JP2010521064A - 中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 - Google Patents
中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010521064A JP2010521064A JP2009552706A JP2009552706A JP2010521064A JP 2010521064 A JP2010521064 A JP 2010521064A JP 2009552706 A JP2009552706 A JP 2009552706A JP 2009552706 A JP2009552706 A JP 2009552706A JP 2010521064 A JP2010521064 A JP 2010521064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride
- semiconductor structure
- substrate
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 269
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 604
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims abstract description 66
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 64
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 49
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- CCEKAJIANROZEO-UHFFFAOYSA-N sulfluramid Chemical group CCNS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CCEKAJIANROZEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
- H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/0251—Graded layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
- H01L21/02642—Mask materials other than SiO2 or SiN
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Claims (60)
- 基板と、
前記基板上の核生成層と、
前記核生成層上の組成傾斜層と、
前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層と、
前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層であって、該実質的に緩和された窒化物中間層はアルミニウム及びガリウムを含み、n型ドーパントで導電的にドープされる複数の実質的に緩和された窒化物中間層と
を備える半導体構造であって、
前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約2.0μmの全厚を有することを特徴とする半導体構造。 - 請求項1に記載の半導体構造において、前記窒化物中間層は第1の格子定数を有し、前記窒化物半導体材料は、前記窒化物半導体材料の層が前記複数の窒化物中間層の1つの一方の側において、前記複数の窒化物中間層の前記1つの反対側より大きい引っ張り歪みを受けるような第2の格子定数を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の層は、約2.0μmから約8.0μmの全厚を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項3に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の層は、実質的に亀裂がないことを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記組成傾斜層は、前記窒化物半導体材料の層との境界面において、前記窒化物半導体材料の層の材料組成と実質的に同じ材料組成を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記組成傾斜層は、前記核生成層との境界面において、前記核生成層の材料組成と実質的に同じ材料組成を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記組成傾斜層は、前記核生成層との境界面において、前記核生成層の組成とは異なる材料組成を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記核生成層はAlNを含み、前記組成傾斜層は、前記核生成層との境界面において、AlxGa1-xN(式中、0<x<1)の材料組成を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項8に記載の半導体構造において、xは約0.25より大きく、且つ1以下であることを特徴とする半導体構造。
- 請求項29に記載の半導体構造において、xは約0.7以上且つ1以下であることを特徴とする半導体構造。
- 請求項10に記載の半導体構造において、xは約0.75であることを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記実質的に緩和された窒化物中間層の1つの上に直接、不連続マスク層を更に備えることを特徴とする半導体構造。
- 請求項12に記載の半導体構造において、前記不連続マスク層は、SiN及び/又はMgNを含むことを特徴とする半導体構造。
- 請求項13に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の前記層は、前記1つの中間層より下で第1の転位密度を有し、前記窒化物半導体層の前記第2の層は、前記1つの中間層より上で前記第1の転位密度より低い第2の転位密度を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項12に記載の半導体構造において、前記不連続マスク層は、BNを含むことを特徴とする半導体構造。
- 請求項12に記載の半導体構造において、前記1つの窒化物中間層の下に、第2の不連続マスク層を更に備えることを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記窒化物中間層は、約1×1019cm-3から約1×1021cm-3の濃度のn型ドーパントでドープされることを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記窒化物中間層の少なくとも1つは、その内部に複数のディスクリート部を備え、前記ディスクリート部は、前記少なくとも1つの窒化物中間層の材料組成とは異なる材料組成を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項18に記載の半導体構造において、前記少なくとも1つの窒化物中間層は第1のバンドギャップを有し、前記ディスクリート部は、前記第1のバンドギャップより小さい第2のバンドギャップを有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記複数の窒化物中間層の1つは、前記複数の窒化物中間層の別のものの材料組成及び/又はドーピング濃度とは異なる材料組成及び/又はドーピング濃度を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記複数の窒化物中間層の前記ドーピングは、前記基板からの距離が増大するにつれて高くなることを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記複数の窒化物中間層のガリウム濃度は、前記基板からの距離が増大するにつれて高くなることを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料は第1の熱膨張係数を有し、前記基板は、前記窒化物半導体材料の前記第2の層が高い成長温度より室温でより大きい引っ張り歪みを受ける傾向になるように、前記第1の熱膨張係数より小さい第2の熱膨張係数を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の層は、その成長温度より室温でより緩和されることを特徴とする半導体構造。
- 請求項24に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の層は、室温で実質的に歪みがないことを特徴とする半導体構造。
- 請求項1に記載の半導体構造において、ウェハは、前記窒化物層の成長温度より約700から800℃の温度でより小さい湾曲を有することを特徴とする半導体構造。
- 窒化物半導体の層であって、該窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された、複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む窒化物半導体の層を備え、前記実質的に緩和された窒化物中間層はアルミニウム及びガリウムを含み、n型ドーパントで導電的にドープされ、前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約2.0μmの全厚を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項27に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の層は、約2.0μmから約8.0μmの全厚を有することを特徴とする半導体構造。
- 請求項27に記載の半導体構造において、前記窒化物半導体材料の層は、実質的に亀裂がないことを特徴とする半導体構造。
- 半導体構造を形成する方法であって、
基板の上に核生成層を形成するステップと、
前記核生成層の上に組成傾斜層を形成するステップと、
前記組成傾斜層の上に窒化物半導体材料の第1の層を形成するステップであって、前記組成傾斜層は、窒化物半導体材料の前記第1の層との境界面において、窒化物半導体材料の前記第1の層の材料組成と実質的に同じ材料組成を有する、窒化物半導体材料の第1の層を形成するステップと、
