JP2011025322A - 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれるウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア本体と、該キャリア本体の保持孔の内周に沿って配置され、保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状の樹脂インサートとから成る両面研磨装置用キャリアの製造方法であって、少なくとも、保持されるウェーハと接する内周面が形成されていない樹脂インサートの母材をキャリア本体の保持孔に装着した後、該樹脂インサートの母材に内周面形成加工を行い、保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を形成する両面研磨装置用キャリアの製造方法。
【選択図】 図4
Description
図8は、従来から用いられている一般的な両面研磨装置によるウェーハの研磨を説明する概略説明図である。図8に示すように、両面研磨装置用キャリア101は、ウェーハWより薄い厚みに形成され、両面研磨装置120の上定盤108と下定盤109の間の所定位置にウェーハWを保持するための保持孔104を備えている。
この両面研磨装置用キャリア101は、サンギヤ111とインターナルギヤ112とに噛合され、サンギヤ111の駆動回転によって自転公転される。そして、研磨面に研磨剤を供給しながら上定盤108と下定盤109とを互いに逆回転させることにより、上下定盤に貼付された研磨布110でウェーハWの両面を同時に研磨する。
この樹脂インサートを作製する際、樹脂母材から外周部が楔形状をしたリングの形状を切り出すが、楔まで含めたリングの幅は通常5mm以下と小さいため、この部分の機械的強度は小さく、容易に歪みやすい。また、樹脂インサートの内周面の長さに比べ、楔の切り出し長さは大きくなる。この長い加工長さは、発生する加工熱による樹脂母材の膨張を伴うため、キャリア本体に挿入する前の段階で歪みやすい。
このように、歪んでいる樹脂インサートを公差の小さいキャリア本体に挿入すると、結果として樹脂インサートはさらに歪んでしまうことになる。例えば、樹脂インサートの内周面をキャリアの主面に対して直角にしたい場合であってもこの歪みにより直角にならずに傾いてしまう。
また本発明は、樹脂インサートの歪みによる研磨ウェーハの外周ダレ及びナノトポロジー不良を抑制できるウェーハの両面研磨方法を提供することを目的とする。
このように、前記内周面形成加工を、前記樹脂インサートの内周面と前記キャリア本体の主面との角度θが、88°≦θ≦92°となるように行えば、研磨ウェーハの外周ダレ及びナノトポロジー不良をより確実に抑制できる両面研磨装置用キャリアとなる。
このように、前記樹脂インサートの母材として、円盤状のものを用いれば、樹脂インサートが歪んでしまうのをより確実に抑制できる。また、前記樹脂インサートの母材として、前記ウェーハの直径よりも小さい内径を有するリング状のものを用いれば、樹脂インサートの歪みを十分抑制することができる。
このように、前記樹脂インサートの母材の材質をアラミド樹脂とすれば、ウェーハWの周縁部をキャリアによるダメージから保護する効果を十分に奏しつつ、機械的強度の高いものとすることができる。
このように、上記した本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法によって製造された両面研磨装置用キャリアであれば、樹脂インサートの歪みが抑制されて内周面が所望の形状に精度良く加工されたものであるので、ウェーハの研磨時に外周ダレ及びナノトポロジー不良を抑制することができる両面研磨装置用キャリアとなる。
また、ウェーハの両面研磨方法において、ウェーハを研磨する前に、予め樹脂インサートの内周面とキャリアの主面との角度θを検査し、該検査した角度θが、88°≦θ≦92°を満たすものだけを用いてウェーハを研磨するので、ウェーハの研磨時に外周ダレ及びナノトポロジー不良を確実に抑制することができる。
従来、キャリア本体と樹脂インサートを組み合わせた両面研磨装置用キャリアの製造において、まずキャリア本体と樹脂インサートを別々に作製し、すなわち、樹脂インサートの内周面形成加工を行ってリング形状にした後、該樹脂インサートをキャリア本体に装着していた。しかし、このようにして両面研磨装置用キャリアを製造すると、樹脂インサートに歪みが発生してしまい、例えば樹脂インサートの内周面をキャリアの主面に対して直角となるように予め加工した場合であっても、装着後の樹脂インサートの歪みなどにより内周面が直角とならず傾いてしまうことが分った。
そこで、本発明者等はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、両面研磨装置用キャリアの製造において、予め樹脂インサートに内周面を形成しておくのではなく、樹脂インサートの母材をキャリア本体に装着した後に樹脂インサートの内周面形成加工を行い、保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を形成すれば、樹脂インサートの歪みを抑制でき、樹脂インサートの内周面を、例えばキャリアの主面に対して直角とするなどのような、所望の形状に精度良く形成できることに想到した。
図1に示すように、両面研磨装置用キャリア1はウェーハWを保持するための保持孔4が形成されたキャリア本体2を有している。このキャリア本体2の保持孔4の内周に沿って樹脂インサート3が配置されている。この樹脂インサート3により、研磨中にウェーハWがキャリア本体2と接触することによってウェーハWの周縁部にダメージが発生するのを防ぐことができる。
また、両面研磨装置用キャリア1には保持孔4とは別に研磨液を通すための研磨液孔13が設けられており、外周部には外周歯7が設けられている。
また、サンギヤ11及びインターナルギヤ12の各歯部には両面研磨装置用キャリア1の外周歯7が噛合しており、上定盤8及び下定盤9が不図示の駆動源によって回転されるのに伴い、両面研磨装置用キャリア1は自転しつつサンギヤ11の周りを公転するようになっている。
まず、両面研磨装置用キャリアのキャリア本体を作製する。図1に示すように、キャリア本体2にウェーハWを保持するための保持孔4を形成する。また、外周部には上記したような両面研磨装置のサンギヤ及びインターナルギヤと噛合する外周歯7を形成する。
また、キャリア本体2に研磨液を通すための研磨液孔13を設けることができる。
ここで、研磨液孔13の配置や個数は、図1に示したものに限らず、任意に設定できる。
ここで、キャリア本体2の材質は特に限定されないが、例えばチタンとすることができる。また、キャリア本体2の表面を硬度の高いDLC(Diamond Like Carbon)膜でコーティングすることができる。このようにDLC膜でコーティングすれば、両面研磨装置用キャリア1の耐久性が向上してキャリアライフを延ばすことができ、交換頻度を減らすことができる。
