JP2010278085A - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents

光モジュール及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010278085A
JP2010278085A JP2009126952A JP2009126952A JP2010278085A JP 2010278085 A JP2010278085 A JP 2010278085A JP 2009126952 A JP2009126952 A JP 2009126952A JP 2009126952 A JP2009126952 A JP 2009126952A JP 2010278085 A JP2010278085 A JP 2010278085A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
optical
molded body
optical semiconductor
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009126952A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5292184B2 (ja
Inventor
Yuichi Tagami
雄一 田上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2009126952A priority Critical patent/JP5292184B2/ja
Priority to US12/564,274 priority patent/US8113725B2/en
Publication of JP2010278085A publication Critical patent/JP2010278085A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5292184B2 publication Critical patent/JP5292184B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206—Optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】光路の変更が容易で光軸位置合わせ精度が高い光モジュール及び量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のリードと、第２のリードと、前記第１のリード上に接着された光半導体素子と、前記光半導体素子と前記第１のリードの一方の端部と前記第２のリードの一方の端部とが埋め込まれた第１の成型体と、を有する光半導体部と、第３のリードと、第４のリードと、前記第３のリードの一方の端部と前記第４のリードの一方の端部とが埋め込まれ前記光半導体素子の光路を変更可能な第２の成型体と、を有する光学素子部と、を備え、突出した前記第１のリードと突出した前記第３のリードとが接合された金属接合部が形成され、前記第１及び第２のリードと、前記第３及び第４のリードと、のうちの少なくともいずれかは外に向かって凸となる折り曲げ部を有することを特徴とする光モジュール及びその製造方法が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュール及びその製造方法に関する。
従来、機器間や機器内における光配線及び短距離光通信などにおいて、伝送データ量が小さいことが多かった。しかしながら、画像伝送などを行うために伝送データはますます大容量化している。
高い伝送品質を保ちつつ大容量データを伝送するには、レンズなどの光学素子、光半導体素子、及び光ファイバ、などの間で光軸を精度よく合わせ、波形歪を低減することが重要となる。また、光配線や短距離光通信用途の光モジュールには、高い量産性が要求される。
簡単な構成で小型化と低価格化を両立させた光半導体装置の技術開示例がある（特許文献１）。この例の光半導体装置は、光半導体素子が搭載されたリードフレームと、補助フレームと、光半導体素子を覆うように設けられた緩衝樹脂部と、モールド樹脂部と、を備えている。このために、高い結合効率、高い光伝送品質、及び優れた耐環境性などが可能である。しかしながら、光軸合わせの精度が十分とは言えず、また量産性の改善も必要である。
特開２００７−１８０２７５号公報
光路の変更が容易であったり高い光軸合わせ精度が可能な光モジュール及び量産性に富むその製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向する第２のリードと、前記第１のリード上に接着された光半導体素子と、前記光半導体素子と前記第１のリードの前記一方の端部と前記第２のリードの前記一方の端部とが埋め込まれた第１の成型体と、を有する光半導体部と、第３のリードと、一方の端部が前記第３のリードの一方の端部と対向する第４のリードと、前記第３のリードの前記一方の端部と前記第４のリードの前記一方の端部とが埋め込まれ前記光半導体素子からの放出光及び前記光半導体素子の入射光の少なくともいずれかの光路を変更可能な第２の成型体と、を有する光学素子部と、を備え、前記第１のリードの他方の端部と前記第２のリードの他方の端部は、前記第１の成型体から互いに反対方向にそれぞれ突出し、前記第３のリードの他方の端部と前記第４のリードの他方の端部は、前記第２の成型体から互いに反対方向にそれぞれ突出し、前記突出した前記第１のリードと前記突出した前記第３のリードとが接合された金属接合部が形成され、前記突出した前記第２のリードと前記突出した前記第４のリードとが接合された金属接合部が形成され、前記第１及び第２のリードと、前記第３及び第４のリード、とのうちの少なくともいずれかは外に向かって凸となる折り曲げ部を有することを特徴とする光モジュールが提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向する第２のリードと、前記第１及び第２のリードを支持する枠部と、を有する第１のリードフレーム領域の前記第１のリード上に光半導体素子を接着する工程と、前記第１のリードの前記一方の端部、前記第２のリードの前記一方の端部、及び前記光半導体素子が埋め込まれ、前記第１のリードの他方の端部及び前記第２のリードの他方の端部が互いに反対方向に突出するように第１の成型体を形成する工程と、第３のリードと、一方の端部が前記第３の一方の端部と対向する第４のリードと、前記第３及び第４のリードを支持する枠部と、を有する第２のリードフレーム領域において、前記第３のリードの前記一方の端部及び前記第４のリードの一方の端部が埋め込まれ、前記第３のリードの他方の端部と前記第４のリードの他方の端部とが互いに反対方向に突出するように第２の成型体を形成する工程と、前記第１のリードフレーム領域の前記枠部に設けられたガイド穴と、前記第２のリードフレーム領域の前記枠部に設けられたガイド穴と、の位置を合わせつつ、前記第１及び第３のリードと、前記第２及び第４のリードと、を接合して金属接合部を形成する工程と、前記第１のリードフレーム領域の前記枠部から前記第１及び第２のリードをそれぞれ切り離す工程と、前記第２のリードフレーム領域の前記枠部から前記第３及び第４のリードをそれぞれ切り離す工程と、を備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法が提供される。
光路の変更が容易であったり高い光軸合わせ精度が可能な光モジュール及び量産性に富むその製造方法が提供される。
第１の実施形態にかかる光モジュールの模式図 第１の実施形態にかかる光モジュールの工程断面図 第１の実施形態にかかる光モジュールの工程断面図 変形例にかかる光モジュールの工程断面図 第２の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図 第３の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図 第４の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図、図１（ｂ）は光学素子部の模式平面図、図１（ｃ）は光半導体部の模式平面図、である。
光モジュールは、光半導体部５４と、これと対向するように配置された光学素子部６２と、を有している。
このうち、光半導体部５４は、光半導体素子４０と、光半導体素子４０が接着された第１のリード２０と、一方の端部が第１のリード２０の一方の端部と対向する第２のリード２３と、光半導体素子４０、第１のリード２０の一方の端部、及び第２のリード２３の一方の端部、が埋め込まれた第１の成型体５０と、を有している。また、第１のリード２０の他方の端部及び第２のリード２３の他方の端部は、第１の成型体５０から互いに反対方向に突出している。
光半導体素子４０は、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザダイオード）、及びＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitter Laser：面発光型レーザ）などの発光素子、ＰＤ（フォトダイオード）などの受光素子などとされる。
他方、光学素子部６２は、第１のリード２０との間で金属接合が形成された第３のリード３０と、一方の端部が第３のリード３０の一方の端部と対向し、第２のリード２３との間で金属接合が形成された第４のリード３３と、第３のリード３０の一方の端部及び第４のリード３３の一方の端部が埋め込まれ、光半導体素子４０からの放出光または光半導体素子４０への入射光の光路のいずれかを変更可能な第２の成型体６０と、を有している。また、第３のリード３０の他方の端部及び第４のリード３３の他方の端部は、第２の成型体６０から互いに反対方向に突出している。
さらに、例えば、それぞれのリードの厚さは０．２５ｍｍ、その幅は０．３〜１ｍｍなどとされる。
光学素子部６２は、例えば屈折率が１．３〜２．０などの範囲にある透光性樹脂からなる成型体とされるので、光半導体部５４からの放出光Ｇまたは光半導体部５４への入射光の光路を変更可能である。例えば、光半導体素子４０としてＶＣＳＥＬを用い、かつ光学素子部６２を凸レンズとすると、図１のような送信用光モジュールとなる。なお、図１（ｂ）は、Ａ−Ａ線に沿って上方をみた平面図、図１（ｃ）はＡ−Ａ線に沿って下方をみた平面図である。さらに、図１（ａ）は、光半導体部５４と、光学素子部６２と、がＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿って重ね合わされリードが接合された光モジュールの断面図となる。
