JP5847789B2 - 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 - Google Patents
両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5847789B2 JP5847789B2 JP2013250319A JP2013250319A JP5847789B2 JP 5847789 B2 JP5847789 B2 JP 5847789B2 JP 2013250319 A JP2013250319 A JP 2013250319A JP 2013250319 A JP2013250319 A JP 2013250319A JP 5847789 B2 JP5847789 B2 JP 5847789B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- double
- insert material
- polishing
- side polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 119
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 61
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/10—Single-purpose machines or devices
- B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
- B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
- B24B7/241—Methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明は、両面研磨の際、両面研磨装置の研磨布が貼付された上下定盤の間に配設されてウエーハを保持する両面研磨装置用キャリアの製造方法およびその両面研磨装置用キャリアを用いたウエーハの両面研磨方法に関する。
ウェーハの両面をポリッシング等で同時に研磨する際、両面研磨装置用のキャリアによってウェーハを保持している。このキャリアは、ウェーハより薄い厚みに形成され、両面研磨装置の上定盤と下定盤の間の所定位置にウェーハを保持するための保持孔を備えている。この保持孔にウェーハが挿入されて保持され、上定盤と下定盤の対向面に設けられた研磨布等の研磨具でウェーハの上下面が挟み込まれ、研磨面に研磨剤を供給しながら研磨が行われる。
ここで、このようなウェーハの両面研磨に使用しているキャリアは、例えばチタンやステンレスなどの金属製、又はガラスエポキシ製のものが主流である。金属製のキャリアでは、ウェーハの周縁部をキャリアによるダメージから保護するためにエンジニアリングプラスチック等の樹脂製のインサート材が保持孔の内周部に沿って取り付けられている。
このように、キャリアの保持孔とウェーハとの間にインサート材を取り付けて研磨することでウェーハの周縁部が破損するのを防ぐことができる。
このように、キャリアの保持孔とウェーハとの間にインサート材を取り付けて研磨することでウェーハの周縁部が破損するのを防ぐことができる。
このような両面研磨装置用キャリアの製造方法としては、例えば特許文献１に記載のように、嵌めこみ、接着、射出成形などの手法によって、インサート材をキャリアに固着して製造する方法が挙げられる。
また、インサート材がキャリアの高さと同じになるように、インサート材を嵌合させた後に、研磨加工により厚みを揃えることが特許文献２には記載されている。
また、キャリア本体の保持孔の内周に設けた係止溝とインサート外周に設けた係止突条を勘合させる製造方法もあり（特許文献３）、これによりインサートの位置ズレや脱落等を生じにくくし、ワーク研磨加工時における摩耗を防止して、該インサートの摩耗に伴うワーク外周部の面ダレの防止を試みている。
また、インサート材がキャリアの高さと同じになるように、インサート材を嵌合させた後に、研磨加工により厚みを揃えることが特許文献２には記載されている。
また、キャリア本体の保持孔の内周に設けた係止溝とインサート外周に設けた係止突条を勘合させる製造方法もあり（特許文献３）、これによりインサートの位置ズレや脱落等を生じにくくし、ワーク研磨加工時における摩耗を防止して、該インサートの摩耗に伴うワーク外周部の面ダレの防止を試みている。
両面研磨装置では、例えば、通常１バッチあたり５枚程度のウエーハが同時に研磨される。この枚数分だけ、前述したような保持孔を有する両面研磨装置用キャリアがセットされ、同時にその枚数のウエーハの両面研磨が行われる。
しかしながら、このようにして同時に両面研磨された複数枚のウエーハにおいてフラットネスにバラツキが生じていることが分かった。
しかしながら、このようにして同時に両面研磨された複数枚のウエーハにおいてフラットネスにバラツキが生じていることが分かった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することができる両面研磨装置用キャリアを製造する方法およびウエーハの両面研磨方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、両面研磨装置の研磨布が貼付された上下定盤の間に配設されるキャリア本体に形成され、研磨の際にウエーハを保持するための保持孔に、前記保持するウェーハの周縁部と接するインサート材を嵌合し接着して製造する両面研磨装置用キャリアの製造方法であって、前記インサート材にラップ加工および研磨加工を施し、その後、該ラップ加工および研磨加工を施したインサート材を前記キャリア本体の保持孔に嵌合し、前記キャリア本体の主面に垂直な方向に沿って、前記嵌合したインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行うことにより両面研磨装置用キャリアを製造することを特徴とする両面研磨装置用キャリアの製造方法を提供する。
このような本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法であれば、製造するキャリアの均一性を高めることができる。より具体的には、上記ラップ加工および研磨加工によって、キャリア製造時における、キャリアごとの、インサート材の厚みバラツキを抑制することができる。また、上記荷重をかけながらの接着および乾燥工程によって、キャリア製造時における、キャリアごとの、キャリア本体とインサート材との位置ズレを抑制することができる。これらによりキャリアごとの幾何学形状のバラツキを抑制することができる。
ここで、バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制するにはキャリアの均一性が重要である。そして本発明により製造したキャリアは上記のように均一性が高いので、そのようなキャリアを複数用いて複数のウエーハを同時に両面研磨すれば、同バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することが可能である。すなわち、均一な品質の研磨ウエーハを提供することができる。
