JP2022152161A - 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ - Google Patents
発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022152161A JP2022152161A JP2021054828A JP2021054828A JP2022152161A JP 2022152161 A JP2022152161 A JP 2022152161A JP 2021054828 A JP2021054828 A JP 2021054828A JP 2021054828 A JP2021054828 A JP 2021054828A JP 2022152161 A JP2022152161 A JP 2022152161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- layer
- emitting device
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1042—Optical microcavities, e.g. cavity dimensions comparable to the wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/16—Cooling; Preventing overheating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/20—Lamp housings
- G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
- G03B21/2013—Plural light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/20—Lamp housings
- G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
- G03B21/2033—LED or laser light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/20—Lamp housings
- G03B21/2066—Reflectors in illumination beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0652—Coherence lowering or collapse, e.g. multimode emission by additional input or modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
- H01S5/2013—MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
- H01S5/04253—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
- H01S5/2027—Reflecting region or layer, parallel to the active layer, e.g. to modify propagation of the mode in the laser or to influence transverse modes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】積層体の、平面視において第1電極の外縁と重なる部分から出射される光を遮光することができる発光装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板に設けられ、発光層を有する積層体と、前記積層体の前記基板とは反対側で前記積層体に接し、前記発光層に電流を注入する第1電極と、前記第1電極と電気的に接続され、前記発光層で発生する光に対して遮光性を有する配線層と、を有し、前記配線層には、前記積層体から出射された光が通過する第1開口部が設けられ、前記第1開口部は、平面視において、前記第1電極の外縁の内側に位置している、発光装置。【選択図】図1
Description
本発明は、発光装置、プロジェクター、およびディスプレイに関する。
半導体レーザーは、高輝度の次世代光源として期待されている。特に、ナノコラムを適用した半導体レーザーは、ナノコラムによるフォトニック結晶の効果によって、狭放射角で高出力の発光が実現できると期待されている。
例えば特許文献1には、n型AlGaNなどのn型クラッド層を含む微細柱状結晶と、活性層と、p型AlGaNなどのp型クラッド層を含むp型半導体層とからなる複数のナノコラムを備えた半導体光素子アレイが記載されている。複数のナノコラム上には、p側電極が設けられている。
複数のナノコラムを有する半導体光素子アレイでは、平面視においてp側電極の外縁と重なるナノコラムが存在する。このようなナノコラムは、例えば、p側電極を形成する際のオーバーエッチングによって削れてしまう場合がある。
本発明に係る発光装置の一態様は、
基板と、
前記基板に設けられ、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記基板とは反対側で前記積層体に接し、前記発光層に電流を注入する第1電極と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記発光層で発生する光に対して遮光性を有する配線層と、
を有し、
前記配線層には、前記積層体から出射された光が通過する第1開口部が設けられ、
前記第1開口部は、平面視において、前記第1電極の外縁の内側に位置している。
基板と、
前記基板に設けられ、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記基板とは反対側で前記積層体に接し、前記発光層に電流を注入する第1電極と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記発光層で発生する光に対して遮光性を有する配線層と、
を有し、
前記配線層には、前記積層体から出射された光が通過する第1開口部が設けられ、
前記第1開口部は、平面視において、前記第1電極の外縁の内側に位置している。
本発明に係るプロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
前記発光装置の一態様を有する。
本発明に係るディスプレイの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
前記発光装置の一態様を有する。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1. 発光装置
1.1. 全体の構成
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI-I線断面図である。
1.1. 全体の構成
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI-I線断面図である。