その後、キャリア本体2の保持孔4に装着した状態の樹脂インサート3の母材に内周面形成加工を行い、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を形成する。ここで、樹脂インサート3の母材の内周面形成加工は、機械研削加工によって低コストで行うことができる。また、レーザーカット加工を用いてより高速で精度良く加工を行うこともできる。
また、図4(B)に示すように、樹脂インサート3の母材17として、ウェーハWの直径よりも小さい内径を有するリング状のものを用いることができる。このような母材17を用いれば、樹脂インサート3の歪みを十分抑制して所望の内周面6の形状に精度よく加工できるし、内周面形成加工の時間を短縮することができ、すなわち、両面研磨装置用キャリアの製造の工程時間を削減することができる。
まず、ウェーハWを両面研磨装置用キャリア1で保持して研磨する前に、予め樹脂インサート3の内周面6と両面研磨装置用キャリア1の主面5との角度θを検査する。この検査は、例えば輪郭形状測定機を用いて行うことができる。
また、その他研磨時の条件等は従来の両面研磨方法と同様にして行うことができる。
このようにしてウェーハの研磨を行えば、研磨するウェーハの外周ダレ及びナノトポロジー不良を確実に抑制することができる。
尚、樹脂インサート3の内周面6と両面研磨装置用キャリア1の主面5との角度θが、88°≦θ≦92°を満たすキャリアは本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法によって確実に製造することができる。
図1に示すような両面研磨装置用キャリアを本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法を用いて製造した。
まず、図1に示すような保持孔を1つ有するチタン製のキャリア本体を作製し、図4(A)に示すような円盤状の樹脂インサートの母材をキャリア本体の保持孔に装着してから機械研削加工により樹脂インサートの内周面形成を行った。この際、樹脂インサートの内周面とキャリア本体の主面との角度θが90°となるように内周面を形成するようにした。
ここで、樹脂インサートの材質としてアラミド樹脂を用いた。
研磨したウェーハの平坦度及びナノトポロジーの結果を図6に示す。図6に示すように、後述する比較例の結果と比べ、平坦度及びナノトポロジーが改善されていることが分かる。
また、本発明の両面研磨方法は、研磨ウェーハの外周ダレ及びナノトポロジー不良を確実に抑制することができることが確認できた。
樹脂インサートの内周面とキャリアの主面との角度θを88°及び92°とした以外実施例1と同様に両面研磨装置用キャリアを製造し、実施例1と同様にシリコンウェーハの両面研磨を行い、同様に評価を行った。
研磨したウェーハの平坦度及びナノトポロジーの結果を図6に示す。図6に示すように、実施例1の結果と比べ平坦度及びナノトポロジーが多少悪い結果となっているものの、後述する比較例の結果と比べ、平坦度及びナノトポロジーが改善されており、良好な結果となっていることが分かる。従って、角度θを88°≦θ≦92°とすれば、研磨ウェーハの外周ダレ及びナノトポロジー不良をより確実に抑制できると言える。
キャリア本体と樹脂インサートを別々に作製し、その後、樹脂インサートをキャリア本体に装着する従来の製造方法で両面研磨装置用キャリアを製造した。
樹脂インサートは、その内周面をキャリア本体の主面に対して90°の角度となるように加工して作製したが、キャリアに装着後、輪郭形状測定機(ミツトヨ製)を用いて樹脂インサートの内周面とキャリアの主面との角度θを検査したところ、90°にはなっておらず傾いてしまっていた。これは樹脂インサートの歪みによるもの考えられる。
その結果を図6に示す。図6に示すように、実施例1、2の結果と比べ、平坦度及びナノトポロジーが悪化していることが分かる。また、ナノトポロジーの明暗が角度θの傾き反転に応じて反転している。すなわち、ウェーハの外周ダレが発生する面が入れ替わっていることが分かる。
4…保持孔、 5…キャリアの主面、 6…内周面、 7…外周歯、
8…上定盤、 9…下定盤、 10…研磨布、 11…サンギア、
12…インターナルギア、 13…研磨液孔、 17…母材。
Claims (6)
- ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア本体と、該キャリア本体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状の樹脂インサートとから成る両面研磨装置用キャリアの製造方法であって、
少なくとも、前記保持されるウェーハと接する内周面が形成されていない前記樹脂インサートの母材を前記キャリア本体の保持孔に装着した後、該樹脂インサートの母材に内周面形成加工を行い、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を形成することを特徴とする両面研磨装置用キャリアの製造方法。 - 前記内周面形成加工を、前記樹脂インサートの内周面と前記キャリア本体の主面との角度θが、88°≦θ≦92°となるように行うことを特徴とする請求項1に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法。
- 前記樹脂インサートの母材として、円盤状のもの、又は前記ウェーハの直径よりも小さい内径を有するリング状のものを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法。
- 前記樹脂インサートの母材の材質をアラミド樹脂とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法により製造された両面研磨装置用キャリア。
- ウェーハを保持するための保持孔と、該保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状の樹脂インサートとを有する両面研磨装置用キャリアに保持される前記ウェーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、前記ウェーハの両面を同時に研磨するウェーハの両面研磨方法であって、
前記ウェーハを研磨する前に、予め前記樹脂インサートの内周面と前記キャリアの主面との角度θを検査し、該検査した角度θが、88°≦θ≦92°を満たすものだけを用いて前記ウェーハを研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012171035A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | インサート材及び両面研磨装置 |
WO2013080453A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
WO2014038129A1 (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-13 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
CN104114322A (zh) * | 2012-02-15 | 2014-10-22 | 信越半导体株式会社 | 晶片的双面研磨方法 |
JP2015104771A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び研磨処理用キャリア |
WO2019044497A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 株式会社Sumco | キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法 |
CN110052955A (zh) * | 2018-01-18 | 2019-07-26 | 信越半导体株式会社 | 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法 |
JP2019186490A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 株式会社Sumco | キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013200072A1 (de) * | 2013-01-04 | 2014-07-10 | Siltronic Ag | Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
JP5807648B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 |
JP5847789B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-01-27 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
WO2015112969A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Veeco Instruments. Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
JP6056793B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-01-11 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法 |
JP6424809B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2018-11-21 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの両面研磨方法 |
JP6673772B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2020-03-25 | スピードファム株式会社 | ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法 |
CN115847281A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-28 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000210863A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | キャリア |
JP2001198804A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Hitachi Cable Ltd | 両面一次ポリッシュ用ウェハキャリア |
JP2002018708A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 被研磨物保持材及びその製造方法 |
JP2003305637A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-28 | Shirasaki Seisakusho:Kk | 脆性薄板の研磨用ホルダ |
JP2003340711A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-02 | Sagami Pci Kk | 研磨機用キャリア |
JP2007036225A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | 半導体ウェーハを加工する方法、キャリア及び半導体ウェーハ |
JP2009012086A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Speedfam Co Ltd | ワークキャリア |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5244555A (en) * | 1991-11-27 | 1993-09-14 | Komag, Inc. | Floating pocket memory disk carrier, memory disk and method |
US6439984B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-08-27 | Entegris, Inc. | Molded non-abrasive substrate carrier for use in polishing operations |
US20070184662A1 (en) | 2004-06-23 | 2007-08-09 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Double-side polishing carrier and fabrication method thereof |
JP4605233B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
-
2009
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-
2010
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- 2010-06-18 US US13/379,482 patent/US9050698B2/en active Active
- 2010-06-23 TW TW099120481A patent/TWI461256B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000210863A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | キャリア |
