JP2010186166A - 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 - Google Patents
原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010186166A JP2010186166A JP2009290867A JP2009290867A JP2010186166A JP 2010186166 A JP2010186166 A JP 2010186166A JP 2009290867 A JP2009290867 A JP 2009290867A JP 2009290867 A JP2009290867 A JP 2009290867A JP 2010186166 A JP2010186166 A JP 2010186166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- auxiliary pattern
- original
- auxiliary
- original data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 27
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】原版データ生成方法は、目標パターンが投影光学系の物体面に配置されたときに前記投影光学系の像面に形成される空中像に基づいて前記主パターンを決定するステップと、前記目標パターンまたは前記主パターンが前記物体面に配置されたときに前記像面に形成される空中像に基づいて前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンを決定するステップ(S51、S52、S53、S54)と、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンが重なり合う場合に、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンの一方を削除し、または、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンの一方または双方を変形させるステップ(S55)とを含む。
【選択図】図1B
Description
露光装置は、その投影光学系のNAが0.93であり、露光光の波長が193nmとした。投影光学系は無収差で、露光光(原版を照明する光)は無偏光とした。さらに、レジストは考慮しなかった。目標パターンは、図5(A)のような光透過型孤立ラインパターンで、線幅が65nm、長さが1300nmであるものとした。図5A(A)に示すラインパターンにおいて、長方形内部の透過率は1とし、背景の透過率は0とし、目標パターンの位相はすべて0°とした。これは、以後のすべての実施例で同じである。長方形の重心を原点とし、短辺に沿った方向にx軸、長辺に沿った方向にy軸を定義する。また、有効光源(照明光学系の瞳に形成される光強度分布)は、図5(B)のような四重極照明とした。図5(B)において、白線の円はσ=1を表し、白抜き部は光照射部であり、光照射部が4箇所ある。以下、これに特に言及しない限り、図5(B)に示される有効光源を用いることとする。
EAPSM(embedded attenuated phase−shift mask)と呼ばれる組込・減衰型の位相シフトマスクに対して実施例1を応用した場合について以下に示す。実施例1の原版の光遮光部を一般にハーフトーン膜と呼ばれるわずかな透過率をもつ膜(たとえばモリブデンシリサイドなど)に置き換えたものがEAPSMに相当する。露光条件および目標パターンを実施例1と同じとし、背景透過率を6%として近似空中像を求めると図13のようになる。この近似空中像から実施例1と同様の方法で目標パターンの変形と一辺40nmの補助パターンの配置を行った結果の原版パターンを図14(B)に示す。また、図14(A)に、実施例1と同様に短軸方向に平行移動して目標パターンと重なる位相180°の補助パターンだけを削除した結果を示す。図15に、図14(B)の原版パターンからの厳密計算によって得られた二次元像を示し、図16(A)にラインの終端から20nm内側の位置における線幅、図16(B)にライン終端の長手方向のNILSを示す。EAPSMにおいても位相180°の補助パターンによりコントラストおよび焦点深度が向上することがわかる。加えて、目標パターンをその短軸方向に平行移動して重なる位置にある位相180°の補助パターンだけを削除することにより過剰な補正が低減し、CDがより均一になることがわかる。
露光条件を実施例1と同じとし、目標パターンは図17に示すような光透過型の3本のラインパターンで、線幅が65nm、長さが1300nm、短軸方向の間隔が130nmとする。これに対し実施例1に記載の条件から近似空中像を求めると図18(A)のようになる。また、ライン間の短軸方向の間隔を65nmに変えた場合の同様の近似空中像を求めると図18(B)のようになる。パターン密集度により近似空中像が変化し、その結果として補助パターンの配置も変化することがわかる。前述の間隔が130nmの場合に戻り、実施例1と同様の方法で目標パターンの変形と一辺40nmの補助パターンの配置を行った結果の原版パターンを図19(B)に示す。このとき、位相180°の補助パターンは中心ラインの両側1列だけに限定している。また、図19(A)に、実施例1と同様に目標パターンの短軸方向に平行移動して目標パターンと重なる位置にある位相180°の補助パターンだけを削除した結果を示す。図20に、図19(B)のマスクパターンからの厳密計算によって得られた二次元像を示し、図21(A)に中心ラインの終端から20nm内側の位置における線幅、図21(B)に中心ライン終端の長手方向のNILSを示す。実施例1の場合と異なり、位相180°の補助パターンを目標パターン間にも入れた方が特性が向上することがわかる。
露光条件を実施例1と同じとし、目標パターンは図22に示すような光透過型の5本のラインパターンで、線幅が65nm、長さは中心ラインが1300nm、他は650nm、短軸方向の間隔が65nmとする。ここで、一方のライン終端は5本とも一直線状になる配置とする。これに対して、実施例1と同様に、目標パターンと実施例1に記載の条件とに従って近似空中像を求めると図23のようになる。実施例1と同様の方法で目標パターンの変形と一辺40nmの補助パターンの配置を行った結果の原版パターンを図24(B)に示す。また図24(A)に、実施例1と同様に目標パターンの短軸方向に平行移動して目標パターンと重なる位置にある位相180°の補助パターンだけを削除した結果を示す。図25に、これらの原版パターンからの厳密計算によって得られた二次元像を示し、図26(A)に中心ラインの孤立(図の下)側の終端から20nm内側の位置における線幅、図26(B)に中心ラインの孤立側終端の長手方向のNILSを示す。短軸方向に目標パターンと重なる位相180°の補助パターンだけを削除するとコントラストおよび焦点深度が向上し、ライン終端の線幅の細りが低減されることがわかる。
露光条件を実施例1と同じとし、目標パターンは図27に示すような線幅が65nm、長さが1300nmの光透過型の2本のラインをL字に接続したパターンとする。これに対して、実施例1と同様に、目標パターンと実施例1に記載の条件に従って近似空中像を求めると図28のようになる。実施例1と同様の方法で目標パターンの変形と一辺40nmの補助パターンの配置を行った結果の原版パターンを図29(B)に示す。また図29(A)に、実施例1と同様に目標パターンの各ラインを短軸方向に平行移動して重なる位置にある位相180°の補助パターンだけを削除した結果を示す。図30に、この原版パターンからの厳密計算によって得られた二次元像を示し、図31(A)にラインの終端から20nm内側の位置における線幅を、図31(B)にライン終端の長手方向のNILSを示す。位相180°の補助パターンは削除しない方が特性が向上することがわかる。
有効光源以外の露光条件を実施例1と同じとし、目標パターンは図32(A)に示すような光透過型の3本のラインパターンで、線幅が65nm、長さが1300nm、短軸方向の間隔が65nmとする。また有効光源は図32(B)のようなクロスポール照明とする。これに対して、実施例1と同様に、目標パターンと上記条件から近似空中像を求めると図33のようになる。実施例1と同様の方法で目標パターンの変形と一辺40nmの補助パターンの配置を行った結果の原版パターンを図34(B)に示す。また図34(A)に、実施例1と同様に目標パターンの各ラインを短軸方向に平行移動して重なる位置にある位相180°の補助パターンだけを削除した結果を示す。図35に、図34(A)の原版パターンからの厳密計算によって得られた二次元像を示し、図36(A)にラインの終端から20nm内側の位置における線幅を、図36(B)にライン終端の長手方向のNILSを示す。位相180°の補助パターンは削除しない方が特性が向上することがわかる。
Claims (8)
- 原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において用いられる前記原版を製作するための原版データを生成する原版データ生成方法であって、
前記原版のパターンは、主パターンと、第1補助パターンと、第2補助パターンとを含み、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンは、解像されないパターンであり、前記第1補助パターンを透過した光と前記主パターンを透過した光とは同位相であり、前記第2補助パターンを透過した光と前記主パターンを透過した光とは互いに180°の位相差を有し、
前記原版データ生成方法は、
目標パターンが前記投影光学系の物体面に配置されたときに前記投影光学系の像面に形成される空中像に基づいて前記主パターンを決定するステップと、
前記目標パターンまたは前記主パターンが前記物体面に配置されたときに前記像面に形成される空中像に基づいて前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンを決定するステップと、
前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンが重なり合う場合に、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンの一方を削除し、または、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンの一方または双方を変形させるステップと、
を含むことを特徴とする原版データ生成方法。 - 前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンが重なり合う場合に前記第2補助パターンが削除される、
ことを特徴とする請求項1に記載の原版データ生成方法。 - 前記第1補助パターンの配置可能領域が前記第2補助パターンの配置可能領域を包含するという配置ルールに従って前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンが配置される、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の原版データ生成方法。 - 前記主パターンが長辺および短辺を有する長方形のパターンである場合において、前記第2補助パターンは、前記長辺と交差する長方形の禁止領域には配置されない、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の原版データ生成方法。 - 前記禁止領域は、前記目標パターンの密集度に応じて決定される、
ことを特徴とする請求項4に記載の原版データ生成方法。 - 前記禁止領域は、前記原版を照明する照明条件に応じて決定される、
ことを特徴とする請求項4に記載の原版データ生成方法。 - 原版を製作する原版製作方法であって、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の原版データ生成方法に従って原版データを生成するステップと、
前記原版データに従って原版を製作するステップと、
を含むことを特徴とする原版製作方法。 - 原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において用いられる前記原版を製作するための原版データをコンピュータに生成させるための原版データ生成プログラムであって、
前記原版のパターンは、主パターンと、第1補助パターンと、第2補助パターンとを含み、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンは、解像されないパターンであり、前記第1補助パターンを透過した光と前記主パターンを透過した光とは同位相であり、前記第2補助パターンを透過した光と前記主パターンを透過した光とは互いに180°の位相差を有し、
前記原版データ生成プログラムは、前記コンピュータに、
目標パターンが前記投影光学系の物体面に配置されたときに前記投影光学系の像面に形成される空中像に基づいて前記主パターンを決定するステップと、
前記目標パターンまたは前記主パターンが前記物体面に配置されたときに前記像面に形成される空中像に基づいて前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンを決定するステップと、
前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンが重なり合う場合に、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンの一方を削除し、または、前記第1補助パターンおよび前記第2補助パターンの一方または双方を変形させるステップと、
を含む処理を実行させることを特徴とする原版データ生成プログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009290867A JP5607348B2 (ja) | 2009-01-19 | 2009-12-22 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
US12/685,275 US8247141B2 (en) | 2009-01-19 | 2010-01-11 | Method of generating reticle data, memory medium storing program for generating reticle data and method of producing reticle |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009009361 | 2009-01-19 | ||
JP2009009361 | 2009-01-19 | ||
JP2009290867A JP5607348B2 (ja) | 2009-01-19 | 2009-12-22 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010186166A true JP2010186166A (ja) | 2010-08-26 |
JP5607348B2 JP5607348B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=42337220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009290867A Active JP5607348B2 (ja) | 2009-01-19 | 2009-12-22 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8247141B2 (ja) |
JP (1) | JP5607348B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9857676B2 (en) | 2013-05-27 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and program product for designing source and mask for lithography |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8293546B2 (en) * | 2008-06-17 | 2012-10-23 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Integrated circuit system with sub-geometry removal and method of manufacture thereof |
JP5607308B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データ生成プログラムおよび方法 |
JP5607348B2 (ja) | 2009-01-19 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
CN103713471B (zh) * | 2012-10-08 | 2016-03-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种关键尺寸测试的校正装置和方法 |
JP6192372B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-09-06 | キヤノン株式会社 | マスクパターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 |
JP6418606B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2018-11-07 | 東芝メモリ株式会社 | パターン輪郭抽出装置、パターン輪郭抽出方法およびパターン輪郭抽出プログラム |
CN113325662B (zh) * | 2020-02-28 | 2024-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 辅助图形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相关设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09297388A (ja) * | 1996-05-01 | 1997-11-18 | Nec Corp | 露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法 |
JP2002055434A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | フォトマスク・レイアウトにサブレゾルーション・アシスト・フィーチャを組み込む方法 |
JP2004520622A (ja) * | 2001-04-18 | 2004-07-08 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | 分解能向上技術の適用に優先順位を付ける方法及び装置 |
JP2005026701A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Asml Masktools Bv | デバイスレイアウトを用いるna−シグマ露光設定および散乱バーopcの同時最適化の方法、プログラム製品、および装置 |
JP2008040470A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Canon Inc | 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US680765A (en) * | 1897-04-09 | 1901-08-20 | Cottrell C B & Sons Co | Mechanical movement. |
US6670080B2 (en) * | 1998-07-21 | 2003-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask pattern creating method and mask pattern creating apparatus |
US6563566B2 (en) * | 2001-01-29 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle |
JP4607380B2 (ja) | 2001-07-23 | 2011-01-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン検出方法、パターン検査方法およびパターン修正、加工方法 |
JP4615156B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2011-01-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法,光近接補正された露光データの生成装置,及び光近接補正された露光データの露光装置 |
TW530336B (en) * | 2001-08-21 | 2003-05-01 | Asml Masktools Bv | Lithographic method and lithographic apparatus |
TWI272448B (en) * | 2002-07-26 | 2007-02-01 | Asml Masktools Bv | Orientation dependent shielding for use with dipole illumination techniques |
KR100719154B1 (ko) * | 2003-01-14 | 2007-05-17 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 콘택홀 마스크를 위한 광근접성보정설계 방법 |
US7608468B1 (en) * | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
US7550235B2 (en) * | 2003-09-05 | 2009-06-23 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing model based placement of phase-balanced scattering bars for sub-wavelength optical lithography |
SG125970A1 (en) | 2003-12-19 | 2006-10-30 | Asml Masktools Bv | Feature optimization using interference mapping lithography |
US7506299B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-03-17 | Asml Holding N.V. | Feature optimization using interference mapping lithography |
AU2003300005A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-03 | International Business Machines Corporation | Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method |
US7743358B2 (en) * | 2005-04-29 | 2010-06-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Apparatus and method for segmenting edges for optical proximity correction |
US7395516B2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-07-01 | Cadence Design Systems, Inc. | Manufacturing aware design and design aware manufacturing |
US7512928B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Sub-resolution assist feature to improve symmetry for contact hole lithography |
US7493589B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-02-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process |
JP4995261B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-08-08 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | パターン化ビームの総合変調を持つ粒子ビーム露光装置 |
KR100780775B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2007-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기 조립 더미 패턴이 삽입된 회로 레이아웃을 이용한반도체 소자 제조 방법 |
US8214775B2 (en) * | 2007-09-14 | 2012-07-03 | Luminescent Technologies, Inc. | System for determining repetitive work units |
EP2040120B1 (en) * | 2007-09-19 | 2011-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, device fabrication method, and program |
JP5233219B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2013-07-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及びフォトマスクの設計方法 |
JP4402145B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 算出方法、生成方法、プログラム、露光方法及び原版作成方法 |
JP5106220B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 原版データ生成プログラム、原版データ生成方法、照明条件決定プログラム、照明条件決定方法およびデバイス製造方法 |
JP5300354B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2013-09-25 | キヤノン株式会社 | 生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム |
JP2010165856A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Canon Inc | 決定方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
JP5607348B2 (ja) | 2009-01-19 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
JP5665398B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
NL2005523A (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Selection of optimum patterns in a design layout based on diffraction signature analysis. |
JP5662762B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 有効光源を算出する方法及びプログラム、露光方法並びにデバイス製造方法 |
-
2009
- 2009-12-22 JP JP2009290867A patent/JP5607348B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-11 US US12/685,275 patent/US8247141B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09297388A (ja) * | 1996-05-01 | 1997-11-18 | Nec Corp | 露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法 |
JP2002055434A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | フォトマスク・レイアウトにサブレゾルーション・アシスト・フィーチャを組み込む方法 |
JP2004520622A (ja) * | 2001-04-18 | 2004-07-08 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | 分解能向上技術の適用に優先順位を付ける方法及び装置 |
JP2005026701A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Asml Masktools Bv | デバイスレイアウトを用いるna−シグマ露光設定および散乱バーopcの同時最適化の方法、プログラム製品、および装置 |
JP2008040470A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Canon Inc | 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9857676B2 (en) | 2013-05-27 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and program product for designing source and mask for lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5607348B2 (ja) | 2014-10-15 |
US20100183959A1 (en) | 2010-07-22 |
US8247141B2 (en) | 2012-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100993851B1 (ko) | 원판 데이터 작성방법, 원판 작성방법, 노광방법, 디바이스제조방법, 및 원판 데이터를 작성하기 위한 컴퓨터 판독가능한 기억매체 | |
JP5607348B2 (ja) | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 | |
JP4402145B2 (ja) | 算出方法、生成方法、プログラム、露光方法及び原版作成方法 | |
JP5235322B2 (ja) | 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム | |
JP5188644B2 (ja) | 原版データの生成方法、原版作成方法、原版データを作成するためのプログラム及び処理装置 | |
JP5300354B2 (ja) | 生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム | |
US8144967B2 (en) | Mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, device fabrication method, and storage medium | |
JP4804294B2 (ja) | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイスの製造方法 | |
JP5086926B2 (ja) | 算出方法、プログラム及び露光方法 | |
KR101185865B1 (ko) | 원판 데이터 작성 프로그램을 기억한 기록매체, 원판 데이터 작성 방법, 원판 제조 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
US8234600B2 (en) | Computer readable storage medium storing program for generating reticle data, and method of generating reticle data | |
US8163448B2 (en) | Determination method, exposure method, device fabrication method, and storage medium | |
US7657865B2 (en) | Computer-readable recording medium recording a mask data generation program, mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5603685B2 (ja) | 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
JP5491272B2 (ja) | 決定方法、露光方法及びプログラム | |
JP5607327B2 (ja) | 決定方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
JP2012124289A (ja) | 有効光源の算出プログラム、露光方法並びにデバイス製造方法 | |
JP2010156849A (ja) | 生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
JP2010021586A (ja) | プログラム及び算出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140828 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5607348 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |