JP2013038404A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上に下地膜を形成し、
   前記下地膜に化学機械研磨処理を行い、
   前記化学機械研磨処理した後、前記下地膜にプラズマ処理を行い、
   前記プラズマ処理した後、前記下地膜上に酸化物半導体層を形成する半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、前記プラズマ処理は、希ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に下地膜を形成し、
   前記下地膜に第１のプラズマ処理を行い、
   前記第１のプラズマ処理した後、前記下地膜に化学機械研磨処理を行い、
   前記化学機械研磨処理後、前記下地膜に第２のプラズマ処理を行い、
   前記第２のプラズマ処理した後、前記下地膜上に酸化物半導体層を形成する半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、前記第１のプラズマ処理及び前記第２のプラズマ処理は、希ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記下地膜は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板は半導体基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。