JP2010219554A - 半導体装置及びそれを用いた電子制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1主面に回路が配置された基板1と、前記基板1の前記第1主面に設けられ、ワイヤボンディング2にて前記回路との間で電気的接続された半導体素子6と、前記基板の内部に設けられ、前記半導体素子6と電気的接続された金属コア層1aと、前記基板1の前記第1主面とは反対側の第2主面に設けられた複数の導電性バンプ7と、少なくとも前記半導体素子6及び前記基板1の前記第1主面側を封止した熱硬化性封止樹脂5と、前記第2主面に設けられ、前記金属コア層1aと電気的に接続された金属部材とを備え、前記基板1の内部には、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通するスルーホール1bが設けられ、前記スルーホール1bは、前記金属コア層と電気的に接続するように構成すればよい。
【選択図】図1
Description
1d上にNi―Au系のめっき1eが施されている。また、半導体素子6が実装される金属コア層1aの上には、Ni−Au系めっき1eが施されている。
Claims (9)
- 第1主面に回路が配置された基板と、
前記基板の前記第1主面に設けられ、ワイヤボンディングにて前記回路との間で電気的
接続された半導体素子と、
前記基板の内部に設けられ、前記半導体素子と電気的接続された金属コア層と、
前記基板の前記第1主面とは反対側の第2主面に設けられた複数の導電性バンプと、
少なくとも前記半導体素子及び前記基板の前記第1主面側を封止した熱硬化性封止樹脂
と、
前記第2主面に設けられ、前記金属コア層と電気的に接続された金属部材とを備え、
前記基板の内部には、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通するスルーホールが設
けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記スルーホールは、前記金属コア層と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記基板の前記第1主面にはザグリが設けられており、
前記半導体素子は、前記ザグリの内部に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記導電性バンプと前記金属コア層との間にザグリを配置し、該導電性バンプが該金属
コア層と直接接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体素子と前記金属コア層は、導電性接着剤を用いて電気的接続されていること
を特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記金属コア層をグランド電位として用いることを特徴とした半導体構造。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記導電性バンプは、鉛フリーのはんだバンプであることを特徴とする半導体装置。 - 第1主面に回路が配置された基板と、
前記基板の前記第1主面には凹部上の溝が設けられ、前記凹部の溝内に配置された半導体素子と、
前記基板の内部に設けられ、前記半導体素子と電気的接続された金属コア層と、
前記基板の前記第1主面とは反対側の第2主面に設けられた複数の導電性バンプと、
前記第2主面に設けられ、前記金属コア層と電気的に接続された金属部材とを備え、
前記基板において、前記第1主面と前記第2主面との間にスルーホールが設けられ、前記スルーホールが前記導電性バンプと前記金属コア層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置において、
前記半導体素子及び前記基板の前記第1主面側を全体的に封止した熱硬化性封止樹脂を備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010128411A JP5358515B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 半導体装置及びそれを用いた電子制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005355531A Division JP2007158279A (ja) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 半導体装置及びそれを用いた電子制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219554A true JP2010219554A (ja) | 2010-09-30 |
JP5358515B2 JP5358515B2 (ja) | 2013-12-04 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010128411A Active JP5358515B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 半導体装置及びそれを用いた電子制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5358515B2 (ja) |
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JP5358515B2 (ja) | 2013-12-04 |
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