このとき、前記ラップ加工および研磨加工するインサート材として、ラップ加工および研磨加工後の目標厚さよりも２０μｍ以上厚いものを用意することができる。
このようにすれば、インサート材の元から存在する面内厚みバラツキによって加工前から既に目標厚さよりも薄い部分が存在してしまうことを起因として、目標厚さに加工した後においてもその厚みバラツキが残存してしまうのを防止することができる。
このようにすれば、インサート材の元から存在する面内厚みバラツキによって加工前から既に目標厚さよりも薄い部分が存在してしまうことを起因として、目標厚さに加工した後においてもその厚みバラツキが残存してしまうのを防止することができる。
また、前記インサート材にかける荷重を、１００〜３００ｇ／ｃｍ２とすることができる。
このように１００ｇ／ｃｍ２以上とすることによって、押し込みが不十分で位置ズレが生じたまま接着されるのをより効果的に防止することができる。また、３００ｇ／ｃｍ２以下とすることによって、必要以上にインサート材を押し込んでしまい、それによって位置ズレが生じるのを一層防止することができる。
このように１００ｇ／ｃｍ２以上とすることによって、押し込みが不十分で位置ズレが生じたまま接着されるのをより効果的に防止することができる。また、３００ｇ／ｃｍ２以下とすることによって、必要以上にインサート材を押し込んでしまい、それによって位置ズレが生じるのを一層防止することができる。
また、前記嵌合したインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行うとき、前記インサート材を嵌合したキャリア本体を水平台に載置し、前記インサート材上に重りを載置して行い、かつ、前記水平台および前記重りとして、その荷重面における平面度が３μｍ以内のものを用いることができる。
このようにすれば、水平台や重りのそれぞれの荷重面における平面度のバラツキを抑制することができ、インサート材の押し込み量が周方向で不均一になってしまうのを効果的に防止することができる。そしてそれによってインサート材の位置ズレが生じるのを一層抑制することができる。
また本発明は、上記両面研磨装置用キャリアの製造方法により製造した両面研磨装置用キャリアを複数用意し、各々、前記保持孔にウエーハを保持して前記両面研磨装置の上下定盤の間に配設し、複数のウエーハを同時に両面研磨することを特徴とするウエーハの両面研磨方法を提供する。
このような本発明の両面研磨方法であれば、同バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することができるため、均一な品質の研磨ウエーハを提供することができる。
以上のように本発明であれば、均一性の高い両面研磨装置用キャリアを提供することができる。そして、それによって、両面研磨においてバッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することができる。
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
両面研磨において、同バッチ内での研磨ウエーハにフラットネスのバラツキが生じてしまうことに関し、本発明者らは鋭意研究を行った。
バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスを均一に揃える為にはキャリアの均一性が重要となるが、キャリアごとの、インサート材の厚みバラツキや、インサート材とキャリア本体の位置ズレにより、バッチ内でのキャリアの幾何学形状が必ずしも均一ではないことに問題があることが分かった。
両面研磨において、同バッチ内での研磨ウエーハにフラットネスのバラツキが生じてしまうことに関し、本発明者らは鋭意研究を行った。
バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスを均一に揃える為にはキャリアの均一性が重要となるが、キャリアごとの、インサート材の厚みバラツキや、インサート材とキャリア本体の位置ズレにより、バッチ内でのキャリアの幾何学形状が必ずしも均一ではないことに問題があることが分かった。
そこで本発明者らは、インサート材をキャリアの保持孔に嵌合する際に、予めインサート材にラップ加工および研磨加工を施し、かつ、インサート材に荷重をかけながらキャリア本体への接着および乾燥を行うことにより、均一性の高いキャリアを提供し、それによって同バッチ内での研磨ウエーハの品質バラツキを低減できることを見出し、本発明を完成させた。
図１は、本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法の一例を示すフロー図である。
なお、少なくとも、インサート材にラップ加工および研磨加工を施す工程、また、これらの工程を施したインサート材をキャリア本体の保持孔に嵌合し、キャリア本体の主面に垂直な方向に沿ってインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行う工程を含んでいれば良く、これらの工程の他にも、図１に示すように、適宜、種々の工程を追加することができる。
なお、少なくとも、インサート材にラップ加工および研磨加工を施す工程、また、これらの工程を施したインサート材をキャリア本体の保持孔に嵌合し、キャリア本体の主面に垂直な方向に沿ってインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行う工程を含んでいれば良く、これらの工程の他にも、図１に示すように、適宜、種々の工程を追加することができる。
（工程１： インサート材の切り出し（板状からリング状へ））
まず、例えばＥＧやＡＦＲＰ等のエンジニアリングプラスチックからなるインサート材を用意し、ラップ加工および研磨加工するのに適切な形状に切り出す。例えば、板状のインサート材から、最終的にキャリア本体孔の保持孔に嵌合するときの形状（インサート形状）よりも大きいリング状に切り出すことができる。後工程の、ラップ加工や研磨加工等における取代を考慮して、上記のように少し大きめに切り出すことができる。当然リング状に限定されず、上記加工を適切に行えるよう切り出す形状を適宜決定することができる。
まず、例えばＥＧやＡＦＲＰ等のエンジニアリングプラスチックからなるインサート材を用意し、ラップ加工および研磨加工するのに適切な形状に切り出す。例えば、板状のインサート材から、最終的にキャリア本体孔の保持孔に嵌合するときの形状（インサート形状）よりも大きいリング状に切り出すことができる。後工程の、ラップ加工や研磨加工等における取代を考慮して、上記のように少し大きめに切り出すことができる。当然リング状に限定されず、上記加工を適切に行えるよう切り出す形状を適宜決定することができる。
なお、ラップ加工および研磨加工後の目標厚さよりも２０μｍ以上厚くなるように切り出すと良い。例えば、上記目標厚さよりも２０μｍ以上厚い厚さの板状のインサート材を用意し、それから切り出すことができる。このような厚さのものを用意することで、元から存在する厚みバラツキをラップ加工等によって除去するのに十分な取代を確保することができる。これにより、より確実に、ラップ加工等の後に厚みバラツキが残存するのを防止することができ、均一性の高いキャリアを製造することができる。
（工程２： ラップ加工）
次に、切り出したリング状のインサート材に対してラップ加工を施す。ラップ加工の条件は特に限定されず、適宜決定することができる。