発光装置100は、図1および図2に示すように、例えば、基板10と、積層体20と、絶縁層40と、第1電極50と、第2電極60と、第3電極70と、配線層80と、を有している。なお、便宜上、図2では、第2電極60の図示を省略している。発光装置100は、例えば、半導体レーザーである。
基板10は、例えば、Si基板、GaN基板、サファイア基板、SiC基板などである。
積層体20は、基板10に設けられている。図1に示す例では、積層体20は、基板10上に設けられている。積層体20は、例えば、バッファー層22と、柱状部30と、を有している。
本明細書では、積層体20の積層方向(以下、単に「積層方向」ともいう)において、発光層34を基準とした場合、発光層34から第2半導体層36に向かう方向を「上」とし、発光層34から第1半導体層32に向かう方向を「下」として説明する。また、積層方向と直交する方向を「面内方向」ともいう。また、「積層体20の積層方向」とは、柱状部30の第1半導体層32と発光層34との積層方向のことである。また、「平面視において」とは、積層方向からみた場合のことである。
バッファー層22は、基板10上に設けられている。バッファー層22は、第1導電型の半導体層である。バッファー層22は、例えば、Siがドープされたn型のGaN層である。図示はしないが、バッファー層22上には、柱状部30を形成するためのマスク層が設けられている。マスク層は、例えば、酸化シリコン層、チタン層、酸化チタン層、酸化アルミニウム層などである。
柱状部30は、バッファー層22上に設けられている。柱状部30は、バッファー層22から上方に突出した柱状の形状を有している。言い換えれば、柱状部30は、バッファー層22を介して基板10から上方に突出している。柱状部30は、例えば、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。柱状部30の平面形状は、例えば、多角形、円である。
柱状部30の径は、例えば、50nm以上500nm以下である。柱状部30の径を500nm以下とすることによって、高品質な結晶の発光層34を得ることができ、かつ、発光層34に内在する歪を低減することができる。これにより、発光層34で発生する光を高い効率で増幅することができる。
なお、「柱状部の径」とは、柱状部30の平面形状が円の場合は、直径であり、柱状部30の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の直径である。例えば、柱状部30の径は、柱状部30の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の直径であり、柱状部30の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の直径である。
柱状部30は、複数設けられている。隣り合う柱状部30の間隔は、例えば、1nm以上500nm以下である。複数の柱状部30は、平面視において、所定の方向に所定のピッチで配列されている。複数の柱状部30は、例えば、三角格子状、正方格子状に配置されている。複数の柱状部30は、フォトニック結晶の効果を発現することができる。
なお、「柱状部のピッチ」とは、所定の方向に沿って隣り合う柱状部30の中心間の距離である。「柱状部の中心」とは、柱状部30の平面形状が円の場合は、該円の中心であり、柱状部30の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の中心である。例えば、柱状部30の中心は、柱状部30の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の中心であり、柱状部30の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の中心である。
柱状部30は、第1半導体層32と、発光層34と、第2半導体層36と、を有している。
第1半導体層32は、バッファー層22上に設けられている。第1半導体層32は、基板10と発光層34との間に設けられている。第1半導体層32は、第1導電型の半導体層である。第1半導体層32は、例えば、Siがドープされたn型のGaN層である。
発光層34は、第1半導体層32上に設けられている。発光層34は、第1半導体層32と第2半導体層36との間に設けられている。発光層34は、電流が注入されることで光を発生させる。発光層34は、例えば、ウェル層と、バリア層と、を有している。ウェル層およびバリア層は、不純物が意図的にドープされていないi型の半導体層である。ウェル層は、例えば、InGaN層である。バリア層は、例えば、GaN層である。発光層34は、ウェル層とバリア層とから構成されたMQW(Multiple Quantum Well)構造を有している。
なお、発光層34を構成するウェル層およびバリア層の数は、特に限定されない。例えば、ウェル層は、1層だけ設けられていてもよく、この場合、発光層34は、SQW(Single Quantum Well)構造を有している。
第2半導体層36は、発光層34上に設けられている。第2半導体層36は、第1導電型と異なる第2導電型の半導体層である。第2半導体層36は、例えば、Mgがドープされたp型のGaN層である。第1半導体層32および第2半導体層36は、発光層34に光を閉じ込める機能を有するクラッド層である。
なお、図示はしないが、第1半導体層32と発光層34との間、および発光層34と第2半導体層36との間の少なくとも一方に、i型のInGaN層およびGaN層からなるOCL(Optical Confinement Layer)が設けられていてもよい。また、第2半導体層36は、p型のAlGaN層からなるEBL(Electron Blocking Layer)を有してもよい。
発光装置100では、p型の第2半導体層36、i型の発光層34、およびn型の第1半導体層32により、pinダイオードが構成される。発光装置100では、第1電極50と第3電極70との間に、pinダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層34に電流が注入されて発光層34において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層34で発生した光は、面内方向に伝搬し、複数の柱状部30によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成して、発光層34で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置100は、+1次回折光および-1次回折光をレーザー光として、積層方向に出射する。
なお、図示はしないが、基板10とバッファー層22との間、または基板10の下に反射層が設けられていてもよい。該反射層は、例えば、DBR(Distributed Bragg Reflector)層である。該反射層によって、発光層34において発生した光を反射させることができ、発光装置100は、第1電極50側からのみ光を出射することができる。
絶縁層40は、積層体20を覆っている。図示の例では、絶縁層40は、バッファー層22の一部、複数の柱状部30の一部、および第1電極50の一部を覆っている。絶縁層40の厚さは、例えば、1μm以上である。絶縁層40は、例えば、ポリイミド層、酸化シリコン層などである。
第1電極50は、第2半導体層36上に設けられている。第1電極50は、第2半導体層36と電気的に接続されている。第2半導体層36は、第1電極50とオーミックコンタクトしていてもよい。
第2電極60は、第1電極50上および絶縁層40上に設けられている。第1電極50および第2電極60は、発光層34に電流を注入するための一方の電極である。第1電極50および第2電極60の詳細については、後述する。
第3電極70は、バッファー層22上に設けられている。バッファー層22は、第3電極70とオーミックコンタクトしていてもよい。第3電極70は、第1半導体層32と電気的に接続されている。図示の例では、第3電極70は、バッファー層22を介して、第1半導体層32と電気的に接続されている。第3電極70は、発光層34に電流を注入するための他方の電極である。第3電極70は、例えば、バッファー層22側から、Cr層、Ni層が積層された積層体である。
配線層80は、第2電極60上および絶縁層40上に設けられている。配線層80は、第2電極60を介して、第1電極50と電気的に接続されている。配線層80の詳細については、後述する。
なお、上記では、InGaN系の発光層34について説明したが、発光層34としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、AlGaN系、AlGaAs系、InGaAs系、InGaAsP系、InP系、GaP系、AlGaP系などの半導体材料を用いることができる。
また、上記では、隣り合う柱状部30の間には、空隙が設けられていたが、積層体20は、隣り合う柱状部30の間に、発光層34で発生した光を伝搬させる光伝搬層を有していてもよい。光伝搬層は、例えば、酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化チタン層である。
また、上記では、積層体20が複数の柱状部30を有する例について説明したが、積層体20は、複数の柱状部30を有さず、膜状の第1半導体層32、膜状の発光層34、および膜状の第2半導体層36によって構成されていてもよい。
また、発光装置100は、レーザーに限らず、LED(Light Emitting Diode)であってもよい。
1.2. 配線層および電極等
配線層80には、第1開口部82が設けられている。図2に示す例では、第1開口部82の形状は、円である。第1開口部82は、配線層80の側面84によって規定されている。第1開口部82は、配線層80を貫通している。第1開口部82は、積層体20から出射された光が通過する開口部である。図示の例では、配線層80は、リング状の形状であるリング状部86と、リング状部86から外側に延出する延出部88と、を有している。図示はしないが、延出部88は、例えば、ワイヤーボンディング、またはFPC(Flexible printed circuits)と接続されている。
配線層80には、第1開口部82が設けられている。図2に示す例では、第1開口部82の形状は、円である。第1開口部82は、配線層80の側面84によって規定されている。第1開口部82は、配線層80を貫通している。第1開口部82は、積層体20から出射された光が通過する開口部である。図示の例では、配線層80は、リング状の形状であるリング状部86と、リング状部86から外側に延出する延出部88と、を有している。図示はしないが、延出部88は、例えば、ワイヤーボンディング、またはFPC(Flexible printed circuits)と接続されている。
配線層80は、発光層34で発生する光に対して遮光性を有している。そのため、配線層80は、積層体20から出射された光を遮光する。配線層80は、積層体20から出射された光を透過させない。配線層80の発光層34で発生する光に対する透過率は、第1電極50の発光層34で発生する光に対する透過率よりも低い。
配線層80の抵抗率は、第2電極60の抵抗率よりも低い。配線層80は、金属配線層である。配線層80は、例えば、絶縁層40側から、Cr層、Ni層、Au層が積層された積層体である。Cr層の厚さは、例えば、20nmである。Ni層の厚さは、例えば、30nmである。Au層の厚さは、例えば、200nmである。配線層80の厚さが200nm以上であれば、積層体20から出射された光を、より確実に遮光することができる。
絶縁層40には、第2開口部42が設けられている。図2に示す例では、第2開口部42の形状は、円である。第2開口部42は、絶縁層40を貫通している。第2開口部42は、絶縁層40の側面44によって規定されている。さらに、第2開口部42の底面は、第1電極50の上面によって規定されている。側面44には、第2電極60が設けられている。図示の例では、配線層80は、第2開口部42に設けられていない。平面視において、第2開口部42の面積は、第1開口部82の面積よりも小さく、第2開口部42の全ては、第1開口部82と重なっている。
第1電極50は、積層体20の基板10とは反対側に設けられている。第1電極50は、積層体20に接している。第1電極50は、積層体20と第2電極60との間に設けられている。
ここで、図3は、第1電極50の側面52近傍を模式的に示す断面図である。便宜上、図3では、柱状部30および第1電極50以外の部材の図示を省略している。図3に示すように、複数の柱状部30のうちの第1柱状部30aは、第1電極50に覆われている部分と、第1電極50に覆われていない部分と、を有している。第1柱状部30aは、第1電極50の側面52の下に設けられている。第1柱状部30aは、平面視において、第1電極50の外縁54と重なっている。第1柱状部30aの全ては、平面視において、配線層80と重なっている。第1開口部82および第2開口部42は、図2に示すように、平面視において、外縁54の内側に位置している。外縁54は、平面視において、配線層80と重なっている。図示の例では、外縁54の全ては、平面視において、配線層80と重なっている。第1電極50の側面52は、例えば、外縁54を構成している。
第1電極50の抵抗率は、第2電極60の抵抗率よりも低い。第1電極50は、積層体20から出射された光を透過させる。第1電極50の厚さは、例えば、5nm以上50nm以下であり、好ましくは10nm以上30nm以下である。第1電極50の厚さが5nm以上であれば、抵抗を低くすることができる。第1電極50の厚さが50nm以下であれば、発光層34で発生した光に対する透過率を高くすることができる。
第1電極50は、例えば、第2半導体層36側から、Pd層、Pt層、Au層が積層された積層体である。Pd層の厚さは、例えば、5nmである。Pt層の厚さは、例えば、5nmである。Au層の厚さは、例えば、10nmである。なお、第1電極50は、第2半導体層36側から、Ni層、Au層が積層された積層体であってもよい。
第2電極60は、第1電極50に接している。第2電極60は、積層体20と接していない。第2電極60は、第2開口部42に設けられている。図示の例では、第2電極60は、絶縁層40の上面、第2開口部42を規定する絶縁層40の側面44、および第1電極50の上面に設けられている。第2電極60は、第2開口部42によって露出された第1電極50と接続されている。第2電極60の平面形状は、例えば、円である。
第2電極60の発光層34で発生する光に対する透過率は、第1電極50の発光層34で発生する光に対する透過率よりも高い。第2電極60は、例えば、発光層34で発生する光に対して透明である。第2電極60の厚さは、例えば、100nm以上500nm以下であり、好ましくは250nm以上350nm以下である。第2電極60の厚さが100nm以上であれば、抵抗を低くすることができる。第2電極60の厚さが500nm以下であれば、発光層34で発生した光に対する透過率を高くすることができる。第2電極60の材質は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)である。
