JP2010156849A - 生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム - Google Patents
生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010156849A JP2010156849A JP2008335224A JP2008335224A JP2010156849A JP 2010156849 A JP2010156849 A JP 2010156849A JP 2008335224 A JP2008335224 A JP 2008335224A JP 2008335224 A JP2008335224 A JP 2008335224A JP 2010156849 A JP2010156849 A JP 2010156849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- optical system
- projection optical
- original
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】微細なパターンを精度よく形成する原版のパターンのデータを生成する技術を提供する。
【解決手段】原版のパターンのデータの生成方法であって、投影光学系の瞳面に形成される有効光源を複数の領域に分割する分割ステップと、分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する第1の決定ステップと、決定された入射角で前記複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波について、瞳面に形成する透過光分布を、電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、算出された複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、平面波のそれぞれが前記投影光学系の像面に形成する近似空中像を算出する第2の算出ステップと、算出された複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する生成ステップと、生成された空中像マップに基づいて、前記原版のパターンを決定する第2の決定ステップと、を有する。
【選択図】図2
【解決手段】原版のパターンのデータの生成方法であって、投影光学系の瞳面に形成される有効光源を複数の領域に分割する分割ステップと、分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する第1の決定ステップと、決定された入射角で前記複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波について、瞳面に形成する透過光分布を、電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、算出された複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、平面波のそれぞれが前記投影光学系の像面に形成する近似空中像を算出する第2の算出ステップと、算出された複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する生成ステップと、生成された空中像マップに基づいて、前記原版のパターンを決定する第2の決定ステップと、を有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラムに関する。
フォトリソグラフィー(焼き付け)技術を用いて半導体メモリや論理回路などの半導体デバイスを製造する際に、露光装置が使用されている。露光装置は、原版(マスク又はレチクル)に形成されたパターンを投影光学系によってウエハ等の基板に投影してパターンを転写する。近年では、半導体デバイスの微細化が進み、露光装置においては、露光波長(露光光の波長)よりも小さい寸法を有するパターンの形成が必要となってきている。
露光波長よりも小さい寸法を有するパターンに対しては、光の回折の影響が顕著に現れてしまうため、パターンの輪郭(パターン形状)がそのままウエハに形成されない。具体的には、パターンの角部が丸くなったり、パターンの長さが短くなったりするなどして、ウエハに形成されるパターンの形状精度が大幅に劣化してしまう。そこで、ウエハに形成されるパターンの形状精度の劣化を低減するために、ウエハに形成すべき(即ち、解像すべき)主パターンに対して、解像しない寸法を有する補助パターンを挿入する技術が提案されている(特許文献1乃至3参照)。
特許文献1及び2には、補助パターンの挿入位置を数値計算で導出する技術が開示されている。かかる技術では、インターフェレンスマップ(Interference map、以下、「干渉マップ」と称する)を数値計算で求め、マスク上で互いに干渉する位置(領域)と干渉を打ち消し合う位置(領域)とを導出する。そして、干渉マップにおいて干渉する位置には、主パターンを通過した光の位相と補助パターンを通過した光の位相が等しくなるような補助パターンを挿入する。その結果、主パターンを通過した光と補助パターンを通過した光とが強く干渉し、ウエハ上に目標のパターンを精度よく形成することができる。なお、マスク面とウエハ面とは結像関係にあるため、干渉マップは像面での振幅を求めているとみなすこともできる。ここで、目標のパターンとは、マスク上に存在する要素であって、ウエハに転写される要素である。また、特許文献3においても、数値的に補助パターンの情報を得る方法が開示されている。
露光装置におけるマスクパターンとウエハパターンとの関係は、部分コヒーレント結像の関係にある。部分コヒーレント結像では、有効光源の情報からマスク面での可干渉性を求め、マスクパターンのスペクトル分布(回折光分布)と投影光学系の瞳の情報とから空中像を算出することができる。ここで、可干渉性とは、マスク面上の距離に応じた干渉の度合いである。また、有効光源とは、マスク面での可干渉性の分布のフーリエ変換であり、マスクがないときに、投影光学系の瞳面に形成される光強度分布である。
有効光源の可干渉性は、相互透過係数(TCC:Transmission Cross Coefficient)を用いて考慮することができる。TCCは投影光学系の瞳面で定義され、有効光源、投影光学系の瞳関数、そして、投影光学系の瞳関数の複素共役の重なり部分である。特許文献3では、投影光学系の瞳関数と有効光源の位置を固定し、投影光学系の瞳関数の複素共役の位置だけを可変とすることでTCC関数を2次元的に表し、近似した空中像(以下、「近似空中像」と称する)を求めている。そして、近似空中像の目標パターン以外のピーク位置付近に補助パターンを挿入することで、ウエハ上に目標のパターンを精度よく形成するためのマスクパターンを得ることができる。
一方、マスクを透過した光を正確に求める方法として、マスクウェル方程式に基づいた厳密な電磁場数値計算手法(例えば、FDTD法やRCWA法)が一般的に知られている。
特開2004−221594号公報
特開2005−183981号公報
特開2008−40470号公報
しかしながら、従来技術では、マスクを透過した光の分布(透過光分布)を近似的に求めているため、急速な微細化が進むパターンに対して、目標のパターンを十分な精度でウエハ上に形成するマスクパターンを得ることができなくなってきている。
そこで、本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、微細なパターンを精度よく形成する原版のパターンのデータを生成する技術を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の側面としての生成方法は、光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータをコンピュータによって生成する生成方法であって、前記原版が前記投影光学系の物体面に配置されていない場合に前記投影光学系の瞳面に形成される有効光源を複数の領域に分割する分割ステップと、前記分割ステップで分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する第1の決定ステップと、前記第1の決定ステップで決定された入射角で前記複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波のそれぞれについて、前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、前記第1の算出ステップで算出された複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、前記複数の平面波のそれぞれが前記投影光学系の像面に形成する近似空中像を算出する第2の算出ステップと、前記第2の算出ステップで算出された複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する生成ステップと、前記生成ステップで生成された空中像マップに基づいて、前記原版のパターンを決定する第2の決定ステップと、を有することを特徴とする。
本発明の第2の側面としての生成方法は、光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータをコンピュータによって生成する生成方法であって、前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、前記第1の算出ステップで算出された透過光分布に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される近似空中像を算出する第2の算出ステップと、前記第2の算出ステップで算出された近似空中像に基づいて、前記原版のパターンを決定する決定ステップと、を有することを特徴とする。
本発明の第3の側面としての原版の作成方法は、上述の生成方法で生成されたデータに基づいて原版を作成することを特徴とする。
本発明の第4の側面としての露光方法は、上述の原版の作成方法で作成された原版を照明するステップと、投影光学系を介して前記原版のパターンの像を基板に投影するステップと、を有することを特徴とする。
本発明の第5の側面としてのデバイスの製造方法は、上述の露光方法を用いて基板を露光するステップと、露光された前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とする。
本発明の第6の側面としてのプログラムは、光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータを生成する生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記コンピュータに、前記原版が前記投影光学系の物体面に配置されていない場合に前記投影光学系の瞳面に形成される有効光源を複数の領域に分割する分割ステップと、前記分割ステップで分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する第1の決定ステップと、前記第1の決定ステップで決定された入射角で前記複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波のそれぞれについて、前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、前記第1の算出ステップで算出された複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、前記複数の平面波のそれぞれが前記投影光学系の像面に形成する近似空中像を算出する第2の算出ステップと、前記第2の算出ステップで算出された複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する生成ステップと、前記生成ステップで生成された空中像マップに基づいて、前記原版のパターンを決定する第2の決定ステップと、を実行させることを特徴とする。
本発明の第7の側面としてのプログラムは、光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータを生成する生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記コンピュータに、前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、前記第1の算出ステップで算出された透過光分布に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される近似空中像を算出する第2の算出ステップと、前記第2の算出ステップで算出された近似空中像に基づいて、前記原版のパターンを決定する決定ステップと、を実行させることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、微細なパターンを精度よく形成する原版のパターンのデータを生成する技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
本発明は、IC、LSIなどの半導体チップ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、CCDなどの撮像素子といった各種デバイスの製造やマイクロメカニクスで用いられる原版のパターンのデータを生成する際に適用することができる。ここで、マイクロメカニクスとは、半導体集積回路製造技術を微細構造体の製作に応用して高度な機能を有するミクロン単位の機械システムを作成する技術やかかる機械システム自体をいう。本発明は、例えば、開口数(NA)の大きな投影光学系を備える露光装置や投影光学系とウエハとの間を液体で満たす液浸露光装置に用いられる有効光源及び原版のデータに好適である。
本発明で開示される概念は、数学的にモデル化することができる。従って、コンピュータ・システムのソフトウエア機能として実装することができる。コンピュータ・システムのソフトウエア機能は、実行可能なソフトウエア・コードを有するプログラミングを含み、本実施形態では、微細なパターンを精度よく形成するマスクパターンを決定して原版のデータを生成することができる。ソフトウエア・コードは、コンピュータ・システムのプロセッサによって実行される。ソフトウエア・コード動作中において、コード又は関連データ記録は、コンピュータ・プラットフォームに格納される。但し、ソフトウエア・コードは、他の場所に格納される、或いは、適切なコンピュータ・システムにロードされることもある。従って、ソフトウエア・コードは、1つ又は複数のモジュールとして、コンピュータで読み取り可能な記録媒体で保持することができる。本発明は、上述したコードという形式で記述することが可能であり、1つ又は複数のソフトウエア製品として機能させることができる。
図1は、本発明の一側面としての生成方法を実行する処理装置1の構成を示す概略ブロック図である。かかる生成方法は、光源からの光を用いて原版(マスク)を照明する照明光学系と、原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータ(マスクデータ)を生成する。
処理装置1は、例えば、汎用のコンピュータで構成され、図1に示すように、バス配線10と、制御部20と、表示部30と、記憶部40と、入力部50と、媒体インターフェース60とを有する。
バス配線10は、制御部20、表示部30、記憶部40、入力部50及び媒体インターフェース60を相互に接続する。
制御部20は、CPU、GPU、DSP又はマイコンで構成され、一時記憶のためのキャッシュメモリなどを含む。制御部20は、入力部50を介してユーザから入力されるマスクデータ生成プログラム401の起動命令に基づいて、記憶部40に記憶されたマスクデータ生成プログラム401を起動して実行する。制御部20は、記憶部40に記憶されたデータを用いて、マスクデータの生成に関連する演算を実行する。
表示部30は、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示デバイスで構成される。表示部30は、例えば、マスクデータ生成プログラム401の実行に関連する情報(例えば、後述する近似空中像の2次元像412やマスクデータ408など)を表示する。
記憶部40は、例えば、メモリやハードディスクで構成される。記憶部40は、媒体インターフェース60に接続された記憶媒体70から提供されるマスクデータ生成プログラム401を記憶する。
記憶部40は、マスクデータ生成プログラム401を実行する際の入力情報として、パターンデータ402と、有効光源情報403と、NA情報404と、λ情報405と、収差情報406と、レジスト情報407とを記憶する。また、記憶部40は、マスクデータ生成プログラム401を実行した後の出力情報として、マスクデータ(マスクパターン)408を記憶する。更に、記憶部40は、マスクデータ生成プログラム401の実行中の一時記憶情報として、透過光分布409と、近似空中像410と、空中像マップ411と、2次元像412と、変形パターンデータ(主パターンと補助パターン)413とを記憶する。
マスクデータ生成プログラム401は、露光装置に用いられるマスクのパターンや空間光変調器(SLM)のパターン形成部で形成されるパターンなどのデータを示すマスクデータ408を生成するプログラムである。ここで、パターンは閉じた図形で形成され、それらの集合体でマスク全体のパターンが構成される。
パターンデータ402は、集積回路などの設計において、レイアウト設計されたパターン(ウエハに形成する解像パターンであり、レイアウトパターン又は目標パターンと呼ばれる)のデータである。
有効光源情報403は、投影光学系に収差、複屈折及び透過ムラがなく、投影光学系の物体面にマスクが配置されていない場合に投影光学系の瞳面に形成される光強度分布(有効光源)及び偏光に関する情報である。
NA情報404は、投影光学系の像面側の開口数(NA)に関する情報である。
λ情報405は、光源から射出される光(露光光)の波長λに関する情報である。
収差情報406は、投影光学系の収差に関する情報である。投影光学系に複屈折がある場合には、複屈折に応じて位相ズレが発生するが、かかる位相ズレも収差の一種として考えることができる。
レジスト情報407は、ウエハに塗布されるレジストに関する情報である。
マスクデータ408は、マスクデータ生成プログラム401を実行することによって生成される実際の原版であるマスクのパターンを示すデータである。
透過光分布409は、マスクデータ生成プログラム401の実行中に生成され、光源からの光が投影光学系の物体面に配置されたマスクのパターンを通過して投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を示したものである。
近似空中像410は、マスクデータ生成プログラム401の実行中に生成され、ウエハ面において、主要な回折光との干渉で形成される近似的な空中像の分布を示したものである。
空中像マップ411は、マスクデータ生成プログラム401の実行中に生成され、複数の近似空中像410を足し合わせたものである。なお、空中像マップ411は、近似空中像410そのものであることもある。
2次元像412は、マスクデータ生成プログラム401の実行中に生成され、近似空中像410を基準スライス値で切断した際の2次元像である。
変形パターンデータ413は、マスクデータ生成プログラム401を実行することで変形される主パターンと、マスクデータ生成プログラム401を実行することで挿入される補助パターンとを含むデータである。
なお、パターンデータ402、マスクデータ408及び変形パターンデータ413は、主パターン及び補助パターンの位置、大きさ、形状、透過率、位相情報などを含む。また、パターンデータ402、マスクデータ408及び変形パターンデータ413は、主パターン及び補助パターンの存在しない領域(背景)の透過率や位相情報なども含む。
入力部50は、例えば、キーボードやマウスなどを含む。ユーザは、入力部50を介して、マスクデータ生成プログラム401の入力情報などを入力することが可能である。
媒体インターフェース60は、例えば、フレキシブルディスクドライブ、CD−ROMドライブ、DVD−ROMドライブ、USBインターフェースなどを含み、記憶媒体70と接続可能に構成される。なお、記憶媒体70は、フレキシブルディスク、CD−ROM、DVD−ROM、USBメモリなどであり、マスクデータ生成プログラム401や処理装置1が実行するその他のプログラムを提供する。
以下、図2を参照して、処理装置1の制御部20がマスクデータ生成プログラム401を実行してマスクデータ408を生成する処理について説明する。なお、パターンデータ402、有効光源情報403、NA情報404、λ情報405、収差情報406及びレジスト情報407を含む入力情報は、ユーザによって予め決定されているものとする。ユーザは、入力部50を介して、記憶部40に記憶された入力情報を選択することも可能であるし、入力情報を直接入力することも可能である。
ステップS202では、制御部20は、有効光源情報403に基づいて、有効光源を複数の領域に分割するかどうかを判定する。本実施形態では、有効光源上の各点に入射する平面波を考えた場合に、それらの入射角が一定条件を満たす場合には、有効光源を複数の領域に分割する。なお、有効光源上の各点は、互いに異なる入射角の平面波に1対1で対応するものとする。例えば、図3に示すように、平面波の入射方向ベクトルとマスクの基板の法線とのなす角(入射角)をθ、平面波の入射方向ベクトルの基板への射影とx軸(基板上の1つの方向)とのなす角(射影角)をφと定義する。そして、有効光源上の点に対して入射角θが10°を超えるものがある、或いは、入射角θと射影角φとの間の差が90°を超えるものがある場合には、有効光源を複数の領域に分割する。但し、有効光源を分割する条件は、これに限定されるものではない。一方、有効光源上の各点に入射する平面波の入射角が有効光源上のいかなる点でも同じとみなせる(即ち、有効光源上のいかなる点からの光もマスクを通過して同じ透過光分布を形成するとみなせる)場合には、有効光源を複数の領域に分割する必要はない。このようにして、有効光源を複数の領域に分割すると判定した場合には、ステップS204に進み、有効光源を複数の領域に分割しないと判定した場合には、ステップS208に進む。ここで、図3は、マスクとマスクに入射する平面波との関係を模式的に示す図である。
ステップS204では、制御部20は、有効光源を複数の領域に分割する。具体的には、制御部20は、有効光源を、入射する平面波の入射角が同じとみなせる領域に分割する。換言すれば、分割された領域のそれぞれにおいて、かかる領域上の各点からの光がマスクを通過して同じ透過光分布を形成するとみなせるように、有効光源を分割する。
ステップS206では、制御部20は、ステップS204で分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する(第1の決定ステップ)。上述したように、有効光源は、ステップS204において、入射する平面波の入射角が同じとみなせる領域に分割されているため、複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を一意的に決定することができる。
ステップS208では、制御部20は、光源からの光がマスクのパターンを通過して投影光学系の瞳面に形成する透過光分布409を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する。ここで、有効光源が複数の領域に分割されている場合には、ステップS206で決定された入射角で複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波のそれぞれについて、透過光分布を算出する(第1の算出ステップ)。一方、有効光源が複数の領域に分割されていない場合には、有効光源情報403に基づいて、1つの透過光分布を算出する。なお、マスクデータ生成プログラム401を実行して最初に透過光分布を算出する場合には、マスクのパターンとして、パターンデータ402を用いる。また、ステップS208では、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算を用いているため、厳密な透過光分布を算出することができる。
ここで、ステップS208において、厳密な透過光分布を算出する理由について説明する。従来、透過光分布を算出する方法として、透過部直後の電場振幅を1、遮光部直後の電場振幅を0として階段関数型の分布を与えるキルヒホッフ近似と呼ばれる方法が知られている。但し、キルヒホッフ近似から算出される透過光分布は、近似的な透過光分布であって、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算(厳密計算)から算出される厳密な透過光分布とは異なる。例えば、図4に示すような遮光型の孤立ラインパターンに対して短手方向からy偏光(y方向の直線偏光)の平面波を斜入射させた場合に、キルヒホッフ近似及び厳密計算のそれぞれから算出される電場(y成分)の分布を図5に示す。また、図4に示すような透過型の孤立ラインパターンに対して短手方向からy偏光の平面波を斜入射させた場合に、キルヒホッフ近似及び厳密計算のそれぞれから算出される電場(y成分)の分布を図6に示す。なお、図5及び図6では、縦軸にy方向の電場の振幅を採用し、横軸にx方向の位置を採用している。図5及び図6を参照するに、キルヒホッフ近似から算出される電場と厳密計算から算出される電場とが大きく異なっていることがわかる。そこで、本実施形態では、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算(例えば、FDTD法やRCWA法)によって厳密な透過光分布を算出している。
ステップS210では、制御部20は、ステップS208で算出された透過光分布に基づいて、かかる透過光分布が投影光学系の像面に形成する近似空中像410を算出する。ここで、有効光源が複数の領域に分割されている場合には、ステップS208で算出された複数の平面波のそれぞれが形成する複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、複数の平面波のそれぞれが形成する近似空中像を算出する(第2の算出ステップ)。一方、有効光源が複数の領域に分割されていない場合には、ステップS208で算出された1つの透過光分布に基づいて、1つの近似空中像を算出する。
ステップS210において、厳密な空中像を算出しないで近似空中像を算出する理由は2つある。1つ目の理由は、近似空中像を算出する時間が厳密な空中像を算出する時間よりも圧倒的に少ないからである。2つ目の理由は、近似空中像においてはパターンの干渉性が強調され、光近接効果の様子がわかりやすいからである。
近似空中像を算出する方法は従来から種々開示されているが、例えば、特許文献1における干渉マップを変形することで、近似空中像を算出することができる。相互透過係数(TCC:Transmission Cross Coefficient)を特異値分解し、第i番目の固有値をλi、第i番目の固有関数をΦi(f、g)とする。但し、(f、g)は、投影光学系の瞳面の座標である。なお、TCCは、有効光源の可干渉性(マスク面上の距離に応じた干渉の度合い)を示す。特許文献1によれば、干渉マップe(x、y)は、複数の固有関数の足し合わせであるとされており、以下の式1で表すことができる。
式1において、FTはフーリエ変換を表す。また、通常、N’は1である。
特許文献1では、マスクのパターンを点や線に置換し、干渉マップとコンボリューションをとることでマスク全体の干渉マップを導出している。従って、干渉マップe(x、y)は単純な干渉性を示している。
但し、干渉マップe(x、y)はマスクのパターン(外形形状等)を考慮していないため、近似空中像の算出に用いる場合には、マスクのパターンを考慮した干渉マップe’(x、y)を導出しなければならない。
そこで、TCCを特異値分解し、第i番目の固有値をλi、第i番目の固有関数をΦi(f、g)、マスクのパターンの回折光分布をa(f、g)とする。この場合、以下の数式2から、マスクのパターンを考慮した干渉マップe’(x、y)を導出することができる。なお、回折光分布は、透過光分布をフーリエ変換したものである。
式2に示す干渉マップe’(x、y)を用いることで、近似空中像を算出することができる。また、干渉マップe’(x、y)を近似空中像としてもよい。
ステップS212では、制御部20は、空中像マップ411を生成する。具体的には、有効光源が複数の領域に分割されている場合には、制御部20は、ステップS210で算出された複数の平面波のそれぞれが形成する複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する。従って、有効光源が複数の領域に分割されていない場合には、ステップS210で算出された近似空中像がそのまま空中像マップとなる。
ステップS214では、制御部20は、主パターンを変形するかどうかを判定する。なお、本実施形態では、主パターンを変形するかどうかは、ユーザによって入力されていているものとする。但し、ステップS212で生成された空中像マップと基準となる空中像マップとの差分が、許容範囲内である場合には主パターンを変形しないと判定し、許容範囲外である場合には主パターンを変形させると判定するようにしてもよい。主パターンを変形すると判定した場合には、ステップS216に進み、主パターンを変形しないと判定した場合には、ステップS222に進む。
ステップS216では、制御部20は、ステップS212で生成された空中像マップから2次元像を抽出する。具体的には、基準スライス値(Io)を設定して、空中像マップの断面での2次元像を抽出する。例えば、マスクのパターンが透過パターンである場合には、空中像マップの強度値が所定値(任意に設定されうる閾値)以上の部分を2次元像として抽出する。また、マスクのパターンが遮光パターンである場合には、近似空中像の強度値が所定値(任意に設定されうる閾値)以下の部分を2次元像として抽出する。
ステップS218では、制御部20は、ステップS216で抽出された2次元像に基づいて、主パターンを変形する。具体的には、ステップS216で抽出された2次元像と目標パターンとを比較して、2次元像と目標パターンとの差分が許容範囲内になるように、主パターンを変形する。ここで、2次元像と目標パターンとを比較する際のパラメータ(評価値)は、線幅やパターンの長さなどであってもよいし、NILS(Normalized Image Log Slope)や強度ピーク値であってもよい。なお、ステップS218で変形された主パターンは、変形パターンデータ413となる。
ステップS220では、制御部20は、ステップS218で変形された主パターンに基づいて、近似空中像を再度算出するかどうかを判定する。なお、本実施形態では、近似空中像を再度算出するかどうかは、ユーザによって入力されていているものとする。近似空中像を再度算出すると判定した場合には、ステップS208に戻り、透過光分布を算出する。なお、この際には、マスクのパターンとして、変形パターンデータ413を用いる。また、近似空中像を再度算出しないと判定した場合には、ステップS222に進む。
ステップS222では、制御部20は、ステップS214で生成された空中像マップに基づいて、主パターン(ステップS218を経た場合には、変形された主パターン)に対して補助パターンを挿入する。具体的には、まず、空中像マップから補助パターンを挿入する位置(補助パターン挿入位置)を抽出する。補助パターン挿入位置は、基準スライス値(Io)を超えず、且つ、主パターンと重ならない領域(即ち、目標パターンが投影される領域を除く領域)において光強度がピーク(極大値または極小値)となるピーク部分である。なお、実際には、補助パターン挿入位置は、ピーク部分に対応するマスク上の部分であることに注意されたい。そして、かかるピーク部分の光強度に基づいて補助パターンの大きさを決定し、かかる大きさの補助パターンを補助パターン挿入位置に挿入する。なお、ステップS222で挿入された補助パターンは、変形パターンデータ413となる。
ステップS224では、制御部20は、ステップS214乃至S222(第2の決定ステップ)で決定された主パターンと補助パターンとを含むデータ(変形パターンデータ413)をマスクデータ408として生成する。
このように、本実施形態では、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出される厳密な透過光分布からマスクのパターンを決定しているため、微細なパターンを精度よく形成するマスクデータ(マスクパターン)を生成することができる。また、有効光源を入射する平面波の入射角が同じとみなせる領域に分割し、かかる領域のそれぞれについて、厳密な透過光分布を算出しているため、微細なパターンを更に精度よく形成するマスクデータを生成することが可能である。
また、処理装置1で生成されたマスクデータは、例えば、電子ビーム(EB)描画装置にGDSファイルとして与えられ、マスクデータに応じたCr等のパターンを基板に描画することでマスクが作成される。なお、作成されるマスクのパターンには、上述のマスクデータ作成プログラムによって生成されたマスクデータ以外のパターンを含んでいてもよい。
以下、実施例1及び実施例2において、マスクデータ生成プログラムを実行して生成されるマスクデータ(マスクパターン)について具体的に説明する。なお、露光光の波長をλとし、投影光学系の像側の開口数をNAとする。また、照明光学系からマスク面に入射する照明光の開口数と投影光学系の物体側の開口数との比をσとする。
また、露光装置では、露光光の波長λ及び投影光学系の開口数NAに様々な値を設定することができるため、マスクのパターンサイズを(λ/NA)で規格化することが好ましい。例えば、λが193nm、NAが1.35の場合、45nmのパターンは、上述した規格化によって、0.31となる。このような規格化をk1換算と称する。
マスク面上のパターンの大きさとウエハ面上のパターンの大きさとは、投影光学系の倍率だけ異なる。但し、以下では、説明を簡単にするために、マスク面上のパターンの大きさに投影光学系の倍率(1/4倍)をかけて、マスク面上のパターンの大きさとウエハ面上のパターンの大きさを1:1で対応させる。
実施例1では、露光装置として、投影光学系のNAが1.35であり(NA情報に相当)、露光光の波長が193nmであり(λ情報に相当)である場合を考える。また、投影光学系は無収差(収差情報に相当)、ウエハに塗布されるレジストは考慮しない(レジスト情報に相当)ものとし、屈折率1.44の水を液浸液として用いる。
目標パターン(パターンデータ)は、図4に示すような孤立ラインパターンで、線幅が180nm、長さが1800nmであるとする。図4において、孤立ラインパターンは遮光パターン(即ち、透過率が0)であるとし、かかる孤立ラインパターンの存在しない領域(背景)の透過率は1とする。また、位相は全て0°とした。なお、孤立ラインパターンの重心を原点とし、短辺方向にx軸、長辺方向にy軸を定義する。
有効光源は、図7に示すように、σ(半径)が0.7〜0.9、開き角30°のタンジェルシャル(接線方向)偏光の四重極照明(有効光源情報に相当)を用いる。なお、σの中心値をσ0と表し、本実施形態では、0.8である。また、図7において、白線の円はσ=1を表しており、4つの白色領域は光照射部を表している。
まず、図4に示す孤立ラインパターン(遮光パターン)及び図7に示す有効光源に対して、キルヒホッフ近似(従来技術)で求めた透過光分布から近似空中像を算出すると、図8に示す近似空中像が得られる。なお、図8においては、目標パターンを白線で重ねて示している。
次に、上述したマスクデータ生成プログラムを実行することで算出される、即ち、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算(厳密計算)で求めた透過光分布から得られる近似空中像について説明する。
有効光源の各点には、互いに異なる入射角の平面波が入射していると考えると、図7に示す有効光源は、図9乃至図12に示すように、4つの領域(有効光源)に分割される。換言すれば、図9乃至図12に示す有効光源間においては、平面波の入射角が大きく異なる。但し、図9乃至図12に示す有効光源内においては、平面波の入射角は大きく異ならないため、1つの入射角に近似しても問題ない。
図4に示す孤立ラインパターンに対して、図9に示す有効光源の中心点(u=0.8、v=0)に対応する角度(θ=9.9667663°、φ=0°)からy偏光の平面波を入射した場合、厳密計算から算出される電場(透過光分布)は、図5に示した通りである。なお、図10乃至図12に示す有効光源の中心点に対応する角度からy偏光の平面波を入射した場合に、厳密計算から算出される電場も同様である。ここで、厳密計算としては、FDTD法を用いた。マスクの構造については、基板(ガラス基板)の屈折率を1.56とし、基板側遮光体の厚さ、屈折率及び消衰係数のそれぞれを55nm、1.477、1.762とした。また、上部遮光体の厚さ、屈折率及び消衰係数のそれぞれを18nm、1.965、1.204とした。更に、電場抽出位置を遮光体最上面から10nmの距離とし、入射角は、空気中で基板の法線に対してσ0×NA/4の逆正接となるように、基板内部で9.9667663°とした。
また、厳密計算から求めた厳密な透過光分布と図9乃至図12に示す有効光源のそれぞれとから近似空中像を算出すると、図13乃至図16に示す近似空中像が得られる。なお、一般的に、厳密計算から求められる透過光分布は、x、y及びzの3つの成分を有することを考慮して近似空中像を算出する必要がある。
また、図13乃至図16に示す近似空中像を足し合わせることで、図17に示すように、図7に示す有効光源(タンジェルシャル偏光の四重極照明)に対する近似空中像(空中像マップ)が得られる。
そして、図17に示す近似空中像に基づいて、補助パターンの挿入位置を決定して補助パターンを挿入する。但し、図17に示す近似空中像から直接補助パターンの挿入位置を決定することが難しい場合がある。図17に示す近似空中像においては、値の高低差が非常に小さいため、ピーク位置を補助パターンの挿入位置として決定すると、不安定な配置になってしまうからである。このような場合には、図17に示す近似空中像にラプラシアン演算を施して、図18に示すような微分近似空中像を求める。なお、ピーク位置を求める際には、目標パターンがラインパターンであれば、少なくとも長手方向とそれに直交する方向の2方向に対してピーク位置を求める必要がある。
図18に示す微分近似空中像において、ピーク位置を補助パターンの挿入位置として決定すると、図19に示すように、目標パターンに対して対称性を有する補助パターンを挿入することができる。なお、補助パターンの大きさは、解像せず、且つ、目標パターンの解像の向上に最適な大きさとするべきである。ここでは、補助パターンは全て1辺20nmの正方形とし、透過率を0、位相を0°とした。なお、図19では、厳密計算を適用して挿入された補助パターンを太線で示し、キルヒホッフ近似(従来技術)を適用して挿入された補助パターンを細線で示している。また、補助パターンは、目標パターンを囲む2周目まで挿入した。図19を参照するに、目標パターンを囲む1周目及び2周目の補助パターンとも厳密計算を適用して挿入された方が若干内側にずれている。
図19に示すマスクパターン(厳密計算を適用して補助パターンを挿入したマスクパターン及びキルヒホッフ近似を適用して補助パターンを挿入したマスクパターンのそれぞれ)に対して空中像を算出して像特性を評価した結果を図20及び図21に示す。図20は、y=0(位置1)におけるCDのデフォーカス特性を示し、図20は、y=0(位置1)におけるNILSのデフォーカス特性を示している。図20及び図21を参照するに、厳密計算を適用して補助パターンを挿入したマスクパターンの方が、キルヒホッフ近似を適用して補助パターンを挿入したマスクパターンよりも像特性が向上していることがわかる。
実施例2では、実施例1と同様に、露光装置として、投影光学系のNAが1.35であり(NA情報に相当)、露光光の波長が193nmであり(λ情報に相当)である場合を考える。また、投影光学系は無収差(収差情報に相当)、ウエハに塗布されるレジストは考慮しない(レジスト情報に相当)ものとし、屈折率1.44の水を液浸液として用いる。
目標パターン(パターンデータ)は、図4に示すような孤立ラインパターンで、線幅が180nm、長さが1800nmであるとする。図4において、孤立ラインパターンは透過パターン(即ち、透過率が1)であるとし、かかる孤立ラインパターンの存在しない領域(背景)の透過率は0とする。また、位相は全て0°とした。
有効光源は、実施例1と同様に、図7に示すタンジェルシャル偏光の四重極照明を用いる。
図4に示す孤立ラインパターン(透過パターン)及び図7に示す有効光源に対して、キルヒホッフ近似(従来技術)で求めた透過光分布から近似空中像を算出すると、図22に示す近似空中像が得られる。なお、図22においては、目標パターンを黒線で重ねて示している。
図4に示す孤立ラインパターンに対して、図9に示す有効光源の中心点(u=0.8、v=0)に対応する角度(θ=9.9667663°、φ=0°)からy偏光の平面波を入射した場合、厳密計算から算出される電場(透過光分布)は、図6に示した通りである。
実施例1と同様に、厳密計算から求めた厳密な透過光分布と図9乃至図12に示す有効光源のそれぞれとから近似空中像を算出し、かかる近似空中像を足し合わせることで、図23に示す近似空中像(空中像マップ)が得られる。また、図23に示す近似空中像にラプラシアン演算を施すことで、図24に示すような微分近似空中像が得られる。
図24に示す微分近似空中像において、ピーク位置を補助パターンの挿入位置として決定すると、図25に示すように、目標パターンに対して対称性を有する補助パターンを挿入することができる。ここでは、補助パターンは全て1辺20nmの正方形とし、透過率を1、位相を0°とした。なお、図25では、厳密計算を適用して挿入された補助パターンを太線で示し、キルヒホッフ近似(従来技術)を適用して挿入された補助パターンを細線で示している。また、補助パターンは、目標パターンを囲む2周目まで挿入した。図25を参照するに、実施例1と比較して、厳密計算を適用した場合とキルヒホッフ近似した場合との差が大きくなっている。
図25に示すマスクパターン(厳密計算を適用して補助パターンを挿入したマスクパターン及びキルヒホッフ近似を適用して補助パターンを挿入したマスクパターンのそれぞれ)に対して空中像を算出して像特性を評価した結果を図26及び図27に示す。図26は、y=0(位置1)におけるCDのデフォーカス特性を示し、図27は、y=0(位置1)におけるNILSのデフォーカス特性を示している。図26及び図27を参照するに、厳密計算を適用して補助パターンを挿入したマスクパターンの方が、キルヒホッフ近似を適用して補助パターンを挿入したマスクパターンよりも像特性が向上していることがわかる。
次に、図28を参照して、露光装置100について説明する。図28は、露光装置100の構成を示す概略ブロック図である。ここで、マスクとして、上述のマスクデータ生成プログラムを実行して生成されたマスクデータに基づいて、作成されたマスク130を使用する。
露光装置100は、投影光学系140とウエハ150との間に供給される液体LWを介して、マスク130のパターンをウエハ150に露光する液浸露光装置である。露光装置100は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式を適用するが、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。
露光装置100は、図28に示すように、照明光学系120と、マスク130を載置するマスクステージ135と、投影光学系140と、ウエハ150を載置するウエハステージ155と、液体供給回収部160と、主制御システム170とを備える。なお、光源110及び照明光学系120は、転写用の回路パターンが形成されたマスク130を照明する照明装置を構成する。
光源110は、波長約248nmのKrFエキシマレーザー、波長約193nmのArFエキシマレーザーなどのエキシマレーザーを使用する。但し、光源110の種類及び個数は限定されず、例えば、波長約157nmのF2レーザーを光源110として使用することもできる。
照明光学系120は、光源110からの光を用いてマスク130を照明する光学系である。照明光学系120は、従来の照明や変形照明(例えば、四重極照明)など様々な照明モードを実現することができる。照明光学系120は、本実施形態では、ビーム整形光学系121と、集光光学系122と、偏光制御部123と、オプティカルインテグレーター124と、開口絞り125とを含む。更に、照明光学系120は、集光レンズ126と、折り曲げミラー127と、マスキングブレード128と、結像レンズ129とを含む。
ビーム整形光学系121は、例えば、複数のシリンドリカルレンズを含むビームエクスパンダ等を使用する。ビーム整形光学系121は、光源110からの平行光の断面形状の縦横比率を所定の値に変換する(例えば、断面形状を長方形から正方形にする)。ビーム整形光学系121は、本実施形態では、光源110からの光を、オプティカルインテグレーター124を照明するために必要な大きさ及び発散角を有する光に整形する。
集光光学系122は、複数の光学素子を含み、ビーム整形光学系121で整形された光をオプティカルインテグレーター124に効率よく導光する。集光光学系122は、例えば、ズームレンズシステムを含み、オプティカルインテグレーター124に入射する光の形状及び角度の分配を調整する。
偏光制御部123は、例えば、偏光素子を含み、投影光学系140の瞳面142と略共役な位置に配置される。偏光制御部123は、投影光学系140の瞳面142に形成される有効光源の所定領域の偏光状態を制御する。
オプティカルインテグレーター124は、マスク130を照明する照明光を均一化し、入射光の角度分布を位置分布に変換して射出する機能を有する。オプティカルインテグレーター124は、例えば、入射面と射出面とがフーリエ変換の関係に維持されたハエの目レンズを使用する。なお、ハエの目レンズは、複数のロッドレンズ(即ち、微小レンズ素子)を組み合わせることによって構成される。但し、オプティカルインテグレーター124は、ハエの目レンズに限定されず、光学ロッド、回折格子、各組が直交するように配置されたシリンドリカルレンズアレイ板などを使用してもよい。
開口絞り125は、オプティカルインテグレーター124の射出面の直後の位置であって、投影光学系140の瞳面142に形成される有効光源と略共役な位置に配置される。開口絞り125の開口形状は、投影光学系140の瞳面142に形成される有効光源の光強度分布(即ち、有効光源形状)に相当する。換言すれば、開口絞り125は、有効光源の光強度分布を制御する。開口絞り125は、照明モードに応じて切り替え可能に構成される。なお、開口絞りを使用せずに、あるいは、併用して、オプティカルインテグレーター124よりも光源側に回折光学素子(CGH)やプリズムを配置して有効光源の形状を調整してもよい。
集光レンズ126は、オプティカルインテグレーター124の射出面近傍に形成される2次光源から射出して開口絞り125を通過した光を集光し、折り曲げミラー127を介して、マスキングブレード128を均一に照明する。
マスキングブレード128は、マスク130と略共役な位置に配置され、複数の可動遮光板で構成される。マスキングブレード128は、投影光学系140の有効面積に対応する略矩形形状の開口を形成する。マスキングブレード128を通過した光は、マスク130を照明する照明光として使用される。
結像レンズ129は、マスキングブレード128の開口を通過した光をマスク130に結像させる。
マスク130は、上述した処理装置1によって生成されたマスクデータに基づいて製作され、転写すべき回路パターン(主パターン)と補助パターンとを有する。マスク130は、マスクステージ135に支持及び駆動される。マスク130から発せられた回折光は、投影光学系140を介して、ウエハ150に投影される。マスク130とウエハ150とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置100はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、マスク130とウエハ150とを同期走査することによって、マスク130の転写すべき回路パターンをウエハ150に転写する。なお、露光装置100がステップ・アンド・リピート方式の露光装置であれば、マスク130とウエハ150とを静止させた状態で露光する。
マスクステージ135は、マスクチャックを介してマスク130を支持し、図示しない駆動機構に接続されている。図示しない駆動機構は、例えば、リニアモーターなどで構成され、X軸方向、Y軸方向、X軸方向及び各軸の回転方向にマスクステージ135を駆動する。なお、マスク130又はウエハ150の面内で走査方向をY軸、それに垂直な方向をX軸、マスク130又はウエハ150の面に垂直な方向をZ軸とする。
投影光学系140は、マスク130の回路パターンをウエハ150に投影する光学系である。投影光学系140は、屈折系、反射屈折系、或いは、反射系を使用することができる。投影光学系140の最終レンズ(最終面)には、液体供給回収部160から供給される液体LWによる影響を低減(保護)するためのコーティングが施されている。
ウエハ150は、マスク130の回路パターンが投影(転写)される基板である。但し、ウエハ150は、ガラスプレートやその他の基板に置換することもできる。ウエハ150には、レジストが塗布されている。
ウエハステージ155は、ウエハ150を支持し、マスクステージ135と同様に、リニアモーターを利用して、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及び各軸の回転方向にウエハ150を移動させる。
液体供給回収部160は、投影光学系140の最終レンズ(最終面)とウエハ150との間の空間に液体LWを供給する機能を有する。また、液体供給回収部160は、投影光学系140の最終レンズとウエハ150との間の空間に供給された液体LWを回収する機能を有する。液体LWには、露光光に対して高い透過率を有し、投影光学系140(の最終レンズ)に汚れを付着させず、レジストプロセスとのマッチングがよい物質を選択する。
主制御システム170は、CPUやメモリを有し、露光装置100の動作を制御する。例えば、主制御システム170は、マスクステージ135、ウエハステージ155及び液体供給回収部160と電気的に接続し、マスクステージ135とウエハステージ155との同期走査を制御する。また、主制御システム170は、露光時のウエハステージ155の走査方向及び速度などに基づいて、液体LWの供給と回収、或いは、停止の切り替えを制御する。
露光において、光源110から発せられた光束は、照明光学系120によりマスク130を照明する。マスク130を通過して回路パターンを反映する光束は、投影光学系140により、液体LWを介してウエハ150に結像される。露光装置100が使用するマスク130は、上述したように、従来技術で作成されたマスクよりも像特性が向上しており、微細なパターンを精度よく形成することが可能である。従って、露光装置100は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置100を用いてフォトレジスト(感光剤)が塗布された基板(ウエハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
1 処理装置
20 制御部
40 記憶部
401 マスクデータ生成プログラム
402 パターンデータ
403 有効光源情報
408 マスクデータ
409 透過光分布
410 近似空中像
411 空中像マップ
412 2次元像
413 変形パターンデータ
70 記憶媒体
100 露光装置
110 光源
120 照明光学系
130 マスク
140 投影光学系
150 ウエハ
20 制御部
40 記憶部
401 マスクデータ生成プログラム
402 パターンデータ
403 有効光源情報
408 マスクデータ
409 透過光分布
410 近似空中像
411 空中像マップ
412 2次元像
413 変形パターンデータ
70 記憶媒体
100 露光装置
110 光源
120 照明光学系
130 マスク
140 投影光学系
150 ウエハ
Claims (9)
- 光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータをコンピュータによって生成する生成方法であって、
前記原版が前記投影光学系の物体面に配置されていない場合に前記投影光学系の瞳面に形成される有効光源を複数の領域に分割する分割ステップと、
前記分割ステップで分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する第1の決定ステップと、
前記第1の決定ステップで決定された入射角で前記複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波のそれぞれについて、前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、
前記第1の算出ステップで算出された複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、前記複数の平面波のそれぞれが前記投影光学系の像面に形成する近似空中像を算出する第2の算出ステップと、
前記第2の算出ステップで算出された複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する生成ステップと、
前記生成ステップで生成された空中像マップに基づいて、前記原版のパターンを決定する第2の決定ステップと、
を有することを特徴とする生成方法。 - 前記原版のパターンは、主パターンと、補助パターンとを含み、
前記第2の決定ステップでは、前記主パターンに対して前記補助パターンを挿入することを特徴とする請求項1に記載の生成方法。 - 前記生成ステップで生成された空中像マップから2次元像を抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップで抽出された2次元像と前記基板に形成すべき目標パターンとの差分が許容範囲内になるように、前記主パターンを変形する変形ステップと、
を更に有することを特徴とする請求項2に記載の生成方法。 - 光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータをコンピュータによって生成する生成方法であって、
前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、
前記第1の算出ステップで算出された透過光分布に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される近似空中像を算出する第2の算出ステップと、
前記第2の算出ステップで算出された近似空中像に基づいて、前記原版のパターンを決定する決定ステップと、
を有することを特徴とする生成方法。 - 請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の生成方法で生成されたデータに基づいて原版を作成することを特徴とする原版の作成方法。
- 請求項5に記載の原版の作成方法で作成された原版を照明するステップと、
投影光学系を介して前記原版のパターンの像を基板に投影するステップと、
を有することを特徴とする露光方法。 - 請求項6に記載の露光方法を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。 - 光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータを生成する生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記原版が前記投影光学系の物体面に配置されていない場合に前記投影光学系の瞳面に形成される有効光源を複数の領域に分割する分割ステップと、
前記分割ステップで分割された複数の領域のそれぞれに入射する平面波の入射角を決定する第1の決定ステップと、
前記第1の決定ステップで決定された入射角で前記複数の領域のそれぞれに入射する複数の平面波のそれぞれについて、前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、
前記第1の算出ステップで算出された複数の透過光分布のそれぞれに基づいて、前記複数の平面波のそれぞれが前記投影光学系の像面に形成する近似空中像を算出する第2の算出ステップと、
前記第2の算出ステップで算出された複数の近似空中像を足し合わせて空中像マップを生成する生成ステップと、
前記生成ステップで生成された空中像マップに基づいて、前記原版のパターンを決定する第2の決定ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。 - 光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のパターンのデータを生成する生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記光源からの光が前記投影光学系の物体面に配置されたパターンを通過して前記投影光学系の瞳面に形成する透過光分布を、マクスウェル方程式に基づく電磁場数値計算によって算出する第1の算出ステップと、
前記第1の算出ステップで算出された透過光分布に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される近似空中像を算出する第2の算出ステップと、
前記第2の算出ステップで算出された近似空中像に基づいて、前記原版のパターンを決定する決定ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335224A JP2010156849A (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335224A JP2010156849A (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010156849A true JP2010156849A (ja) | 2010-07-15 |
Family
ID=42574815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008335224A Withdrawn JP2010156849A (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010156849A (ja) |
-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008335224A patent/JP2010156849A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4402145B2 (ja) | 算出方法、生成方法、プログラム、露光方法及び原版作成方法 | |
JP5235322B2 (ja) | 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム | |
KR100993851B1 (ko) | 원판 데이터 작성방법, 원판 작성방법, 노광방법, 디바이스제조방법, 및 원판 데이터를 작성하기 위한 컴퓨터 판독가능한 기억매체 | |
EP2040120B1 (en) | Mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, device fabrication method, and program | |
JP5188644B2 (ja) | 原版データの生成方法、原版作成方法、原版データを作成するためのプログラム及び処理装置 | |
JP5086926B2 (ja) | 算出方法、プログラム及び露光方法 | |
JP5300354B2 (ja) | 生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム | |
JP4804294B2 (ja) | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイスの製造方法 | |
JP5607348B2 (ja) | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 | |
JP5159501B2 (ja) | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP5607308B2 (ja) | 原版データ生成プログラムおよび方法 | |
JP2010165856A (ja) | 決定方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
US9678441B2 (en) | Mask pattern generation method and optical image calculation method | |
JP5603685B2 (ja) | 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
JP2010156849A (ja) | 生成方法、原版の作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
JP5479070B2 (ja) | 光学像強度算出方法、パターン生成方法、半導体装置の製造方法および光学像強度分布算出プログラム | |
JP4921536B2 (ja) | プログラム及び算出方法 | |
JP5607327B2 (ja) | 決定方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム | |
JP2012124289A (ja) | 有効光源の算出プログラム、露光方法並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120306 |