JP2001198804A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Hitachi Cable Ltd | 両面一次ポリッシュ用ウェハキャリア |
JP2002018708A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 被研磨物保持材及びその製造方法 |
JP2003305637A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-28 | Shirasaki Seisakusho:Kk | 脆性薄板の研磨用ホルダ |
JP2003340711A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-02 | Sagami Pci Kk | 研磨機用キャリア |
JP2007036225A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | 半導体ウェーハを加工する方法、キャリア及び半導体ウェーハ |
JP2009012086A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Speedfam Co Ltd | ワークキャリア |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012171035A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | インサート材及び両面研磨装置 |
WO2013080453A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
JP2013116508A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
CN104114322A (zh) * | 2012-02-15 | 2014-10-22 | 信越半导体株式会社 | 晶片的双面研磨方法 |
US9266215B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-02-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of double-side polishing wafer |
CN104114322B (zh) * | 2012-02-15 | 2017-04-19 | 信越半导体株式会社 | 晶片的双面研磨方法 |
WO2014038129A1 (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-13 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
JP2014050913A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨方法 |
KR20150052060A (ko) | 2012-09-06 | 2015-05-13 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 양면 연마 방법 |
US9987721B2 (en) | 2012-09-06 | 2018-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Double-side polishing method |
KR102004705B1 (ko) * | 2012-09-06 | 2019-07-29 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 양면 연마 방법 |
JP2015104771A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び研磨処理用キャリア |
JP2019046851A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 株式会社Sumco | キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法 |
WO2019044497A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 株式会社Sumco | キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法 |
KR20200024272A (ko) * | 2017-08-30 | 2020-03-06 | 가부시키가이샤 사무코 | 캐리어의 제조 방법 및 웨이퍼의 연마 방법 |
TWI687991B (zh) * | 2017-08-30 | 2020-03-11 | 日商Sumco股份有限公司 | 載具的製造方法及晶圓的研磨方法 |
CN111344838A (zh) * | 2017-08-30 | 2020-06-26 | 胜高股份有限公司 | 载具的制造方法及晶圆的抛光方法 |
US11127584B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-09-21 | Sumco Corporation | Method of producing carrier and method of polishing wafer |
KR102336943B1 (ko) | 2017-08-30 | 2021-12-07 | 가부시키가이샤 사무코 | 캐리어의 제조 방법 및 웨이퍼의 연마 방법 |
CN111344838B (zh) * | 2017-08-30 | 2023-03-21 | 胜高股份有限公司 | 载具的制造方法及晶圆的抛光方法 |
CN110052955A (zh) * | 2018-01-18 | 2019-07-26 | 信越半导体株式会社 | 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法 |
KR20190088414A (ko) | 2018-01-18 | 2019-07-26 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 캐리어의 제조방법 및 웨이퍼의 양면 연마방법 |
TWI804554B (zh) * | 2018-01-18 | 2023-06-11 | 日商信越半導體股份有限公司 | 載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法 |
JP2019186490A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 株式会社Sumco | キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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