JP2010527158A - 半田無し発光ダイオード組立品 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 8
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 8
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005713 exacerbation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- 230000008821 health effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
発光ダイオード(LED)組立品の形の電気デバイス。複数のLEDが形成され、各々は陽極および陰極を有している。ベースがこの複数のLEDを実質的に固定された関係で保持する。そして、1つまたは複数の陽極導体各々が、如何なる半田材料も含まないことを特徴とするやり方で、1つまたは複数のLED陽極に電気的に接続する。同様に、1つまたは複数の陰極導体各々が、同じく如何なる半田材料も含まないことを特徴とするやり方で1つまたは複数のLED陰極に電気的に接続する。
Description
本発明は、一般的に発光ダイオード(LED)アレイおよびその組立に関し、より詳細には、半田を使用しない発光ダイオードアレイおよびその組立に関するが、これらに限らない。
電子製品の組立、より具体的に言えば、プリント回路基板に電子部品を恒久的に組み立てることは、エレクトロニクス産業の初期から、ある種の比較的低融点の半田合金(例えば、錫/鉛またはSn63/Pb37)を使用すること含んでいる。その理由は多種多様であるが、最も重要なものは、プリント回路と多くの電子部品のリード線との間の数千のエレクトロニクス相互接続を大量接合することの容易さである。
鉛は毒性の高い物質であり、その作用を受けると、広範なよく知られた健康上の悪影響が生じることがある。これに関連して重要なことであるが、半田付け作業で生じるガスは作業者にとって危険である。このプロセスは、鉛酸化物(鉛をベースにした半田から)とロジン(半田フラックスから)との組合せであるガスを発生することがある。これらの成分の各々は、潜在的に危険あることが証明されている。さらに、エレクトロニクスにおいて鉛の量が減少すれば、鉛を採掘し溶解すべきだという圧力も減少するだろう。鉛の採掘は、局地的な地下水供給源を汚染することがある。溶解は、工場、作業者、および環境の汚染をもたらすことがある。
鉛の流れを減少させると、廃棄電子デバイス中の鉛の量も減少して、埋立地および他の安全でない場所の鉛のレベルが下がるだろう。廃棄物輸出に関する法律の緩い施行だけでなく使用済みエレクトロニクスを再利用することの難しさおよびコストのために、大量の使用済みエレクトロニクスが、環境基準が低く労働条件が良くない中国、インド、およびケニヤのような国に送られている。
従って、錫/鉛半田を減少させるべきだというマーケティングおよび立法府の圧力がある。特に、電気および電子機器での特定危険物質の使用の制限に関する指令(一般に、危険物質制限指令またはRoHSと呼ばれる)が、2003年2月に欧州連合によって採択された。RoHS指令は2006年6月1日に発効し、各加盟国において施行され法律になるように定められている。この指令は、様々な種類の電子および電気機器の製造において鉛を含んだ6つの危険材料を使用することを制限している。この指令は、電気商品に関して収集、再利用、および回収対象を定める廃棄電気電子装置指令(WEEE)2002/96/ECと密接に関連しており、膨大な量の有毒な電子デバイス廃棄物の問題を解決するための立法府イニシアチブの一部分である。
RoHSは、全ての電子デバイスで鉛を使用することを無くするわけではない。医療デバイスなどの高信頼性を必要とする特定のデバイスでは、鉛合金の使用継続が許される。従って、エレクトロニクスにおける鉛は依然として問題である。エレクトロニクス産業は、錫/鉛半田に代わる実用的な代替品を探している。現在使用されている最も一般的な代替品は、錫(Sn)、銀(Ag)、および銅(Cu)を含む合金であるいろいろな種類のSACである。
RoHSは、全ての電子デバイスで鉛を使用することを無くするわけではない。医療デバイスなどの高信頼性を必要とする特定のデバイスでは、鉛合金の使用継続が許される。従って、エレクトロニクスにおける鉛は依然として問題である。エレクトロニクス産業は、錫/鉛半田に代わる実用的な代替品を探している。現在使用されている最も一般的な代替品は、錫(Sn)、銀(Ag)、および銅(Cu)を含む合金であるいろいろな種類のSACである。
SAC半田は、また、環境上の重要な影響をもたらす。例えば、錫の採掘は局地的にも地球的にも災害を引き起こす。アマゾン雨林で錫の大きな鉱床が発見された。ブラジルで、このことが、道路の敷設、森林の皆伐、先住民の移動、土壌悪化、ダムの新設、選鉱廃物の池および山、および溶解作業を引き起こした。ことによると、ブラジルでの採掘の最も深刻な環境上の影響は、川および支流のシルト堆積である。この悪化は、動物および植物の分布を恒久的に変え、遺伝子銀行を破壊し、土壌構造を変え、害虫および病気を持ち込み、さらに、回復不可能な生態学的損失を引き起こす。
全世界的な生態学的問題がブラジルの環境の誤った管理から生じていることは、よく知られている。これらの問題は、雨林の破壊による全地球的な温暖化に対する圧力から動物および植物多様性の破壊による製薬産業に対する長期的な損害にまで及んでいる。ブラジルでの採掘は、錫産業の破壊的な影響の一例に過ぎない。大きな鉱床および採掘作業は、また、経済発展に対する姿勢が生態系保護に対する懸念を圧倒している発展途上国であるインドネシア、マレーシヤ、および中国にも存在している。
SAC半田には、その他の問題がある。SAC半田は、高温を必要とし、エネルギーを浪費し、壊れやすく、さらに信頼性の問題を引き起こす。その融点は、部品および回路基板が損傷を受ける可能性があるようなものである。このことは、使用されるエポキシの溶融温度が組立に必要な温度に耐えるのが困難であるので、LEDのような特定の種類の発光部品にとっては非常に重要な問題である。さらに、動作中に部品から熱を取り去るために望ましく使用されるような熱拡散基板にデバイスを組み立てることは、特に厄介である。
適正な量の個々の合金成分の複合物は依然として研究中であり、その長期安定性は知られていない。さらに、SAC半田プロセスは、表面が適切に処理されないと短絡(例えば、「錫ウィスカ」)および開路を形成しがちである。錫/鉛半田が使用されても1つの種類のSACが使用されても、高密度金属のために回路組立品の重さと高さの両方が増す。
