JP2010251719A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極6を形成する。エミッタ電極6として、第1のアルミニウム膜61および第1のニッケル膜62が形成される。次いで、半導体基板1の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極9を形成する。コレクタ電極9として、第2のアルミニウム膜91および第2のニッケル膜92が形成される。次いで、エミッタ電極6の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極6の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極6の表面を活性化する。次いで、半導体基板1のエミッタ電極6およびコレクタ電極9の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。
【選択図】図1
Description
タキシャル基板を用いずにFZ基板を用いて作製されるため、PT型IGBTに比べて安価である。
般的である。電気めっき法は、外部電流を供給することにより溶液中の金属イオンを還元析出させる方法である。一方、無電解めっき法は、電気を使用することなく、溶液中の金属イオンを化学的に還元析出する方法である。そのため、無電解めっき法を用いためっき処理は、対極や直流電源などの電気回路を必要とする電気めっき法よりも、製造装置や製造工程を簡略化することができる。
0mlである。例11のエッチング条件は、数秒〜数分である。例12の材質は、ニッケル珪化物である。例12の材質のエッチング液組成は、蒸留水を80ml、濃度65wt%の硝酸を30ml、および濃度40wt%のフッ酸を10mlである。例12のエッチング条件は、数秒〜数分である。例13の材質は、ニッケルチタン合金である。例13の材質のエッチング液組成は、蒸留水を100ml、濃度65wt%の硝酸を25ml、および濃度40wt%のフッ酸を10mlである。例13のエッチング条件は、5〜30秒である。例14の材質は、モリブデンを9at%以上含むニッケル基合金である。例14の材質のエッチング液組成は、蒸留水を50ml、二硫化水素アンモニウムを7g、濃度32wt%の塩酸を50ml、および二硫化カリウムを0.5gである。例14のエッチング条件は、めっき浴の温度30〜40℃とし、5〜10分である。
2 p+ベース領域
3 n+エミッタ領域
4 ゲート酸化膜
5 ゲート電極
6 エミッタ電極
7 層間絶縁膜
11 ニッケルめっき膜
12 置換金めっき膜
61 アルミニウム膜(第1)
62 ニッケル膜(第1)
91 アルミニウム膜(第2)
92 ニッケル膜(第2)
Claims (17)
- 半導体基板のおもて面に第1の金属膜を形成する第1の金属膜形成工程と、
前記第1の金属膜の表面に第2の金属膜を形成する第2の金属膜形成工程と、
前記第2の金属膜の表面を活性化する表面活性化工程と、
湿式めっき法により、前記第2の金属膜の表面にめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、を含み、
前記第2の金属膜形成工程では、前記第2の金属膜として、前記めっき膜形成工程で用いられるめっき浴に添加される還元剤の酸化反応速度を速める第1の物質を主成分とする金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の金属膜に、エッチングによりパターンを形成する第2のパターン形成工程と、
前記第1の金属膜に、エッチングによりパターンを形成する第1のパターン形成工程と、をさらに含み、
前記第2の金属膜形成工程と前記表面活性化工程との間で前記第2のパターン形成工程を行い、
前記第2のパターン形成工程と前記表面活性化工程との間で前記第1のパターン形成工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の金属膜に、エッチングによりパターンを形成する第1のパターン形成工程と、
前記第2の金属膜に、エッチングによりパターンを形成する第2のパターン形成工程と、をさらに含み、
前記第1の金属膜形成工程と前記第2の金属膜形成工程との間で前記第1のパターン形成工程を行い、
前記第2の金属膜形成工程と前記表面活性化工程との間で前記第2のパターン形成工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記表面活性化工程は、前記第2の金属膜の表面の酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記めっき膜形成工程は、前記第2の金属膜の表面に、第1のめっき膜を形成する工程を含み、
前記第1のめっき膜として、前記めっき浴に添加される還元剤の酸化反応速度を速める第2の物質を主成分とするめっき膜を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の物質はニッケルであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記めっき膜形成工程は、前記第1のめっき膜の表面に、第2のめっき膜を形成する工程をさらに含み、
前記第2のめっき膜として、前記第1のめっき膜との間で置換反応を起こす第3の物質を主成分とするめっき膜を形成することを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3の物質は金であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の金属膜を蒸着法またはスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の金属膜は、アルミニウムを主成分とする膜であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の金属膜をアルミニウムシリコンまたはアルミニウムシリコン銅で形成することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の金属膜は、高融点を有する第3の金属膜と、前記第1の物質を主成分とする膜とがこの順に積層された金属積層膜であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の金属膜をチタン、モリブデン、クロム、コバルトまたはタングステンで形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の物質は、ニッケルであることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記湿式めっき法は、無電解めっき法であることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の金属膜形成工程と前記表面活性化工程との間に、前記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する裏面電極形成工程、をさらに含み、
前記第1の金属膜形成工程および前記第2の金属膜形成工程では、前記半導体基板のおもて面におもて面電極として、前記第1の金属膜および前記第2の金属膜を形成し、
前記めっき膜形成工程では、前記おもて面電極の表面および前記裏面電極の表面に、同時に前記めっき膜を形成することを特徴とする請求項1〜15のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の金属膜形成工程と前記裏面電極形成工程との間に、前記半導体基板の裏面を加工して基板厚さを200μm以下に薄くする基板薄化工程、をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013194291A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその半導体装置の製造方法 |
WO2014156791A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016162975A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017059636A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2017103404A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2017126767A (ja) * | 2017-03-06 | 2017-07-20 | 富士電機株式会社 | 縦型トレンチigbtおよびその製造方法 |
JP2017188544A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6239203B1 (ja) * | 2017-03-16 | 2017-11-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019047045A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2020025134A (ja) * | 2015-09-15 | 2020-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2022186192A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子、電力変換装置および半導体素子の製造方法 |
WO2023058377A1 (ja) * | 2021-10-05 | 2023-04-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP7275407B1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-05-17 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置、電力変換装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9062388B2 (en) * | 2010-08-19 | 2015-06-23 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling and monitoring the potential |
DE102011112659B4 (de) * | 2011-09-06 | 2022-01-27 | Vishay Semiconductor Gmbh | Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement |
US8518765B1 (en) * | 2012-06-05 | 2013-08-27 | Intermolecular, Inc. | Aqua regia and hydrogen peroxide HCl combination to remove Ni and NiPt residues |
FR3002545B1 (fr) * | 2013-02-22 | 2016-01-08 | Alchimer | Procede de formation d'un siliciure metallique a l'aide d'une solution contenant des ions or et des ions fluor |
CN106062960B (zh) * | 2014-09-30 | 2019-12-10 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
DE102015104570B4 (de) | 2015-03-26 | 2019-07-11 | Infineon Technologies Ag | Leistungs-chip und chipanordnung |
JP6736902B2 (ja) | 2016-02-12 | 2020-08-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE112016007388B4 (de) | 2016-10-28 | 2022-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
WO2019176466A1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置 |
JP7189846B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2022-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および金属の積層方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148331A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2001274191A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2005019798A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Denso Corp | モールド型半導体装置及びその製造方法 |
JP2005019830A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005079462A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007019412A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008258511A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5468597A (en) * | 1993-08-25 | 1995-11-21 | Shipley Company, L.L.C. | Selective metallization process |
US6278153B1 (en) * | 1998-10-19 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Thin film capacitor formed in via |
JP3601432B2 (ja) | 2000-10-04 | 2004-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2003013246A (ja) | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の電極の製造方法 |
JP2003110064A (ja) | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP4647159B2 (ja) | 2001-09-21 | 2011-03-09 | シチズンホールディングス株式会社 | 無電解めっき皮膜の形成方法 |
US7862860B2 (en) * | 2001-11-29 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Materials and methods for immobilization of catalysts on surfaces and for selective electroless metallization |
JP3948377B2 (ja) | 2002-09-12 | 2007-07-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 圧接型半導体装置 |
JP2004221416A (ja) | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Toyota Industries Corp | 半導体装置の製造方法及びその半導体装置 |
JP3831846B2 (ja) | 2003-06-09 | 2006-10-11 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6890758B2 (en) | 2003-06-13 | 2005-05-10 | Eci Technology, Inc. | Measurement of complexing agent concentration in an electroless plating bath |
JP3829860B2 (ja) | 2004-01-30 | 2006-10-04 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
JP2006005166A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
EP1693484A3 (en) * | 2005-02-15 | 2007-06-20 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Plating Method |
JP2007036211A (ja) | 2005-06-20 | 2007-02-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2007005368A (ja) | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7732330B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same |
-
2010
- 2010-03-04 JP JP2010048272A patent/JP5707709B2/ja active Active
- 2010-03-22 US US12/659,816 patent/US8198104B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148331A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2001274191A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2005019798A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Denso Corp | モールド型半導体装置及びその製造方法 |
JP2005019830A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005079462A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007019412A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008258511A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013194291A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその半導体装置の製造方法 |
US10355089B2 (en) | 2013-03-29 | 2019-07-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
WO2014156791A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017157851A (ja) * | 2013-03-29 | 2017-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016162975A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017059636A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020025134A (ja) * | 2015-09-15 | 2020-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2017103404A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2017188544A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017126767A (ja) * | 2017-03-06 | 2017-07-20 | 富士電機株式会社 | 縦型トレンチigbtおよびその製造方法 |
KR102184252B1 (ko) | 2017-03-16 | 2020-11-30 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
KR20190116414A (ko) | 2017-03-16 | 2019-10-14 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
DE112017007238T5 (de) | 2017-03-16 | 2019-12-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiteranordnung |
WO2018167925A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6239203B1 (ja) * | 2017-03-16 | 2017-11-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10998436B2 (en) | 2017-03-16 | 2021-05-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2019047045A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP7013735B2 (ja) | 2017-09-05 | 2022-02-01 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US11245013B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-02-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device having a step film formed between a plating film and a first electrode |
WO2022186192A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子、電力変換装置および半導体素子の製造方法 |
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WO2023127023A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置、電力変換装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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