例えば、上記リング状のインサート材をラップ加工するのに適切なリング用キャリアを用意し、目切りのついた鋳鉄製の上下定盤に、リング状のインサート材およびリング用キャリアを挟み込み、ＧＰ２０００スラリー等のラップ用スラリーを用いて行うことができる。
次に、切り出したリング状のインサート材に対してラップ加工を施す。ラップ加工の条件は特に限定されず、適宜決定することができる。
例えば、上記リング状のインサート材をラップ加工するのに適切なリング用キャリアを用意し、目切りのついた鋳鉄製の上下定盤に、リング状のインサート材およびリング用キャリアを挟み込み、ＧＰ２０００スラリー等のラップ用スラリーを用いて行うことができる。
（工程３： 研磨加工）
次に、ラップ加工後のリング状のインサート材に対して研磨加工を施す。研磨加工の条件は特に限定されず、適宜決定することができる。
例えば、硬質発泡ポリウレタンパッドを貼り付けた上下定盤に、リング状のインサート材およびリング用キャリアを挟み込み、酸化セリウムスラリー等の研磨用スラリーを用いて行うことができる。
次に、ラップ加工後のリング状のインサート材に対して研磨加工を施す。研磨加工の条件は特に限定されず、適宜決定することができる。
例えば、硬質発泡ポリウレタンパッドを貼り付けた上下定盤に、リング状のインサート材およびリング用キャリアを挟み込み、酸化セリウムスラリー等の研磨用スラリーを用いて行うことができる。
（工程４： インサート材の切り出し（リング状からインサート形状へ））
そして、リング状のインサート材から、実際にキャリア本体の保持孔に嵌合し、両面研磨時に保持するウエーハの周縁部と接するような形状（インサート形状）に切り出す。
前述したように、キャリアごとのインサート材の厚みバラツキは、バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスがばらつく原因の一つであるが、本発明の製造方法におけるインサート材は、予め上記工程２、３を行っているので、インサート材の面内厚みバラツキを例えば２μｍ以下にまで改善することができ、キャリアごとに均一なものとすることができる。
そして、リング状のインサート材から、実際にキャリア本体の保持孔に嵌合し、両面研磨時に保持するウエーハの周縁部と接するような形状（インサート形状）に切り出す。
前述したように、キャリアごとのインサート材の厚みバラツキは、バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスがばらつく原因の一つであるが、本発明の製造方法におけるインサート材は、予め上記工程２、３を行っているので、インサート材の面内厚みバラツキを例えば２μｍ以下にまで改善することができ、キャリアごとに均一なものとすることができる。
このような本発明のインサート材の作製工程に対して、図１３に示す従来法では、単に板状のインサート材からインサート形状に切り出しているだけである。したがって、インサート材となる樹脂など、それ本来が有する面内厚みバラツキが存在し、キャリアごとにインサート材の厚みバラツキが発生するために、研磨ウエーハのフラットネスバラツキに対して大きな悪影響を与えることになる。
このような従来法とは異なり、本発明のようにラップ加工等を施すことによって、キャリアごとのインサート材の厚みバラツキを大きく改善することができる。
このような従来法とは異なり、本発明のようにラップ加工等を施すことによって、キャリアごとのインサート材の厚みバラツキを大きく改善することができる。
（工程５： キャリア本体およびインサート材の嵌合部分への接着剤の塗布）
キャリア本体の保持孔の内周部や、インサート材（インサート形状）の外周等の嵌合部分に接着剤を塗布する。接着剤の種類は特に限定されず、エポキシ系のものなど適切なものを用いることができる。
なお、キャリア本体としては、例えば、チタンやステンレスなどの金属性、またはガラスエポキシ製のものとすることができる。
キャリア本体の保持孔の内周部や、インサート材（インサート形状）の外周等の嵌合部分に接着剤を塗布する。接着剤の種類は特に限定されず、エポキシ系のものなど適切なものを用いることができる。
なお、キャリア本体としては、例えば、チタンやステンレスなどの金属性、またはガラスエポキシ製のものとすることができる。
（工程６： キャリア本体の保持孔へのインサート材の嵌合）
インサート材（インサート形状）をキャリア本体の保持孔へ嵌合する。嵌合方法は特に限定されず、適切に嵌合することができれば良い。
インサート材（インサート形状）をキャリア本体の保持孔へ嵌合する。嵌合方法は特に限定されず、適切に嵌合することができれば良い。
（工程７： 荷重をかけながらの接着および乾燥）
次に、嵌合部分の接着および乾燥を行う。図２に、この接着および乾燥の方法の一例を示す。図２に示すように、インサート材を保持孔に嵌合したキャリア本体を水平台の上に寝かせ、キャリア本体の主面に垂直な方向に沿って、保持孔内のインサート材上に、薄板を介して重りを載置して荷重をかける。このとき、キャリア本体の上にも別個に重りを載せても良い。そして、このようにして荷重をかけながらインサート材をキャリア本体に接着させ、さらには接着剤の乾燥を行い固化させる（荷重接着方式）。
次に、嵌合部分の接着および乾燥を行う。図２に、この接着および乾燥の方法の一例を示す。図２に示すように、インサート材を保持孔に嵌合したキャリア本体を水平台の上に寝かせ、キャリア本体の主面に垂直な方向に沿って、保持孔内のインサート材上に、薄板を介して重りを載置して荷重をかける。このとき、キャリア本体の上にも別個に重りを載せても良い。そして、このようにして荷重をかけながらインサート材をキャリア本体に接着させ、さらには接着剤の乾燥を行い固化させる（荷重接着方式）。
このようにして接着および乾燥を行うことによって、その際に、インサート材とキャリア本体とで位置ズレが生じてしまうのを抑制することができる。バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスがばらつくもう一つの原因である上記位置ズレの改善を図ることができる。
例えば、インサート材のキャリア本体に対する平均角度を絶対値で０．０６°以下とすることができ、キャリア本体に対するインサート材の平行度を改善することができ、それによりキャリアごとの上記平均角度の均一性を高めることができる。
例えば、インサート材のキャリア本体に対する平均角度を絶対値で０．０６°以下とすることができ、キャリア本体に対するインサート材の平行度を改善することができ、それによりキャリアごとの上記平均角度の均一性を高めることができる。
また、この時のインサート材に掛かる荷重は１００〜３００ｇ／ｃｍ２が好適である。１００ｇ／ｃｍ２以上とすることによって、押し込みが不十分で位置ズレが生じたまま接着されるのを、より効果的に防止することができる。また、３００ｇ／ｃｍ２以下とすることによって、必要以上にインサート材を押し込んでしまい、それによって位置ズレが生じるのを一層防止することができる。
ただし、当然これらの荷重に限定されず、その都度決定することが可能である。
ただし、当然これらの荷重に限定されず、その都度決定することが可能である。
