JP4180492B2 - 浸炭処理装置 - Google Patents
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Description
この実施形態における浸炭用ガス製造装置10においては、図2に示すように、内管11と外管12との間に、Rh,Pt等の貴金属触媒を充填させた触媒層13を設けている。
この実施形態に係る浸炭処理装置においては、図3に示すように、処理炉2の炉壁2aを挿通するようにして浸炭用ガス製造装置10を取り付け、この処理炉2内に処理材(図示せず)を導入し、上記の浸炭用ガス製造装置10によって製造した浸炭用ガスをこの処理炉2内に供給し、この処理炉2内において処理材を加熱させる加熱工程と、このように加熱された処理材に炭素を付与して浸炭させる浸炭工程と、このように処理材に付与された炭素を処理材の内部に拡散させる拡散工程と、このように炭素が内部に拡散された処理材の温度を下げる降温工程とを行うようにしている。
C4H10+4CO2=8CO+5H2
となり、一酸化炭素ガス濃度が高くなりすぎるため、この場合には、浸炭用ガスにおける一酸化炭素ガス濃度を調整するため、図示していないが、例えば、上記の第1ガスミキサー23に空気や酸素ガスを供給させることができる。
2 処理炉
2a 炉壁
10 浸炭用ガス製造装置
11 内管
12 外管
13 触媒層
14 加熱装置
15 外装体
16 加熱装置
17 原料ガス供給口
18 排出管
19 供給口
21 第1ガス供給管
21a 第1電磁弁
22 二酸化炭素ガス供給管
22a 第2電磁弁
23 第1ガスミキサー
24 第2ガス供給管
24a 第3電磁弁
25 空気供給管
25a 第4電磁弁
26 第2ガスミキサー
Ga 原料ガス
Gb 浸炭用ガス
Claims (3)
- 処理材を浸炭処理する処理炉内に一酸化炭素ガスを含む浸炭用ガスを供給し、加熱,浸炭,拡散の工程を経て処理材を浸炭処理する浸炭処理装置において、上記の処理炉に、触媒層が内管と外管との間に設けられると共にこの内管と外管とにそれぞれ加熱装置が設けられた浸炭用ガス製造装置を取り付け、少なくとも炭化水素ガスと二酸化炭素ガスとを混合させた第1原料ガスを上記の浸炭用ガス製造装置に供給する第1原料ガス供給装置と、少なくとも炭化水素ガスと空気とを混合させた第2原料ガスを上記の浸炭用ガス製造装置に供給する第2原料ガス供給装置と、上記の浸炭用ガス製造装置に供給する原料ガスを上記の第1原料ガス供給装置と第2原料ガス供給装置との間で切り換える切換装置とを設けたことを特徴とする浸炭処理装置。
- 請求項1に記載した浸炭処理装置において、浸炭時には上記の第1原料ガス供給装置から浸炭用ガス製造装置に少なくとも炭化水素ガスと二酸化炭素ガスとを混合させた第1原料ガスを供給する一方、浸炭時以外には上記の第2原料ガス供給装置から浸炭用ガス製造装置に少なくとも炭化水素ガスと空気とを混合させた第2原料ガスを供給することを特徴とする浸炭処理装置。
- 請求項1又は請求項2に記載した浸炭処理装置において、上記の浸炭用ガス製造装置における触媒層の触媒に貴金属触媒を用いたことを特徴とする浸炭処理装置。
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