第１のリード２０の一方の端部及びリード２１の一方の端部は、ともにダイパッド２０ａとなっており、ＶＣＳＥＬ４０と、その駆動ＩＣ４２と、が導電性ペーストなどを用いて接着されている。ＶＣＳＥＬ４０の一方の電極は駆動ＩＣ４２へボンディングワイヤにより接続されている。また、駆動ＩＣ４２は、第２のリード２３及びリード２４へボンディングワイヤにより接続されている。第１の成型体５０は、ＶＣＳＥＬ４０からの放出光に対して透光性を有する樹脂などからなり、その上面は放出光を集束可能な凸レンズ曲面５０ａを有している。なお、凸レンズ曲面５０ａではなく平坦面であってもよい。
他方、第３のリード３０の一方の端部は貫通孔を有し、ＶＣＳＥＬ４０からの放出光の強度をモニターするフォトダイオード４４を隅部に有している。フォトダイオード４４の一方の電極はボンディングワイヤによりリード３１と接続され、他方の電極はボンディングワイヤによりリード３４と接続されている。また、第２の成型体６０は、ＶＣＳＥＬ４０の放出光の光軸５２と略一致する光軸を有する凸レンズ曲面６０ａを有しており、放出光Ｇを集束させることによる光路の変更が可能とされている。
第１の成型体５０と、第２の成型体６０と、は異なる材質であってもよいが、同一材質とすると成型工程が簡素となる。また、ＶＣＳＥＬ４０からの放出光の波長が可視光である場合には可視光透過樹脂を用い、赤外光である場合には外乱光低減のために可視光阻止用樹脂を用いるとよい。
なお、本具体例では、第１の成型体５０と第２の成型体６０とが適正な間隔を保つように、光学素子部６２の側のリードは折り曲げ部を有している。例えば、第１の成型体５０及び第２の成型体６０が凸レンズ曲面をそれぞれ有するものとする。凸レンズの少なくともいずれかの焦点距離を変化させると、ＶＣＳＥＬ４０からの光路を変更しそのビーム広がりを制御することができる。また、第１の成型体５０と第２の成型体６０との距離を変化してもＶＣＳＥＬ４０からの光路を変更しそのビーム広がりを制御することができる。このようにして、ビームの広がり制御の自由度を増すことができる。なお、レンズ曲面は、球面に限定されず、非球面やフレネルゾーンプレートであってもよい。折り曲げ部は、光半導体部５４の側に設けられてもよい。
また、光学素子部６２側のリードには貫通孔が設けられている。このようにすると、リードフレームが重ね合わされた場合、レーザ溶接、抵抗溶接、超音波接合、熱圧着、ロウ付けなどの方法を用い、対向する側のリードと貫通孔近傍とを金属接合部１４とすることが容易となる。
光半導体素子４０がフォトダイオードの場合、駆動ＩＣ４２を、例えばトランスインピーダンス、リミッティングアンプ、及び３Ｒ回路などと置き換えれば、受信用光モジュールとすることができる。なお、多重化信号を送信する場合には駆動ＩＣ４２をＭＵＸ（Mulitiplexer）と置き換えればよく、多重化信号を受信する場合には駆動ＩＣ４２をＤＥＭＵＸ（Demultiplexer）と置き換えればよい。
図１に表す光モジュールは、伝送路として、空間または光ファイバとすることができる。光モジュールを送信用とすると、光軸合わせ精度が高いので、例えば１Ｇｂｐｓの信号伝送に必要な伝送帯域を十分に確保できる。このために、短距離光通信、画像を含む大容量データの機器間及び機器内光配線などに用いることができる。
また、光半導体素子４０としてＬＥＤ、光学素子部６２として凸レンズ、とすると、高輝度発光装置とできる。このような高輝度発光装置は、照明装置、表示装置、及び信号機などに用いることができる。
次に、本実施形態にかかる光モジュールの製造方法について説明する。
図２（ａ）から図２（ｆ）は、リードフレームの折り曲げまでの工程断面図である。なお、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った模式断面図を表す。リードフレーム１０は、鉄・ニッケル合金または銅系の材料などとする。図２（ａ）及び図２（ｂ）に表されるように、第３のリード３０、リード３１、３２、第４のリード３３、及びリード３４、３５の端部を含む領域は、プレス加工などにより外に向かって凸となる折り曲げ部１０ｄとされる。
第１のリード２０のダイパッド２０ａには、ＶＣＳＥＬ４０及び駆動ＩＣ４２が導電性接着剤などを用いて接着される。ＶＣＳＥＬ４０及び駆動ＩＣ４２と、所定のリードと、がワイヤボンディングを用いてそれぞれ接続される。また、第３のリード３０の端部にはフォトダイオード４４が接着され、リード３１、３４とそれぞれボンディングワイヤにより接続される（図２（ｃ））。
続いて透光性樹脂などを金型に流し込み、第１及び第２の成型体５０、６０を形成する（図２（ｄ））。成型体の材質は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂及びフェノールなどの熱硬化樹脂などとする。熱硬化性樹脂の場合、キュア工程を所定の温度かつ所定の時間行う。
第１のリードフレーム領域１１と、第２のリードフレーム領域１２と、は枠部を共有しつつ隣接して設けられている。例えば、図２（ａ）に表したように、向かって左右方向に延在する上下一対の枠部の間に、第１のリードフレーム領域１１と第２のリードフレーム領域１２とが交互に配置されている。
そして、図２（ｅ）に表したように、第１のリードフレーム領域１１に形成された光半導体部５４と、第２のリードフレーム領域１２に形成された光学素子部６２と、がペアとなるように、リードフレーム１０を切断する。第１のリードフレーム領域１１の枠部にはガイド穴１０ａ、第２のリードフレーム領域１２の枠部にはガイド穴１０ｂがそれぞれ設けられている。光学素子部６２側のリードには貫通穴１０ｃが設けられている。なお、貫通穴はいずれの側のリードフレームであってもよい。さらに、図２（ｆ）のように、第１及び第２のリードフレーム領域１１、１２をＥ−Ｅ線に沿って折り曲げて重ね合わせる。
図３（ａ）から図３（ｄ）は、リードカットまでの工程断面図である。
リードフレーム１０のガイド穴１０ａ、１０ｂを基準にして重ね合わせたのち、ガイドピン７０を挿入する（図３（ａ））。ガイド穴１０ａ、１０ｂの位置精度は、例えば±２０μｍなどと高くできるので、位置精度よく重ね合わせ可能である。
図３（ｂ）のように、第３のリード３０に設けられた貫通孔１０ｃに第１のリード２０が露出し、第４のリード３３に設けられた貫通孔１０ｃに第２のリード２３が露出している。貫通孔１０ｃの内壁近傍領域におけるＹＡＧレーザ光照射、抵抗溶接、熱圧着、超音波接合、ロウ付けなどの方法を用いて金属接合部１４を形成する。同様に、リード２２及びリード３１、リード２１及びリード３２、リード２４及びリード３５、リード２５及びリード３４、との間で金属接合部１４をそれぞれ形成する。または、反対側のリードに凸部を設け貫通孔１０ｃに圧入してもよい。
続いて、図３（ｃ）のように、曲げ金型７２、７３を用いて光半導体部５４側のリードを折り曲げ、カット刃７８を用いて光学素子部６２側のリードを枠部から切り離す。さらに、図３（ｄ）のように、曲げ金型７４、７５を用いて光半導体部５４側のリードをさらに折り曲げ、カット刃７９を用いて光半導体部５４側のリードを枠部から切り離すと、光モジュールが完成する。
本実施形態の光モジュール及び製造方法によれば、光半導体部５４と光学素子部６２との位置合わせ精度は、リードフレーム１０の加工精度に近づけることができる。また、成型体５０、６０の成型精度は高いので、光半導体素子４０を精度高くリードフレーム１０へ接着することにより、光半導体素子４０の光軸５２と、成型体５０、６０に形成されたレンズ曲面５０ａ、６０ａの光軸と、の位置合わせ精度を高く保つことが容易となり、量産性に富む製造方法とすることができる。
図４（ａ）〜図４（ｆ）は、製造工程の変形例の工程断面図である。
光半導体部５４は、第１のリードフレーム領域１１を用いて形成される（図４（ａ））。
また、光学素子部６２は、第２のリードフレーム領域１２を用いて形成される。すなわち、光半導体部５４と、光学素子部６２と、は異なるリードフレーム上に形成される。のちに、アウターリードが重ね合わせられ金属接合が可能なように、第１のリードフレーム領域１１、第２のリードフレーム領域１２、の少なくともいずれかに折り曲げ部を設けることがことが好ましい。本変形例では、図４（ｂ）のように、折り曲げ部１２ｄは第２のリードフレーム領域１２側に設けるものとする。
図４（ｃ）のように、第１のリードフレーム領域１１にＶＣＳＥＬ４０及び駆動ＩＣ４２を接着し、ワイヤボンディングを行う。また、図４（ｄ）のように、第２のリードフレーム領域１２にフォトダイオード４４を接着しワイヤボンディングを行う。
続いて、図４（ｅ）のように、第１のリードフレーム領域１１に第１の成型体５０を形成する。また、第２のリードフレーム領域１２に第２の成型体６０を形成する。図４（ｅ）及び図４（ｆ）の紙面の表面側が互いに対向するように、第１のリードフレーム領域１１と、第２のリードフレーム領域１２を重ね合わせ、ガイドピンなどを挿入しリード間で金属接合部を形成する。さらに、図３（ｃ）と同様に曲げ金型を用いて一方のリードを折り曲げたのち、他方のリードを枠部から切り離す。さらに、図３（ｄ）のように、別の金型を用いて一方のリードを折り曲げたのちこれを枠部から切り離す。このようにして、光モジュールは、それぞれのリードフレームから分離され、光モジュールとなる。
この変形例では、例えば第１の成型体５０に蛍光体粒子を分散配置し、第２の成型体６０には蛍光体粒子を配置しないレンズなどを形成することができる。
図５は、第２の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図である。
第２の成型体６０は凹部６０ｂなどの嵌合部を有している。この凹部６０ｂは、例えば上方からみてレンズ曲面６０ａの中心から四方へ均等となる位置に配置される。または、同心円状の溝などであってもよい。
他方、光モジュールはフェルールガイド部８０をさらに備えている。フェルールガイド部８０は、光ファイバー８２がその中心に固定されたフェルール８４を挿入可能な貫通孔及び嵌合部としての凸部８０ａを有している。すなわち、凸部８０ａと、第２の成型体６０に設けられた凹部６０ｂと、が嵌合される。なお、フェルールガイド部８０の嵌合部を凹部とし、第２の成型体６０の嵌合部を凸部としてもよい。このようにして、光ファイバー８２の光軸が、光半導体素子４０の光軸５２及び第２の成型体６０の光軸と精度よく合わせることが容易となる。
なお、光半導体部５４と、光学素子部６２と、にそれぞれレンズを設けた２群レンズ構造により、ＶＣＳＥＬ４０と光ファイバ８２のコアとの光結合効率を高めることが容易となる。
