JP5411648B2 - マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造装置、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体回路の回路パターンの原版となる転写用マスクの製造に使用されるマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造装置、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法に関する。

従来、マスクブランク用基板の製造では、マスクブランク用基板（以下、単に「基板」と称する場合がある）の両方の主表面を最初に荒く研削（ラップ）した後に、研磨条件を変えながら複数回にわたって研磨（ポリッシュ）する。マスクブランク用基板の研削には、通常は図９に示す研削装置が用いられる。従来の研削装置は、金属製の研削面１１を備えた上定盤１０と、金属製の研削面２１を備えた下定盤２０と、下定盤２０と一体化した内歯車２２と、下定盤２０と連動して回転する太陽歯車２３と、複数の基板収容孔３１を備えたキャリア３０と、を備えている。なお、下定盤２０と研削面２１は、一体化されていてもよいし、軸受を介して相互に独立して回転するように構成されていてもよい。

図１０に、キャリア３０の平面図を示す。図１０に示すように、キャリア３０の外形は外歯車であり、その主表面内に基板４０と同形状で基板４０よりも少し大きい基板収容孔３１を複数備える。また、キャリア３０は、基板４０と接触しても基板４０に傷を生じさせないように、硬度の低い樹脂で作られている。また、基板４０は基板収容孔３１内に収容された状態で研削面１１及び研削面２１と接触することにより研削されるため、キャリア３０は、基板４０の研削を阻害しないように、基板４０よりも薄く作られている。

従来の研削装置を用いて基板４０を研削する時には、先ず、研削面２１上に複数のキャリア３０を、その外周に設けられた歯車が内歯車２２及び太陽歯車２３と噛み合うように配置する。次いで、各キャリア３０の複数の基板収容孔３１内に基板４０をそれぞれ収容する。次いで、上定盤１０を下定盤２０に対向させながら降下させて、研削面１１及び研削面２１を基板４０の両方の主表面（被研削面）に接触させる。次いで、基板４０を研削面１１及び研削面２１で挟んだ状態で、上定盤１０、下定盤２０、及び太陽歯車２３をそれぞれ所定の速度で回転させる。このように、キャリア３０は、研削面１１及び研削面２１の間で内歯車２２及び太陽歯車２３と噛み合い、内歯車２２及び太陽歯車２３の回転から動力を得て、自転しながら太陽歯車２３を中心として公転するいわゆる遊星運動を行う。この時、基板４０の両被研削面と研削面１１及び研削面２１との間にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）微粒子等を含有した研削液（スラリー）を供給することにより、これらの微粒子を遊離砥粒として機能させて、基板４０の両被研削面を同時に研削する。なお、下定盤２０（内歯車２２）の回転速度と太陽歯車２３の回転速度とを変化させることにより、太陽歯車２３を公転中心とするキャリア３０の公転速度とキャリア３０の自転速度とを調節することができる。また、上定盤１０の回転方向は、図９に示すように、通常は下定盤２０の回転方向と逆方向に設定される。これは、上定盤１０を下定盤２０と逆方向に回転させることにより、基板４０の被研削面と研削面１１との相対速度を高められるため、単位時間当たりの基板４０の研削量を増やせるからである。

ところが、基板４０が研削される時には、研削液中の遊離砥粒や基板４０の被研削面から剥離した研削屑によって研削面１１及び研削面２１も同時に削られて磨耗する。そのため、従来の研削装置では、基板４０の処理枚数が増えるに従って、研削面１１及び研削面２１の平坦度が劣化したり、研削面１１及び研削面２１の表面にうねりが発生したりしていた。その結果、従来の研削装置では、基板４０の処理枚数が増えるに従って、単位時間
当たりの基板４０の研削量が減少したり、基板４０を所定の厚さ研削しても目的とする平坦度が得られなかったりする問題が発生していた。このような問題を解決するために、特許文献１に記載の技術が開発されている。

特開２００８−２５４１６６号公報

しかし、特許文献１に記載の技術は、ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒が研削面に配備された定盤を用いてガラス基板の主表面を研削する研削工程を行った後、研削に用いたキャリアとガラス修正リングとを置換して、研削工程と同様の処理を行うことにより、定盤の研削面のうねりを除去し、平坦度を修正するものである。つまり、特許文献１に記載の技術は、定盤の研削面の平坦度が劣化した後にそれを修正する技術であって、研削面の平坦度の劣化そのものを抑制する技術ではない。また、特許文献１に記載の技術は、定盤の研削面の平坦度を修正するために、毎回多くの時間を要する。そのため、特許文献１に記載の技術を工業的生産において利用すると、多大な時間を要する修正作業を頻繁に行う必要に迫られることから、従来の研削装置の生産能力を著しく低下させてしまう。

そこで、本発明者らは、従来の研削装置において、研削面１１及び研削面２１の平坦度が劣化していく過程を詳細に検討することにより、それらの平坦度が劣化するメカニズム及び要因を見出すに至った。すなわち、本発明者らは、研削面１１及び研削面２１が円運動を行いながら基板４０を研削することが、研削面１１及び研削面２１の表面にうねり等を生じさせてその平坦度を劣化させる主な要因であるという結論に至った。

具体的には、次のとおりである。研削面１１及び研削面２１が円運動を行いながら基板４０を研削すれば、研削面１１及び研削面２１において、それらの回転中心から遠ざかるほど線速度が速くなり、その線速度の増大に伴って単位時間当たりの基板４０の研削量も増大する。そして、単位時間当たりの基板４０の研削量が増えれば、研削液中の遊離砥粒による研削面１１及び研削面２１の単位時間当たりの磨耗量も増大する。つまり、研削面１１及び研削面２１が円運動を行いながら基板４０を研削すれば、研削面１１及び研削面２１において、それらの回転中心からの距離に応じて磨耗量に差が生じることになり、この磨耗量の差が研削面１１及び研削面２１にうねり等を生じさせてそれらの平坦度を劣化させるということである。そして、このようなメカニズムで平坦度が劣化した研削面１１及び研削面２１によって基板４０を研削すれば、必然的に基板４０の平坦度は悪化する。

さらに、本発明者らは、研削後の基板４０の平坦度が劣化することに関して鋭意検討を続けた結果、上記の研削面１１及び研削面２１の平坦度の劣化に起因しないメカニズムや要因にも想到した。すなわち、本発明者らは、キャリア３０が基板収容孔３１に基板４０を収容したまま太陽歯車２３を公転中心とした遊星運動を行うことが、研削後の基板４０の平坦度を劣化させる要因の一つであることを見出した。つまり、キャリア３０が基板収容孔３１に基板４０を収容したまま太陽歯車２３を公転中心とした遊星運動をすれば、キャリア３０の自転中心からの距離に応じて、基板４０の被研削面上にキャリア３０の自転による線速度の差が生じる。具体的には、図１０に示すキャリア３０の自転中心に近い基板４０のＩ点とキャリア３０の自転中心から遠い基板４０のＯ点とでは、Ｏ点の方が研削面１１及び研削面２１に対する相対的な線速度が速いということである。したがって、キャリア３０が基板収容孔３１に基板４０を収容したまま太陽歯車２３を公転中心とした遊星運動をすれば、キャリア３０の自転中心から遠ざかるに従って研削面１１及び研削面２１に対する相対的な基板４０の線速度が速くなって単位時間当たりの基板４０の研削量が
増えてしまい、その結果として基板４０の平坦度が悪化する。

したがって、本発明が解決しようとする課題は、研削面の平坦度が劣化し難く、基板の被研削面の全面を均等に研削できる基板の研削方法及びその研削装置、ならびにその研削方法による基板からマスクブランク及び転写用マスクを製造する方法を提供することである。

上述の課題を解決するために第１の手段は、砥粒が固定された固定砥粒部を備える上定盤と、砥粒が固定された固定砥粒部を備える下定盤と、前記上定盤及び下定盤の両固定砥粒部に基板を接触させつつ保持するキャリアと、を具備するマスクブランク用基板の製造装置を用い、前記上定盤と前記下定盤にオービタル運動をさせている間に、前記上定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面と、前記下定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面とを、前記基板の各被研削面に接触させることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。

第２の手段は、前記固定砥粒部は、ダイヤモンド砥粒が固定されたものであることを特徴とする第１の手段にかかるマスクブランク用基板の製造方法である。

第３の手段は、前記上定盤のオービタル運動と前記下定盤のオービタル運動は、回転半径、回転速度、及び回転方向が同じであることを特徴とする第１または第２の手段にかかるマスクブランク用基板の製造方法である。

第４の手段は、前記キャリアは、前記上定盤と前記下定盤がオービタル運動をしている間に、往復動作することを特徴とする第１から第３のいずれかの手段にかかるマスクブランク用基板の製造方法である。

第５の手段は、前記上定盤と前記下定盤がオービタル運動をしている間において、前記上定盤の固定砥粒部における前記基板から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、前記上定盤の固定砥粒部によって研削される前記基板の被研削面の面積の１０％以上であり、前記下定盤の固定砥粒部における前記基板から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、前記下定盤の固定砥粒部によって研削される前記基板の被研削面の面積の１０％以上であることを特徴とする第１から第４のいずれかの手段にかかるマスクブランク用基板の製造方法である。

第６の手段は、固定砥粒部の平坦度の修正を行うときは、前記上定盤の固定砥粒部の前記基板との接触面と前記下定盤の固定砥粒部の前記基板との接触面とを直接接触させて擦り合わせて行うことを特徴とする第１の手段に係るマスクブランク用基板の製造方法である。

第７の手段は、砥粒が固定された固定砥粒部を備え、オービタル運動を行う上定盤と、砥粒が固定された固定砥粒部を備え、オービタル運動を行う下定盤と、前記上定盤および下定盤の両固定砥粒部に基板を接触させつつ保持するキャリアと、を具備し、前記上定盤及び前記下定盤がオービタル運動をしている間に、前記上定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面と、前記下定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面とがそれぞれ、前記基板に接触することを特徴とするマスクブランク用基板の製造装置である。

第８の手段は、前記上定盤の固定砥粒部と、前記下定盤の固定砥粒部と、前記キャリアにおける前記基板を保持する貫通孔とが同数であることを特徴とする第７の手段にかかる
マスクブランク用基板の製造装置である。

第９の手段は、前記上定盤および下定盤の両固定砥粒部は、ダイヤモンド砥粒が固定されたものであることを特徴とする第７または第８の手段にかかるマスクブランク用基板の製造装置である。

第１０の手段は、前記上定盤のオービタル運動と前記下定盤のオービタル運動は、回転半径、回転速度、及び回転方向が同じであることを特徴とする第７から第９のいずれかの手段にかかるマスクブランク用基板の製造装置である。

第１１の手段は、前記キャリアは、前記上定盤と前記下定盤がオービタル運動をしている間に、往復動作することを特徴とする第７から第１０のいずれかの手段にかかるマスクブランク用基板の製造装置である。

第１２の手段は、第１から第６のいずれかの手段にかかるマスクブランク用基板の製造方法によって製造したマスクブランク用基板の主表面に精密研磨を行い、さらに前記主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。

第１３の手段は、第１２の手段にかかるマスクブランクの製造方法によって製造したマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。

本発明によれば、上定盤の固定砥粒部における基板との接触面すなわち研削面の全面と、下定盤の研削面の全面と、がそれぞれ基板の各被研削面に接触するため、上定盤の研削面の全面と下定盤の研削面の全面とがそれぞれ均等に磨耗することから、上定盤の研削面及び下定盤の研削面の表面平坦度が劣化し難くなる。その結果、本発明によれば、同一の研削装置による基板の処理枚数が増えても研削後の基板の表面平坦度が劣化し難いことから、上定盤の研削面及び下定盤の研削面の表面平坦度を修正するための作業の頻度を低下させることができるため、基板の研削装置の生産性を高めることができる。

