US5171710A
(en)
*
|
1985-08-02 |
1992-12-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for photo annealing non-single crystalline semiconductor films
|
JP2506961B2
(ja)
*
|
1988-07-25 |
1996-06-12 |
松下電器産業株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法
|
TW237562B
(ja)
*
|
1990-11-09 |
1995-01-01 |
Semiconductor Energy Res Co Ltd |
|
US5124180A
(en)
*
|
1991-03-11 |
1992-06-23 |
Btu Engineering Corporation |
Method for the formation of fluorine doped metal oxide films
|
JP3071851B2
(ja)
*
|
1991-03-25 |
2000-07-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
電気光学装置
|
JP3168655B2
(ja)
*
|
1992-01-07 |
2001-05-21 |
富士通株式会社 |
多結晶シリコン薄膜の製造方法
|
KR0143873B1
(ko)
*
|
1993-02-19 |
1998-08-17 |
순페이 야마자끼 |
절연막 및 반도체장치 및 반도체 장치 제조방법
|
US5316697A
(en)
*
|
1993-03-24 |
1994-05-31 |
Kerr-Mcgee Corporation |
Conductive, particulate, fluorine-doped zinc oxide
|
TW463378B
(en)
*
|
1995-06-01 |
2001-11-11 |
Semiconductor Energy Lab |
Method of manufacturing semiconductor device
|
JPH11505377A
(ja)
*
|
1995-08-03 |
1999-05-18 |
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ |
半導体装置
|
JP3625598B2
(ja)
*
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
US6100562A
(en)
*
|
1996-03-17 |
2000-08-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method of manufacturing a semiconductor device
|
US6071561A
(en)
*
|
1997-08-13 |
2000-06-06 |
President And Fellows Of Harvard College |
Chemical vapor deposition of fluorine-doped zinc oxide
|
US5983667A
(en)
*
|
1997-10-31 |
1999-11-16 |
Praxair Technology, Inc. |
Cryogenic system for producing ultra-high purity nitrogen
|
JP2000150861A
(ja)
*
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
JP3276930B2
(ja)
*
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
TW469465B
(en)
*
|
1998-12-10 |
2001-12-21 |
Mitsubishi Materials Corp |
Protective film for FPD and manufacture thereof, and FPD using the same
|
FR2787940B1
(fr)
*
|
1998-12-24 |
2001-01-26 |
Air Liquide |
Methode de remplissage gazeux de lignes de transport de courant electrique a isolation gazeuse et procede de fabrication de lignes integrant une telle methode de remplissage
|
JP2001326175A
(ja)
*
|
2000-05-12 |
2001-11-22 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置の作製方法
|
US6940223B2
(en)
*
|
2000-07-10 |
2005-09-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
|
KR20020038482A
(ko)
*
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
ATE505434T1
(de)
*
|
2001-06-29 |
2011-04-15 |
Showa Denko Kk |
Herstellung eines hochreinen fluorgases und methode zur analyse von spuren in einem hochreinen fluorgas
|
US20030015220A1
(en)
*
|
2001-07-18 |
2003-01-23 |
Pennington Michael A. |
Gas dilution method and apparatus
|
JP4090716B2
(ja)
*
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
EP1443130B1
(en)
*
|
2001-11-05 |
2011-09-28 |
Japan Science and Technology Agency |
Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
JP4050503B2
(ja)
*
|
2001-11-29 |
2008-02-20 |
株式会社日立製作所 |
表示装置
|
JP4310984B2
(ja)
*
|
2002-02-06 |
2009-08-12 |
株式会社日立製作所 |
有機発光表示装置
|
JP4083486B2
(ja)
*
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
|
CN1445821A
(zh)
*
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
JP3933591B2
(ja)
*
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
US7339187B2
(en)
*
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
JP2004022625A
(ja)
*
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
US7067843B2
(en)
*
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
JP2003297753A
(ja)
*
|
2003-02-14 |
2003-10-17 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体膜の作製方法
|
US7486862B2
(en)
*
|
2003-05-19 |
2009-02-03 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
Optical fiber and manufacturing method thereof
|
JP4108633B2
(ja)
*
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
US7262463B2
(en)
*
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
JP4479381B2
(ja)
*
|
2003-09-24 |
2010-06-09 |
セイコーエプソン株式会社 |
電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
|
WO2005048222A1
(en)
*
|
2003-11-14 |
2005-05-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting display device, method for manufacturing the same, and tv set
|
WO2005088726A1
(ja)
*
|
2004-03-12 |
2005-09-22 |
Japan Science And Technology Agency |
アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
|
US7145174B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
US7282782B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
US7297977B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
US7476572B2
(en)
*
|
2004-03-25 |
2009-01-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing thin film transistor
|
US7211825B2
(en)
*
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
US8158517B2
(en)
*
|
2004-06-28 |
2012-04-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device
|
JP2006100760A
(ja)
*
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
CN101057338B
(zh)
*
|
2004-11-10 |
2011-03-16 |
佳能株式会社 |
采用无定形氧化物的场效应晶体管
|
KR100998527B1
(ko)
*
|
2004-11-10 |
2010-12-07 |
고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 |
비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
|
US7791072B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
CN101057333B
(zh)
*
|
2004-11-10 |
2011-11-16 |
佳能株式会社 |
发光器件
|
US7829444B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
US7453065B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
US7863611B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
US7579224B2
(en)
*
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
TWI505473B
(zh)
*
|
2005-01-28 |
2015-10-21 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
|
US7608531B2
(en)
*
|
2005-01-28 |
2009-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
US7948171B2
(en)
*
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
US8681077B2
(en)
*
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
WO2006105077A2
(en)
*
|
2005-03-28 |
2006-10-05 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
|
US8300031B2
(en)
*
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
JP2006344849A
(ja)
*
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US7691666B2
(en)
*
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7507618B2
(en)
*
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
KR100711890B1
(ko)
*
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
JP2007059128A
(ja)
*
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機el表示装置およびその製造方法
|
JP2007073705A
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5116225B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
EP1770788A3
(en)
*
|
2005-09-29 |
2011-09-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
|
JP5037808B2
(ja)
*
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
KR101103374B1
(ko)
*
|
2005-11-15 |
2012-01-05 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치
|
US8197914B2
(en)
*
|
2005-11-21 |
2012-06-12 |
Air Products And Chemicals, Inc. |
Method for depositing zinc oxide at low temperatures and products formed thereby
|
TWI292281B
(en)
*
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
US7867636B2
(en)
*
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
JP4977478B2
(ja)
*
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
|
US7576394B2
(en)
*
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
US7977169B2
(en)
*
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
JP2007250982A
(ja)
*
|
2006-03-17 |
2007-09-27 |
Canon Inc |
酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
|
KR20070101595A
(ko)
*
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ZnO TFT
|
JP4153961B2
(ja)
*
|
2006-04-25 |
2008-09-24 |
積水化学工業株式会社 |
シリコンのエッチング方法
|
US20070252928A1
(en)
*
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
JP2009528670A
(ja)
*
|
2006-06-02 |
2009-08-06 |
財団法人高知県産業振興センター |
半導体機器及びその製法
|
JP5028033B2
(ja)
*
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4999400B2
(ja)
*
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4609797B2
(ja)
*
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Nec液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
JP5164357B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
JP4274219B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
US7622371B2
(en)
*
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
JP5116290B2
(ja)
*
|
2006-11-21 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法
|
US7772021B2
(en)
*
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
JP2008140684A
(ja)
*
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーelディスプレイおよびその製造方法
|
KR101303578B1
(ko)
*
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
JP4950673B2
(ja)
*
|
2007-01-10 |
2012-06-13 |
キヤノン株式会社 |
有機el表示装置
|
US8207063B2
(en)
*
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
US8274082B2
(en)
*
|
2007-02-05 |
2012-09-25 |
Universidade Nova De Lisboa |
Electronic semiconductor device based on copper nickel and gallium-tin-zinc-copper-titanium p and n-type oxides, their applications and corresponding manufacture process
|
TWI478347B
(zh)
*
|
2007-02-09 |
2015-03-21 |
Idemitsu Kosan Co |
A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device
|
JP4947051B2
(ja)
*
|
2007-02-26 |
2012-06-06 |
株式会社村田製作所 |
導電膜および導電膜の製造方法
|
KR100851215B1
(ko)
*
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
WO2008133345A1
(en)
*
|
2007-04-25 |
2008-11-06 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Oxynitride semiconductor
|
KR100982395B1
(ko)
*
|
2007-04-25 |
2010-09-14 |
주식회사 엘지화학 |
박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
|
WO2008140024A1
(ja)
*
|
2007-05-08 |
2008-11-20 |
Ideal Star Inc. |
ガスセンサー、これを用いた気体計測システム、およびそのための気体検知モジュール
|
US7897482B2
(en)
*
|
2007-05-31 |
2011-03-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
JP2008311385A
(ja)
*
|
2007-06-14 |
2008-12-25 |
Hitachi High-Technologies Corp |
基板処理装置
|
US7682882B2
(en)
*
|
2007-06-20 |
2010-03-23 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor
|
WO2009031423A1
(ja)
*
|
2007-09-03 |
2009-03-12 |
Konica Minolta Holdings, Inc. |
金属酸化物半導体薄膜の製造方法、これを用いた薄膜トランジスタ
|
JP2009123957A
(ja)
*
|
2007-11-15 |
2009-06-04 |
Sumitomo Chemical Co Ltd |
酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ
|
JP5430846B2
(ja)
*
|
2007-12-03 |
2014-03-05 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
JP5377940B2
(ja)
*
|
2007-12-03 |
2013-12-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP5213422B2
(ja)
*
|
2007-12-04 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
|
JP5215158B2
(ja)
*
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
GB0803702D0
(en)
*
|
2008-02-28 |
2008-04-09 |
Isis Innovation |
Transparent conducting oxides
|
JP2009231664A
(ja)
*
|
2008-03-25 |
2009-10-08 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
電界効果トランジスタ及びその製造方法
|
JP2009253204A
(ja)
*
|
2008-04-10 |
2009-10-29 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
US9041202B2
(en)
*
|
2008-05-16 |
2015-05-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method of the same
|
WO2009154168A1
(ja)
*
|
2008-06-17 |
2009-12-23 |
株式会社日立製作所 |
有機発光素子、その作製方法、その作製装置及びそれを用いた有機発光装置
|
JP5510767B2
(ja)
*
|
2008-06-19 |
2014-06-04 |
出光興産株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
US8822263B2
(en)
*
|
2008-06-30 |
2014-09-02 |
National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology |
Epitaxial growth method of a zinc oxide based semiconductor layer, epitaxial crystal structure, epitaxial crystal growth apparatus, and semiconductor device
|
TWI413260B
(zh)
*
|
2008-07-31 |
2013-10-21 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置及其製造方法
|
TWI495108B
(zh)
*
|
2008-07-31 |
2015-08-01 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置的製造方法
|
TWI424506B
(zh)
*
|
2008-08-08 |
2014-01-21 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置的製造方法
|
JP5627071B2
(ja)
*
|
2008-09-01 |
2014-11-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
JP4623179B2
(ja)
*
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
CN101714546B
(zh)
*
|
2008-10-03 |
2014-05-14 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及其制造方法
|
JP5451280B2
(ja)
*
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
WO2010071183A1
(en)
*
|
2008-12-19 |
2010-06-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
KR100993416B1
(ko)
*
|
2009-01-20 |
2010-11-09 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치
|
KR101608887B1
(ko)
*
|
2009-04-17 |
2016-04-05 |
삼성전자주식회사 |
인버터와 그 제조방법 및 인버터를 포함하는 논리회로
|
TWI397184B
(zh)
*
|
2009-04-29 |
2013-05-21 |
Ind Tech Res Inst |
氧化物半導體薄膜電晶體
|
JP4415062B1
(ja)
*
|
2009-06-22 |
2010-02-17 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
|
KR101782176B1
(ko)
*
|
2009-07-18 |
2017-09-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
|
CN102484140B
(zh)
*
|
2009-09-04 |
2015-04-22 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件的制造方法
|
KR102295450B1
(ko)
*
|
2009-10-09 |
2021-08-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
KR101847656B1
(ko)
*
|
2009-10-21 |
2018-05-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
KR20120106766A
(ko)
*
|
2009-11-20 |
2012-09-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제작 방법
|
JP5731244B2
(ja)
*
|
2010-03-26 |
2015-06-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
US8207025B2
(en)
*
|
2010-04-09 |
2012-06-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of semiconductor device
|
TWI521612B
(zh)
*
|
2011-03-11 |
2016-02-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|