短距離伝送において、光ファイバ８２はマルチモードファイバとすることができる。マルチモードファイバは、例えば、コア径が９８０μｍのプラスチックでありクラッド径が１０００μｍのプラスチックであるＡＰＦ（All Plastic Fiber）とすることができる。または、マルチモードファイバーは、コア径が２００μｍの石英であるクラッド径が２３０μｍのＰＣＦ（Plastic Clad Fiber）とすることができる。なお、フェルールガイド部８０の内径は、例えば２．５ｍｍとすることができる。
このようにすると、コアと光半導体素子４０との間の光結合工程が容易となる。マルチモードファイバーの構造は、ステップインデックス型またはグレイデッドインデックス型とすることができる。
本実施形態の光モジュール製造方法では、光ファイバー８２と光素子４０との光軸合わせが容易となるので、量産性を高く保つことができ、結果として光モジュールの低価格が容易となる。
図６（ａ）は第３の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図、図６（ｂ）はその応用例を表す模式断面図である。第２の成型体６１は、光学素子部６２として凸レンズ曲面６１ａ及びプリズムとなるミラー面６１ｂを有している。
図６（ａ）のように、ＬＥＤ４０からの放出光は、凸レンズ曲面５０ａで集束されたのち、ミラー面６１ａにより略４５度折り曲げられ、その光路が変更される。この光モジュールを図６（ｂ）の配線基板９０に取り付けると、配線基板９０に設けられた光導波路９２へ放出光Ｇを入射させ、光を伝送することができる。配線基板９０に組み込まれたモジュールは、機器間、または機器内配線に用いることができる。このために、システムの小型化が容易となる。
また、第３の実施形態は側面型発光装置とすることができる。すなわち、光半導体素子４０として、窒化物系ＬＥＤを用い、第１の成型体５０には蛍光体粒子を分散配置する。また、光学素子部６２を構成する第２の成型体６１は、蛍光体粒子を含まず、かつフォトダイオード４４を有していない。このような光モジュールは、図４に表した変形例にかかる製造方法により容易に実現できる。
この光モジュールを基板に実装すると、プリズムとして機能する第２の成型体６１により、白色光の光路が変更され基板に沿って放出される。このために、白色光が、画像表示装置の導光板へ容易に入射できる。この場合、第１の成型体５０に設けられた凸レンズ曲面５０ａと、第２の成型体６１に設けられた凸レンズ曲面６１ａと、の少なくともいずれかの焦点距離を変化することにより、ＬＥＤの光路を変更しそのビーム広がりを制御することが容易となる。また、第１の成型体５０と、第２の成型体６１と、の距離を変化することにより、光路を変更しそのビーム広がりを制御することが容易となる。このようにして、ビーム広がり制御の自由度が増す。なお、白色光は図６（ｂ）の光導波路９２を介して導光板へ入射することも可能である。
図７は第４の実施形態にかかる光モジュールの模式断面図である。
配線基板９０には光導波路９２が設けられている。第２の成型体６０から集束された放出光Ｇは、光導波路９２に設けられたミラー９２ａにより折り曲げられて光導波路９２を矢印の方向に進む。光導波路９２へは、集束された光が入射されるので光損失を低減することができる。このために、光モジュールは、駆動電力が低減され、かつ機器間、及び機器内配線に用いることができる。
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明を構成する光半導体素子、光学素子、リードフレーム、成型体、フェルールガイド部などの材質、サイズ、形状、配置などに関して、当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り、本発明の範囲に包含される。
１０ リードフレーム、１０ａ、１０ｂ ガイド穴、１０ｃ 貫通孔、１１ 第１のリードフレーム領域、１２ 第２のリードフレーム領域、１４ 金属接合部、２０ 第１のリード、２３ 第２のリード、３０ 第３のリード、３３ 第４のリード、４０ 光半導体素子、５０ 第１の成型体、５４ 光半導体部、６０、６１ 第２の成型体、６２ 光学素子部

Claims (5)

  1. 第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向する第２のリードと、前記第１のリード上に接着された光半導体素子と、前記光半導体素子と前記第１のリードの前記一方の端部と前記第２のリードの前記一方の端部とが埋め込まれた第１の成型体と、を有する光半導体部と、
    第３のリードと、一方の端部が前記第３のリードの一方の端部と対向する第４のリードと、前記第３のリードの前記一方の端部と前記第４のリードの前記一方の端部とが埋め込まれ前記光半導体素子からの放出光及び前記光半導体素子の入射光の少なくともいずれかの光路を変更可能な第２の成型体と、を有する光学素子部と、
    を備え、
    前記第１のリードの他方の端部と前記第２のリードの他方の端部は、前記第１の成型体から互いに反対方向にそれぞれ突出し、
    前記第３のリードの他方の端部と前記第４のリードの他方の端部は、前記第２の成型体から互いに反対方向にそれぞれ突出し、
    前記突出した前記第１のリードと前記突出した前記第３のリードとが接合された金属接合部が形成され、
    前記突出した前記第２のリードと前記突出した前記第４のリードとが接合された金属接合部が形成され、
    前記第１及び第２のリードと、前記第３及び第４のリードと、のうちの少なくともいずれかは外に向かって凸となる折り曲げ部を有することを特徴とする光モジュール。
  2. 前記第２の成型体と嵌合された嵌合部と、光ファイバを挿入可能な貫通孔と、を有するフェルールガイド部をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  3. 前記第２の成型体は、前記光半導体素子が接着された面と略平行になるように前記光半導体素子の前記光路を変更可能とすることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  4. 第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向する第２のリードと、前記第１及び第２のリードを支持する枠部と、を有する第１のリードフレーム領域の前記第１のリード上に光半導体素子を接着する工程と、
    前記第１のリードの前記一方の端部、前記第２のリードの前記一方の端部、及び前記光半導体素子が埋め込まれ、前記第１のリードの他方の端部及び前記第２のリードの他方の端部が互いに反対方向に突出するように第１の成型体を形成する工程と、
    第３のリードと、一方の端部が前記第３の一方の端部と対向する第４のリードと、前記第３及び第４のリードを支持する枠部と、を有する第２のリードフレーム領域において、前記第３のリードの前記一方の端部及び前記第４のリードの一方の端部が埋め込まれ、前記第３のリードの他方の端部と前記第４のリードの他方の端部とが互いに反対方向に突出するように第２の成型体を形成する工程と、
    前記第１のリードフレーム領域の前記枠部に設けられたガイド穴と、前記第２のリードフレーム領域の前記枠部に設けられたガイド穴と、の位置を合わせつつ、前記第１及び第３のリードと、前記第２及び第４のリードと、を接合して金属接合部を形成する工程と、
    前記第１のリードフレーム領域の前記枠部から前記第１及び第２のリードをそれぞれ切り離す工程と、
    前記第２のリードフレーム領域の前記枠部から前記第３及び第４のリードをそれぞれ切り離す工程と、
    を備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法。
  5. 前記第１のリードフレーム領域と前記第２のリードフレーム領域とは、前記枠部を共有しつつ隣接して設けられ、
    前記金属接合部を形成する工程は、前記枠部を折り曲げることにより前記第１のリードフレーム領域と前記第２のリードフレーム領域とを重ね合わせる工程を含むことを特徴とする請求項４記載の光モジュールの製造方法。
JP2009126952A 2009-05-26 2009-05-26 光モジュール及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5292184B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009126952A JP5292184B2 (ja) 2009-05-26 2009-05-26 光モジュール及びその製造方法
US12/564,274 US8113725B2 (en) 2009-05-26 2009-09-22 Optical module and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009126952A JP5292184B2 (ja) 2009-05-26 2009-05-26 光モジュール及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010278085A true JP2010278085A (ja) 2010-12-09
JP5292184B2 JP5292184B2 (ja) 2013-09-18

Family

ID=43220316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009126952A Expired - Fee Related JP5292184B2 (ja) 2009-05-26 2009-05-26 光モジュール及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8113725B2 (ja)
JP (1) JP5292184B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7493992B2 (ja) 2020-04-23 2024-06-03 三和テクノロジーズ株式会社 光受信装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5094636B2 (ja) * 2008-08-25 2012-12-12 新光電気工業株式会社 光電気配線用パッケージ
US8506872B2 (en) * 2009-05-29 2013-08-13 Stanley Electric Co., Ltd. Method for manufacturing resin mold assembly