従って、半田付けプロセスおよびこれに付随する環境上および実用上の欠点を克服するものが必要とされている。
半田合金が最も一般的になっているが、1つの形の導電性接着剤であるいわゆる「重合体半田」のような他の接合材料が提案され、および/または使用されている。さらに、部品用のソケットを設けることによって接続を切り離し可能にしようとする努力がなされている。また、様々な弾性コンタクト構造で説明される電気および電子コネクタが、電力および信号を伝える導体を連結するために開発されているが、その弾性コンタクト構造の全ては、一定の印加力または圧力を必要とする。
同時に、より多くのエレクトロニクスをいっそう小さな体積の中へ入れようとする絶え間のない努力がなされている。その結果として、過去数年にわたって、エレクトロニクス産業内では、全てZ軸すなわち縦軸の組立寸法を減少させるという意図を持って、パッケージ内での集積回路(IC)チップ積重ねおよびICパッケージ自体の積重ねに関する様々な方法に対して関心が持たれている。このことは、照明用途のLED組立品にとってもやはり重要である。
また、特定の部品を、大抵は受動デバイスを回路基板の中に埋め込むことによって、プリント回路基板(PCB)上の表面実装部品の数を減少させようとする努力が継続している。
ICパッケージの作製では、パッケージしない複数のICデバイスを直接基板の内部に配置し、それから穴をあけてチップコンタクトに直接メッキしてそれらのICデバイスを相互接続することによって、能動デバイスを埋め込もうとする努力がなされている。特定の用途ではそのような解決策は利益をもたらすが、チップの入力/出力(I/O)端子が非常に小さく、そのような接続を正確に行うのが非常に難しいことがある。LEDは、最初にパッケージして動作するかどうかを決定しなければならないので、この方法は、LEDに関して余り実用的でない。さらに、製造後のデバイスがバーンイン試験をうまく通過せず、完成後に全て徒労となる可能性がある。
LEDなどの高密度パッケージされた半導体デバイスは、組立品の信頼性を低下させることがある高エネルギー密度を生じさせる可能性があるので、関心のある他の分野は熱の管理である。
従って、改善された発光ダイオード(LED)組立品を提供することが本発明の目的である。
簡単に言うと、本発明の1つの好ましい実施形態は、発光ダイオード(LED)組立品の形の電気デバイスである。陽極および陰極を有する複数のLEDの組が形成される。ベースがLEDを実質的に固定することで保持し、一方で、如何なる半田材料も含まないことを特徴とする方法で、1つまたは複数の陽極導体を1つまたは複数のLED陽極に電気的に接続する。同様に、如何なる半田材料も含まないことを特徴とする方法で、1つまたは複数の陰極導体各々を1つまたは複数のLED陰極に電気的に接続する。
簡単に言うと、本発明の他の好ましい実施形態は、複数の発光ダイオード(LED)の組立品を作るための方法であり、各LEDは陽極および陰極を有している。複数のLEDは、実質的に固定されてベースに取り付けられる。LEDの陽極は各々陽極導体に電気的に接続され、1つまたは複数の陽極導体が存在することがあり、それらの陽極導体の陽極への接続は、如何なる半田材料も含まないことを特徴とする方法で行われる。同様に、LED陰極は各々陰極導体に電気的に接続され、同じく、1つまたは複数の陰極導体が存在することがあり、それらの陰極導体の陰極への接続もまた、如何なる半田材料も含まないことを特徴とする方法で行われる。
本発明の利点を全て備えたものは、LED組立品中での半田の使用およびLED組立品の製造での半田付けを無くすることで得られる。
半田の使用を無くすることによる利点は、半田中の金属がLED組立品で最早必要とされないことである。従来、これらの金属は、とても高くつく傾向があった。しかし、特に現在関心のあることであるが、本発明はLED組立品の環境コストを減少させることができる。半田中の金属の採掘、精錬、取扱い、および最終的な処分は、全て、環境と、これらの仕事に何らかの方法で携わる人たちとを害する傾向がある。
LED組立品を作るために半田付けを無くすることによる利点は、半田付けに関連した直接および周辺作業およびコストが必要でないことである。半田付けは、半田付けされる加工品用部品を加熱することを必ず必要とする。一般に、必要に応じて熱を加えまた除去することによる熱の取扱いは、製造を複雑にし、さらにより高価にする傾向がある。LED組立品の場合、熱は、組立品の要素を損傷する傾向があり、また、半田付けのプロセスにおいて熱を加えることおよび除去することは、特に、LED組立品に応力を加え、さらに損傷する傾向がある。さらに、いったん半田付けが終わると、洗浄の1つまたは複数の段階がしばしば必要とされ、環境的に有害でありがちな高価な化学薬品がしばしば使用される。
さらに、LED組立品を作るために半田および半田付けを無くすることによる他の利点は、最終製品をよりコンパクトにすることができることである。LEDの端子および電力供給導体などの加工品用部品間の半田は、必ずいくらかのスペースを占有するので、半田を無くすることでこのスペースを購うことができる。さらに、半田が液体であるとき表面張力および流動効果によって、半田接続は「太く」なる傾向があり、半田が最終的には加工品用部品の必要な接合箇所よりも大きなスペースを占有するようになる。従って、本発明を使用することで、部品の「設置面積」を大きくする必要が無くなる。
本発明のこれらおよび他の目的および利点は、本発明実施の現在知られた最良の形態についての説明と、本明細書で説明されまた図面の図に示されるような好ましい実施形態の産業応用性とを考慮して、当業者には明らかになるであろう。
本発明の目的および利点は、図面の添付の図に関連した以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
図面の様々な図では、同じ参照は同じまたは類似の要素またはステップを示すために使用される。
本発明の好ましい実施形態は、発光ダイオード(LED)組立品である。本明細書の様々な図面、特に図3の図に示されるように、本発明の好ましい実施形態は、一般的な参照符号100、200、300、400、500、600、および700で示される。
