JP2010166040A5 - - Google Patents

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  1. 基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
    前記ＧａＮ系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜の上面に保護膜を形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜の上面が前記保護膜に覆われた状態で、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記保護膜は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウムのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
    前記ＧａＮ系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜を前記ゲート絶縁膜の成膜温度以上の温度で熱処理する工程と、
    前記熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 前記熱処理する工程は、７００℃以上で熱処理する工程であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  5. 基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
    前記ＧａＮ系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜をＯ２またはＮ２を用いプラズマ処理する工程と、
    前記プラズマ処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 前記ゲート絶縁膜は、ＡＬＤ法、スパッタリング法またはＣＶＤ法のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項１、３及び５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極と、前記基板の前記ＧａＮ系半導体層が形成された面と前記基板を介して反対の面にドレイン電極とを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記プラズマ処理する工程のプラズマ処理時間は、５分以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
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