窒化物半導体材料の前記第1の層の上に、第1の格子定数を有し、アルミニウム及びガリウムを含み、n型ドーパントで導電的にドープされる実質的に歪みのない窒化物中間層を形成するステップと、
前記窒化物半導体材料の第2の層を形成するステップであって、前記窒化物半導体材料の前記第1の層、前記窒化物中間層、及び前記窒化物半導体材料の前記第2の層は、少なくとも約0.5μmの合わさった厚さを有するステップとを備え、
前記窒化物半導体材料は、窒化物半導体材料の前記第1の層が前記実質的に歪みのない窒化物中間層の一方の側において、窒化物半導体材料の前記第2の層が前記実質的に歪みのない窒化物中間層の他方の側で受けるより小さい引っ張り歪みを受けるような、第2の格子定数を有することを特徴とする方法。 - 請求項30に記載の方法において、前記窒化物半導体材料の前記第2の層は、前記実質的に歪みのない窒化物中間層の一方の側で圧縮歪みを受けるように形成され、前記窒化物半導体材料の前記第1の層は、前記実質的に歪みのない窒化物中間層の他方の側で引っ張り歪みを受けるように形成されることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物半導体材料の前記第2の層を形成するステップの前に、前記実質的に歪みのない窒化物中間層の上に直接、不連続マスク層を形成するステップを更に備えることを特徴とする方法。
- 請求項32に記載の方法において、前記不連続マスク層は、SiN及び/又はMgNを含むことを特徴とする方法。
- 請求項32に記載の方法において、前記不連続マスク層は、BNを含むことを特徴とする方法。
- 請求項32に記載の方法において、前記第1の窒化物層の上に直接、第2の不連続マスク層を形成するステップを更に備え、前記第2の不連続マスク層の上に、前記窒化物中間層が形成されることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物中間層は、約1×1019cm-3から約1×1021cm-3の濃度のシリコンでドープされることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物中間層は、傾斜層を備えることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物中間層を形成するステップは、複数の副層を形成するステップを備えることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物中間層は、複数のInAlN:Si/GaN:Siの対を含むことを特徴とする方法。
- 請求項39に記載の方法において、前記窒化物中間層は、複数のInAlGaN:Si/GaN:Siの対を含むことを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物半導体材料の前記第1の層を形成するステップは、基板の上に前記窒化物半導体材料の第1の層を形成するステップを備え、前記窒化物半導体材料は第1の熱膨張係数を有し、前記基板は、前記第2の層が高い成長温度より室温でより大きい引っ張り歪みを受ける傾向になるように、前記第1の熱膨張係数より小さい第2の熱膨張係数を有することを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記第2の層は、前記窒化物層の成長温度より約700から800℃の温度でより小さい歪みを受けることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記窒化物中間層を形成するステップは、前記窒化物中間層を約800℃の温度で形成するステップを備えることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記第1の層を形成するステップは、前記第1の層を約0.5μm未満の厚さを有するように形成するステップを備えることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記基板がシリコンを含み、前記方法は、
前記基板をH2を含む環境において加熱するステップと、
前記核生成層を形成するステップの前に、前記基板全体にシリコン含有ガスを流すステップと
を更に備えることを特徴とする方法。 - 請求項45に記載の方法において、前記基板全体に前記シリコン含有ガスを流すステップの前に、フッ化水素酸及び/又は緩衝酸化物エッチング溶液を用いて前記基板を清浄化するステップを更に備えることを特徴とする方法。
- 請求項45に記載の方法において、前記核生成層を形成するステップは、約1000℃から約1100℃の温度で前記核生成層を形成するステップを備えることを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記組成傾斜層は、前記核生成層との境界面において、前記核生成層の組成と実質的に同じ材料組成を有することを特徴とする方法。
- 請求項30に記載の方法において、前記組成傾斜層は、前記核生成層との境界面において、前記核生成層の前記組成とは異なる材料組成を有することを特徴とする方法。
- 請求項49に記載の方法において、前記核生成層はAlNを含み、前記組成傾斜層は、前記核生成層との境界面において、AlxGa1-xN(式中、0<x<1)の材料組成を有することを特徴とする方法。
- 請求項50に記載の方法において、xは約0.75であることを特徴とする方法。
- 請求項48に記載の方法において、前記組成傾斜層を形成するステップは、前記組成傾斜層を約1.0から約1.5μmの厚さを有するように形成するステップを備えることを特徴とする方法。
- シリコン基板をH2を含む反応器チャンバの中で加熱するステップと、
前記反応器チャンバの中にシリコン含有ガスを供給するステップと、
その後、前記基板の上に核生成層を形成するステップと
を備えることを特徴とする半導体構造を形成する方法。 - 請求項53に記載の方法において、前記基板全体に前記シリコン含有ガスを流すステップの前に、フッ化水素酸及び/又は緩衝酸化物エッチング溶液を用いて前記基板を清浄化するステップを更に備えることを特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記核生成層を形成するステップは、前記核生成層を約1000℃から約1100℃の温度で形成するステップを備えること特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記シリコン含有ガスは、SiH4、Si2H6、SiCl4、SiBr4及び/又はSi3N4を含むことを特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記シリコン含有ガスを供給するステップは、約1000℃の温度及び約0.2気圧の圧力で、前記基板全体に前記シリコン含有ガスを流すステップを備えることを特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記核生成層は、AlNを含むことを特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記シリコン含有ガスとH2の比は、約10-7:1であることを特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記シリコン含有ガスを供給するステップは、前記反応器の1つ又は複数の部分の上にシリコン被覆物を設けること、あるいは前記反応器内の前記基板から上流に固体シリコンを配置するステップを備えることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/716,319 US8362503B2 (en) | 2007-03-09 | 2007-03-09 | Thick nitride semiconductor structures with interlayer structures |
US11/716,319 | 2007-03-09 | ||
PCT/US2008/002828 WO2008112096A2 (en) | 2007-03-09 | 2008-03-04 | Thick nitride semiconductor structures with interlayer structures and methods of fabricating thick nitride semiconductor structures |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012016826A Division JP5702312B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-01-30 | 厚い窒化物半導体構造を製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010521064A true JP2010521064A (ja) | 2010-06-17 |
JP4954298B2 JP4954298B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=39473802
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009552706A Active JP4954298B2 (ja) | 2007-03-09 | 2008-03-04 | 中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 |
JP2012016826A Active JP5702312B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-01-30 | 厚い窒化物半導体構造を製造する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012016826A Active JP5702312B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-01-30 | 厚い窒化物半導体構造を製造する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8362503B2 (ja) |
EP (2) | EP3534393A1 (ja) |
JP (2) | JP4954298B2 (ja) |
CN (2) | CN101632152B (ja) |
WO (1) | WO2008112096A2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225703A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法 |
JP2012015302A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013033778A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板および電子デバイス |
JP2013145782A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Sharp Corp | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ |
KR20130137773A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
KR20130140413A (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
KR20140133086A (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
KR101530471B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2015-06-19 | 피컨트 리서치 엘엘씨 | 반도체 디바이스에 대한 결함 경감 구조물 |
US9184242B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer |
US9202873B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer for semiconductor device having a multilayer |
JP2016506085A (ja) * | 2013-01-14 | 2016-02-25 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 半導体基板 |
US9391145B2 (en) | 2014-01-15 | 2016-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer |
JP2018050075A (ja) * | 2017-12-06 | 2018-03-29 | アルパッド株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子 |
JP2018098347A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 学校法人 名城大学 | 半導体多層膜反射鏡、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法。 |
JP2018098340A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 学校法人 名城大学 | 半導体多層膜ミラー、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法 |
KR101904048B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2018-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
WO2022145454A1 (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | 京セラ株式会社 | 半導体基板、半導体デバイス、電子機器 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7535621B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-05-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications |
CN101632150B (zh) | 2007-02-20 | 2011-11-23 | 高通Mems科技公司 | 用于蚀刻微机电***的装备及方法 |
WO2009036215A2 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Etching processes used in mems production |
FR2929445B1 (fr) * | 2008-03-25 | 2010-05-21 | Picogiga Internat | Procede de fabrication d'une couche de nitrure de gallium ou de nitrure de gallium et d'aluminium |
TWI415295B (zh) * | 2008-06-24 | 2013-11-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 半導體元件的製造方法及其結構 |
US9048385B2 (en) * | 2009-06-24 | 2015-06-02 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting diode |
DE102009047881B4 (de) | 2009-09-30 | 2022-03-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch hergestellten Schichtstruktur |
WO2011102045A1 (ja) * | 2010-02-16 | 2011-08-25 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
CN101812725B (zh) * | 2010-04-09 | 2011-08-31 | 中国科学院半导体研究所 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 |
JP5596783B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-09-24 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
EP2565928A4 (en) * | 2010-04-28 | 2013-12-04 | Ngk Insulators Ltd | EPITACTIC SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE EPITACTIC SUBSTRATE |
KR20120032329A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
JP5781292B2 (ja) * | 2010-11-16 | 2015-09-16 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子および窒化物半導体パッケージ |
DE102010056409A1 (de) * | 2010-12-26 | 2012-06-28 | Azzurro Semiconductors Ag | Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge, Halbleiterbauelement, umfassend eine Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge und Verfahren zur Herstellung |
US20120261721A1 (en) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Raytheon Company | Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials |
JP5127978B1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-01-23 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法 |
WO2013054916A1 (ja) | 2011-10-13 | 2013-04-18 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体素子 |
US20130099202A1 (en) * | 2011-10-24 | 2013-04-25 | The Regents Of The University Of California | SUPPRESSION OF RELAXATION BY LIMITED AREA EPITAXY ON NON-C-PLANE (In,Al,B,Ga)N |
JP5228122B1 (ja) | 2012-03-08 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハ |
DE102012204553B4 (de) * | 2012-03-21 | 2021-12-30 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Templats, so hergestelltes Templat, dessen Verwendung, Verfahren zur Herstellung von III-N-Einkristallen, Verfahren zur Herstellung von III-N-Kristallwafern, deren Verwendung und Verwendung von Maskenmaterialien |
US10309037B2 (en) | 2012-03-21 | 2019-06-04 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Method for producing III-N templates and the reprocessing thereof and III-N template |
KR20140021746A (ko) * | 2012-08-09 | 2014-02-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
GB201217617D0 (en) * | 2012-10-02 | 2012-11-14 | Kappers Menno | Semiconductor materials |
JP5296255B1 (ja) | 2012-11-21 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法 |
WO2014098321A1 (ko) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 주식회사 엘지실트론 | 반도체 기판 및 그 제조 방법 |
WO2014118162A1 (de) | 2013-01-31 | 2014-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterschichtenfolge und verfahren zur herstellung einer halbleiterschichtenfolge |
EP2767620A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-20 | Azzurro Semiconductors AG | P-doping of group-III-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate |
JP6270536B2 (ja) | 2013-06-27 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法 |
GB2519338A (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-22 | Nanogan Ltd | Crack-free gallium nitride materials |
KR102098250B1 (ko) | 2013-10-21 | 2020-04-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
US11322643B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-05-03 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Optoelectronic device |
CN106415854B (zh) | 2014-05-27 | 2019-10-01 | 斯兰纳Uv科技有限公司 | 包括n型和p型超晶格的电子装置 |
JP6636459B2 (ja) | 2014-05-27 | 2020-01-29 | シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドSilanna Uv Technologies Pte Ltd | 半導体構造と超格子とを用いた高度電子デバイス |
WO2015181648A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | The Silanna Group Pty Limited | An optoelectronic device |
TWI550921B (zh) | 2014-07-17 | 2016-09-21 | 嘉晶電子股份有限公司 | 氮化物半導體結構 |
EP2983195A1 (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | EpiGan NV | Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure |
TWI556466B (zh) * | 2014-09-19 | 2016-11-01 | 錼創科技股份有限公司 | 氮化物半導體結構 |
CN105810725A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 | 硅基氮化镓半导体晶片及其制作方法 |
TWI566430B (zh) | 2015-05-06 | 2017-01-11 | 嘉晶電子股份有限公司 | 氮化物半導體結構 |
US20160359004A1 (en) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | Veeco Instruments, Inc. | Stress control for heteroepitaxy |
US9806183B2 (en) | 2015-11-30 | 2017-10-31 | Veeco Instruments, Inc. | Stress control on thin silicon substrates |
CN108780734A (zh) * | 2016-01-20 | 2018-11-09 | 麻省理工学院 | 载体基板上器件的制造 |
KR102496037B1 (ko) | 2016-01-20 | 2023-02-06 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 방법 및 장치 |
US9917156B1 (en) | 2016-09-02 | 2018-03-13 | IQE, plc | Nucleation layer for growth of III-nitride structures |
US9818871B1 (en) * | 2016-10-20 | 2017-11-14 | Cisco Technology, Inc. | Defense layer against semiconductor device thinning |
US10720520B2 (en) * | 2017-06-21 | 2020-07-21 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device |
US11688825B2 (en) * | 2019-01-31 | 2023-06-27 | Industrial Technology Research Institute | Composite substrate and light-emitting diode |
KR102675554B1 (ko) * | 2022-06-29 | 2024-06-14 | 웨이브로드 주식회사 | 그룹3족 질화물 반도체 소자용 템플릿 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0918092A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | 単結晶iii−v族化合物半導体層の成長方法 |
JP2001274096A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2002050579A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-15 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体基板の製造方法及びその使用 |
JP2002170776A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Inst Of Physical & Chemical Res | 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子 |
JP2003086520A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体多層構造 |
JP2003218045A (ja) * | 2001-03-28 | 2003-07-31 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物膜の製造方法 |
JP2004014674A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体構造 |
JP2004524250A (ja) * | 2000-12-14 | 2004-08-12 | ニトロネックス・コーポレーション | 窒化ガリウム材料および方法 |
Family Cites Families (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US34861A (en) * | 1862-04-01 | Improved washing-machine | ||
US4301505A (en) * | 1979-06-27 | 1981-11-17 | Burroughs Corporation | Microprocessor having word and byte handling |
US4652998A (en) * | 1984-01-04 | 1987-03-24 | Bally Manufacturing Corporation | Video gaming system with pool prize structures |
US4866005A (en) | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
JPH01155630A (ja) | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5104694A (en) * | 1989-04-21 | 1992-04-14 | Nippon Telephone & Telegraph Corporation | Selective chemical vapor deposition of a metallic film on the silicon surface |
US4946547A (en) * | 1989-10-13 | 1990-08-07 | Cree Research, Inc. | Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth |
US5210051A (en) * | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
US5292501A (en) | 1990-06-25 | 1994-03-08 | Degenhardt Charles R | Use of a carboxy-substituted polymer to inhibit plaque formation without tooth staining |
US5200022A (en) * | 1990-10-03 | 1993-04-06 | Cree Research, Inc. | Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product |
US5072122A (en) * | 1990-10-15 | 1991-12-10 | Kansas State University Research Foundation | Charge storage image device using persistent photoconductivity crystals |
US5101109A (en) * | 1990-10-15 | 1992-03-31 | Kansas State University Research Foundation | Persistent photoconductivity quenching effect crystals and electrical apparatus using same |
JP2987926B2 (ja) * | 1990-11-20 | 1999-12-06 | 富士通株式会社 | 気相成長方法 |
GB9108599D0 (en) * | 1991-04-22 | 1991-06-05 | Pilkington Micro Electronics | Peripheral controller |
JP2598178B2 (ja) * | 1991-04-30 | 1997-04-09 | 三菱電機株式会社 | 通信システム |
JPH05259091A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5559794A (en) * | 1993-09-09 | 1996-09-24 | Rockwell International Corporation | Telecommunication system with selective remote interface assembly and method |
US5393993A (en) * | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
US5523589A (en) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US5655961A (en) * | 1994-10-12 | 1997-08-12 | Acres Gaming, Inc. | Method for operating networked gaming devices |
US5670798A (en) * | 1995-03-29 | 1997-09-23 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
US5655138A (en) * | 1995-04-11 | 1997-08-05 | Elonex I. P. Holdings | Apparatus and method for peripheral device control with integrated data compression |
US5611730A (en) * | 1995-04-25 | 1997-03-18 | Casino Data Systems | Progressive gaming system tailored for use in multiple remote sites: apparatus and method |
CN1143473C (zh) * | 1995-04-28 | 2004-03-24 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 在一组设备之间可靠的通信的无线通信*** |
US5643086A (en) * | 1995-06-29 | 1997-07-01 | Silicon Gaming, Inc. | Electronic casino gaming apparatus with improved play capacity, authentication and security |
US5572882A (en) * | 1995-07-21 | 1996-11-12 | Johnson Service Company | Low pressure air cycle cooling device |
US5708838A (en) * | 1995-09-08 | 1998-01-13 | Iq Systems, Inc. | Distributed processing systems having a host processor and at least one object oriented processor |
US5790806A (en) * | 1996-04-03 | 1998-08-04 | Scientific-Atlanta, Inc. | Cable data network architecture |
JP3396356B2 (ja) * | 1995-12-11 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置,及びその製造方法 |
US5759102A (en) * | 1996-02-12 | 1998-06-02 | International Game Technology | Peripheral device download method and apparatus |
US6110041A (en) * | 1996-12-30 | 2000-08-29 | Walker Digital, Llc | Method and system for adapting gaming devices to playing preferences |
JPH09306844A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
KR100232400B1 (ko) * | 1996-09-04 | 1999-12-01 | 윤종용 | 음란/폭력물 차단 기능을 구비한 컴퓨터 및 그 제어 방법 |
DE19725900C2 (de) | 1997-06-13 | 2003-03-06 | Dieter Bimberg | Verfahren zur Abscheidung von Galliumnitrid auf Silizium-Substraten |
US6511377B1 (en) * | 1997-08-07 | 2003-01-28 | Casino Data Systems | Cashless gaming system: apparatus and method |
US6233610B1 (en) * | 1997-08-27 | 2001-05-15 | Northern Telecom Limited | Communications network having management system architecture supporting reuse |
US6201262B1 (en) | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
FR2769924B1 (fr) * | 1997-10-20 | 2000-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'une couche epitaxiale de nitrure de gallium, couche epitaxiale de nitrure de gallium et composant optoelectronique muni d'une telle couche |
JPH11135832A (ja) | 1997-10-26 | 1999-05-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 |
JPH11145515A (ja) | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子およびその製造方法 |
US6146916A (en) * | 1997-12-02 | 2000-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a GaN-based semiconductor light emitting device |
WO1999044224A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-09-02 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
US6051849A (en) | 1998-02-27 | 2000-04-18 | North Carolina State University | Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer |
JP2927768B1 (ja) | 1998-03-26 | 1999-07-28 | 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6375567B1 (en) * | 1998-04-28 | 2002-04-23 | Acres Gaming Incorporated | Method and apparatus for implementing in video a secondary game responsive to player interaction with a primary game |
US6265289B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-07-24 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
US6218280B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-04-17 | University Of Florida | Method and apparatus for producing group-III nitrides |
SG94712A1 (en) * | 1998-09-15 | 2003-03-18 | Univ Singapore | Method of fabricating group-iii nitride-based semiconductor device |