また、このとき上記の水平台と重りは、それぞれの荷重面（すなわち、水平台におけるキャリア本体の載置面や、重りにおけるインサート材やキャリア本体との接触面）における平面度が３μｍ以内のものが好適である。なお、図２のように薄板を介する場合は、その薄板も重りの一つとしてキャリア本体やインサート材に荷重をかけることになるので、キャリア本体やインサート材との接触面の平面度が３μｍ以内のものを用いることが好ましい。
このように平面度を３μｍ以内とすることによって、インサート材への押し込み量がインサート材の周方向で不均一になってしまうのをより効果的に防止することができ、インサート材の位置ズレを防ぐことができるし、またワーク研磨加工時においてインサート材の偏摩耗が生じるのをより一層防ぐことができる。
なお、平面度は３μｍ以内に限定されるものではなく、求める精度に応じて決めることができる。
このように平面度を３μｍ以内とすることによって、インサート材への押し込み量がインサート材の周方向で不均一になってしまうのをより効果的に防止することができ、インサート材の位置ズレを防ぐことができるし、またワーク研磨加工時においてインサート材の偏摩耗が生じるのをより一層防ぐことができる。
なお、平面度は３μｍ以内に限定されるものではなく、求める精度に応じて決めることができる。
また、平面度の測定方法としては特に限定されず、適宜その方法を決定することができる。例えば、水平台や板状の重りの荷重面において６箇所を板厚測定することによって平面度を求めることが可能である。この測定箇所の数は６箇所に限定されず、手間や求める精度に応じて増減可能である。
なお、当然この平面度の測定方法に限定されず、その都度決定することが可能である。
なお、当然この平面度の測定方法に限定されず、その都度決定することが可能である。
このような本発明のインサート材とキャリア本体の接着および乾燥の方式に対して、図１３に示す従来法では、嵌合部に接着剤を塗布し、水平台の上でインサート材をローラープレスした後、キャリアを垂直にして空中で接着剤を乾燥させて固着させるというものであった。この時、インサート材がキャリア下面で平行、水平とならず、キャリア本体に対して斜め上に突き出るように位置ズレを起こしたまま嵌合し、固着してしまうことがある。この時のキャリア本体に対するインサート材の平均角度の絶対値は大きく、この為、斜めに突き出た部分はワーク加工時に偏磨耗し、これによってもインサート材に厚みバラツキが生じてしまっていた。
このような従来法とは異なり、前述したように本発明のようにして接着および乾燥を行うことで、キャリア本体に対するインサート材の平行度を改善することができる。
このような従来法とは異なり、前述したように本発明のようにして接着および乾燥を行うことで、キャリア本体に対するインサート材の平行度を改善することができる。
（工程８： 仕上げ研磨加工）
上記のようにして荷重をかけながら接着および乾燥を行った後は、仕上げ研磨加工を施して狙った仕上げ厚みにする。例えば、従来と同様の仕上げ研磨加工を行うことができる。
上記のようにして荷重をかけながら接着および乾燥を行った後は、仕上げ研磨加工を施して狙った仕上げ厚みにする。例えば、従来と同様の仕上げ研磨加工を行うことができる。
本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法では、従来法では生じてしまう、キャリアごとの、インサート材の厚みバラツキや、インサート材とキャリア本体の位置ズレを抑制することができる。すなわち、均一性高くキャリアを製造することが可能である。
また、本発明のウエーハの両面研磨方法では、上記のようにして製造したキャリアを複数用意し、各々の保持孔にウエーハを保持した状態で、両面研磨装置の研磨布が貼付された上下定盤の間に配設する。そしてスラリーを供給しつつ装置を駆動させ、上記の複数のウエーハを同時に両面研磨する。
このような両面研磨方法であれば、均一性の高いキャリアを用いているので、同バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することができる。不均一なキャリアを用いる従来の両面研磨方法よりも、格段に、研磨ウエーハの品質を揃えることができる。
このような両面研磨方法であれば、均一性の高いキャリアを用いているので、同バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することができる。不均一なキャリアを用いる従来の両面研磨方法よりも、格段に、研磨ウエーハの品質を揃えることができる。
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
図１に示すような本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法によってキャリアを製造し、該キャリアを用いてウエーハの両面研磨を行った。
狙い仕上がり厚み（図１の工程８）を７６５μｍに設定した。インサート材としてはＥＧのものを用いた。１０００μｍの厚みを有する板状のインサート材をリング状に切り出した後、下記条件でラップ加工および研磨加工を施した。その後、インサート形状に切り出した。
表１にラップ加工条件および研磨加工条件を示す。
（実施例）
図１に示すような本発明の両面研磨装置用キャリアの製造方法によってキャリアを製造し、該キャリアを用いてウエーハの両面研磨を行った。
狙い仕上がり厚み（図１の工程８）を７６５μｍに設定した。インサート材としてはＥＧのものを用いた。１０００μｍの厚みを有する板状のインサート材をリング状に切り出した後、下記条件でラップ加工および研磨加工を施した。その後、インサート形状に切り出した。
表１にラップ加工条件および研磨加工条件を示す。
次に、キャリア本体（母材）としてチタン製のものを用意し、インサート形状に切り出したインサート材とキャリア本体の保持孔に接着剤（二液硬化性のエポキシ樹脂系接着剤）を塗布し、インサート材を保持孔に嵌合した。そして、図２に示すようにキャリア本体を水平台の上に寝かせ、キャリア本体の主面およびインサート材の上に重りを載せることによって、インサート材と保持孔の接着および乾燥を行った。重りによるインサート材への荷重は２００ｇ／ｃｍ２とした。キャリア本体を置く水平台、金属用重り（キャリア本体の主面上に載せる重り）、樹脂用重り（インサート材上に載せる重り）、薄板などとしては、それぞれの荷重面の６箇所の板厚測定による平面度が３μｍのものを用いた。
そして仕上げ研磨を施し、両面研磨装置用キャリアを製造した。
そして仕上げ研磨を施し、両面研磨装置用キャリアを製造した。
次に、製造したキャリアを用いて、直径３００ｍｍの半導体シリコンウェーハの両面研磨加工を行った。不二越機械製のＤＳＰ−２０Ｂ、研磨パッドはニッタ・ハース製のＭＨ−Ｓ１５Ａ、研磨スラリーはフジミインコーポレーテッド製のＧＬＡＮＺＯＸ２１００を用いた。各々の保持孔にウエーハを保持したキャリアを５枚セットし、１バッチあたり５枚のウエーハを両面研磨した。
（比較例）
図１３に示すような従来の両面研磨装置用キャリアの製造方法によってキャリアを製造し、該キャリアを用いてウエーハの両面研磨を行った。
実施例と同様の板状のインサート材を用意し、実施例とは異なってラップ加工および研磨加工は施さずに、直接インサート形状に切り出した。
図１３に示すような従来の両面研磨装置用キャリアの製造方法によってキャリアを製造し、該キャリアを用いてウエーハの両面研磨を行った。
実施例と同様の板状のインサート材を用意し、実施例とは異なってラップ加工および研磨加工は施さずに、直接インサート形状に切り出した。
次に、実施例と同様のキャリア本体を用意し、インサート形状に切り出したインサート材とキャリア本体の保持孔に接着剤を塗布し、インサート材を保持孔に嵌合した。その後、実施例と異なって、水平台においてローラープレス後、空中で接着剤を乾燥させた。
そして仕上げ研磨を施し、両面研磨装置用キャリアを製造した。
そして仕上げ研磨を施し、両面研磨装置用キャリアを製造した。
次に、製造したキャリアを用いて、実施例と同様にして直径３００ｍｍの半導体シリコンウエーハの両面研磨加工を行った。
ここで、実施例と比較例における、インサート材、キャリア、研磨ウエーハの品質等についての測定結果を示す。
まず、インサート材の厚みデータについて説明する。
実施例でのラップ加工および研磨加工後のリング状のインサート材の厚みデータを表２に示す。厚み測定はＭｉｔｕｔｏｙｏ社製のマイクロメータを用いて行った。４点（９０°ごと）について測定した。
表２に示すように、ラップ加工および研磨加工を行うことによって、いずれも、インサート材の１枚あたりの面内厚みバラツキを１〜２μｍにまで改善することができた。そしてインサート材ごとの品質（厚みバラツキ）を均一にすることができる。
まず、インサート材の厚みデータについて説明する。
実施例でのラップ加工および研磨加工後のリング状のインサート材の厚みデータを表２に示す。厚み測定はＭｉｔｕｔｏｙｏ社製のマイクロメータを用いて行った。４点（９０°ごと）について測定した。
表２に示すように、ラップ加工および研磨加工を行うことによって、いずれも、インサート材の１枚あたりの面内厚みバラツキを１〜２μｍにまで改善することができた。そしてインサート材ごとの品質（厚みバラツキ）を均一にすることができる。
一方、比較例のインサート材の厚みデータに関しては、実施例との比較のため、板状のインサート材からリング状に切り出したものの厚みデータを測定した。測定結果を表３に示す。
なお、実際にキャリアの製造に用いたインサート材は７６５μｍ程度の厚みを有するものであるが、表３には１０００μｍの厚みのものについて示した。この表３の数値は、実施例でのラップ加工、研磨加工前の数値でもある。また、比較例に用いた７６５μｍ程度の厚みを有するものも表３とほぼ同様の面内厚みバラツキであった。
比較例においては、表３に示すように、インサート材によっては面内厚みバラツキが最大で４２μｍもあった。また最小で２μｍのバラツキが生じていることが分かる。このようにインサート材の品質が揃っていないことが確認できた。
なお、実際にキャリアの製造に用いたインサート材は７６５μｍ程度の厚みを有するものであるが、表３には１０００μｍの厚みのものについて示した。この表３の数値は、実施例でのラップ加工、研磨加工前の数値でもある。また、比較例に用いた７６５μｍ程度の厚みを有するものも表３とほぼ同様の面内厚みバラツキであった。
比較例においては、表３に示すように、インサート材によっては面内厚みバラツキが最大で４２μｍもあった。また最小で２μｍのバラツキが生じていることが分かる。このようにインサート材の品質が揃っていないことが確認できた。
次に、完成したキャリアについて、キャリア本体とインサート材との平行度について説明する。
平行度の測定については、接触式プロファイラ（ＴａｙｌｏｒＨｏｂｓｏｎ社製のＦｏｒｍＴａｒｙｓｕｒｆＩｎｔｒａ）を用いた。
実施例の測定結果の例として、キャリア１ロット５枚について各１点ずつ測定した結果を図３（Ａ）〜（Ｅ）に示す。
なお、ＦｏｒｍＴａｒｙｓｕｒｆＩｎｔｒａによる測定結果の見方について図４に示す。
平行度の測定については、接触式プロファイラ（ＴａｙｌｏｒＨｏｂｓｏｎ社製のＦｏｒｍＴａｒｙｓｕｒｆＩｎｔｒａ）を用いた。
実施例の測定結果の例として、キャリア１ロット５枚について各１点ずつ測定した結果を図３（Ａ）〜（Ｅ）に示す。
なお、ＦｏｒｍＴａｒｙｓｕｒｆＩｎｔｒａによる測定結果の見方について図４に示す。
図３に示すように、ロット内全数がほぼ平行かつ水平に嵌合して固着していることが分かる。インサート材が斜めに嵌合しているわけでもなく、また、インサート材とキャリア本体との段差も極めて抑制できていることが分かる。
一方、比較例の測定結果を図１０に示す。図１０に示すように、インサート材が斜めに嵌合したり、大きな段差が生じており、ロット内でバラツキがあることが分かる。
また、キャリア本体に対するインサート材の角度について説明する。
測定にはＫＥＹＥＮＣＥ社製のＬＪ−Ｖ７０６０Ｋを用いた。キャリア１枚につき測定点は４点とし、その４点からキャリアの平均値を求めた。さらに１ロット５枚について測定した平均値を求めた。実施例および比較例の場合の結果を表４に示す。
なお、図５にＬＪ−Ｖ７０６０Ｋによる測定角度の符号の意味する内容を示す。
測定にはＫＥＹＥＮＣＥ社製のＬＪ−Ｖ７０６０Ｋを用いた。キャリア１枚につき測定点は４点とし、その４点からキャリアの平均値を求めた。さらに１ロット５枚について測定した平均値を求めた。実施例および比較例の場合の結果を表４に示す。
なお、図５にＬＪ−Ｖ７０６０Ｋによる測定角度の符号の意味する内容を示す。
表４に示すように、キャリア本体に対するインサート材の平均角度の絶対値を指標とすると、実施例では０．０６°の小さい値とすることができ、比較例（０．２３°）に対して大きく改善できたことが分かる。
また、製造したキャリア（１ロット５枚）のインサート材、キャリア本体最外周、キャリア本体内周における厚み（各項目の最大値および最小値）を測定した。図６に実施例の場合の測定結果、図１１に比較例の場合の測定結果を示す。
図６に示すように、実施例では、いずれもインサート材の厚みバラツキが抑制されており、全体的に品質が揃っている。
一方、比較例では、図１１に示すように、各々のインサート材の厚みバラツキは比較的大きく、また、その大きさもキャリアごとに大きく異なり、バラツキがある。
図６に示すように、実施例では、いずれもインサート材の厚みバラツキが抑制されており、全体的に品質が揃っている。
一方、比較例では、図１１に示すように、各々のインサート材の厚みバラツキは比較的大きく、また、その大きさもキャリアごとに大きく異なり、バラツキがある。
また、研磨後のウエーハのフラットネスおよび外周部のクロスセクションをＷａｆｅｒｓｉｇｈｔのＭ４９ｍｏｄｅ、１ｍｍＥＥにより測定した。
実施例および比較例の研磨ウエーハ全体のＥＳＦＱＲｍａｘの測定結果を図７に示す。
また、実施例および比較例の、キャリアごとに分けた研磨ウエーハのＥＳＦＱＲｍａｘの測定結果を図８（（Ａ）実施例、（Ｂ）比較例）に示す。
また、バッチ内における研磨ウエーハごとの外周クロスセクション（４箇所）の測定結果を図９（実施例）、図１２（比較例）に示す。
実施例および比較例の研磨ウエーハ全体のＥＳＦＱＲｍａｘの測定結果を図７に示す。
また、実施例および比較例の、キャリアごとに分けた研磨ウエーハのＥＳＦＱＲｍａｘの測定結果を図８（（Ａ）実施例、（Ｂ）比較例）に示す。
また、バッチ内における研磨ウエーハごとの外周クロスセクション（４箇所）の測定結果を図９（実施例）、図１２（比較例）に示す。
図８に示すように、実施例では、比較例に比べて、使用したキャリアのバラツキにより生じる研磨ウエーハのＥＳＦＱＲｍａｘのバラツキは小さく、均一化していることが分かる。そしてこの均一化が図７のヒストグラムにも反映されており、ＥＳＦＱＲｍａｘのバラツキσは４．８９ｎｍであり小さい値であった。
一方、比較例では、図７に示すように、ＥＳＦＱＲｍａｘのバラツキσは１１．０６ｎｍという大きな値であった。
一方、比較例では、図７に示すように、ＥＳＦＱＲｍａｘのバラツキσは１１．０６ｎｍという大きな値であった。
また、図９に示すように、実施例では、バッチ内で外周部が均一な形状（ここでは全てダレ）になっている。
一方、比較例では、図１２に示すように、外周部の形状がハネているもの、ダレているものが混在しており、バッチ内で不均一になってしまった。
一方、比較例では、図１２に示すように、外周部の形状がハネているもの、ダレているものが混在しており、バッチ内で不均一になってしまった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
Claims (5)
- 両面研磨装置の研磨布が貼付された上下定盤の間に配設されるキャリア本体に形成され、研磨の際にウエーハを保持するための保持孔に、前記保持するウェーハの周縁部と接するインサート材を嵌合し接着して製造する両面研磨装置用キャリアの製造方法であって、
前記インサート材にラップ加工および研磨加工を施し、その後、
該ラップ加工および研磨加工を施したインサート材を前記キャリア本体の保持孔に嵌合し、
前記キャリア本体の主面に垂直な方向に沿って、前記嵌合したインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行うことにより両面研磨装置用キャリアを製造することを特徴とする両面研磨装置用キャリアの製造方法。 - 前記ラップ加工および研磨加工するインサート材として、ラップ加工および研磨加工後の目標厚さよりも２０μｍ以上厚いものを用意することを特徴とする請求項１に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法。
- 前記インサート材にかける荷重を、１００〜３００ｇ／ｃｍ２とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法。
- 前記嵌合したインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行うとき、
前記インサート材を嵌合したキャリア本体を水平台に載置し、前記インサート材上に重りを載置して行い、かつ、前記水平台および前記重りとして、その荷重面における平面度が３μｍ以内のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法。 - 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリアの製造方法により製造した両面研磨装置用キャリアを複数用意し、各々、前記保持孔にウエーハを保持して前記両面研磨装置の上下定盤の間に配設し、複数のウエーハを同時に両面研磨することを特徴とするウエーハの両面研磨方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013250319A JP5847789B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-12-03 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
| CN201480006747.6A CN104968473B (zh) | 2013-02-13 | 2014-01-15 | 双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法 |
| US14/761,554 US9764443B2 (en) | 2013-02-13 | 2014-01-15 | Method of producing carrier for use in double-side polishing apparatus and method of double-side polishing wafers |
| PCT/JP2014/000134 WO2014125759A1 (ja) | 2013-02-13 | 2014-01-15 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
| KR1020157021847A KR102063846B1 (ko) | 2013-02-13 | 2014-01-15 | 양면연마장치용 캐리어의 제조방법 및 웨이퍼의 양면연마방법 |
| SG11201505594XA SG11201505594XA (en) | 2013-02-13 | 2014-01-15 | Method of producing carrier for use in double-side polishing apparatus and method of double-side polishing wafers |
| DE112014000461.8T DE112014000461T5 (de) | 2013-02-13 | 2014-01-15 | Verfahren zur Herstellung eines Trägers für den Einsatz in einer doppelseitigen Poliervorrichtung und Verfahren zum doppelseitigen Polieren von Wafern |
| TW103102728A TWI577500B (zh) | 2013-02-13 | 2014-01-24 | Method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus and a double-sided polishing method for a wafer |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013025515 | 2013-02-13 | ||
| JP2013025515 | 2013-02-13 | ||
| JP2013250319A JP5847789B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-12-03 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014176954A JP2014176954A (ja) | 2014-09-25 |
| JP5847789B2 true JP5847789B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=51353776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013250319A Active JP5847789B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-12-03 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9764443B2 (ja) |
| JP (1) | JP5847789B2 (ja) |
| KR (1) | KR102063846B1 (ja) |
| CN (1) | CN104968473B (ja) |
| DE (1) | DE112014000461T5 (ja) |
| SG (1) | SG11201505594XA (ja) |
| TW (1) | TWI577500B (ja) |
| WO (1) | WO2014125759A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2018-11-21 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの両面研磨方法 |
| JP6443370B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-12-26 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 |
| CN106078493A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-09 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 陶瓷盘砂轮片双面研磨加工蓝宝石晶片的方法 |
| JP6579056B2 (ja) | 2016-07-29 | 2019-09-25 | 株式会社Sumco | ウェーハの両面研磨方法 |
| JP6593318B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2019-10-23 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | キャリアプレートの厚み調整方法 |
| JP6665827B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2020-03-13 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの両面研磨方法 |
| CN109129028B (zh) * | 2017-06-15 | 2021-11-12 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种高效的碳化硅晶片的加工方法 |
| JP6743785B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2020-08-19 | 株式会社Sumco | キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法 |
| CN108000245B (zh) * | 2017-11-30 | 2019-05-10 | 东莞长盈精密技术有限公司 | 孔洞打磨塌边防护方法 |
| JP6870623B2 (ja) * | 2018-01-18 | 2021-05-12 | 信越半導体株式会社 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
| JP7276246B2 (ja) * | 2020-05-19 | 2023-05-18 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
| CN111745535B (zh) * | 2020-07-07 | 2022-09-02 | 郑州宇光复合材料有限公司 | 一种手机玻璃研磨用耐磨护圈 |
| CN112435954B (zh) * | 2020-11-25 | 2024-01-26 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3524978A1 (de) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben |
| US5899743A (en) * | 1995-03-13 | 1999-05-04 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor wafers |
| JP2000288922A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-17 | Hoya Corp | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
| JP2001191247A (ja) | 2000-01-07 | 2001-07-17 | Hoya Corp | ディスク状基板の両面研削方法、情報記録媒体用基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法 |
| US6709981B2 (en) * | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
| US7276394B2 (en) | 2001-09-20 | 2007-10-02 | Eastman Kodak Company | Large area flat image sensor assembly |
| JP4224755B2 (ja) * | 2001-10-16 | 2009-02-18 | 株式会社デンソー | 種結晶の固定方法 |
| DE10250823B4 (de) * | 2002-10-31 | 2005-02-03 | Siltronic Ag | Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Bearbeitung von Werkstücken |
| US20080318493A1 (en) * | 2004-08-02 | 2008-12-25 | Showa Denko K.K. | Method of Manufacturing Polishing Carrier and Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium, and Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium |
| US20080166952A1 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same |
| JPWO2006090661A1 (ja) * | 2005-02-25 | 2008-07-24 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアおよびこれを用いた両面研磨装置、両面研磨方法 |
| CN101059033A (zh) | 2006-04-20 | 2007-10-24 | 科定企业股份有限公司 | 原木皮塑料地板的重物条压合式黏贴施工法 |
| JP5114113B2 (ja) | 2007-07-02 | 2013-01-09 | スピードファム株式会社 | ワークキャリア |
| JP4605233B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
| JP5233888B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-07-10 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 |
| JP5605260B2 (ja) | 2011-02-18 | 2014-10-15 | 信越半導体株式会社 | インサート材及び両面研磨装置 |
| JP5748717B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2015-07-15 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
-
2013
- 2013-12-03 JP JP2013250319A patent/JP5847789B2/ja active Active
-
2014
- 2014-01-15 CN CN201480006747.6A patent/CN104968473B/zh active Active
- 2014-01-15 KR KR1020157021847A patent/KR102063846B1/ko active IP Right Grant
- 2014-01-15 US US14/761,554 patent/US9764443B2/en active Active
- 2014-01-15 WO PCT/JP2014/000134 patent/WO2014125759A1/ja active Application Filing
- 2014-01-15 SG SG11201505594XA patent/SG11201505594XA/en unknown
- 2014-01-15 DE DE112014000461.8T patent/DE112014000461T5/de active Pending
- 2014-01-24 TW TW103102728A patent/TWI577500B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112014000461T5 (de) | 2015-09-24 |
| KR102063846B1 (ko) | 2020-01-08 |
| US9764443B2 (en) | 2017-09-19 |
| KR20150116856A (ko) | 2015-10-16 |
| US20150375363A1 (en) | 2015-12-31 |
| TW201446416A (zh) | 2014-12-16 |
| CN104968473A (zh) | 2015-10-07 |
| WO2014125759A1 (ja) | 2014-08-21 |
| SG11201505594XA (en) | 2015-09-29 |
| JP2014176954A (ja) | 2014-09-25 |
| CN104968473B (zh) | 2017-12-01 |
| TWI577500B (zh) | 2017-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5847789B2 (ja) | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 | |
| JP5594295B2 (ja) | 円柱状部材の研磨装置および円柱状部材の研磨方法 | |
| KR101624151B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 가공 프로세스 | |
| KR102041240B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 매엽식 편면 연마 방법 및 반도체 웨이퍼의 매엽식 편면 연마 장치 | |
| US11948789B2 (en) | Wafer production method | |
| US11969856B2 (en) | Wafer manufacturing method and wafer | |
| JP6418130B2 (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
| KR102004705B1 (ko) | 양면 연마 방법 | |
| CN112218737A (zh) | 晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片 | |
| JP2011077413A (ja) | シリコンウェハーの製造方法 | |
| US20190084122A1 (en) | Carrier ring, grinding device, and grinding method | |
| KR102454449B1 (ko) | 웨이퍼의 제조방법 | |
| KR20190002506A (ko) | 템플레이트 어셈블리의 선별방법과 워크의 연마방법 및 템플레이트 어셈블리 | |
| TW201639664A (zh) | 研磨墊及研磨墊的製造方法 | |
| JP2021094693A (ja) | 面取り基板の製造方法及びそれに用いられる面取り装置 | |
| JP6500796B2 (ja) | ウェーハの製造方法 | |
| KR20150073214A (ko) | 연마물의 제조 방법 | |
| JP2018518050A5 (ja) | ||
| JP2010247254A (ja) | 研磨ヘッドの製造方法及び研磨装置 | |
| KR20190058667A (ko) | 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼 | |
| JP2015174164A (ja) | ツルーイング用砥石 | |
| KR101390934B1 (ko) | 디스플레이 유리 기판 가공 방법 | |
| JP7099614B1 (ja) | テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 | |
| US20190232458A1 (en) | CMP groove processing positioning method and positioning device | |
| KR101043983B1 (ko) | 수지재 캐리어 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20150928 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20151029 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151104 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5847789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |