JP2011205078A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. ハロゲン元素を含む物質がガス状で導入された成膜室内において、スパッタ法により、トランジスタの酸化物半導体層を形成する半導体装置の作製方法。
2. 基板上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
   ハロゲン元素を含む物質がガス状で導入された成膜室内において、スパッタ法により、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
   ハロゲン元素を含む物質がガス状で導入された成膜室内において、スパッタ法により、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項２において、
   前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なり、且つ前記酸化物半導体層の表面と接する第１の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層を形成した後に、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記酸化物半導体層を２５０℃以上７００℃以下の温度で加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項５または請求項６において、
   前記酸化物半導体層を加熱処理後に、２００℃以下まで冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記ハロゲン元素はフッ素原子を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。