JP2010160442A - 原版データ生成プログラムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原版を照明してパターンを基板に投影する露光装置において用いられる原版を製作するための原版データ生成プログラムは、基板に形成すべき目標パターンを複数の方向グループに分類する分類ステップと、前記複数の方向グループのそれぞれについて、前記照明光学系によって前記投影光学系の瞳に形成される有効光源分布から該当する方向グループに属する目標パターンの解像に適した領域を抽出しその抽出した領域を部分光源として決定する部分光源決定ステップと、複数の部分光源のいずれか1つを照明条件として、原版に配置するべきパターンを決定する処理を前記複数の部分光源のそれぞれについて実行するパターン決定ステップと、前記パターン決定ステップで決定されたパターンを合成する合成ステップとを含む。
【選択図】図3A
Description
図3Aに示された原版データ生成処理の実施例を説明する。この実施例では、目標パターンを複数の方向グループに分類し、方向グループごとに方向に対応する部分光源の下で近接効果補正によって主パターンを決定し、その主パターンと干渉する補助パターンを決定する。
図3Aに示された原版データ生成処理の実施例を説明する。この実施例では、目標パターンを複数の方向グループに分類し、方向グループごとに方向に対応する部分光源の下で近接効果補正によって主パターンを決定し、その主パターンと干渉する補助パターンを決定する。
図3Bに示された原版データ生成処理の実施例を説明する。この実施例では、有効光源を照明条件として全ての目標パターンに基づいて主パターンを決定し、その後に、各部分光源を照明条件として補助パターンを決定する。
図3Cに示された原版データ生成処理の実施例を説明する。この実施例では、有効光源を照明条件として全ての目標パターンに基づいて主パターンを決定し、その後に、各部分光源を照明条件として補助パターンを決定する。この補助パターンの決定においては、部分光源に適合した主パターンの周辺領域においてのみ補助パターンを配置する。
Claims (10)
- 原版を照明光学系によって照明して該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において用いられる原版を製作するための原版データをコンピュータに生成させるための原版データ生成プログラムであって、前記コンピュータに、
基板に形成すべき目標パターンを複数の方向グループに分類する分類ステップと、
前記複数の方向グループのそれぞれについて、前記照明光学系によって前記投影光学系の瞳に形成される有効光源分布から該当する方向グループに属する目標パターンの解像に適した領域を抽出しその抽出した領域を部分光源として決定する部分光源決定ステップと、
前記部分光源決定ステップで決定された複数の部分光源のいずれか1つを照明条件として、原版に配置するべきパターンを決定する処理を前記複数の部分光源のそれぞれについて実行するパターン決定ステップと、
前記パターン決定ステップで決定されたパターンを合成する合成ステップと、
を含む処理を実行させることを特徴とする原版データ生成プログラム。 - 原版に配置するべきパターンは、主パターンおよび補助パターンを含み、
前記パターン決定ステップでは、前記部分光源決定ステップで決定された複数の部分光源のいずれか1つを照明条件として、原版に配置するべき主パターンおよび補助パターンを決定する処理を前記複数の部分光源のそれぞれについて実行する、
ことを特徴とする請求項1に記載の原版データ生成プログラム。 - 原版に配置するべきパターンは、主パターンおよび補助パターンを含み、
前記原版データ生成プログラムは、更に、前記有効光源分布を照明条件として原版に配置するべき主パターンを決定する主パターン決定ステップをコンピュータに実行させ、
前記パターン決定ステップでは、前記部分光源決定ステップで決定された複数の部分光源のいずれか1つを照明条件として、前記主パターン決定ステップで決定された主パターンによって形成される空中像を計算し、その空中像に基づいて補助パターンを決定する処理を前記複数の部分光源のそれぞれについて実行する、
ことを特徴とする請求項1に記載の原版データ生成プログラム。 - 原版に配置するべきパターンは、主パターンおよび補助パターンを含み、
前記原版データ生成プログラムは、更に、前記有効光源分布を照明条件として、原版に配置するべき主パターンを決定する主パターン決定ステップをコンピュータに実行させ、
前記パターン決定ステップでは、
前記主パターン決定ステップで決定された主パターンを前記複数の方向グループに分類し、
前記部分光源決定ステップで決定された複数の部分光源のいずれか1つを照明条件として、前記主パターン決定ステップで決定された主パターンによって形成される空中像を計算し、その空中像に基づいて、当該照明条件として決定された部分光源に対応する方向グループに属する主パターンの周辺領域においてのみ補助パターンを決定する処理を該複数の部分光源のそれぞれについて実行する、
ことを特徴とする請求項1に記載の原版データ生成プログラム。 - 主パターンは、目標パターンを近接効果補正することによって決定される、
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の原版データ生成プログラム。 - 補助パターンは、主パターンによって形成される空中像における光強度のピーク位置に基づいて決定される、
ことを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の原版データ生成プログラム。 - 前記分類ステップでは、
目標パターンの長手方向が原版面上に定義されるxy座標系におけるx軸となす角度をθ(0≦θ<π、θ=2(j−1)Δθ、j=1,…,π/(2Δθ))としたときに、θ=2(j−1)Δθ±Δθの角度範囲にある目標パターンを方向jの方向グループとして分類する、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の原版データ生成プログラム。 - 前記部分光源決定ステップでは、方向jの方向グループに属する目標パターンの解像に適した部分光源として、その中心線がx軸となす角度がθ±π/2であり、かつ、該中心線に対する開き角が±α(α<π/2)である領域と前記有効光源分布とが重なる領域を決定する、
ことを特徴とする請求項7に記載の原版データ生成プログラム。 - 前記分類ステップでは、目標パターンの長手方向が原版面上に定義されるxy座標系におけるx軸となす角度をθ(0≦θ<π、θ=2(j−1)Δθ、j=1,…,π/(2Δθ))としたときに、θ=2(j−1)Δθ±Δθの角度範囲にある目標パターンを方向jの方向グループとして分類し、
前記部分光源決定ステップでは、方向jの方向グループに属する目標パターンの解像に適した部分光源として、その中心線がx軸となす角度がθ±π/2であり、かつ、該中心線に対する開き角が±α(α<π/2)である領域と前記有効光源分布とが重なる領域を決定し、
前記パターン決定ステップでは、中心線がx軸となす角度がθ±π/2である部分光源を照明条件として計算された空中像における光強度の注目ピーク位置とそれに最も近い位置に存在するピーク位置とを接続する線がx軸となす角度がθ±Δθ’(0<Δθ’≦π/2)の角度範囲を満たすとき、該注目ピーク位置を補助パターンの位置として決定する
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の原版データ生成プログラム。 - 原版を照明光学系によって照明して該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において用いられる原版を製作するための原版データを生成する原版データ生成方法であって、
基板に形成すべき目標パターンを複数の方向グループに分類する分類ステップ、
前記複数の方向グループのそれぞれについて、前記照明光学系によって前記投影光学系の瞳に形成される有効光源分布から該当する方向グループに属する目標パターンの解像に適した領域を抽出しその抽出した領域を部分光源として決定する部分光源決定ステップと、
前記部分光源決定ステップで決定された複数の部分光源のいずれか1つを照明条件として、原版に配置するべきパターンを決定する処理を該複数の部分光源のそれぞれについて実行するパターン決定ステップと、
前記パターン決定ステップで決定されたパターンを合成する合成ステップと、
を含むことを特徴とする原版データ生成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009003996A JP5607308B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 原版データ生成プログラムおよび方法 |
US12/684,675 US8234600B2 (en) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | Computer readable storage medium storing program for generating reticle data, and method of generating reticle data |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009003996A JP5607308B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 原版データ生成プログラムおよび方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010160442A true JP2010160442A (ja) | 2010-07-22 |
JP5607308B2 JP5607308B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=42319938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009003996A Active JP5607308B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 原版データ生成プログラムおよび方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8234600B2 (ja) |
JP (1) | JP5607308B2 (ja) |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120105 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130326 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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