1.3. 作用効果
発光装置100では、基板10に設けられ、発光層34を有する積層体20と、積層体20の基板10とは反対側で積層体20に接し、発光層34に電流を注入する第1電極50と、第1電極50と電気的に接続され、発光層34で発生する光に対して遮光性を有する配線層80と、を有する。配線層80には、積層体20から出射された光が通過する第1開口部82が設けられ、第1開口部82は、平面視において、第1電極50の外縁54の内側に位置している。
発光装置100では、基板10に設けられ、発光層34を有する積層体20と、積層体20の基板10とは反対側で積層体20に接し、発光層34に電流を注入する第1電極50と、第1電極50と電気的に接続され、発光層34で発生する光に対して遮光性を有する配線層80と、を有する。配線層80には、積層体20から出射された光が通過する第1開口部82が設けられ、第1開口部82は、平面視において、第1電極50の外縁54の内側に位置している。
そのため、発光装置100では、配線層80によって、積層体20の平面視において外縁54と重なる部分(図示の例では第1柱状部30a)から出射される光を遮光することができる。積層体20の平面視において外縁54と重なる部分は、例えば、第1電極50を形成する際のオーバーエッチングによって削れてしまう場合がある。そのため、積層体20の平面視において外縁54と重なる部分から出射される光は、例えば、波長がずれたり、発光強度が低下したりする場合がある。発光装置100では、このような光を配線層80で遮光し、第1開口部82によって発光装置100から出射される光を規定することができるため、波長のずれや発光強度の低下が発生する可能性を小さくすることができる。
発光装置100では、積層体20は、複数の柱状部30を有し、複数の柱状部30の各々は、第1導電型の第1半導体層32と、第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層36と、第1半導体層32と第2半導体層36との間に設けられた発光層34と、を有する。そのため、発光装置100では、積層体が複数の柱状部を有さず、膜状の発光層を有している場合に比べて、発光層34に内在する歪を低減することができる。
発光装置100では、複数の柱状部30のうちの第1柱状部30aは、平面視において、第1電極50の外縁54と重なっている。発光装置100では、例えば、第1柱状部30aが第1電極50を形成する際のオーバーエッチングによって削れたとしても、配線層80によって第1柱状部30aから出射される光を遮光することができる。
発光装置100では、第1電極50に設けられた第2電極60を有し、配線層80は、第2電極60を介して、第1電極50と電気的に接続され、第1電極50の抵抗率は、第2電極60の抵抗率よりも低く、第2電極60の発光層34で発生する光に対する透過率は、第1電極50の発光層34で発生する光に対する透過率よりも高い。そのため、発光装置100では、第1電極50および第2電極60で構成される電極構造体と積層体20との接触抵抗を低減させつつ、電極構造体の発光層34で発生する光に対する透過率を高くすることができる。
2. 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4~図6は、本実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、本実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4~図6は、本実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
図4に示すように、基板10上に、バッファー層22をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法などが挙げられる。
次に、バッファー層22上に、図示せぬマスク層を形成する。マスク層は、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタ法によって形成させる。
次に、マスク層をマスクとしてバッファー層22上に、第1半導体層32、発光層34、および第2半導体層36を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、MOCVD法、MBE法などが挙げられる。本工程により、複数の柱状部30を有する積層体20を形成することができる。
図5に示すように、積層体20上に第1電極50を形成する。第1電極50は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタ法によって形成される。次に、第1電極50上に所定形状のレジスト層90を形成する。レジスト層90は、フォトリソグラフィーによって形成される。次に、レジスト層90をマスクとして、レジスト層90に覆われていない第1電極50をエッチングする。本工程のエッチングは、例えば、ドライエッチングである。本工程では、レジスト層90に覆われていない第1電極50を完全に除去するために、オーバーエッチングを行う。そのため、レジスト層90に覆われていない柱状部30の一部は、エッチングされる。
図6に示すように、レジスト層90を除去した後、積層体20および第1電極50を覆うように絶縁層40を形成する。絶縁層40は、例えば、CVD法、スピンコート法によって形成される。次に、絶縁層40をパターニングして、第2開口部42を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
図1に示すように、第1電極50上および絶縁層40上に、第2電極60を形成する。第2電極60は、例えば、CVD法、スパッタ法によって形成される。
次に、第2電極60上および絶縁層40上に、配線層80を形成する。配線層80は、例えば、CVD法、スパッタ法によって形成される。次に、配線層80をパターニングして、第1開口部82を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
次に、バッファー層22上に、第3電極70を形成する。第3電極70は、例えば、CVD法、スパッタ法によって形成される。なお、第2電極60および第3電極70の形成順序は、特に限定されない。また、第3電極70および配線層80の形成順序は、特に限定されない。
以上の工程により、発光装置100を製造することができる。
なお、上記では、第1電極50を、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって形成される例について説明したが、第1電極50は、リフトオフ法によって形成されてもよい。第1電極50をリフトオフ法で形成すると、第1電極50の外縁54近傍は、厚さが小さくなる可能性がある。したがって、第1電極50をリフトオフ法で形成する場合でも、積層体20の平面視において外縁54と重なる部分から出射される光は、配線層80によって遮光されることが好ましい。
3. 発光装置の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図7は、本実施形態の変形例に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。図8は、本実施形態の変形例に係る発光装置200を模式的に示す平面図である。なお、図7は、図8のVII-VII線断面図である。また、便宜上、図8では、第2電極60の図示を省略している。
次に、本実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図7は、本実施形態の変形例に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。図8は、本実施形態の変形例に係る発光装置200を模式的に示す平面図である。なお、図7は、図8のVII-VII線断面図である。また、便宜上、図8では、第2電極60の図示を省略している。
以下、本実施形態の変形例に係る発光装置200において、上述した本実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した発光装置100では、図1に示すように、配線層80は、第2開口部42に設けられていなかった。これに対し、発光装置200では、図7に示すように、配線層80は、第2開口部42に設けられている。
発光装置200では、配線層80は、第2電極60を介して、絶縁層40の側面44に設けられている。図8に示すように、平面視において、第1開口部82の面積は、第2開口部42の面積よりも小さく、第1開口部82の全ては、第2開口部42と重なっている。
発光装置200では、積層体20を覆う絶縁層40を有し、絶縁層40には、第2開口部42が設けられ、第2開口部42は、平面視において、第1電極50の外縁54の内側に設けられ、第2電極60は、第2開口部42を規定する絶縁層40の側面44に設けられ、配線層80は、第2電極60を介して、側面44に設けられ、配線層80の抵抗率は、第2電極60の抵抗率よりも低い。そのため、発光装置200では、配線層が第2電極を介して絶縁層の側面に設けられていない場合に比べて、抵抗率が低い配線層80と、第1電極50と、の間の距離を小さくすることができる。これにより、効率よく発光層34に電流を注入することができる。
4. プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態に係るプロジェクター800を模式的に示す図である。
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態に係るプロジェクター800を模式的に示す図である。
プロジェクター800は、例えば、光源として、発光装置100を有している。
プロジェクター800は、図示しない筐体と、筐体内に備えられている赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する赤色光源100R、緑色光源100G、青色光源100Bと、を有している。なお、便宜上、図9では、赤色光源100R、緑色光源100G、および青色光源100Bを簡略化している。
プロジェクター800は、さらに、筐体内に備えられている、第1光学素子802Rと、第2光学素子802Gと、第3光学素子802Bと、第1光変調装置804Rと、第2光変調装置804Gと、第3光変調装置804Bと、投射装置808と、を有している。第1光変調装置804R、第2光変調装置804G、および第3光変調装置804Bは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置808は、例えば、投射レンズである。
赤色光源100Rから出射された光は、第1光学素子802Rに入射する。赤色光源100Rから出射された光は、第1光学素子802Rによって集光される。なお、第1光学素子802Rは、集光以外の機能を有していてもよい。後述する第2光学素子802Gおよび第3光学素子802Bについても同様である。
第1光学素子802Rによって集光された光は、第1光変調装置804Rに入射する。第1光変調装置804Rは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置808は、第1光変調装置804Rによって形成された像を拡大してスクリーン810に投射する。
緑色光源100Gから出射された光は、第2光学素子802Gに入射する。緑色光源100Gから出射された光は、第2光学素子802Gによって集光される。
第2光学素子802Gによって集光された光は、第2光変調装置804Gに入射する。第2光変調装置804Gは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置808は、第2光変調装置804Gによって形成された像を拡大してスクリーン810に投射する。
青色光源100Bから出射された光は、第3光学素子802Bに入射する。青色光源100Bから出射された光は、第3光学素子802Bによって集光される。
第3光学素子802Bによって集光された光は、第3光変調装置804Bに入射する。第3光変調装置804Bは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置808は、第3光変調装置804Bによって形成された像を拡大してスクリーン810に投射する。
また、プロジェクター800は、第1光変調装置804R、第2光変調装置804G、および第3光変調装置804Bから出射された光を合成して投射装置808に導くクロスダイクロイックプリズム806を有することができる。
第1光変調装置804R、第2光変調装置804G、および第3光変調装置804Bによって変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム806に入射する。クロスダイクロイックプリズム806は、4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射装置808によりスクリーン810上に投射され、拡大された画像が表示される。
なお、赤色光源100R、緑色光源100G、および青色光源100Bは、発光装置100を映像の画素として画像情報に応じて制御することで、第1光変調装置804R、第2光変調装置804G、および第3光変調装置804Bを用いずに、直接的に映像を形成してもよい。そして、投射装置808は、赤色光源100R、緑色光源100G、および青色光源100Bによって形成された映像を、拡大してスクリーン810に投射してもよい。
また、上記の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス(Digital Micro Mirror Device)が挙げられる。また、投射装置の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源を、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置の光源装置にも適用することが可能である。
5. ディスプレイ
次に、本実施形態に係るディスプレイについて、図面を参照しながら説明する。図10は、本実施形態に係るディスプレイ900を模式的に示す平面図である。図11は、本実施形態に係るディスプレイ900を模式的に示す断面図である。なお、図10には、便宜上、互いに直交する2つの軸として、X軸およびY軸を図示している。
次に、本実施形態に係るディスプレイについて、図面を参照しながら説明する。図10は、本実施形態に係るディスプレイ900を模式的に示す平面図である。図11は、本実施形態に係るディスプレイ900を模式的に示す断面図である。なお、図10には、便宜上、互いに直交する2つの軸として、X軸およびY軸を図示している。
ディスプレイ900は、例えば、光源として、発光装置100を有している。
ディスプレイ900は、画像を表示する表示装置である。画像には、文字情報のみを表示するものが含まれる。ディスプレイ900は、自発光型のディスプレイである。ディスプレイ900は、図10および図11に示すように、回路基板910と、レンズアレイ920と、ヒートシンク930と、を有している。
回路基板910には、発光装置100を駆動させるための駆動回路が搭載されている。駆動回路は、例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)などを含む回路である。駆動回路は、例えば、入力された画像情報に基づいて、発光装置100を駆動させる。図示はしないが、回路基板910上には、回路基板910を保護するための透光性の基板が配置されている。
回路基板910は、表示領域912と、データ線駆動回路914と、走査線駆動回路916と、制御回路918と、を有している。
表示領域912は、複数の画素Pで構成されている。画素Pは、図示の例では、X軸およびY軸に沿って配列されている。
図示はしないが、回路基板910には、複数の走査線と複数のデータ線が設けられている。例えば、走査線はX軸に沿って延び、データ線はY軸に沿って延びている。走査線は、走査線駆動回路916に接続されている。データ線は、データ線駆動回路914に接続されている。走査線とデータ線の交点に対応して画素Pが設けられている。
1つの画素Pは、例えば、1つの発光装置100と、1つのレンズ922と、図示しない画素回路と、を有している。画素回路は、画素Pのスイッチとして機能するスイッチング用トランジスターを含み、スイッチング用トランジスターのゲートが走査線に接続され、ソースまたはドレインの一方がデータ線に接続されている。
データ線駆動回路914および走査線駆動回路916は、画素Pを構成する発光装置100の駆動を制御する回路である。制御回路918は、画像の表示を制御する。
制御回路918には、上位回路から画像データが供給される。制御回路918は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路914および走査線駆動回路916に供給する。
走査線駆動回路916が走査信号をアクティブにすることで走査線が選択されると、選択された画素Pのスイッチング用トランジスターがオンになる。このとき、データ線駆動回路914が、選択された画素Pにデータ線からデータ信号を供給することで、選択された画素Pの発光装置100がデータ信号に応じて発光する。
レンズアレイ920は、複数のレンズ922を有している。レンズ922は、例えば、1つの発光装置100に対して、1つ設けられている。発光装置100から出射された光は、1つのレンズ922に入射する。
ヒートシンク930は、回路基板910に接触している。ヒートシンク930の材質は、例えば、銅、アルミニウムなどの金属である。ヒートシンク930は、発光装置100で発生した熱を、放熱する。
上述した実施形態に係る発光装置は、プロジェクターやディスプレイ以外にも用いることが可能である。プロジェクターやディスプレイ以外の用途には、例えば、屋内外の照明、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機器等の光源がある。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。
発光装置の一態様は、
基板と、
前記基板に設けられ、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記基板とは反対側で前記積層体に接し、前記発光層に電流を注入する第1電極と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記発光層で発生する光に対して遮光性を有する配線層と、
を有し、
前記配線層には、前記積層体から出射された光が通過する第1開口部が設けられ、
前記第1開口部は、平面視において、前記第1電極の外縁の内側に位置している。
基板と、
前記基板に設けられ、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記基板とは反対側で前記積層体に接し、前記発光層に電流を注入する第1電極と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記発光層で発生する光に対して遮光性を有する配線層と、
を有し、
前記配線層には、前記積層体から出射された光が通過する第1開口部が設けられ、
前記第1開口部は、平面視において、前記第1電極の外縁の内側に位置している。
この発光装置によれば、積層体の、平面視において第1電極の外縁と重なる部分から出射される光を遮光することができる。
発光装置の一態様において、
前記積層体は、複数の柱状部を有し、
前記複数の柱状部の各々は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた前記発光層と、
を有してもよい。
前記積層体は、複数の柱状部を有し、
前記複数の柱状部の各々は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた前記発光層と、
を有してもよい。
この発光装置によれば、発光層に内在する歪を低減することができる。
発光装置の一態様において、
前記複数の柱状部のうちの第1柱状部は、平面視において、前記第1電極の前記外縁と重なっていてもよい。
前記複数の柱状部のうちの第1柱状部は、平面視において、前記第1電極の前記外縁と重なっていてもよい。
この発光装置によれば、配線層によって第1柱状部から出射される光を遮光することができる。
発光装置の一態様において、
前記第1電極に設けられた第2電極を有し、
前記配線層は、前記第2電極を介して、前記第1電極と電気的に接続され、
前記第1電極の抵抗率は、前記第2電極の抵抗率よりも低く、
前記第2電極の前記発光層で発生する光に対する透過率は、前記第1電極の前記発光層で発生する光に対する透過率よりも高くてもよい。
前記第1電極に設けられた第2電極を有し、
前記配線層は、前記第2電極を介して、前記第1電極と電気的に接続され、
前記第1電極の抵抗率は、前記第2電極の抵抗率よりも低く、
前記第2電極の前記発光層で発生する光に対する透過率は、前記第1電極の前記発光層で発生する光に対する透過率よりも高くてもよい。
この発光装置によれば、第1電極および第2電極で構成される電極構造体と積層体との接触抵抗を低減させつつ、電極構造体の発光層で発生する光に対する透過率を高くすることができる。
発光装置の一態様において、
前記積層体を覆う絶縁層を有し、
前記絶縁層には、第2開口部が設けられ、
前記第2開口部は、平面視において、前記第1電極の前記外縁の内側に設けられ、
前記第2電極は、前記第2開口部を規定する前記絶縁層の側面に設けられ、
前記配線層は、前記第2電極を介して、前記側面に設けられ、
前記配線層の抵抗率は、前記第2電極の抵抗率よりも低くてもよい。
前記積層体を覆う絶縁層を有し、
前記絶縁層には、第2開口部が設けられ、
前記第2開口部は、平面視において、前記第1電極の前記外縁の内側に設けられ、
前記第2電極は、前記第2開口部を規定する前記絶縁層の側面に設けられ、
前記配線層は、前記第2電極を介して、前記側面に設けられ、
前記配線層の抵抗率は、前記第2電極の抵抗率よりも低くてもよい。
この発光装置によれば、配線層と第1電極との間の距離を小さくすることができる。これにより、効率よく発光層に電流を注入することができる。
プロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
前記発光装置の一態様を有する。
ディスプレイの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
前記発光装置の一態様を有する。
10…基板、20…積層体、22…バッファー層、30…柱状部、30a…第1柱状部、32…第1半導体層、34…発光層、36…第2半導体層、40…絶縁層、42…第2開口部、44…側面、50…第1電極、52…側面、54…外縁、60…第2電極、70…第3電極、80…配線層、82…第1開口部、84…側面、86…リング状部、88…延出部、90…レジスト層、100…発光装置、100R…赤色光源、100G…緑色光源、100B…青色光源、200…発光装置、800…プロジェクター、802R…第1光学素子、802G…第2光学素子、802B…第3光学素子、804R…第1光変調装置、804G…第2光変調装置、804B…第3光変調装置、806…クロスダイクロイックプリズム、808…投射装置、810…スクリーン、900…ディスプレイ、910…回路基板、912…表示領域、914…データ線駆動回路、916…走査線駆動回路、918…制御回路、920…レンズアレイ、922…レンズ、930…ヒートシンク
Claims (7)
- 基板と、
前記基板に設けられ、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記基板とは反対側で前記積層体に接し、前記発光層に電流を注入する第1電極と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記発光層で発生する光に対して遮光性を有する配線層と、
を有し、
前記配線層には、前記積層体から出射された光が通過する第1開口部が設けられ、
前記第1開口部は、平面視において、前記第1電極の外縁の内側に位置している、発光装置。 - 請求項1において、
前記積層体は、複数の柱状部を有し、
前記複数の柱状部の各々は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた前記発光層と、
を有する、発光装置。 - 請求項2において、
前記複数の柱状部のうちの第1柱状部は、平面視において、前記第1電極の前記外縁と重なっている、発光装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1電極に設けられた第2電極を有し、
前記配線層は、前記第2電極を介して、前記第1電極と電気的に接続され、
前記第1電極の抵抗率は、前記第2電極の抵抗率よりも低く、
前記第2電極の前記発光層で発生する光に対する透過率は、前記第1電極の前記発光層で発生する光に対する透過率よりも高い、発光装置。 - 請求項4において、
前記積層体を覆う絶縁層を有し、
前記絶縁層には、第2開口部が設けられ、
前記第2開口部は、平面視において、前記第1電極の前記外縁の内側に設けられ、
前記第2電極は、前記第2開口部を規定する前記絶縁層の側面に設けられ、
前記配線層は、前記第2電極を介して、前記側面に設けられ、
前記配線層の抵抗率は、前記第2電極の抵抗率よりも低い、発光装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発光装置を有する、ディスプレイ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021054828A JP2022152161A (ja) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ |
CN202210309741.2A CN115149390A (zh) | 2021-03-29 | 2022-03-28 | 发光装置、投影仪以及显示器 |
US17/705,635 US20220310880A1 (en) | 2021-03-29 | 2022-03-28 | Light Emitting Device, Projector, And Display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021054828A JP2022152161A (ja) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022152161A true JP2022152161A (ja) | 2022-10-12 |
Family
ID=83365121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021054828A Pending JP2022152161A (ja) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220310880A1 (ja) |
JP (1) | JP2022152161A (ja) |
CN (1) | CN115149390A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7230901B2 (ja) * | 2020-12-18 | 2023-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6750423B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2003152220A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
WO2005015647A1 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-17 | Vichel Inc. | Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same |
US7132677B2 (en) * | 2004-02-13 | 2006-11-07 | Dongguk University | Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same |
TWI500072B (zh) * | 2004-08-31 | 2015-09-11 | Sophia School Corp | 發光元件之製造方法 |
US7842963B2 (en) * | 2006-10-18 | 2010-11-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical contacts for a semiconductor light emitting apparatus |
JP5292184B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2013-09-18 | 株式会社東芝 | 光モジュール及びその製造方法 |
WO2010140404A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | コニカミノルタオプト株式会社 | 面発光半導体レーザ、光記録ヘッド及び光記録装置 |
WO2018129428A1 (en) * | 2017-01-09 | 2018-07-12 | Danesh Fariba | Light emitting diodes with integrated reflector for a direct view display and method of making thereof |
US10340659B1 (en) * | 2018-06-14 | 2019-07-02 | Conary Enterprise Co., Ltd. | Electronically pumped surface-emitting photonic crystal laser |
JP7353299B2 (ja) * | 2018-11-20 | 2023-09-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光デバイス及び発光装置 |
TWI791116B (zh) * | 2019-06-18 | 2023-02-01 | 光環科技股份有限公司 | 垂直共振腔面射雷射結構 |
JP7056628B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2022-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP7136020B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2022-09-13 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP2021057443A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
JP7424038B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2024-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
JP2022086232A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置およびプロジェクター |
-
2021
- 2021-03-29 JP JP2021054828A patent/JP2022152161A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-28 CN CN202210309741.2A patent/CN115149390A/zh active Pending
- 2022-03-28 US US17/705,635 patent/US20220310880A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220310880A1 (en) | 2022-09-29 |
CN115149390A (zh) | 2022-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7008295B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP7136020B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP6999877B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP7056628B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022011468A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
US20220310880A1 (en) | Light Emitting Device, Projector, And Display | |
JP7320794B2 (ja) | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ | |
JP2023041230A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022096789A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022063970A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022081925A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
US20220311210A1 (en) | Light Emitting Device, Projector, And Display | |
US20230283044A1 (en) | Light-emitting device, projector, and display | |
JP2023121271A (ja) | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ | |
US20230098065A1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof, projector, and display | |
US20230090522A1 (en) | Light-emitting device, projector, and display | |
JP2023086378A (ja) | 発光装置、プロジェクター、ディスプレイ、および発光装置の製造方法 | |
JP2023025741A (ja) | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ | |
US20240030681A1 (en) | Light-emitting device, projector, display, and head-mounted display | |
US11803115B2 (en) | Light-emitting device and projector | |
JP2023128375A (ja) | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ | |
JP2022154022A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2023094009A (ja) | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ | |
JP2022154048A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2023128721A (ja) | 発光装置、プロジェクター、ディスプレイ、およびヘッドマウントディスプレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20210915 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20211104 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240306 |