JP2010153634A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置では、P型の埋込層9が這い上がり、P型の拡散層12が這い下がり、両拡散層9、12が連結することで、MOSトランジスタ3のバックゲート領域が構成される。この構造により、分離領域1のP型の拡散層13の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びMOSトランジスタのデバイスサイズが低減される。その一方で、バックゲート領域での寄生抵抗が低減し、MOSトランジスタの動作耐圧が向上する。
【選択図】図1
Description
2 分離領域
3 Nチャネル型MOSトランジスタ
9 P型の埋込層
12 P型の拡散層
Claims (4)
- 一導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される逆導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層を複数の素子形成領域に区分する一導電型の分離領域と、
前記素子形成領域の1領域には、前記半導体基板と前記エピタキシャル層に渡り形成される逆導電型の埋込層と、
前記逆導電型の埋込層と重畳して形成され、少なくとも前記逆導電型の埋込層の上面に導出する一導電型の第1の埋込層と、
前記エピタキシャル層に形成され、前記一導電型の第1の埋込層と連結する一導電型の第1の拡散層と、
前記一導電型の第1の拡散層と重畳して形成される逆導電型の第1の拡散層及び逆導電型の第2の拡散層と、
前記エピタキシャル層上に形成される電極とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記分離領域は、前記半導体基板と前記エピタキシャル層とに渡り形成された一導電型の第2の埋込層と、前記エピタキシャル層に形成され、前記一導電型の第2の埋込層と連結する一導電型の第2の拡散層とを有し、
前記一導電型の第2の埋込層は、前記一導電型の第1の埋込層と同一工程にて形成される拡散層であり、前記一導電型の第2の拡散層は、前記一導電型の第1の拡散層と同一工程にて形成される拡散層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 一導電型の半導体基板を準備し、前記半導体基板に逆導電型の埋込層を形成するための不純物を拡散した後、一導電型の第1の埋込層を形成する不純物を前記半導体基板にイオン注入する工程と、
前記半導体基板上に逆導電型のエピタキシャル層を形成し、前記半導体基板に熱処理を施し、前記一導電型の第1の埋込層を前記逆導電型の埋込層上面に導出させた後、前記エピタキシャル層表面から一導電型の第1の拡散層を形成する不純物をイオン注入し、前記一導電型の第1の拡散層と前記一導電型の第1の埋込層とを連結させる工程と、
前記一導電型の第1の拡散層に逆導電型の第1の拡散層及び第2の拡散層を形成し、前記エピタキシャル層上に電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記エピタキシャル層を複数の素子形成領域に区分する分離領域を構成する一導電型の第2の埋込層を形成するイオン注入工程は、前記一導電型の第1の埋込層を形成するイオン注入工程と同一工程であり、
前記分離領域を構成する一導電型の第2の拡散層を形成するイオン注入工程は、前記一導電型の第1の拡散層を形成するイオン注入工程と同一工程であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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