US6177688B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-01-23 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates |
JP3470623B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6295035B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-09-25 | Raytheon Company | Circular direction finding antenna |
US6211095B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-04-03 | Agilent Technologies, Inc. | Method for relieving lattice mismatch stress in semiconductor devices |
US6270410B1 (en) * | 1999-02-10 | 2001-08-07 | Demar Michael | Remote controlled slot machines |
US6218680B1 (en) * | 1999-05-18 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination |
JP3748011B2 (ja) * | 1999-06-11 | 2006-02-22 | 東芝セラミックス株式会社 | GaN半導体結晶成長用Siウエーハ、それを用いたGaN発光素子用ウエーハ及びそれらの製造方法 |
GB9913950D0 (en) * | 1999-06-15 | 1999-08-18 | Arima Optoelectronics Corp | Unipolar light emitting devices based on iii-nitride semiconductor superlattices |
US6430164B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-08-06 | Cellport Systems, Inc. | Communications involving disparate protocol network/bus and device subsystems |
JP2001044124A (ja) | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Sony Corp | エピタキシャル層の形成方法 |
US6251014B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-06-26 | International Game Technology | Standard peripheral communication |
US6441393B2 (en) | 1999-11-17 | 2002-08-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor devices with selectively doped III-V nitride layers |
US6394900B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-05-28 | International Game Technology | Slot reel peripheral device with a peripheral controller therein |
JP2003526203A (ja) * | 2000-03-02 | 2003-09-02 | アイクストロン、アーゲー | III族−N、(III−V)族−Nおよび金属−窒素の所定成分による層構造をSi基板上に作成する方法および装置 |
JP2003532298A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光半導体素子 |
US6394907B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-05-28 | International Game Technology | Cashless transaction clearinghouse |
US6410940B1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-06-25 | Kansas State University Research Foundation | Micro-size LED and detector arrays for minidisplay, hyper-bright light emitting diodes, lighting, and UV detector and imaging sensor applications |
JP2002008994A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法 |
KR100762863B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 확산방지 티타늄-실리콘-질소 막을 이용한 구리금속배선방법 |
US6610144B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-08-26 | The Regents Of The University Of California | Method to reduce the dislocation density in group III-nitride films |
DE10041285A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-07 | Univ Berlin Tech | Verfahren zur Epitaxie von (Indium, Aluminium, Gallium)-nitrid-Schichten auf Fremdsubstraten |
US6638170B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-10-28 | Igt | Gaming device network |
US6875110B1 (en) * | 2000-10-17 | 2005-04-05 | Igt | Multi-system gaming terminal communication device |
US6682423B2 (en) * | 2001-04-19 | 2004-01-27 | Igt | Open architecture communications in a gaming network |
US6630692B2 (en) | 2001-05-29 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Nitride light emitting devices with low driving voltage |
JP3866540B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
US6908387B2 (en) * | 2001-08-03 | 2005-06-21 | Igt | Player tracking communication mechanisms in a gaming machine |
DE10151092B4 (de) | 2001-10-13 | 2012-10-04 | Azzurro Semiconductors Ag | Verfahren zur Herstellung von planaren und rißfreien Gruppe-III-Nitrid-basierten Lichtemitterstrukturen auf Silizium Substrat |
US6775314B1 (en) * | 2001-11-29 | 2004-08-10 | Sandia Corporation | Distributed bragg reflector using AIGaN/GaN |
AU2002366856A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-09 | Aixtron Ag | Method for depositing iii-v semiconductor layers on a non-iii-v substrate |
AU2002356608A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-09 | Aixtron Ag | Method for the production of iii-v laser components |
TW561526B (en) * | 2001-12-21 | 2003-11-11 | Aixtron Ag | Method for depositing III-V semiconductor layers on a non-III-V substrate |
US6841001B2 (en) | 2002-07-19 | 2005-01-11 | Cree, Inc. | Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures |
US6957899B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-10-25 | Hongxing Jiang | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
JP2004179452A (ja) | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ヘテロエピタキシャルウエーハ |
US20050205886A1 (en) * | 2002-11-29 | 2005-09-22 | Sanken Electric Co., Ltd. | Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication |
US7098487B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal and method of making same |
US6818061B2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-11-16 | Honeywell International, Inc. | Method for growing single crystal GaN on silicon |
US7001791B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-02-21 | University Of Florida | GaN growth on Si using ZnO buffer layer |
WO2004104646A1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | Kansas State University Research Foundation | Microlens comprising a group iii-nitride material |
US6906351B2 (en) * | 2003-08-05 | 2005-06-14 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Group III-nitride growth on Si substrate using oxynitride interlayer |
US6967355B2 (en) * | 2003-10-22 | 2005-11-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Group III-nitride on Si using epitaxial BP buffer layer |
DE10354389B3 (de) | 2003-11-20 | 2005-08-11 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Verfahren zur Herstellung eines nanoskaligen Feldeffekttransistors |
US7339205B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-03-04 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods associated with the same |
US7687827B2 (en) * | 2004-07-07 | 2010-03-30 | Nitronex Corporation | III-nitride materials including low dislocation densities and methods associated with the same |
DE102004034341B4 (de) | 2004-07-10 | 2017-07-27 | Allos Semiconductors Gmbh | Gruppe-III-Nitrid Transistorstruktur mit einem p-leitenden Kanal |
CN1327486C (zh) | 2004-07-21 | 2007-07-18 | 南京大学 | 利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜 |
DE102004038573A1 (de) | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Azzurro Semiconductors Ag | Verfahren zum epitaktischen Wachstum dicker, rissfreier Gruppe-III-Nitrid Halbleiterschichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Si oder SIC |
SG124417A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-30 | Agency Science Tech & Res | Method and structure for fabricating III-V nitridelayers on silicon substrates |
JP2006222402A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法 |
US8575651B2 (en) | 2005-04-11 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer |
US7365374B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-04-29 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material structures including substrates and methods associated with the same |
JP5023318B2 (ja) | 2005-05-19 | 2012-09-12 | 国立大学法人三重大学 | 3−5族窒化物半導体積層基板、3−5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子 |
US7491626B2 (en) * | 2005-06-20 | 2009-02-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Layer growth using metal film and/or islands |
US7585769B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-09-08 | Applied Materials, Inc. | Parasitic particle suppression in growth of III-V nitride films using MOCVD and HVPE |
US7687349B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-30 | Atmel Corporation | Growth of silicon nanodots having a metallic coating using gaseous precursors |
-
2007
- 2007-03-09 US US11/716,319 patent/US8362503B2/en active Active
-
2008
- 2008-03-04 CN CN2008800077858A patent/CN101632152B/zh active Active
- 2008-03-04 JP JP2009552706A patent/JP4954298B2/ja active Active
- 2008-03-04 EP EP19157300.5A patent/EP3534393A1/en active Pending
- 2008-03-04 WO PCT/US2008/002828 patent/WO2008112096A2/en active Application Filing
- 2008-03-04 EP EP08726381.0A patent/EP2064729B1/en active Active
- 2008-03-04 CN CN201110133723.5A patent/CN102208332B/zh active Active
-
2012
- 2012-01-30 JP JP2012016826A patent/JP5702312B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-28 US US13/751,804 patent/US9054017B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0918092A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | 単結晶iii−v族化合物半導体層の成長方法 |
JP2001274096A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2002050579A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-15 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体基板の製造方法及びその使用 |
JP2002170776A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Inst Of Physical & Chemical Res | 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子 |
JP2004524250A (ja) * | 2000-12-14 | 2004-08-12 | ニトロネックス・コーポレーション | 窒化ガリウム材料および方法 |
JP2003218045A (ja) * | 2001-03-28 | 2003-07-31 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物膜の製造方法 |
JP2003086520A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体多層構造 |
JP2004014674A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体構造 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Comparison of Various Buffer Schemes to Grow GaN on Large-Area Si(111) Substrates Using Metal-Organ", JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, vol. 32, no. 5, JPN7011003922, 2003, pages 371 - 374, ISSN: 0002152043 * |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225703A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法 |
JP2012015302A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR101530471B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2015-06-19 | 피컨트 리서치 엘엘씨 | 반도체 디바이스에 대한 결함 경감 구조물 |
JP2013033778A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板および電子デバイス |
KR101904048B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2018-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP2013145782A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Sharp Corp | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ |
KR20130137773A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
KR20130140413A (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
US10008571B2 (en) | 2012-09-21 | 2018-06-26 | Alpad Corporation | Semiconductor wafer, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
US9202873B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer for semiconductor device having a multilayer |
JP2016506085A (ja) * | 2013-01-14 | 2016-02-25 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 半導体基板 |
US9583575B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-02-28 | Lg Siltron Inc. | Semiconductor substrate |
US9905656B2 (en) | 2013-01-14 | 2018-02-27 | Sk Siltron Co., Ltd. | Semiconductor substrate |
KR20140133086A (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
KR102066616B1 (ko) * | 2013-05-09 | 2020-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
US9362115B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer |
US9472720B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer |
US9184242B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer |
US9391145B2 (en) | 2014-01-15 | 2016-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer |
JP2018098347A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 学校法人 名城大学 | 半導体多層膜反射鏡、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法。 |
JP2018098340A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 学校法人 名城大学 | 半導体多層膜ミラー、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法 |
JP2018050075A (ja) * | 2017-12-06 | 2018-03-29 | アルパッド株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子 |
WO2022145454A1 (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | 京セラ株式会社 | 半導体基板、半導体デバイス、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102208332B (zh) | 2014-08-20 |
US8362503B2 (en) | 2013-01-29 |
WO2008112096A2 (en) | 2008-09-18 |
US20130221327A1 (en) | 2013-08-29 |
EP2064729A2 (en) | 2009-06-03 |
US9054017B2 (en) | 2015-06-09 |
CN101632152B (zh) | 2011-07-13 |
JP4954298B2 (ja) | 2012-06-13 |
JP2012094905A (ja) | 2012-05-17 |
JP5702312B2 (ja) | 2015-04-15 |
US20080217645A1 (en) | 2008-09-11 |
CN102208332A (zh) | 2011-10-05 |
CN101632152A (zh) | 2010-01-20 |
EP2064729B1 (en) | 2019-04-24 |
WO2008112096A3 (en) | 2009-03-05 |
EP3534393A1 (en) | 2019-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4954298B2 (ja) | 中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 | |
JP5520056B2 (ja) | 中間層構造を有する窒化物半導体構造、及び中間層構造を有する窒化物半導体構造を製造する方法 | |
JP5705399B2 (ja) | 転位密度の低いiii族窒化物材料及び当該材料に関連する方法 | |
US8986448B2 (en) | Method of manufacturing single crystal 3C-SiC substrate and single crystal 3C-SiC substrate obtained from the manufacturing method | |
JP5307975B2 (ja) | 窒化物系半導体自立基板及び窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板 | |
JP4529846B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
US20070243703A1 (en) | Processes and structures for epitaxial growth on laminate substrates | |
JP6328557B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板およびiii族窒化物積層体 | |
JP2005019872A (ja) | 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス | |
US20130260541A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING Ga-CONTAINING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR | |
JP2007273814A (ja) | シリコン基板及びその製造方法 | |
KR101021775B1 (ko) | 에피택셜 성장 방법 및 이를 이용한 에피택셜층 적층 구조 | |
TWI699462B (zh) | Iii族氮化物半導體基板的製造方法 | |
JP2005032823A (ja) | 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法 | |
JP2009023853A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにiii−v族窒化物系半導体デバイス | |
JP2012232884A (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法並びにそれを用いた素子 | |
JP2005045153A (ja) | 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス | |
TW511143B (en) | Method for forming GaN/AlN superlattice structure | |
JP3967282B2 (ja) | SiC、GaN半導体及びその製造方法 | |
JP2009208989A (ja) | 化合物半導体基板およびその製造方法 | |
JPWO2023038129A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101207 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120217 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4954298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |