チャンバ内の雰囲気の酸素分圧、CO2含有量、および露点といった少なくとも1つのさらなるパラメータを測定するためのプローブ、アナライザ、およびセンサと、
(b)調製チャンバ(2.2)においてプロセスガス(3)を調製するため、および再コンディショニング時間に応じて、供給または排出を制御するための、制御および調節装置としてのスイッチユニット(2.5)と、
(c)調製チャンバ(2.2)または処理チャンバ(1.1)内のプロセスガス(3)の滞留時間、循環、または部分質量流を制御するための手段、
のうちの少なくとも1つを有して構成されている。
本実施例では、調製ステップは、
2CH4+O2→2CO+4H2
CH4+CO2→2CO+2H2
CH4+H2O→CO+3H2
のうちの少なくとも1つの反応方程式に従って、前記処理チャンバ(1.1)で消費された前記プロセスガス(3)のエンリッチ化および/または新たなプロセスガスの生成が行われる。
そして、本実施例では、浸炭処理ステップ(図1および図2参照)は、
2CO →C+O2
CO+H2→C+H2O
CO →C+1/2O2
のうちの少なくとも1つの反応方程式に従って行われる。
浸炭処理ステップで消費されたプロセスガス3は調製チャンバ2.2に供給され、調製チャンバ2.2でのプロセスガスの調製に再利用される。
・雰囲気内の浸炭ガス成分を生成するためのガス反応、
・炭素含有分子を気相内において浸炭対象物に向かって移動させるための、気相対流の均質化、
・流れ境界層を介しての拡散による、炭素含有分子の浸炭対象物の表面への移動、
・浸炭対象物の表面における炭素含有分子の分解に関する、解離および吸着、
・浸炭対象物の表面による炭素の吸収、および
・浸炭対象物の内部への炭素の拡散。
・保護ガスとしての第1の処理媒体3.1(最小量の一酸化炭素、水素および窒素に加えて所定量の二酸化炭素、酸素および水蒸気を含有する)と、
・浸炭処理に使用される反応ガスとしての第2の処理媒体3.2とを含む。
・調製ステップでは、工業炉1および処理チャンバ1.1の外部に配置された外部モジュール2において、化学的性質、温度、圧力または流速などの熱処理における重要な事項の少なくとも1つについて制御および調節されたプロセスガス3を調製する。
・調製ステップでは、二酸化炭素、酸素および水蒸気成分のうちの少なくとも1つを、反応ガスである炭化水素と触媒反応させて、一酸化炭素および水素を生成する。この反応の後、保護ガスは、調節されたCポテンシャルを有することとなる。
・処理チャンバ1.1内の前記プロセスガスの温度、圧力および流速などのパラメータのうちの少なくとも1つに基づいて、Cポテンシャルを調節する。そして、調製されたプロセスガス3を、プロセスガス圧縮機2.3を用いて圧縮、均質化および加速させて処理チャンバ1.1に供給する。このとき、プロセスガス3は、マルチポイント供給システム1.2によって、材料/ワークピースに向けて供給される。
・処理チャンバ1.1で消費されたプロセスガス3の処理媒体3.1,3.2の少なくとも一方を処理チャンバ1.1から外部モジュール2の調製チャンバ2.2へ再循環させ、外部モジュール2の調製チャンバ2.2におけるプロセスガス3の調製に再利用する。
(a)工業炉1の処理チャンバ1.1で用いられるプロセスガス3を調製するための調製チャンバ2.2であって、触媒2.2.1および温度調節装置2.2.2を備え、調製したプロセスガス3またはその処理媒体3.1,3.2を処理チャンバ1.1へ供給するための取外し可能または閉鎖可能な供給ライン1.5および工業炉1の処理チャンバ1.1または他の領域からプロセスガス3または処理媒体3.1,3.2の少なくとも一方を排出するための排出ライン1.6が接続された調製チャンバ2.2と、
(b)調製チャンバ2.2に機能的に統合された、駆動部を有するファン型のプロセスガス圧縮機2.3と、
(c)工業炉の処理チャンバ1.1、調製チャンバ2.2およびプロセスガス圧縮機2.3に機能的に接続された、プロセスガス3の処理媒体3.1,3.2の供給量、処理チャンバ1.1内の圧力、プロセスガス圧縮機2.3の回転速度、および触媒2.2.1の温度を測定するための測定制御装置2.4と、
(d)処理媒体3.1,3.2の供給量、調製されたプロセスガス3の工業炉1の処理チャンバ1.1への供給量およびC量、並びに、処理媒体3.1,3.2の少なくとも一方の処理チャンバ1.1からの排出量を調節および制御することを目的として、調製チャンバ2.2で調製されるプロセスガスの圧力、温度および体積流量などのパラメータを制御および調節するためのスイッチユニット2.5とを含む。
(a)処理チャンバ1.1内の温度、CO含有量および圧力の測定と、処理チャンバ1.1内の雰囲気の酸素分圧、CO2含有量および露点のパラメータのうちの少なくとも1つの測定とを測定するためのプローブ、アナライザおよび/またはセンサ、
(b)調製チャンバ2.2におけるプロセスガス3の調製と、プロセスガスの再コンディショニング時間に従って、調製されたプロセスガスの処理チャンバへの供給および処理チャンバにおいて消費されたプロセスガスの処理チャンバからの排出の制御とを行うための、制御および調節装置としてのスイッチユニット2.5、および、
(c)調製チャンバ2.2または処理チャンバ1.1内におけるプロセスガス3の滞留時間、循環または部分質量流を制御するための手段。
1.1 処理チャンバ
1.2 マルチポイント供給システム
1.3 焼き入れ領域
1.4 処理チャンバ循環装置
1.5 供給ライン
1.6 排出ライン
2 モジュール
2.1 ハウジング
2.2 調製チャンバ
2.2.1 触媒
2.2.2 温度調節装置
2.3 プロセスガス圧縮機
2.4 測定制御装置
2.5 スイッチユニット
3 プロセスガス
3.1 第1の処理媒体
3.2 第2の処理媒体
3.3 空気
Claims (38)
- 工業炉(1)の処理チャンバ(1.1)における金属材料または金属ワークピースの熱処理に使用されるプロセスガス(3)を調製する方法であって、
前記処理チャンバ(1.1)とは別個に設けられた調製チャンバ(2.2)において、前記プロセスガス(3)を前記処理チャンバ(1.1)の温度とは独立した最大で約1250°Cまでの範囲の温度で調製する調製ステップと、
前記処理チャンバ(1.1)において、前記調製ステップで調製されたプロセスガスを使用して前記金属材料または金属ワークピースの熱処理を行う処理ステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記調製ステップでは、前記処理チャンバにおける熱処理または熱化学処理で消費されたプロセスガス(3)を再利用して前記プロセスガス(3)が調製されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記調製ステップでは、前記処理チャンバ(1.1)の温度とは独立した最大で約1250°Cまでの範囲の温度で、次の(a)、(b)および(c)の反応方程式の少なくとも1つに従って、前記処理チャンバ(1.1)で消費された前記プロセスガス(3)のエンリッチ化および/または新たなプロセスガスの生成が行われることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
(a)2CH4+O2→2CO+4H2
(b)CH4+CO2→2CO+2H2
(c)CH4+H2O→CO+3H2 - 前記処理チャンバ(1.1)において次の(e)、(f)および(g)の反応方程式の少なくとも1つに従って浸炭処理ステップが行われ、その後、該浸炭処理ステップで消費されたプロセスガス(3)が前記調製チャンバ(2.2)での調製ステップを経て前記処理チャンバ(1.1)に再び供給されるようにしたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
(e)2CO →C+O2
(f)CO+H2→C+H2O
(g)CO →C+1/2O2 - 前記調製チャンバでの前記調製ステップと、前記処理チャンバでの前記熱処理、熱化学処理または浸炭処理ステップとがプロセスガスの再循環サイクルとして行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記調製チャンバ(2.2)が、触媒(2.2.1)および温度調節装置(2.2.2)を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒(2.2.1)および前記温度調節装置(2.2.2)を備える前記調製チャンバ(2.2)が、モジュール(2)として構成されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記モジュール(2)が、前記工業炉(1)の外部に配置される外部モジュールであることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記モジュール(2)が、前記工業炉(1)に組み込まれることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記モジュール(2)が、供給ライン(1.5)および排出ライン(1.6)によって前記処理チャンバ(1.1)と接続されることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記処理チャンバ(1.1)で消費されたプロセスガス(3)を前記処理チャンバ(1.1)から吸引排出し、前記排出ライン(1.6)を介して前記調製チャンバ(2.2)へ送達するようにしたことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記調製されたプロセスガス(3)を圧縮状態で、前記供給ライン(1.5)を介して前記調製チャンバ(2.2)から前記処理チャンバ(1.1)へ供給するようにしたことを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
- 少なくとも1つのプロセスガス圧縮機(1.4,2.3)を使用して、前記処理チャンバ(1.1)から前記消費されたプロセスガス(3)を吸引排出する工程と、前記調製チャンバ(2.2)から前記処理チャンバ(1.1)へ前記調製されたプロセスガス(3)を供給する工程とからなる前記再循環サイクルを加速させると共に、前記調製されたプロセスガス(3)を均質化、圧縮および高活性化させるようにしたことを特徴とする請求項5〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記プロセスガス圧縮機(2.3)が前記調製ステップと機能的に関連するように配置されることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記プロセスガス圧縮機(2.3)としてターボ過給機が用いられることを特徴とする請求項13または14に記載の方法。
- 前記プロセスガス圧縮機(2.3)としてピストン圧縮機が用いられることを特徴とする請求項13または14に記載の方法。
- 前記プロセスガス(3)が、一酸化炭素、水素および窒素成分に加えて二酸化炭素、酸素および水蒸気成分を含む保護ガスとしての第1の処理媒体(3.1)と、熱処理に用いられる反応ガスとしての第2の処理媒体(3.2)とを少なくとも含んでおり、
(a)前記調製ステップでは、処理チャンバ(1.1)および工業炉(1)の外部に別個に設けられた外部モジュール(2)において、化学的性質、温度、圧力または流速の少なくとも1つについて調節および制御されたプロセスガスが調製され、
(b)前記調製ステップでは、前記二酸化炭素、酸素および水蒸気を前記反応ガスとしての炭化水素と触媒反応させることにより一酸化炭素および水が生成され、前記反応後は、前記保護ガスが調節されたCポテンシャルを有することとなり、
(c)前記Cポテンシャルの調節は前記処理チャンバ(1.1)内の前記プロセスガスの化学的性質、温度、圧力および流速などのパラメータの少なくとも1つに基づいて行い、前記調製されたプロセスガス(3)は高温ガス圧縮機(2.3)を用いて圧縮、均質化および加速させて前記処理チャンバ(1.1)に供給し、かつ前記調製されたプロセスガス(3)をシングルポイントまたはマルチポイント供給システム(1.2)を用いて前記金属材料/金属ワークピースに向けて供給し、
(d)前記処理チャンバ(1.1)での熱処理で消費された前記プロセスガス(3)の前記処理媒体3.1および前記処理媒体3.2のうちの少なくとも一方を前記モジュール(2)の前記調製チャンバ2.2へ送達させ、前記調製チャンバ2.2でのプロセスガスの調製に再利用するようにしたことを特徴とする、請求項1〜16のいずれか1項に記載の方法。 - 調製されるプロセスガス(3)の前記処理媒体(3.1,3.2)に対して、低温領域から空気(3.3)を供給することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 消費されたプロセスガス(3)またはその処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方を前記処理チャンバ(1.1)から吸引して排出し、前記調製チャンバにおいてプロセスガスとして調製した後に、再び前記処理チャンバ(1.1)へ供給するようにしたことを特徴とする、請求項1〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つのプロセスガス圧縮機(1.4,2.3)を使用して、調製されるプロセスガス(3)の処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方の流れを加速および圧縮させて循環させ、かつ、前記プロセスガス圧縮機に対して冷却用の空気(3.3)が低温領域から供給されるようにしたことを特徴とする、請求項1〜19のいずれか1項に記載の方法。
- 前記プロセスガス圧縮機(1.4,2.3)が、ファンによって駆動されることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
- 圧縮、混合/均質化、および/または加速された前記プロセスガス(3)を、様々な種類の炉の前記処理チャンバ(1.1)に適合可能なマルチポイント供給部(1.2)を介して、処理されるバッチの前記金属材料/金属ワークピースへ向けて供給するようにしたことを特徴とする、請求項1〜21のいずれか1項に記載の方法。
- 調製されるプロセスガス(3)を、流れ方向を最適化する流れガイド装置によって、前記金属材料/金属ワークピースへ向けて供給するようにしたことを特徴とする、請求項1〜22のいずれか1項に記載の方法。
- プロセスガス(3)または前記処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方が、少なくとも1つのさらなる工業炉(1)または少なくとも1つのさらなる処理チャンバ(1.1)から供給されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- プローブ、アナライザおよびセンサなどの測定要素のうちの少なくとも1つを備える測定制御装置(2.4)を使用して、前記処理チャンバ(1.1)内の温度、CO含有量および圧力の測定と、前記処理チャンバ(1.1)内の雰囲気の酸素分圧、CO2含有量および露点などのパラメータのうちの少なくとも1つのパラメータの測定とを行い、
測定後に、前記調製チャンバ(2.2)におけるプロセスガス(3)の調製の調節と、前記処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方の前記処理チャンバ(1.1)への供給または前記処理チャンバ(1.1)からの排出の前記プロセスガスの再コンディショニング時間に応じての制御とを行い、
前記工業炉(1)の処理チャンバ(1.1)内のプロセス雰囲気またはプロセスガス(3)の温度のモニタリング、制御および/または調節を行うようにしたことを特徴とする、請求項1〜24のいずれか1項に記載の方法。 - 前記再コンディショニング時間を、
(a)圧縮機の回転速度、および
(b)前記プロセスガス(3)が、触媒(2.2)を備えた調製チャンバ(2.1)を連続的に循環した回数
の少なくとも一方に応じて制御するようにしたことを特徴とする、請求項1〜25のいずれか1項に記載の方法。 - 前記処理チャンバにおけるプロセスガス(3)の調製を、前記処理チャンバに処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方をパルス的、時限的および/または継続的に供給することによって制御および調節するように構成されたソフトウエアを使用して行うようにしたことを特徴とする、請求項1〜26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記プロセスガス(3)の処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方を、複数の工業炉(1)または処理チャンバ(1.1)に使用するようにしたことを特徴とする、請求項1〜27のいずれか1項に記載の方法。
- 前記プロセスガス(3)の部分質量流が、少なくとも1つの処理ステップにおいて生成および制御されるようにしたことを特徴とする、請求項1〜28のいずれか1項に記載の方法。
- 工業炉(1)の処理チャンバ(1.1)における金属材料または金属ワークピースの熱処理に使用されるプロセスガス(3)を調製する方法を実施するための装置であって、
(a)触媒(2.2.1)および温度調節装置(2.2.2)を備えた、プロセスガス(3)を調製するための閉鎖可能な調製チャンバ(2.2)と、
(b)機能的に統合されたプロセスガス圧縮機(1.4,2.3)と、
(c)前記工業炉の処理チャンバ(1.1)、前記調製チャンバ(2.2)およびプロセスガス圧縮機(1.4,2.3)と機能的に接続された、前記プロセスガス(3)の処理媒体(3.1,3.2)の供給量を測定するための装置(2.4)と、
(d)処理媒体(3.1,3.2)の供給量、調製されたプロセスガス(3)の前記工業炉(1)の処理チャンバ(1.1)への供給量およびC量、並びに、前記処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方の処理チャンバ1.1からの排出量を制御および調節するために、前記調製チャンバ(2.2)において調製されるプロセスガスのの圧力、温度および体積流量などのパラメータのうちの少なくとも1つを制御および調節するスイッチユニット(2.5)とを含むことを特徴とする装置。 - (a)前記閉鎖可能な調製チャンバ(2.2)、前記触媒(2.2.1)および前記温度調節装置(2.2.2)を収容すると共に、調製されたプロセスガス(3)またはその成分である前記処理媒体(3.1,3.2)を前記工業炉(1)の前記処理チャンバ(1.1)へ供給するための少なくとも1つの取外し可能または閉鎖可能な供給ライン(1.5)および前記処理チャンバ(1.1)または別の領域から前記処理媒体(3.1,3.2)の少なくとも一方を排出するための少なくとも1つの取外し可能または閉鎖可能な排出ライン(1.6)が接続されたハウジング(2)と、
(b)前記プロセスガス(3)の処理媒体(3.1,3.2)の供給量、前記処理チャンバ(1.1)内の圧力、前記プロセスガス圧縮機(1.4,2.3)の回転速度、前記プロセスガス(3)の部分質量流を生成するための弁などの手段の作動、および前記触媒(2.2.1)の温度を測定または制御するための測定制御装置(2.4)と、
(c)前記調製チャンバ(2.2)において調製されるプロセスガスの圧力、温度、体積流量などのパラメータのうちの少なくとも1つを制御および調節するためのスイッチユニット(2.5)と
を有する別個のモジュール(2)を含むことを特徴とする請求項30に記載の装置。 - 前記処理チャンバ(1.1)が、処理チャンバ循環装置(1.4)の代わりにプロセスガス圧縮機(2.3)を備えることを特徴とする請求項30または31に記載の装置。
- 前記調製チャンバ(2.2)にプロセスガス圧縮機(2.3)が機能的に接続されていることを特徴とする、請求項30または31に記載の装置。
- 前記別個のモジュール(2)が前記工業炉(1)に組み込まれたことを特徴とする、請求項30〜33のいずれか1項に記載の装置。
- 前記別個のモジュール(2)が、レトルト型の機能的構造を有することを特徴とする、請求項30〜34のいずれか1項に記載の装置。
- 前記別個のモジュール(2)が、前記工業炉(1)の外部に設けられたことを特徴とする、請求項30〜33のいずれか1項に記載の装置。
- 前記モジュール(2)が、セラミック材料製のライニングを有することを特徴とする、請求項30〜36のいずれか1項に記載の装置。
- (a)前記処理チャンバ(1.1)内の温度、CO含有量および圧力の測定と、処理チャンバ(1.1)内の雰囲気の酸素分圧、CO2含有量および露点のうちの少なくとも1つの測定とを行うためのプローブ、アナライザおよび/またはセンサ、
(b)前記調製チャンバ(2.2)における前記プロセスガス(3)の調製と、前記プロセスガスの前記処理チャンバ(1.1)への供給および/または前記処理チャンバ(1.1)からの排出の前記プロセスガスの再コンディショニング時間に応じての制御とを行うための、制御および調節装置としてのスイッチユニット(2.5)、および
(c)前記調製チャンバ(2.2)および/または前記処理チャンバ(1.1)内におけるプロセスガス(3)の滞留時間、循環サイクル、または部分質量流を制御するための手段
のうちの少なくとも1つを有する装置(2.4)を含むことを特徴とする、請求項30〜37のいずれか1項に記載の装置。
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