図1(背景技術)は、従来のLED組立品または本発明に合ったLED組立品で使用されることがある一般的なLED10の断面側面図である。LED10は、複数の役割を果たす本体12を備える。例えば、本体12は、LED10の他の要素を固定することで物理的に保持する。本体12は、LED10の内部要素を損傷から守り、LED10の外部連絡要素を必要に応じて配置し、さらにLED10をLED組立品中へ取り付けるときLED10の取扱いを全体的に容易にする働きをする。本体12は、また、LED10が放射する光波長を全体的に通過させるように光学的に働く。このために、本体12には、特に、LED10から光が主に放射される面14がある。面14に、本体12は、光を方向付けするためのレンズおよび/または、外部受光要素と(例えば、光ファイバと)結合するためのハウジングのような特徴(図示せず)を随意に含むことができる。本体12は、また、LED10の内部要素から熱を伝導除去する働きをすることができる。従来、この熱伝導の役は通常重要なものではなかったが、今では、特に、新たに出現する高出力LED用途のために変化している。これらの役割の全てを考慮して、LED10の本体12は一般にプラスチック単一材料であり、時にはガラス、石英、または複数の材料の混成物も使用されることがある。
本体12以外のLED10の外部要素は、陽極16と陰極18である。LED10の内部要素は、上部コンタクト20、P層22、P−N接合24、N層26、および下部コンタクト28である。図1に示されたLED10では、上部コンタクト20を陽極16に接続する陽極リード線30がさらに形成され、また下部コンタクト28は陰極18と一体化している。図1において、陽極16および陰極18はコンタクト(または「パッド」または「端子」)として示されているが、全てのLEDについてそうであるとは限らず、リード線(または「電線」)もまた一般的である。さらに言えば、LED10はただ単にLED全般を表しているだけであること留意されたい。
動作中に、LED10は、陽極16に入り、陽極リード線30を通って上部コンタクト20に至り、さらにP層22の中へ入り、P−N接合24を横切ってN層26の中へ入って下部コンタクト28に至り、そして陰極18から外へ出る電流を受け取る。これによって、LED10は、P−N接合24の面内で特有の仕組みで光を発生するようになる。留意すべきことであるが、LED10のこの端部放射特性は、LED10の面14から外へより最適に光を送り出すように本体12を設計する(または、本体12に追加の構造を加える)動機となることがある。
図2(従来技術)は、図1のLED10を含む従来のLED組立品50の断面側面図である。ここでは、LED組立品50は、一般に製造されるように、またしばしば使用されるように、すなわちLED10の発光面14が上方にある状態で方向付けされている。
この向きで、LED組立品50は、今や、一般にボトムアップで「組み立てられている」と述べられる。図示されるように陽極トレース54および陰極トレース56を物理的に支持するためだけの理由であっても、通常、電気絶縁基板52が常に形成される。しかし、随意の要素が基板52の下の副領域58の中に形成されることがある。例えば、基板52がプリント回路基板(PCB)の最上非導電層である場合、この副領域58の中に他の層もまた存在することがある(例えば、プリント回路基板が両面であれば、接地面または「反対面」の特徴)。
いくつかの新たに出現する用途では、基板52の下の副領域中に特に存在することがある特徴はヒートスプレッダである。基板52は、一般に、ある程度まで熱を伝達する働きをするが、このために最適でないことがある。はっきり言うと、ヒートシンクの役割(これは、当技術分野の多くの人がもっとよく知っている)とヒートスプレッダの役割は違っている。これらの要素は、ある程度まで同様に動作するが、ヒートシンクは特定の場所、一般に点または小さな場所から熱エネルギーを除去するように最適化されるが、ヒートスプレッダは、ある面積または大きな場所全体にわたって熱エネルギーを分散させ均一にするように最適化される。
図2について続けると、陽極トレース54および陰極トレース56は、基板52より上にある。再び、ここで共通PCBが有用な例として役立つ。PCBでは、基板52は通常電気絶縁材料であり、トレース54、56は銅箔であり、さらに基板52上のトレース54、56の必要なパターンは、シルクスクリーン印刷、フォトリソグラフィ、ミリング、または他の適切なプロセスを用いて実現される。
本明細書で特に関心のあるのは、LED組立品50中の次のより高い特徴、すなわち一組の半田パッド60である。これらの半田パッドは、陽極トレース54をLED10の陽極16に、陰極トレース56を陰極18に電気的に接続する。半田パッド60は、また、LED10をLED組立品50の残部に物理的に接続して、LED10を所定の位置に保持する。
半田パッド60の可能な材料は、本明細書のどこか他のところで既に述べられており、広く知られている。しかし、ここでさらに注意を払うべきことは、半田パッド60が本質的に追加のレベルまたは変位層62を全LED組立品50に付け加えることである。LED組立品50の全厚さが決定的に重要である用途では、この変位層62が問題になることがあり、これを最小限にするか無くすることが次に重要な目標になることがある。
図2は、また、LED10からLED組立品50の中への熱流路64も様式的に示す。ここに見られるように、LED10で生じた熱エネルギーの大部分は半田パッド60を通過し、そのほとんどが陰極18および陰極トレース56を流れている。いくつかの用途では、この熱流が深刻な問題を引き起こすことがある。例えば、あまりにも多量の熱がLED10中に蓄積した場合、LED10が内部損傷を受けることがある。半田パッド60は、熱伝導性である傾向があるが、それにもかかわらず熱エネルギーがLED10を出るために通らなければならないその主要な経路を長くし複雑にする。さらに、LED10の構造中および全LED組立品50中の熱エネルギーの流れは瞬間的でないので、局所的な加熱が起こることがある(例えば、図2のLED10の陰極端に)。この局所的な加熱はLED組立品50に熱的に応力を加えることがあり、これによって、極端な状況では、陽極16、陰極18、またはトレース54、56からの半田パッド60の分離、またはLED10の本体12の破損さえも起こることがある。
図2において、LED10の上面および側面から外への熱流路64は極めて小さい(より小さな重みの矢印で様式的に示されている)。LED10の上面に関してできることはほとんどない。その理由は、ここではLED10の面14は、生じた光を放射する必要があるからである。しかし、LED10の側面は別の問題である。しかし、ここで半田パッド60は、なし得ることを妨げる傾向がある。LED10がLED組立品50中へ半田付けされるとき、特に、LED10の位置付けを手助けするように液体半田の表面張力効果が利用される、LED組立品50の表面実装デバイス(SMD)実施形態では、LED10の側面を空いた状態にすることが望ましい(図2に示されるように)。しかし、半田付けの後、通常、半田パッド60に芯領域66(同様に半田が液体であるとき表面張力効果によって生じる)が残っていて、いったんLED10がLED組立品50中に入れられるとLED10の側面に熱導体を付け加えるのを妨げることがある。
半田ベースの電子組立技術は、これまで一世紀にわたって我々の役に立ち、この期間のほぼ半分くらいでLEDに使用されている。しかし、たった今述べた例並びに多くの他のもので示されるように、次第にこれらの技術は我々の要求には程遠いものになっており、さらに、新しい応用、特により高出力のLEDおよび近接した多数のLEDが今では我々の要求を高めている。このことを考慮して、本発明者は、特に半田ベースでない技術を含んだ、改善された電子組立技術を開発した。
図3は、本発明に合ったLED組立品100の断面側面図である。特に関係がない新しい詳細を過度に持ち込まないで本発明をここではっきり示すために、図1のLED10が再び例のために使用される。それでも、LED設計の多くの変形物が存在するが、全般的に、他の設計を使用するように本発明を変更することは、いったん以下の原理を理解すると比較的簡単明瞭な設計問題であることを、当業者は理解することであろう。
図3の発明LED組立品100は、故意に、図2の従来技術のLED組立品50と逆に向けて示されている。これは、LED組立品100を製造することができる1つの方法をここで議論し易くするためである。もちろん、動作中に後で必要に応じてLED組立品100を適切な方向に向けることができる。
従って、図3の下から始めると、随意の副領域102が形成されることがある(すぐに、例が述べられる)。次に、その上方にLED10がある。再び、この例はここで、既に詳細に述べられた図1の従来のLED10を使用している。しかし、ここではさらにLED10は、随意のマトリックス104で囲繞されて示されている。
マトリックス104は多くの役割を果たすことができる。例えば、マトリックス104は、LED10を所定の位置に恒久的に保持するのを助けることができ、または組立の初期段階の間に一時的に囲い、後で除去されることがある。マトリックス104が最終LED組立品100の一部分である場合、マトリック104はまた、熱エネルギーを均一に分散させて除去するのを助け、またLED組立品100全体をより頑丈にするのを助けることができる。例えば、マトリックス104は、LED組立品100が物理的な歪みに耐え、さらにLED10の陽極16および陰極18から腐食性短絡汚染物を遠ざけるのを助けることができる。マトリックス104は、また、LED10の面14から外へ光を向けるのを助けることもできる。光は、P−N接合20も面の端に沿って放射され、従って通常LED10の面14の方に向けてまっすぐに放射されないことを思い出して頂きたい。再びしばらく図2を参照して、理解できることであるが、本体12とLED10のまわりの周囲領域(一般に、空気)との屈折率の相対的な差がある状態でも、生成された光の相当な部分がここでLED10の面14を通ってではなく側面から外に出る可能性がある。対照的に、図3のマトリックス104は、如何なる光でもLED10の側面を通って外に出るのを効果的に防ぎ、光の大部分が確実に望み通りにLED10の面14を通って外に出るようにする。
図3のボトムアップから続けて、ここではLED10の上に、ベース106、陽極導体108、絶縁層110、および陰極導体112がある。これらの層に過度の暗黙の限定が推定されるべきでない。例えば、無電解メッキ、電解メッキ、スパッタリング、導体(例えば電線)の超音波結合、導体の抵抗溶接、導体充満重合体(例えば、金属微粉またはナノ粒子で満たされた)、同様に充満された導電性インク、触媒添加インク、本質的に導電性の重合体を含んで、様々な製造プロセスを使用してこれらの導体層を作ることができる。機能的には、これらの結果は、ほとんど同じであるが、構造がかなり異なることがある。これに関連して、留意すべきことであるが、図3は側面図であり、この図を安易に解釈すると間違った印象につながることがある。例えば、陽極導体108および陰極導体112は、ここでは層であるように見えるが、LED組立品100を3次元で見たとき(例えば、この点を詳細に示す実施例の図7a〜bを参照されたい)それらの導体は、そうではなく単に導電線またはトレースであることがある。
図3に示されるもののような実施形態では、ベース106は絶縁体であって、LED10の陽極16と陰極18の間の電気的分離を維持する。そうでなければ、陽極16と陰極18の両方のところに、またはこれらの一方のところに、ベース106を貫通する大きな開口部が必要とされ、さらに、ベース106は、陽極導体108か陰極導体112かのどちらかとなるように縮退する。特に、ベース106は、いくつかの製造プロセス(例えば、フォトリソグラフィ)において上の層の基板として働くことができ、および/またはヒートスプレッダとして働くことができる。
対照的に、陽極導体108および陰極導体112は、両方とも必ず導電性である必要がある。その理由は、これらの導体の主な役割は電流を伝導することだからである。陽極導体108はLED10の陽極16に電流を伝導し、陰極導体112はLED10の陰極18から電流を伝導する。図3において、陽極導体108は陰極導体112より下に示されているが、これは限定ではなく、この逆のものが代替実施形態の事例であり得ない理由はない。
その表示が暗示するように、絶縁層110は絶縁体である必要がある。その理由は、これの役割が陽極導体108を陰極導体112から電気的に分離することだからである。随意に、適切な材料選択によって、絶縁層110をヒートスプレッダとして役立つように最適化することができる。
一般に、ベース106および絶縁層110は平面層であり、かつ陽極導体108または陰極導体112の一方もまた平面層であることがあり、または陽極導体108と陰極導体112の両方が単に線状導体であることがある(再び、例えば、図7a〜bを参照されたい)。これらの導体108、112の一方が平面であれば、これは電磁遮蔽を行うことができる。さらに、これらの導電性導体108、112は、また、熱伝導性である傾向があるので、一方が平面であるとき、それはヒートスプレッダとして働くことができる。
図4は、同じく本発明に合った代替LED組立品200の断面側面図である。ここでは、図3のベースと同等な分離層は存在しない。代わりに、陽極導体108は、導体であることに加えてLED10のベースとして働いている。これの直接変形物は、陰極導体112を一番下の導体にしてこれをさらにLED10のベースとして働かせることであろう。
ここまで簡単な単一LEDの実施形態を使用して、あまりにも詳細すぎて事実を曖昧にすることなく本発明の基本原理を紹介した。今やこれらの原理を取り扱ったので、これから、特に多数のLEDを含むLED組立品を本発明がどのようにして形成することができるかを示す、いくつかの例について説明する。
図5は、本発明に合ったより大きなLED組立品300の断面側面図である。ここでは、5個のLED10が直線配列で示されている。前の議論を考慮して、LED組立品300の特徴および動作の大部分は簡単明瞭なはずである。しかし、留意すべき新しい1つの態様は、ここでは単一陽極層302および単一陰極層304が各々LED10の全てに共通であることである(さらに、共通ベース層306もまたここで使用されている)。従って、ここではLED10は全て一斉に動作し、全てが同時に点灯し、または暗くなる。しかし、当業者は容易に理解することであろうが、複数の陽極線および/または複数の陰極線、および適切な絶縁層または同等なメカニズムを形成することができ、それからLEDを望み通りに個々にまたは共通に動作させることができる。
図6a〜bは、本発明に合ったさらに大きなLED組立品400の図であり、図6aはLED組立品400の上面図であり、図6bはLED組立品400の側面断面図である。ここでは10個のLED10が、2線の5配列で示されている。再び、このLED組立品400の特徴の大部分および動作も簡単明瞭なはずである。しかし、留意すべき異なる態様は、ここでは陽極導体402と陰極導体404の両方が同じ平面内にあるがLED10の全てに共通なので、絶縁層が形成されていないことである。ここで留意すべき他の態様は、陽極層302か陰極層304かのどちらかをここで「ベース」と見なすことができることである。その理由は、両方がLED10の全てに共通であり、かつある程度までそれらのLEDを支持する働きをするからである。また、ここで特に図6bから理解できることであるが、LED組立品400はかなり薄く、側面外形が非常に低いことがある(例えば、図2の従来技術のLED組立品50よりもさらに薄い)。
しばらく図5に戻り、図6a〜bを続けると、これらは、本発明を剛体形状だけで具体化できることを意味するものとして間違って解釈されてはならない。例えば、複数のLED10は名目上直線状に配列されることあるが(図5でそうであるように)、文字通り幾何学的な線でないことがある。例えば、25個のLED10は、円、オープンエンドの曲線、螺旋、その他に物理的に配列されることがある。代わりに、複数のLED10は、名目上アレイ状に配列されることがあるが(図6a〜bでそうであるように)、文字通り幾何学的な平面内に配置されていないことがある。例えば、25個のLED10は、また、完全または部分的な円柱、半球、または多くの他の3次元湾曲形状のいずれかに物理的に配列されることがある。
図7a〜bは、本発明に合った大きな3次元LED組立品500を遠近法で示し、図7aは通常の要素関係を持ったLED組立品500を示し、図7bは部分分解組立図で示されたLED組立品500を示す。
LED組立品500が、ここで、製造中に向けられる方向と同じ方向に向けられている状態で、再びボトムアップから始めると、透明な副層502が形成され、LED10の全ての面(ここでは見えない。例えば、図1を参照されたい)がこの副層502に接している。ここでは、LED10は、全てここで同じ向きで示され、すなわち全て陽極16が左にあり陰極18が右にあるが、このことは必要条件ではない。例えば、そうではなく、LED10の2線の陽極16が隣り合うように(図6aのように)、LED10の2線の陰極18が隣り合うなどのように、LED10は配列されることがある。これは、陽極トレース504および陰極トレース506(ここでは、図3〜5の陽極導体108および陰極導体112と機能的に同じように使用される)のレイアウトを容易にすることができる。ここでは、図3〜5のベース106および絶縁層110は図7a〜bでは省略され、それらが他の要素を隠すことがないようにしている。
ここで、陽極トレース504および陰極トレース506は、図5に示された配列の僅かな変形物である。図7a〜bでは、LED10のいくつかの組合せは、制御可能に電力を供給することができない。例えば、左下から右上に斜めに延びる一組のLED10は、存在するLED10の全てに同時に電力を供給することなしに電力を供給することができない。しかし、これを克服することは比較的簡単明瞭なことである。直線状組立品中の個々のLEDを選択的に動作させることに関して上で述べられたものと同様に、3次元組立品中のLEDをアドレス指定可能に電力供給するためには、トレースを取り替え(一般に、追加のトレースを加える)、さらにそれらのトレースを絶縁することが必要とされるだけである。
図8a〜jは、一連の製造段階におけるLED組立品600の断面側面図である。図8aにおいて、ベース602が形成され、いくつかのLED10が結合材604でベース602に既に取り付けられ、さらに1つのLED10(一番右のもの)は、結合剤604でベース602に結合される過程にある。ここで、ベース602は、やがて明らかになる理由のために、一般に電気絶縁材料である。副次的に、ここでベース602はまた、望ましい場合、熱伝導性材料であることが電気絶縁体であることと過度に矛盾しない程度に、熱伝導性材料であってもよい。ここで結合剤604は、特に強力な接着剤である必要はない。その理由は、結合剤604は結合のために一時的に利用されるだけだからである。しかし、ここで結合剤604は必ず電気絶縁体であり、さらに結合剤604は、熱伝導性でもある材料であるように選ばれることがある。
図8bにおいて、LED10の全てはベース602に取り付けられ(結合され)、LED組立品600の現在最上面の上に被覆層606が付けられている。LED10によって放射される光の実質的な部分が被覆層606を通過しなければならないという明らかな理由のために、この被覆層606は、LED10によって放射される光波長に対して必ずいくらか透明(すなわち、光学的に伝導性)である。被覆層606が比較的薄く作られ、例えばLED10およびそれの面14(図1)を完全には覆っていない場合には、そのとき被覆層606は、代わりに不透明材料であることがある。発明のLED組立品600のいくつかの実施形態では、被覆層606用の1つの特定の適切な材料選択は、その材料がLED10の本体で使用されるまさに同じ材料であるようにすることである。その理由は、このことによって、LED10の本体と被覆層606の屈折率が本質的に同じであること、および光がLED10から被覆層606の中へ最小限の反射および損失で効率的に進むことが保証されるからである。しかし、発明のLED組立品600の代替実施形態では、LED10からの光を拡散させて、LED組立品600から光を全体としてより均一に放射するために、LED10の本体で使用されるものと異なる被覆層606用の材料が意図的に選ばれることがある。被覆層606の他の選択肢は、不均質な材料、例えば小さな空気またはガスの泡、または銀かアルミニウムの粒子を注入されたものを使用することである。そのような不均質材料を使用することは、一般に、LED組立品600からの光を拡散させるのに役立つ。さらに、LED10のP−N接合24(図1)が光を端から放射することを思い出すと、不均質材料の使用は、生じた光をLED組立品600から外へ(すなわち、図8a〜bに示されるようなLED組立品600の向きに対して上の方へ)より適切に向けるのを助ける。
被覆層606の材料に関して続けると、この材料は、また、熱伝導性でもあるように選ばれたものであることがある。ここで図8a〜jの発明のLED組立品600の特定の実施形態では、被覆層606の材料が電気絶縁体であるかどうかは重要ではないが、他の実施形態では、このことに対して然るべき配慮が払われることがある。
図8cにおいて、LED組立品600は残りの製造段階で材料を追加し易くするために引っくり返されて、次の段階が行われ、そこでヒートスプレッダ領域608がLED10の陽極16の近くに付けられた。これらのヒートスプレッダ領域608に入れられた材料は、随意に結合剤604の材料と同じであってもよく、ここで示されたのがそうである。
図8dにおいて、陰極層610(または、一組の陰極導体またはトレース)が付けられている。陰極層610はここに示された複数のLED10の陰極18を電気的に接続し、この陰極層610は最終的には、LED組立品600が使用状態にあるとき、本明細書内で説明された方法で電流を伝える。従って、陰極層610は電導性材料である(図8a〜jでは、導体はより太い重み線で示されている)。
図8eにおいて、LED10の陽極16の上の陰極層610の部分は除去されている。さらに、図8fでは、絶縁体層612が付けられている。
図8gにおいて、ヒートスプレッダ層614が付けられている。これは、必ずではないが一般に、ヒートスプレッダ領域608で使用された同じ材料であり、ここで示されるのがそうである。
図8hにおいて、開口部616がLED10の陽極16まで形成されており、図8iでは、ここに示される複数のLED10の陽極を電気的に接続する陽極層618(または、一組の陽極導体またはトレース)が付けられている。この陽極層618も最終的には、LED組立品600が使用状態にあるとき、本明細書内で説明された方法で電流を伝える。
最後に、図8jでは、随意の保護層620が付けられている。これは、一般に、物理的に硬い電気絶縁材料である。ここで、LED組立品600は完成である。
図9a〜eは、一連の製造段階における代替LED組立品700の断面側面図である。図9aにおいて、ベース702が形成され、いくつかのLED10が既にベース702の中へ配置(取り付け)されており、1つのLED10が配置される過程にある。ここで、LED10の陽極16を受け入れるヒートスプレッダ領域704が形成されているが、これらの領域は、LED10を所定の位置に保持するためには主に利用されない。代わりに、ここでベース702には、LED10の陰極18が締り嵌めで係合するように大きさが作られた開口部706が既にある。図9aにおいて、LED組立品700は、LED10がベース702より上にある状態で方向付けされているが、これは完全に選択の問題である。その理由は、図8b〜iのLED組立品600の被覆層606と同等のものは、ここでは形成されないからである。
図9bにおいて、残りの製造段階で材料を追加し易くするために、LED組立品700は引っくり返されている。[注記、製造中の組立品の向きは、本発明の限定ではない。特定のプロセスの特定の段階において最良である向きがあることもないこともあるが、本発明の実施形態を製造するために本明細書の教示を応用するときこの向きのことに対処することは、一般的な製造プロセスの当業者にとって簡単明瞭なはずである。]
図9bにおいて、また、陰極層708(または、陰極導体またはトレース)が、LED10のベース702および陰極18の上に付けられている(図9a〜eで、導体は、より太い重み線で示されている)。しかし、ここに見られるように、この陰極層708は、また、ヒートスプレッダ領域704を覆っていない。これは、例えば、陰極層708の材料がヒートスプレッダ領域704の材料に付着しないものであるから、または陰極層708の材料がヒートスプレッダ領域704の材料を「避ける」ものでさえあることがあるからである(例えば、意図的に選ばれた表面張力特性のために)。もちろん、陰極層708は、ヒートスプレッダ領域704の上にも付けられ、次に、同様にその領域から選択的に除去されることがある(例えば、レーザアブレーションによって)。
図9bにおいて、また、陰極層708(または、陰極導体またはトレース)が、LED10のベース702および陰極18の上に付けられている(図9a〜eで、導体は、より太い重み線で示されている)。しかし、ここに見られるように、この陰極層708は、また、ヒートスプレッダ領域704を覆っていない。これは、例えば、陰極層708の材料がヒートスプレッダ領域704の材料に付着しないものであるから、または陰極層708の材料がヒートスプレッダ領域704の材料を「避ける」ものでさえあることがあるからである(例えば、意図的に選ばれた表面張力特性のために)。もちろん、陰極層708は、ヒートスプレッダ領域704の上にも付けられ、次に、同様にその領域から選択的に除去されることがある(例えば、レーザアブレーションによって)。
再びしばらく脇道にそれるが、図9a〜eのLED組立品700の場合に示された特定の配列では、ベース702が導電性材料から作られ、陰極層を用いてLED10から電流を伝えるのに適している場合、陰極層708は、簡単に完全に省くことができる。
続けて、図9cでは、ヒートスプレッダ層710が付けられている。この層は、ヒートスプレッダ領域704と同じ材料であって(図示のように)もなくてもよい。
図9dにおいて、開口部712がLED10の陽極16まで形成されている。これらの開口部712はいくつかの製造プロセスでは「ビア」と呼ばれることがあるが、これらは、レーザ、電子ビーム、または研磨剤アブレーションを用いて、またはフォトリソグラフィエッチングを用いて、または任意の他の適切なプロセスによって得ることができる。従って、限定的な解釈を避けるために、本明細書では「開口部」というより広い用語が使用される。
最後に、図9eにおいて、陽極層714(または、陽極導体またはトレース)が付けられている。陽極層714および陰極層708の1つまたは複数の材料は必ず導電性であり、さらに、ヒートスプレッダ層710はこれらの両方と接触するので、当然、ここでヒートスプレッダ層710は電気絶縁材料でなければならないということになる。ここで、LED組立品700は完成である。
様々な実施形態が上で説明されたが、理解されなければならいことであるが、それらの実施形態はただ単に例として示されただけであり、本発明の広さおよび範囲は、上述の例示の実施形態のどれによっても限定されるべきでなく、そうではなく以下の特許請求の範囲およびそれの同等物に従ってのみ限定されるべきである。
Claims (30)
- 複数の発光ダイオード(LED)であって、各LEDが陽極および陰極を有している複数の発光ダイオード(LED)と、
前記複数のLEDを実質的に固定して保持するベースと、
如何なる半田材料も含まないことを特徴とする方法で、前記LEDの1つまたは複数の前記陽極に各々電気的に接続する1つまたは複数の陽極導体と、
如何なる前記半田材料も含まないことを特徴とする前記方法で、前記LEDの1つまたは複数の前記陰極に各々電気的に接続する1つまたは複数の陰極導体と
を備え、これらによってLED組立品が形成されていることを特徴とする電気デバイス。 - 1つの前記陽極導体が前記ベースをなし、または、1つの前記陰極導体が前記ベースをなすことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記1つまたは複数の陽極導体を前記1つまたは複数の陰極導体から分離する絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数のLEDからの熱を前記LED組立品の全体にわたって分散させるスプレッダ層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記各LEDは、光が所望の主に放出される面と、前記陽極および前記陰極が電気的に接続するところ以外の少なくとも1つの側面とを有し、
前記デバイスは、前記複数のLEDの前記側面の少なくとも一部分を囲繞するマトリックスの材料をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。 - 前記マトリックスの材料は、前記複数のLEDの前記側面で前記光を反射するのに適した型のものであり、それによって、前記複数のLEDの前記面から外へ放射される前記光を増加させることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 前記マトリックスの材料は、前記複数のLEDの前記側面を完全に囲繞し、さらに前記複数のLEDの前記面を覆っていることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 前記マトリックスの材料は、前記光を拡散させるのに適した型のものであることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 前記複数のLEDは、直線状に配列されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数のLEDは、アレイ状に配列されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 複数の発光ダイオード(LED)の組立品を作るための方法であって、各LEDが陽極および陰極を有し、前記方法は、
(a)前記LEDを実質的に固定してベースに取り付けるステップと、
(b)如何なる半田材料も含まないことを特徴とする仕方で、前記LEDの陽極各々を陽極導体に電気的に接続するステップであって、前記陽極導体が1つまたは複数存在することがある、陽極に接続するステップと、
(c)如何なる前記半田材料も含まないことを特徴とする前記仕方で、前記LEDの陰極各々を陰極導体に電気的に接続するステップであって、前記陰極導体が1つまたは複数存在することがある、陰極に接続するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記ベースは、電気絶縁体であり、
前記(b)のステップは、
前記LEDの前記陽極に到達する、前記ベースを貫通する陽極開口部を形成するステップと、
前記陽極開口部を通して前記陽極導体を堆積させるステップとを含み、
前記(c)のステップは、
前記LEDの前記陰極に到達する、前記ベースを貫通する陰極開口部を形成するステップと、
前記陰極開口部を通して前記陰極導体を堆積させるステップとを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記陽極導体および前記陰極導体を前記ベース上に別々に経路設定するステップ、をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- (d)前記1つまたは複数の前記陽極導体と前記1つまたは複数の前記陰極導体との間に絶縁層を形成するステップ、をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 単一の前記陽極導体が存在し、
前記ベースは、電気導体であり、かつ前記単一の前記陽極導体であり、
前記(c)のステップは、
前記ベースが前記LEDの前記陰極に電気的に接続しないように前記ベースを貫通する隙間開口部を形成するステップを含み、
前記(d)のステップは、
前記LEDの前記陽極に到達する、前記絶縁層を貫通する陽極開口部を形成するステップを含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 単一の前記陰極導体が存在し、
前記ベースは、電気導体であり、かつ前記単一の前記陰極導体であり、
前記(c)のステップは、
前記ベースが前記LEDの前記陽極に電気的に接続しないように前記ベースを貫通する隙間開口部を形成するステップを含み、
前記(d)のステップは、
前記LEDの前記陰極に到達する、前記絶縁層を貫通する陰極開口部を形成するステップを含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 1つの前記陽極導体が存在し、前記ベースであり、または1つの前記陰極が存在し、前記ベースであることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記各LEDは、光が望ましく主に放出される面と、前記陽極および前記陰極が電気的に接続する部分以外の少なくとも1つの側面とを有し、前記方法は、
前記複数のLEDの前記側面を光反射材料で囲繞するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記各LEDは、光が望ましく主に放出される面と、前記陽極および前記陰極が電気的に接続する部分以外の少なくとも1つの側面とを有し、前記方法は、
前記複数のLEDの少なくとも前記面を光拡散材料で覆うステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 複数の発光ダイオード(LED)であって、各LEDが陽極および陰極を有している複数の発光ダイオード(LED)と、
前記複数のLEDを実質的に固定して保持するベース手段と、
如何なる半田材料も含まないことを特徴とする仕方で、前記LEDの1つまたは複数の前記陽極に各々電気的に接続する1つまたは複数の陽極導体手段と、
如何なる前記半田材料も含まないことを特徴とする前記仕方で、前記LEDの1つまたは複数の前記陰極に各々電気的に接続する1つまたは複数の陰極導体手段とを備え、それによってLED組立品を形成することを特徴とする電気デバイス。 - 複数の発光ダイオード(LED)であって、各LEDが陽極および陰極を有している複数の発光ダイオード(LED)と、
第1の複数の開口を有するベースと、
前記第1の複数の開口を通して前記LEDの前記陽極か前記陰極かのどちらかに接続された1つまたは複数の第1の導体と、を備えることを特徴とする電気デバイス。 - 前記ベースの中の第2の複数の開口と、前記第2の複数の開口を通して前記LEDの前記陰極の1つまたは複数に接続された1つまたは複数の第2の導体とをさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の電気デバイス。
- 前記複数の開口は、1つのパターンで配列されていることを特徴とする請求項21に記載の電気デバイス。
- 前記第1の導体と前記第2の導体の間に絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の電気デバイス。
- 前記1つまたは複数の導体は、無電解メッキ金属、電解メッキ金属、スパッタ金属、超音波結合金属、抵抗溶接金属、導電性重合体、および導電性インクから成る一群から選ばれることを特徴とする請求項21に記載の電気デバイス。
- 前記ベースは、熱伝導性材料から成ることを特徴とする請求項21に記載の電気装置。
- 前記ベースは、導電性材料から成ることを特徴とする請求項21に記載の電気装置。
- 前記ベースは、電気絶縁性材料から成ることを特徴とする請求項21に記載の電気装置。
- 前記ベースは、1つまたは複数の前記陽極か前記陰極かのどちらかに電気的に接続され、他方の前記陽極または前記陰極から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項27に記載の電気装置。
- 前記LEDを前記ベースに取り付ける接着剤をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の電気装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US92846707P | 2007-05-08 | 2007-05-08 | |
PCT/US2008/063130 WO2008138015A2 (en) | 2007-05-08 | 2008-05-08 | Light-emitting diode assembly without solder |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010527158A true JP2010527158A (ja) | 2010-08-05 |
Family
ID=39734923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010507679A Pending JP2010527158A (ja) | 2007-05-08 | 2008-05-08 | 半田無し発光ダイオード組立品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080277675A1 (ja) |
JP (1) | JP2010527158A (ja) |
KR (1) | KR20100016328A (ja) |
CN (1) | CN101682991A (ja) |
WO (1) | WO2008138015A2 (ja) |
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2008
- 2008-05-08 JP JP2010507679A patent/JP2010527158A/ja active Pending
- 2008-05-08 WO PCT/US2008/063130 patent/WO2008138015A2/en active Application Filing
- 2008-05-08 KR KR1020097023294A patent/KR20100016328A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-08 CN CN200880015306A patent/CN101682991A/zh active Pending
- 2008-05-12 US US12/119,342 patent/US20080277675A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019050379A (ja) * | 2012-08-31 | 2019-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2020198346A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | エイテックス株式会社 | 面発光装置用プリント配線基板および面発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008138015A3 (en) | 2009-04-09 |
WO2008138015A2 (en) | 2008-11-13 |
CN101682991A (zh) | 2010-03-24 |
KR20100016328A (ko) | 2010-02-12 |
US20080277675A1 (en) | 2008-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110509 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
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