KR20120024284A - 전자파 차폐 장치 및 이를 구비한 고주파 모듈과 그 제조방법 - Google Patents

전자파 차폐 장치 및 이를 구비한 고주파 모듈과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

전자파 차폐 장치 및 이를 구비한 고주파 모듈과 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈은, 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드를 형성하고, 모듈 기판의 상부에서 부품 소자를 감싸며 몰딩 부재를 형성하며, 몰딩 부재의 표면 및 모듈 기판의 측면에 전자파 차폐부를 형성한다. 이때, 모듈 기판의 측면에 형성되는 전자파 차폐부는 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 형성된 더미 그라운드 패드와 직접 접촉되어 전기적으로 연결되게 된다.

Description

전자파 차폐 장치 및 이를 구비한 고주파 모듈과 그 제조방법{APPARATUS FOR SHIELDING ELECTROMAGNETIC WAVE, HIGH FREQUENCY MODULE HAVING THE SAME AND FABRICATING METHOD THEREOF}
본 발명의 실시예는 고주파 모듈에 관한 것으로서, 전자파 차폐 쉴드와 고주파 모듈의 기판 간에 그라운드 연결을 위한 기술에 관한 것이다.
최근 통신 기술의 발전에 따라, 모바일 폰, PDA(Personal Digital Assistants), 스마트 폰 등의 이동통신 단말기 및 각종 멀티미디어 단말기(예를 들어, MP3, PMP) 등과 같은 다양한 휴대용 디지털 기기가 개발 및 보급되고 있다.
이러한 디지털 기기는 다양한 주파수 대역의 서비스를 제공하고 있으며, 소형화 및 고성능화의 요구로 인해, 디지털 기기에 내장되는 각종 부품들도 소형화되는 추세에 있다. 상기 디지털 기기의 소형화를 위해 RF 소자, IC 칩 등의 부품들을 하나의 모듈로 구현하고 있다.
이와 같이 여러 부품들을 하나의 모듈로 구현하는 경우, 전자파 장애가 발생하여 다른 기기에 영향을 주거나 오동작을 일으키게 된다. 이러한 전자파 장애를 해결하기 위해 고주파 모듈에 전자파 차폐 쉴드를 형성하였으나, 이 경우 전자파 차폐 쉴드를 그라운드와 잘 접속되도록 하는 방안이 요구된다.
본 발명의 실시예는 고주파 모듈에서 전자파 차폐 쉴드를 그라운드와 안정적으로 용이하게 접속되도록 하는 전자파 차폐 장치 및 이를 구비한 고주파 모듈과 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 장치는, 모듈 기판 상에 부품 소자들이 장착된 고주파 모듈의 전자파 차폐 장치에 있어서, 상기 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 형성되는 더미 그라운드 패드; 상기 모듈 기판의 상부에서 상기 부품 소자를 감싸며 형성되는 몰딩 부재; 및 상기 몰딩 부재의 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에 형성되며, 상기 모듈 기판의 측면에서 상기 더미 그라운드 패드와 접촉되는 전자파 차폐부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈은, 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 형성되는 더미 그라운드 패드; 상기 모듈 기판의 상부면에 장착되는 하나 이상의 부품 소자; 상기 모듈 기판의 상부에서 상기 부품 소자를 감싸며 형성되는 몰딩 부재; 및 상기 몰딩 부재의 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에 형성되며, 상기 모듈 기판의 측면에서 상기 더미 그라운드 패드와 접촉되는 전자파 차폐부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법은, (A) 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드를 형성하는 단계; (B) 상기 모듈 기판의 상부면에 하나 이상의 부품 소자를 장착시키는 단계; (C) 상기 모듈 기판의 상부에서 상기 부품 소자를 감싸며 몰딩 부재를 형성하는 단계; 및 (D) 상기 몰딩 부재의 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에서 상기 더미 그라운드 패드와 접촉하도록 전자파 차폐부를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드를 형성함으로써, 금속 와이어나 별도의 기구물 없이도 전자파 차폐부를 그라운드와 직접적으로 용이하게 연결할 수 있게 된다. 또한, 전자파 차폐부가 상기 더미 그라운드 패드에 면 접촉하게 되므로 보다 안정적인 그라운드 접촉이 이루어지게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 모듈 기판의 하부면을 나타낸 평면도.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법을 나타낸 도면.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하기로 한다. 그러나 이는 예시적 실시예에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명의 기술적 사상은 청구범위에 의해 결정되며, 이하 실시예는 진보적인 본 발명의 기술적 사상을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 효율적으로 설명하기 위한 일 수단일 뿐이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 고주파 모듈(100)은 모듈 기판(102), 부품 소자(104), 몰딩 부재(106), 및 전자파 차폐부(108)를 포함한다.
상기 모듈 기판(102)은 PCB(Printed Circuit Board) 기판 또는 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic), HTCC(High Temperature Cofired Ceramic) 등과 같은 세라믹 기판을 사용할 수 있다. 상기 모듈 기판(102)은 메인 보드(103) 상에 형성된다.
상기 모듈 기판(102)의 상부면에는 배선 패턴(111)이 형성되고, 상기 모듈 기판(102)의 하부면에는 그라운드 패드(112) 및 더미 그라운드 패드(113)가 형성된다. 여기서, 상기 더미 그라운드 패드(113)는 상기 모듈 기판(102)의 하부면의 가장 자리를 따라 형성된다. 이때, 상기 그라운드 패드(112) 및 상기 더미 그라운드 패드(113)는 상기 모듈 기판(102)의 하부면에 매립되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 고주파 모듈(100)의 부피를 줄일 수 있게 된다. 상기 그라운드 패드(112) 및 상기 더미 그라운드 패드(113)는 솔더 레지스트(115)를 통해 상기 메인 보드(103)와 전기적으로 접합된다.
상기 부품 소자(104)는 상기 모듈 기판(102) 상에 탑재된다. 상기 부품 소자(104)는 예를 들어, 칩 저항, 칩 스위치, 다이오드, 트랜지스터, 필터, 커패시터, 인덕터 등 다양한 전자 소자를 포함한다. 상기 부품 소자(104)는 상기 배선 패턴(111)과 전기적으로 연결되는데, 예를 들어 와이어 본딩(Wire Bonding) 또는 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding) 등과 같은 방식을 통해 상기 배선 패턴(111)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 몰딩 부재(106)는 상기 모듈 기판(102)의 상부에서 상기 부품 소자(104)를 감싸며 일정 높이로 형성된다. 상기 몰딩 부재(106)는 상기 부품 소자(104)들을 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 한다. 상기 몰딩 부재(106)는 예를 들어, 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드, 폴리페닐렌옥사이드, 에폭시 시트 몰딩 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 전자파 차폐부(108)는 상기 부품 소자(104)들에서 발생하는 유해 전자파 또는 외부로부터 유입되는 유해 전자파를 차단하는 역할을 한다. 상기 전자파 차폐부(108)는 상기 몰딩 부재(106)의 전체 표면 및 상기 모듈 기판(102)의 측면에 형성된다. 이때, 상기 전자파 차폐부(108)는 상기 몰딩 부재(106)의 전체 표면 및 상기 모듈 기판(102)의 측면에 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 상기 전자파 차폐부(108)는 도금층으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 더미 그라운드 패드(113)가 상기 모듈 기판(102)의 하부면 가장 자리를 따라 형성되기 때문에, 상기 모듈 기판(102)의 측면에 형성되는 전자파 차폐부(108)가 상기 더미 그라운드 패드(113)와 접촉하게 된다. 이때, 상기 솔더 레지스트(115)가 상기 전자파 차폐부(108)와 상기 더미 그라운드 패드(113) 간에 안정적인 전기적 접촉이 이루어지도록 한다.
구체적으로, 상기 전자파 차폐부(108)의 하단 내측면(108-1)은 상기 더미 그라운드 패드(113)와 접촉하게 되고, 상기 전자파 차폐부(108)의 하단 하부면(108-2)은 상기 솔더 레지스트(115)와 접촉하게 된다. 여기서, 상기 솔더 레지스트(115)가 상기 더미 그라운드 패드(113)의 하부면까지 형성되어 있으므로, 상기 전자파 차폐부(108)가 상기 솔더 레지스트(115)를 통해 상기 더미 그라운드 패드(113)와 접합되어 안정적인 전기적 접촉이 이루어지게 된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 모듈 기판(102)의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드(113)를 형성함으로써, 금속 와이어나 별도의 기구물 없이도 전자파 차폐부(108)를 그라운드와 직접적으로 용이하게 연결할 수 있게 된다. 또한, 상기 전자파 차폐부(108)가 상기 더미 그라운드 패드(113)에 면 접촉하게 되므로 보다 안정적인 그라운드 접촉이 이루어지게 된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 모듈 기판의 하부면을 나타낸 평면도이다.
도 2를 참조하면, 모듈 기판(102)의 하부면에 그라운드 패드(112)들이 상호 이격하여 형성되어 있으며, 상기 모듈 기판(102)의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드(113)가 형성된다. 상기 모듈 기판(102)의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드(113)를 형성하면, 앞에서 살펴본 바와 같이 전자파 차폐부(108)를 상기 더미 그라운드 패드(113)와 직접 접촉시킬 수 있게 된다.
이때, 상기 그라운드 패드(112) 및 상기 더미 그라운드 패드(113)는 상기 모듈 기판(102)의 하부면에 매립되도록 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 상기 모듈 기판(102)의 하부면 상에 돌출하여 형성할 수도 있다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법을 나타낸 도면이다.
먼저, 모듈 기판(102)의 하부면에 그라운드 패드(112)를 형성하고, 상기 모듈 기판(102)의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드(113)를 형성하며, 상기 모듈 기판(102)의 상부면에 배선 패턴(111)을 형성한다(도 3). 이때, 상기 그라운드 패드(112) 및 상기 더미 그라운드 패드(113)는 상기 모듈 기판(102)의 하부면에 매립하여 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 모듈 기판(102)의 상부면에 부품 소자(104)들을 장착시킨다(도 4). 이때, 상기 부품 소자(104)는 와이어 본딩 또는 플립칙 본딩 방식을 이용하여 상기 모듈 기판(102)의 상부면에 형성된 배선 패턴(111)과 전기적으로 연결시킨다.
다음으로, 상기 모듈 기판(102)의 상부에서 상기 부품 소자(104)들을 감싸며 몰딩 부재(106)를 형성한다(도 5). 이때, 상기 몰딩 부재(106)는 상기 부품 소자(104)들의 높이보다 더 높은 높이로 형성하여 상기 부품 소자(104)들을 보호하도록 한다.
다음으로, 상기 몰딩 부재(106)의 전체 표면 및 상기 모듈 기판(102)의 측면에 전자파 차폐부(108)를 형성한다(도 6). 이때, 상기 모듈 기판(102)의 측면에 형성되는 전자파 차폐부(108)가 상기 모듈 기판(102)의 하부면 가장 자리를 따라 형성된 더미 그라운드 패드(113)와 접촉되도록 한다. 상기 전자파 차폐부(108)는 도금 공정을 통해 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 전자파 차폐부(108)가 형성된 고주파 모듈을 메인 보드(103) 상에 장착시킨다(도 7). 구체적으로, 상기 모듈 기판(102)의 하부에 메인 보드(103)를 위치시킨다. 그 후, 상기 그라운드 패드(112) 하부에 솔더 레지스트(115)를 형성하여 상기 모듈 기판(102)을 상기 메인 보드(103)와 전기적으로 연결시키고, 상기 모듈 기판(102)의 측면에 형성된 전자파 차폐부(108)의 하단면과 상기 더미 그라운드 패드(113) 하부에 솔더 레지스트(115)를 형성하여 상기 전자파 차폐부(108)와 상기 더미 그라운드 패드(113)를 안정적으로 접합시킨다.
이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다.
그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
102 : 모듈 기판 104 : 부품 소자
106 : 몰딩 부재 108 : 전자파 차폐부
111 : 배선 패턴 112 : 그라운드 패드
113 : 더미 그라운드 패드 115 : 솔더 레지스트

Claims (12)

  1. 모듈 기판;
    상기 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 형성되는 더미 그라운드 패드;
    상기 모듈 기판의 상부면에 장착되는 하나 이상의 부품 소자;
    상기 모듈 기판의 상부에서 상기 부품 소자를 감싸며 형성되는 몰딩 부재; 및
    상기 몰딩 부재의 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에 형성되며, 상기 모듈 기판의 측면에서 상기 더미 그라운드 패드와 접촉되는 전자파 차폐부를 포함하는, 고주파 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 더미 그라운드 패드는,
    상기 모듈 기판의 하부면에 매립되어 형성되는, 고주파 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전자파 차폐부는,
    도금층으로 이루어지는, 고주파 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 모듈 기판은,
    상기 더미 그라운드 패드의 하부에 솔더 레지스트가 형성되며, 상기 솔더 레지스트를 통해 상기 모듈 기판의 하부에 위치하는 메인 보드와 접합되는, 고주파 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 솔더 레지스트는,
    상기 모듈 기판의 측면에 형성된 전자파 차폐부의 하단면 하부에까지 형성되어 상기 전자파 차폐부와 상기 더미 그라운드 패드를 접합시키는, 고주파 모듈.
  6. (A) 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 더미 그라운드 패드를 형성하는 단계;
    (B) 상기 모듈 기판의 상부면에 하나 이상의 부품 소자를 장착시키는 단계;
    (C) 상기 모듈 기판의 상부에서 상기 부품 소자를 감싸며 몰딩 부재를 형성하는 단계; 및
    (D) 상기 몰딩 부재의 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에서 상기 더미 그라운드 패드와 접촉하도록 전자파 차폐부를 형성하는 단계를 포함하는, 고주파 모듈의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 (A) 단계는,
    상기 모듈 기판의 하부면에 매립되도록 상기 더미 그라운드 패드를 형성하는, 고주파 모듈의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 (D) 단계는,
    상기 몰딩 부재의 전체 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에 도금 공정을 수행하여 상기 전자파 차폐부를 형성하는, 고주파 모듈의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 (D) 단계 이후에,
    (E) 상기 모듈 기판의 하부에 메인 보드를 위치시키는 단계;
    (F) 상기 모듈 기판의 측면에 형성된 전자파 차폐부의 하단면 및 상기 더미 그라운드 패드의 하부에 솔더 레지스트를 형성하는 단계; 및
    (G) 상기 솔더 레지스트를 이용하여 상기 모듈 기판과 상기 메인 보드를 접합하는 단계를 포함하는, 고주파 모듈의 제조방법.
  10. 모듈 기판 상에 부품 소자들이 장착된 고주파 모듈의 전자파 차폐 장치에 있어서,
    상기 모듈 기판의 하부면 가장 자리를 따라 형성되는 더미 그라운드 패드;
    상기 모듈 기판의 상부에서 상기 부품 소자를 감싸며 형성되는 몰딩 부재; 및
    상기 몰딩 부재의 표면 및 상기 모듈 기판의 측면에 형성되며, 상기 모듈 기판의 측면에서 상기 더미 그라운드 패드와 접촉되는 전자파 차폐부를 포함하는, 전자파 차폐 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 더미 그라운드 패드는,
    상기 모듈 기판의 하부면에 매립되어 형성되는, 전자파 차폐 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 전자파 차폐부는,
    도금층으로 이루어지는, 전자파 차폐 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140136743A (ko) * 2013-05-21 2014-12-01 삼성전기주식회사 고주파 모듈
WO2016171507A1 (ko) * 2015-04-24 2016-10-27 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐 구조물
CN111328193A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 乐金显示有限公司 柔性印刷电路板、柔性显示模块和电子设备
CN111642122A (zh) * 2020-05-27 2020-09-08 维沃移动通信有限公司 电磁屏蔽结构及其制造方法
KR20210062433A (ko) 2019-11-21 2021-05-31 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140136743A (ko) * 2013-05-21 2014-12-01 삼성전기주식회사 고주파 모듈
WO2016171507A1 (ko) * 2015-04-24 2016-10-27 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐 구조물
US10257969B2 (en) 2015-04-24 2019-04-09 Lg Innotek Co., Ltd. Electromagnetic wave shielding structure
CN111328193A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 乐金显示有限公司 柔性印刷电路板、柔性显示模块和电子设备
CN111328193B (zh) * 2018-12-17 2023-06-30 乐金显示有限公司 柔性印刷电路板、柔性显示模块和电子设备
KR20210062433A (ko) 2019-11-21 2021-05-31 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
US11373960B2 (en) 2019-11-21 2022-06-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component module
CN111642122A (zh) * 2020-05-27 2020-09-08 维沃移动通信有限公司 电磁屏蔽结构及其制造方法

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