また、本発明によれば、上定盤の研削面の面積及び下定盤の研削面の面積が基板の各被研削面の面積よりも小さいため、上定盤の研削面の全面及び下定盤の研削面の全面を基板の各被研削面に確実に接触させることができる。

また、本発明によれば、上定盤の固定砥粒部と下定盤の固定砥粒部とキャリアにおける基板を保持する貫通孔とが同数であるため、複数の基板を同時に、かつ、均等に研削することができる。

また、本発明によれば、上定盤の固定砥粒部及び下定盤の固定砥粒部はダイヤモンド砥粒が固定されたものであるため、単位時間当たりの基板の研削量を増やすことができる。

また、本発明によれば、上定盤のオービタル運動及び下定盤のオービタル運動の回転半径、回転速度、及び回転方向が同じであるため、上定盤と下定盤がオービタル運動をしている間は、上定盤と下定盤が鏡像関係を保ちながら正対することになる。その結果、本発明によれば、基板に上方向からかかる力と下方向からかかる力とが常に均衡することから、研削中の基板の挙動を安定させることができる。

また、本発明によれば、上定盤と下定盤がオービタル運動をしている間に、キャリアが
往復動作するため、上定盤の研削面及び下定盤の研削面と基板の各被研削面との相対位置が緩やかに変化する。その結果、本発明によれば、基板の各被研削面が上定盤の研削面及び下定盤の研削面の様々な部位と接触して研削されるため、上定盤の研削面及び下定盤の研削面におけるうねり等の表面特性が基板の各被研削面に転写され難くなる。

また、本発明によれば、上定盤と下定盤がオービタル運動をしている間に、上定盤の研削面及び下定盤の研削面における基板から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、基板の各被研削面の面積の１０％以上であるため、上定盤の研削面及び下定盤の研削面が基板の各被研削面の周縁部と確実に接触することから、基板の被研削面の全面を均等に研削することができる。

また、本発明によれば、上定盤の研削面と下定盤の研削面とを直接接触させて擦り合わせるため、上定盤の研削面及び下定盤の研削面の表面平坦度やうねり等を短時間で修正することができる。その結果、本発明によれば、基板の研削装置の生産性を高めることができる。

図１は、本発明の一実施形態にかかるマスクブランク用基板の研削装置の構成を示す斜視図である。 図２は、図１のＡ−Ａ鎖線に従って、上定盤の構成及びその近傍の構成を示す断面図である。 図３は、キャリアの構成を示す平面図である。 図４は、下定盤上に基板が配置された時の固定砥粒部（研削面）と基板との位置関係を示す平面図である。 図５は、下定盤のオービタル運動時における下定盤の研削面と基板との位置関係を説明する説明図であり、（ａ）は図４に示す１つの下定盤の研削面及びそれに対応する基板を示し、（ｂ）〜（ｅ）はそれぞれ（ａ）の状態から下定盤のオービタル運動が４５°ずつ進んだ状態を示す。 図６は、実施例における同一バッチの基板主表面の平坦度の平均値を各バッチ間で比較した図である。 図７は、比較例における同一バッチの基板主表面の平坦度の平均値を各バッチ間で比較した図である。 図８は、本発明の他の実施形態にかかるキャリアの構成を示す平面図である。 図９は、従来のマスクブランク用基板の研削装置の主要部分の構成を示す概略図である。 図１０は、図９に示す従来のキャリアの構成を示す平面図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態を、図面を適宜参照しながら詳細に説明する。

本実施形態にかかるマスクブランク用基板の研削装置１００は、図１に示すように、研削装置１００を上下方向から支える骨格である２つのフレーム１１０、この２つのフレーム１１０にそれぞれ取り付けられた２つのモータ１２０、この２つのモータ１２０にそれぞれ取り付けられた２つの偏心連結部１３０、上定盤１４０、上定盤１４０に取り付けられた固定砥粒部であるダイヤモンドシート１５５、基板を保持するキャリア１５０、下定盤１７０、下定盤１７０に取り付けられたダイヤモンドシート１６５、キャリア１５０の両端を保持しつつキャリア１５０に往復動作させる２つのスライド装置１８０、及びキャリア１５０を２つのスライド装置１８０にそれぞれ固定する２つの固定プレート１８５を
備えている。

上側のフレーム１１０は、図示しない駆動装置に連結されており、この駆動装置から動力を得て鉛直方向に昇降する。上側のフレーム１１０が上方向に移動すれば、上側のフレーム１１０に連結されたモータ１２０、偏心連結部１３０、及び上定盤１４０も共に上方向に移動するため、キャリア１５０と上定盤１４０との間に大きな空間が形成される。この形成された空間を介して、基板１６０がキャリア１５０の基板収容孔１５１に収容されたり基板収容孔１５１から取り出されたりする。

図２に示すように、上側のモータ１２０は鉛直下向きに伸びるシャフト１２１を備えており、シャフト１２１はモータ１２０の直下に配置された偏心連結部１３０の中心に嵌め込まれて偏心連結部１３０と一体化している。そのため、シャフト１２１の回転に伴って偏心連結部１３０も回転する。また、偏心連結部１３０はその中心から外れた位置に鉛直下向きに伸びる偏心シャフト１３１を備えており、この偏心シャフト１３１は上定盤１４０の最上部に取り付けられた軸受ユニット１４１に回転自在に嵌め込まれている。軸受ユニット１４１は筐体１４９の最上部にある円筒部分に収容されており、軸受ユニット１４１の直下には空隙１４２が設けられている。このような構成により、モータ１２０による回転動力は、偏心連結部１３０及び偏心シャフト１３１を介して上定盤１４０に伝播されて、上定盤１４０自体を回転させることなく、すなわち上定盤１４０を自転させることなく、上定盤１４０のオービタル運動に変換される。なお、上定盤１４０のオービタル運動の回転半径は、シャフト１２１と偏心シャフト１３１との軸心間の距離であり、またその回転速度はシャフト１２１の回転速度と同一である。

また、上定盤１４０は、筐体１４９の内部に、軸受ユニット１４１、空隙１４２、複数の通気管１４３、複数のエアシリンダ１４４、複数の押下板１４５、複数の面調節ユニット１４６、及び摺接面プレート１４７を備えている。一方で、下定盤１７０は、上定盤１４０と同じ外形であって軸受ユニット１４１、空隙１４２、摺接面プレート１４７及び筐体１４９に相当する構成部材を備えるものの、通気管１４３、エアシリンダ１４４、押下板１４５、及び面調節ユニット１４６に相当する構成部材を備えていない。

なお、下側のフレーム１１０は駆動装置に連結されていないことを除いて上側のフレーム１１０と同じ構成であり、同様に下側のモータ１２０及び偏心連結部１３０も上側のモータ１２０及び偏心連結部１３０と同一の構成である。したがって、下側のフレーム１１０はその設置面に固定されており、下定盤１７０は上定盤１４０と同様にオービタル運動をする。

上定盤１４０の摺接面プレート１４７には、キャリア１５０における基板収容孔１５１の位置と対応するように、基板収容孔１５１と同数のダイヤモンドシート１５５が取り付けられている。同様に、下定盤１７０の上面（摺接面プレート１４７に相当する）にも、キャリア１５０における基板収容孔１５１の位置と対応するように、基板収容孔１５１と同数のダイヤモンドシート１６５が取り付けられる。また、図２に示すように、ダイヤモンドシート１５５、１６５は、基板１６０を基板収容孔１５１に収容した後に上定盤１４０を降下させた時に、正対するように、すなわち基板１６０の同じ範囲を上下方向から挟むように、摺接面プレート１４７及び下定盤１７０の上面に取り付けられる。なお、ダイヤモンドシート１５５、１６５は、その裏面に感圧性接着剤が塗布されているため、摺接面プレート１４７及び下定盤１７０の上面に容易に着脱できる。

上定盤１４０の内部において、通気管１４３は、図示しない圧縮機に接続されており、この圧縮機から送られてくる圧縮空気をエアシリンダ１４４に供給する。通気管１４３から圧縮空気が供給されると、エアシリンダ１４４は、押下板１４５を降下させて、面調節
ユニット１４６を鉛直下向きに押圧する。エアシリンダ１４４によって押圧された面調節ユニット１４６は、その直下の摺接面プレート１４７を押圧する。面調節ユニット１４６に押圧されると、摺接面プレート１４７には撓みが生じるため、摺接面プレート１４７の直下に取り付けられたダイヤモンドシート１５５が基板１６０により強く押し付けられるようになる。

図２に示すように、面調節ユニット１４６は、ダイヤモンドシート１５５の取り付け位置と正対するように、換言すれば面調節ユニット１４６の中心とダイヤモンドシート１５５の中心とが鉛直方向で重なるように、上定盤１４０の内部の構成部材に固定される。また、面調節ユニット１４６は、上定盤１４０において、全てのダイヤモンドシート１５５の直上にそれぞれ設置される。さらに、通気管１４３、エアシリンダ１４４、及び押下板１４５も、上定盤１４０における全ての面調節ユニット１４６の直上にそれぞれ設置される。そして、上定盤１４０に設置された複数のエアシリンダ１４４に圧縮機から圧縮空気を供給する時には、この圧縮機は、各エアシリンダ１４４に対して別々の圧力で圧縮空気を供給することができる。そのため、例えば、研削装置１００によって同時に研削された複数の基板１６０の研削量を全て測定して、研削量の少なかった基板１６０が配置されていた位置にあるエアシリンダ１４４に供給する圧縮空気の圧力を選択的に高めることができる。このようにすれば、研削量が少なかった基板１６０の配置されていた位置における次回の基板１６０の研削量を選択的に増やすことができる。すなわち、研削装置１００は、複数の基板１６０を同時に研削しながら基板１６０の研削量を個別にフィードバック制御できる。

図３に示すように、基板１６０はその主表面（被研削面）がほぼ正方形であり、キャリア１５０は基板１６０を収容する基板収容孔１５１を９つ備えている。基板収容孔１５１の形状は、基板１６０の被研削面の形状とほぼ同じでもよい。しかし、本実施形態では、作業者が基板１６０を基板収容孔１５１に配置したり基板収容孔１５１から取り出したりするときの作業効率を考慮して、作業者の指や取り出し治具で基板１６０を容易に掴めるように、また、何らかの理由で基板１６０の角部がキャリアに強く接触した場合に角部が欠けないように、基板収容孔１５１の四隅に略円形の切欠きを設けている。また、基板収容孔１５１の四辺の中央部に矩形の切欠きを設けている。

キャリア１５０における基板収容孔１５１同士の間の距離を短くするほど、キャリア１５０により多くの基板収容孔１５１を設けることができる。しかし、この距離が短すぎると、上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動をしている間に、ダイヤモンドシート１５５、１６５が隣接する基板収容孔１５１に収容された基板１６０に接触するようになる。ダイヤモンドシート１５５、１６５が隣接する基板収容孔１５１に収容された基板１６０に接触するときには、先ずダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面の端部と基板１６０の端部とが接触するため、ダイヤモンドシート１５５、１６５が摺接面プレート１４７及び下定盤１７０の上面から部分的に剥離する場合がある。そこで、ダイヤモンドシート１５５、１６５が本来担当するはずの基板１６０のみを研削するように、基板収容孔１５１同士の間の距離は設定される。

また、キャリア１５０は、基板１６０との接触によって基板１６０に傷を発生させないように、基板１６０よりも低硬度の材料を用いて作成される。このような低硬度の材料として、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、またはフッ素樹脂が挙げられる。また、キャリア１５０は、基板１６０とダイヤモンドシート１５５、１６５との接触を阻害しないように、基板１６０よりも薄く作成される。また、キャリア１５０は、その両方の端部１５２をスライド装置１８０及び固定プレート１８５で挟持されることによって固定されている。そして、キャリア１５０は、ダイヤモンドシート１６５と接しないように、スライド装置１８０及び固定プレート１８５によって両側から張力をか
けられている。

上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動をして基板１６０が研削されている間に、キャリア１５０は、このオービタル運動の周期より遅い周期で往復動作を行う。キャリア１５０がこのような往復動作を行うことにより、基板１６０の被研削面とダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面との接触部位が徐々にずれていくため、研削後の基板１６０の被研削面にダイヤモンドシート１５５、１６５のうねり等の表面特性が転写され難くなる。したがって、キャリア１５０がこのような往復動作を行うことによって、研削後の基板１６０の表面平坦度を一層高めることができる。

図３に示すキャリア１５０の９つの基板収容孔１５１に全て基板１６０を収容したときにおける基板１６０と下定盤１７０の上面に取り付けられたダイヤモンドシート１６５との位置関係を図４に示す。なお、図４では、キャリア１５０が省略されており、ダイヤモンドシート１６５は点線で示されている。図４に示すように、基板収容孔１５１に基板１６０を配置した段階では、ダイヤモンドシート１６５の一部が基板１６０と接触しないように、基板収容孔１５１とダイヤモンドシート１６５との位置関係が設定されている。なお、図示していないが、基板１６０とダイヤモンドシート１５５との位置関係は、基板１６０とダイヤモンドシート１６５との位置関係と鏡像関係にある。

そして、ダイヤモンドシート１５５、１６５を基板１６０に接触させたまま上定盤１４０及び下定盤１７０にオービタル運動をさせることにより、基板１６０の両方の被研削面を同時に研削する。この研削時における基板１６０とダイヤモンドシート１６５との相対的な位置関係を図５に示す。図５では、（ａ）が図４に示す状態に対応し、（ｂ）〜（ｅ）が（ａ）の状態から下定盤１７０のオービタル運動の回転角を４５°ずつ順に進めた状態を示す。図５（ａ）の状態では、ダイヤモンドシート１６５の一部が基板１６０と接触していないものの、下定盤１７０のオービタル運動が進むに従って、ダイヤモンドシート１６５の研削面の全体が基板１６０と接触している。このように、上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動をしている間に、ダイヤモンドシート１５５における基板１６０との接触面の全面と、ダイヤモンドシート１６５における基板１６０との接触面の全面とがそれぞれ基板１６０に接触することにより、ダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面の全面が均等に磨耗するようになる。その結果、研削装置１００によって研削する基板１６０の処理枚数が増えても、研削後の基板１６０の研削面の表面平坦度の劣化を抑制することができる。したがって、研削装置１００によれば、ダイヤモンドシート１５５、ダイヤモンドシート１６５の表面平坦度を修正するための作業を減らすことができるため、その生産性を高めることができる。

上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動をしている間に、ダイヤモンドシート１５５における基板１６０との接触面の全面と、ダイヤモンドシート１６５における基板１６０との接触面の全面とが、接触するようにするには、基板１６０のダイヤモンドシート１５５、１６５が正方形である場合、以下の条件に適合するようにすると確実である。ダイヤモンドシート１５５、１６５の一辺の長さをＬａ、基板１６０の一辺の長さをＬｑ、上定盤１４０及び下定盤１７０のオービタル運動の回転半径をＲとしたとき、

の関係が成り立つように、Ｌｑ、Ｌａ、Ｒをそれぞれ設定することが好ましい。

図４及び図５では、ダイヤモンドシート１５５、１６５における基板１６０の研削面の形状が基板１６０の被研削面と同一のほぼ正方形であり、さらにその大きさは基板１６０の被研削面の面積よりも小さい場合について示している。

本実施形態では、上定盤１４０のオービタル運動と下定盤１７０のオービタル運動とにおける回転半径、回転速度、及び回転方向が同じであるため、オービタル運動時において上定盤１４０の挙動は下定盤１７０の挙動と鏡像関係にある。そのため、基板１６０とダイヤモンドシート１５５との相対的な位置関係を図示すれば、図５（ａ）〜（ｅ）の左右を反転させたものになる。このように、本実施形態では、上定盤１４０と下定盤１７０がオービタル運動時に鏡像関係を維持し続けるため、基板１６０におけるダイヤモンドシート１５５との接触部分とダイヤモンドシート１６５との接触部分とは、鉛直方向で対向していることになる。したがって、本実施形態では、上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動をしている間に、基板１６０の所定の範囲がダイヤモンドシート１５５、１６５によって上下方向から均等に押圧されることになるため、基板１６０がダイヤモンドシート１５５、１６５の間で上下方向に振動したりすることを防止できる。その結果、研削装置１００を用いれば、基板１６０の研削時における研削むらの発生を防止することができる。

上定盤１４０及び下定盤１７０のオービタル運動は、その回転速度が２０〜１００ｒｐｍであることが好ましい。この回転速度が２０ｒｐｍよりも遅ければ、基板１６０の研削に時間がかかりすぎるため、工業的生産に適さなくなる。一方で、この回転速度が１００ｒｐｍを超えると、上定盤１４０及び下定盤１７０の挙動が不安定になる。

スライド装置１８０によるキャリア１５０の往復動作の振幅距離は、上定盤１４０及び下定盤１７０のオービタル運動の回転直径よりも小さく、かつ、その往復動作の速度は、オービタル運動時の上定盤１４０及び下定盤１７０の線速度よりも遅いことが好ましい。このようにキャリア１５０の往復動作が上定盤１４０及び下定盤１７０のオービタル運動よりも緩慢であることにより、研削時の基板１６０の挙動を安定させることができ、研削後の基板１６０の表面平坦度を高めることができる。

研削装置１００は、エアシリンダ１４４に供給する圧縮空気の圧力を変えることにより、ダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面が基板１６０の被研削面に接触する圧力を調節できる。この接触圧力は、０．１〜１ＭＰａであることが好ましい。この接触圧力が０．１ＭＰａ未満であれば、基板１６０の研削に時間がかかりすぎるため、工業的生産に適さなくなる。一方で、この接触圧力が１ＭＰａを超えると、ダイヤモンドシート１５５、１６０が基板１６０を挟む力が強すぎるため、基板１６０がダイヤモンドシート１５５、１６５に引きずられるようになり、基板１６０から受ける力によってキャリア１５０が破損し易くなる。

ダイヤモンドシート１５５、１６５は、シート状の母材にダイヤモンド砥粒を電着固定
したりレジンボンドやメタルボンドで固定したりしたものである。ダイヤモンドシート１５５、１６５は、一般的に、含有するダイヤモンド砥粒が大きくなるほど、単位時間当たりの基板の研削量が増えるものの、研削後における基板の被研削面の表面平坦度が悪化する。したがって、ダイヤモンドシート１５５、１６５の選定には、研削条件及び研削後の基板の表面平坦度を総合的に考慮する必要がある。例えば、石英ガラスからなる基板の両方の被研削面にダイヤモンドシート１５５、１６５を０．４ＭＰａで押し当てながらこの基板を３０分間で３ｍｍ研削する場合には、平均粒径が１０〜１００μｍのダイヤモンド砥粒を含有するダイヤモンドシート１５５、１６５を使用することが好ましい。

ダイヤモンドシート１５５、１６５によって基板１６０を研削している間に、上定盤１４０及び下定盤１７０の内部に設置された研削液供給管（図示しない）を介して、ダイヤモンドシート１５５、１６５の中央部から基板１６０の被研削面上に研削液が常時供給され続ける。研削液には、純水やエタノールアミンに代表される水溶性研削油を使用してもよいが、単位時間当たりの基板１６０の研削量を増やすために、シリコンカーバイド、シリカ、酸化セリウム、またはアルミナ等の微粒子を含有するスラリーを使用することが好ましい。なお、これらのスラリーを使用する場合には、ダイヤモンドシート１５５、１６５による基板１６０の研削を阻害しないために、ダイヤモンドシート１５５、１６５に含まれるダイヤモンド砥粒よりも小さい粒径の微粒子を含むスラリーを使用することが好ましい。

また、上定盤１４０と下定盤１７０がオービタル運動をしている間において、ダイヤモンドシート１５５における基板１６０から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、ダイヤモンドシート１５５によって研削される基板１６０の被研削面の面積の１０％以上であること、ならびにダイヤモンドシート１６５における基板１６０から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、ダイヤモンドシート１６５によって研削される基板１６０の被研削面の面積の１０％以上であることが好ましい。さらには、これらの非接触面積の最大値は、基板１６０の被研削面の１０〜４０％であることが好ましい。本実施形態では、図５（ａ）、（ｃ）、及び（ｅ）の状態においてこの非接触面積が最大となる。この非接触面積の最大値が基板１６０の被研削面の面積の１０％以上であれば、基板１６０の被研削面の全面にダイヤモンドシート１５５、１６５を確実に接触させることができる。一方で、この非接触面積の最大値が基板１６０の被研削面の面積の４０％を超えれば、ダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面の面積が基板１６０の被研削面の面積より小さいため、ダイヤモンドシート１５５、１６５が基板１６０の被研削面の中央部と接触しなくなることから、基板１６０の被研削面に研削むらが生じ易くなる。また、この非接触面積の最大値が基板１６０の被研削面の面積の４０％を超えれば、ダイヤモンドシート１５５、１６５における基板１６０との非接触面にかかっている荷重が全て基板１６０の被研削面の外周部分にかかるため、その外周部分の研削量だけが増加して研削後の基板１６０の表面平坦度が悪化する問題が生じる。

研削装置１００では固定砥粒を用いて基板１６０を研削するため、基板１６０の処理枚数が増えるに従って、ダイヤモンドシート１５５、１６６の研削面が磨耗していく。そこで、研削装置１００では、基板１６０を所定枚数処理した後に、ダイヤモンドシート１５５とダイヤモンドシート１６５を直接擦り合わせることにより、これらの表面平坦度を回復させる。なお、この際には、前記上定盤１４０のオービタル運動と前記下定盤１７０のオービタル運動は、回転半径、回転速度、または回転方向のうち、少なくとも１以上の条件は異ならせる必要がある。したがって、本実施形態によれば、特許文献１に記載の技術に比べて、短時間でダイヤモンドシート１５５、１６５の表面平坦度を回復させることができる。なお、本実施形態では、上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動を行うため、特許文献１に記載の技術と比べて、ダイヤモンドシート１５５、１６５の表面平坦度が劣化し難い上に、ダイヤモンドシート１５５、１６５が摺接面プレート１４７及び下
定盤１７０の上面に接着剤で固定されているため、ダイヤモンドシート１５５、１６５を短時間で交換できる。

研削装置１００によって所定の厚さまで研削された基板１６０は、その後、研磨パッドとコロイダルシリカ等の遊離砥粒を用いて、所望の表面平坦度となるまでその被研削面を研磨される。そして、研磨後の基板１６０を酸性溶液中に浸漬して洗浄した後に、その被研磨面上に転写パターン形成用の薄膜をスパッタリング等の気相法で形成することにより、マスクブランクが製造される。本発明のマスクブランクには、バイナリ型のマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリントモールド作製基板、およびインプリントモールド作製用のマスクブランクが含まれる。

本発明にかかる転写パターン形成用の薄膜としては、例えば、金属、金属窒化物、金属酸化物、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化シリコン、シリサイド、窒化シリサイド、酸化シリサイド、または炭化シリサイドからなる薄膜が挙げられる。さらに、この金属の例としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンが挙げられる。また、このシリサイドの例としては、シリコンとクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、またはタングステンとの化合物が挙げられる。

このマスクブランクの転写パターン形成用の薄膜上に公知の手段によってレジスト膜を形成し、このレジスト膜に電子ビームまたは紫外線を露光して現像することにより、この薄膜に転写パターンを形成する。本発明にかかる転写用マスクには、例えば、バイナリ型マスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリントモールド、及びレチクルが含まれる。

＜実施例＞
公知の方法により製造された合成石英インゴットから、板状ガラスを切り出し、面取り加工、従来の研削装置を用いた主表面の研削加工を行い、約１５２．１ｍｍ×１５２．１ｍｍ×６．８７ｍｍの合成石英からなるガラス基板５０枚を得た。次に、前記の実施形態で示した研削装置１００を用い、マスクブランク用ガラス基板の表裏の両主表面の最終の研削を行った。具体的には、以下の条件で行った。

［研削条件］
上定盤回転数：５０ｒｐｍ，下定盤回転数：５０ｒｐｍ
研削時間：１０分 ，研削圧力：０．１ＭＰａ
キャリアへの基板の配置枚数：５枚
固定砥粒部：ダイヤモンドシート（２．５ｍｍ角、有効高さ８００μｍの
固定砥粒ユニットを１．５ｍｍ間隔でシートに貼り付けた構造），
１枚当たりの大きさ １４０ｍｍ×１４０ｍｍ
１０枚（５枚ずつ上下定盤に両面テープで貼り付け）
基板研削量：３５μｍ

同一の固定砥粒部（ダイヤモンドシート）でガラス基板５０枚の研削を行った。すなわち、研削工程を１０バッチ（セット）行った。研削された各ガラス基板について、主表面の平坦度を、波長変長レーザーを用いた波長シフト干渉計により測定した。その結果について、図６に示す。図６では、同一バッチで研削した５枚の基板における主表面の平坦度の平均値を、１バッチ目、３バッチ目、６バッチ目、８バッチ目、１０バッチ目で比較したものである。バッチが進むにつれて、平坦度の平均値が悪化するような傾向は見当たらず、固定砥粒部の研削面（定盤研削面）における平坦度の悪化を抑制できていることが確認できた。

また、最も平坦度の悪いガラス基板でも、０．９２１μｍであり、同じ固定砥粒部を用いて、１０セット研削しても、平坦度が１．０μｍ以下のガラス基板を製造することは十分可能であることが確認された。

＜比較例＞
図９に示されるような従来の基板を遊星歯車運動させて研削を行う研削装置の上定盤および下定盤の研削面の全面に、上記実施例で用いたものと同じダイヤモンドシートをそれぞれ貼り付けた研削装置を準備した。この研削装置を用い、実施例で最終研削したものと同じ素材・寸法のガラス基板５０枚に対し、表裏の両主表面の最終の研削を行った。具体的には、以下の条件で行った。

［研削条件］
上定盤回転数：５０ｒｐｍ，下定盤回転数：５０ｒｐｍ
研削時間：１０分 ，研削圧力：０．４ＭＰａ
キャリアへの基板の配置枚数：５枚
固定砥粒部：実施例と同構造のダイヤモンドシート（大きさ：定盤と同サイズ）
基板研削量：３５μｍ

同一の固定砥粒部（ダイヤモンドシート）でガラス基板５０枚の研削を行った。すなわち、研削工程を１０バッチ（セット）行った。研削された各ガラス基板について、主表面の平坦度を、波長変長レーザーを用いた波長シフト干渉計により測定した。その結果について、図７に示す。図７では、実施例と同様、同一バッチで研削した５枚の基板における主表面の平坦度の平均値を、１バッチ目、３バッチ目、６バッチ目、８バッチ目、１０バッチ目で比較したものである。バッチが進むにつれて、平坦度の平均値が悪化する傾向が顕著に表れた。また、基板主表面の平坦度の平均値も６バッチ目で早くも２μｍ弱にまで悪化しており、後工程である主表面の研磨工程では改善できない平坦度になってしまっている。これらの結果から、従来から用いられている研削装置の定盤研削面にダイヤモンドシートのような固定砥粒を貼り付けただけでは、前記の課題を解決できないことが明らかである。

＜本発明の他の実施形態＞
本発明の他の実施形態について、図面を適宜参照しながら詳細に説明する。

図８に、本実施形態にかかるキャリア６００の平面図を示す。キャリア６００は、研削装置１００において、キャリア１５０の代わりに使用されるものである。キャリア６００は、その中央部に５つの円形のアダプタ収容孔６１０、このアダプタ収容孔６１０に収容される５つのアダプタ６２０、このアダプタ６２０の中央部に形成された基板収容孔６３０、および両側の端部６５２を備えている。キャリア６００は、キャリア１５０と同様に、端部６５２がスライド装置１８０及び固定プレート１８５に挟持されることよってスライド装置１８０に固定される。アダプタ６２０は、アダプタ収容孔６１０内に回転自在に収容されており、その中央部に基板１６０を収容するための基板１６０の被研削面と同じほぼ正方形の基板収容孔６３０を備えている。

本実施形態では、キャリア１５０の代わりにキャリア６００を使用するため、ダイヤモンドシート１５５、１６５は摺接面プレート１４７及び下定盤１７０の上面に、基板収容孔６３０の位置に対応するように取り付けられる。具体的には、ダイヤモンドシート１５５、１６５は、基板１６０が基板収容孔６３０に配置された時に、図５（ａ）に示す基板１６０との位置関係になるように、摺接面プレート１４７及び下定盤１７０の上面に取り付けられる。

上定盤１４０及び下定盤１７０がオービタル運動をしている間は、基板１６０は、ダイヤモンドシート１５５、１６５から動力を得て、アダプタ６２０と共に基板収容孔６３０内を回転する。基板１６０が基板収容孔６３０内を回転することにより、基板１６０の被研削面とダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面との接触部位が変化し易くなり、ダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面のうねり等の表面特性が基板１６０の被研削面に転写され難くなるため、研削後の基板１６０の表面平坦度が一層高くなる。

ここで、アダプタ収容孔６１０の直径（内径）は、アダプタ６２０の直径（外径）よりも１〜１０ｍｍ大きいことが好ましい。これらの直径の差が１ｍｍ未満の場合は、基板１６０の研削時に使用されるスラリーや研削時に発生する研削屑がアダプタ収容孔６１０とアダプタ６２０との間に堆積して、アダプタ収容孔６１０内でアダプタ６２０が回転し難くなる。一方で、これらの直径の差が１０ｍｍを超えると、アダプタ収容孔６１０とアダプタ６２０との遊びが大きくなりすぎて、研削時に基板１６０がダイヤモンドシート１５５、１６５に引きずられてアダプタ収容孔６１０内を動き回るため、単位時間当たりの基板１６０の研削量が低下してしまう。

＜本発明のさらに他の実施態様＞
本発明の各実施形態では、固定砥粒部としてダイヤモンドシート１５５、１６５を使用する場合について説明したが、本発明はこの場合に限定されるものではなく、シリコンカーバイド微粒子やアルミナ微粒子を砥粒として含有する固定砥粒部を使用してもよい。

また、本発明の各実施形態では、キャリア１５０に９つの基板収容孔１５１が、またキャリア６００に５つのアダプタ収容孔６１０が設けられる場合について説明したが、本発明はこの場合に限定されるものではなく、それらの数を適宜増減することができる。

また、本発明の各実施形態では、上定盤１４０及び下定盤１７０のオービタル運動における回転半径、回転速度、及び回転方向が同じである場合について説明したが、本発明はこの場合に限定されるものではなく、上定盤１４０のオービタル運動における回転半径、回転速度、及び回転方向と、下定盤１７０のオービタル運動における回転半径、回転速度、及び回転方向と、をそれぞれ別々に設定してもよい。ここで、本発明の他の実施形態においては、上定盤１４０のオービタル運動と下定盤１７０のオービタル運動との回転方向が同じである場合には、基板１６０がダイヤモンドシート１５５、１６５に引きずられてしまい、基板１６０の被研削面とダイヤモンドシート１５５、１６５の研削面とが擦れ合い難くなってしまうため、単位時間当たりの基板１６０の研削量が減少する。そこで、本発明の他の実施形態においては、基板１６０がダイヤモンドシート１５５、１６５に引きずられることを防止するために、上定盤１４０のオービタル運動における回転半径、回転速度、及び回転方向を、下定盤１７０のオービタル運動における回転半径、回転速度、及び回転方向と一致しないように設定することが好ましい。特に、本発明の他の実施形態では、上定盤１４０のオービタル運動の回転方向を下定盤１７０のオービタル運動の回転方向と逆方向に設定することが好ましい。

本発明は、基板の被研削面を極めて平坦、かつ、平坦にできるため、マスクブランクス用基板の研削に限らず、磁気ディスク用基板の研削にも利用できる。

１００ 研削装置
１１０ フレーム
１２０ モータ
１２１ シャフト
１３０ 偏心連結部
１３１ 偏心シャフト
１４０ 上定盤
１４１ 軸受ユニット
１４２ 空隙
１４３ 通気管
１４４ エアシリンダ
１４５ 押下板
１４６ 面調節ユニット
１４７ 摺接面プレート
１４９ 筐体
１５０、６００ キャリア
１５１、６３０ 基板収容孔
１５２、６５２ 端部
１５５、１６５ ダイヤモンドシート
１７０ 下定盤
１８０ スライド装置
１８５ 固定プレート
６１０ アダプタ収容孔
６２０ アダプタ

Claims (13)

1. 砥粒が固定された固定砥粒部を備える上定盤と、砥粒が固定された固定砥粒部を備える下定盤と、前記上定盤及び下定盤の両固定砥粒部に基板を接触させつつ保持するキャリアと、を具備するマスクブランク用基板の製造装置を用い、
   前記上定盤と前記下定盤にオービタル運動をさせている間に、前記上定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面と、前記下定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面とを、前記基板の各被研削面に接触させることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
2. 前記固定砥粒部は、ダイヤモンド砥粒が固定されたものであることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
3. 前記上定盤のオービタル運動と前記下定盤のオービタル運動は、回転半径、回転速度、及び回転方向が同じであることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
4. 前記キャリアは、前記上定盤と前記下定盤がオービタル運動をしている間に、往復動作することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
5. 前記上定盤と前記下定盤がオービタル運動をしている間において、
   前記上定盤の固定砥粒部における前記基板から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、前記上定盤の固定砥粒部によって研削される前記基板の被研削面の面積の１０％以上であり、
   前記下定盤の固定砥粒部における前記基板から瞬間的に離れている非接触面積の最大値が、前記下定盤の固定砥粒部によって研削される前記基板の被研削面の面積の１０％以上である、ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
6. 固定砥粒部の平坦度の修正を行うときは、前記上定盤の固定砥粒部の前記基板との接触面と前記下定盤の固定砥粒部の前記基板との接触面とを直接接触させて擦り合わせて行うことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
7. 砥粒が固定された固定砥粒部を備え、オービタル運動を行う上定盤と、
   砥粒が固定された固定砥粒部を備え、オービタル運動を行う下定盤と、
   前記上定盤および下定盤の両固定砥粒部に基板を接触させつつ保持するキャリアと、を具備し、
   前記上定盤及び前記下定盤がオービタル運動をしている間に、
   前記上定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面と、前記下定盤の固定砥粒部における前記基板との接触面の全面とがそれぞれ、前記基板に接触することを特徴とするマスクブランク用基板の製造装置。
8. 前記上定盤の固定砥粒部と、前記下定盤の固定砥粒部と、前記キャリアにおける前記基板を保持する貫通孔とが同数であることを特徴とする請求項７に記載のマスクブランク用基板の製造装置。
9. 前記上定盤および下定盤の両固定砥粒部は、ダイヤモンド砥粒が固定されたものであることを特徴とする請求項７または８に記載のマスクブランク用基板の製造装置。
10. 前記上定盤のオービタル運動と前記下定盤のオービタル運動は、回転半径、回転速度、及び回転方向が同じであることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造装置。
11. 前記キャリアは、前記上定盤と前記下定盤がオービタル運動をしている間に、往復動作することを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造装置。
12. 請求項１から６のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法によって製造したマスクブランク用基板の主表面に精密研磨を行い、さらに前記主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
13. 請求項１２に記載のマスクブランクの製造方法によって製造したマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。

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