KR101176950B1 (ko) * 2010-09-17 2012-08-30 주식회사 유나이브 부품의 수동 정렬을 구현하는 광 송수신 장치 및 부품의 수동 정렬방법
KR101144665B1 (ko) * 2010-09-20 2012-05-24 옵티시스 주식회사 파장 분할 다중화 및 역다중화 장치
US8714838B2 (en) * 2012-06-15 2014-05-06 Unive Co., Ltd. Optical subassembly for passive alignment and method of aligning the same
US10295768B2 (en) * 2016-07-08 2019-05-21 Finisar Corporation Chip on leadframe optical subassembly
US20180315894A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and a method of manufacturing the same
JP2022050209A (ja) * 2020-09-17 2022-03-30 住友電気工業株式会社 光モジュール及び光コネクタケーブル
JP2022152161A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63148906U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
JPH10242532A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ及びそのユニット
JPH11163411A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Dowa Mining Co Ltd 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11186609A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP2007520890A (ja) * 2004-02-06 2007-07-26 バーンズ グループ インコーポレーテッド リードフレームの上にオーバーモールドされたレンズ、およびリードフレームの上にレンズをオーバーモールドする方法
JP2008085347A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Lg Electronics Inc レンズ、その製造方法及びこれを用いた発光素子パッケージ
JP2008300553A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 I-Chiun Precision Industry Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのフレーム組合せ部材の製造方法及びその構造
JP2009016369A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Rohm Co Ltd 受光モジュール

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2334141A (en) * 1998-01-30 1999-08-11 Northern Telecom Ltd Semiconductor device packaging
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
DE19861162A1 (de) * 1998-11-06 2000-06-29 Harting Elektrooptische Bauteile Gmbh & Co Kg Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie Leiterplatte
JP2004242166A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
DE102004051379A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung für ein optoelektronisches Bauteil und Bauelement mit einem optoelektronischen Bauteil und einer Vorrichtung
JP2007180275A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 光半導体装置および電子機器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63148906U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
JPH10242532A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ及びそのユニット
JPH11163411A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Dowa Mining Co Ltd 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11186609A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP2007520890A (ja) * 2004-02-06 2007-07-26 バーンズ グループ インコーポレーテッド リードフレームの上にオーバーモールドされたレンズ、およびリードフレームの上にレンズをオーバーモールドする方法
JP2008085347A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Lg Electronics Inc レンズ、その製造方法及びこれを用いた発光素子パッケージ
JP2008300553A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 I-Chiun Precision Industry Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのフレーム組合せ部材の製造方法及びその構造
JP2009016369A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Rohm Co Ltd 受光モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7493992B2 (ja) 2020-04-23 2024-06-03 三和テクノロジーズ株式会社 光受信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20100303405A1 (en) 2010-12-02
JP5292184B2 (ja) 2013-09-18
US8113725B2 (en) 2012-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5292184B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法
JP4690963B2 (ja) 多チャンネル光モジュールの製造方法
JP4559327B2 (ja) レンズを用いた光モジュールのアラインメント方法およびその方法で作成した光モジュール
JP5265025B2 (ja) 光結合構造および光送受信モジュール
US8774576B2 (en) Optical module and method for manufacturing the same
JP6011958B2 (ja) 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール
US20110080657A1 (en) Optical module
JP2004086137A (ja) 光トランシーバ及びその製造方法
JP2003329892A (ja) 光送受信モジュール及びこれを用いた光通信システム
US10018791B2 (en) Multi-channel optical subassembly and method of manufacturing the same
JP2010237642A (ja) 光結合構造および光送受信モジュール
KR20110081783A (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
JP2007072307A (ja) 光モジュール
JP2010049170A (ja) 光電気配線用パッケージ及び光導波路付リードフレーム
JP2010078806A (ja) 光モジュール、光伝送装置及び面型光素子
US8888381B2 (en) Optical module base and optical module
JP2008109048A (ja) 光半導体装置及び光伝送装置
JP2015031814A (ja) レンズ部品および光モジュール。
WO2016151813A1 (ja) 光伝送モジュールおよび内視鏡
JP2009253086A (ja) 発光モジュール
JP3819143B2 (ja) 光結合系、光モジュール、および光伝送システム
JPH1010374A (ja) 受発光機構素子および光通信素子とその製造方法
KR20120016033A (ko) 집적형 두 파장 광 송신 모듈
JP2009008767A (ja) 光モジュール
JP5764306B2 (ja) 光接続部の作製方法及びアクティブコネクタの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110907

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130515

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130610

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees