JP2010123925A5 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010123925A5
JP2010123925A5 JP2009239996A JP2009239996A JP2010123925A5 JP 2010123925 A5 JP2010123925 A5 JP 2010123925A5 JP 2009239996 A JP2009239996 A JP 2009239996A JP 2009239996 A JP2009239996 A JP 2009239996A JP 2010123925 A5 JP2010123925 A5 JP 2010123925A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor layer
insulating layer
display device
layer
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009239996A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010123925A (ja
JP5595003B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009239996A priority Critical patent/JP5595003B2/ja
Priority claimed from JP2009239996A external-priority patent/JP5595003B2/ja
Publication of JP2010123925A publication Critical patent/JP2010123925A/ja
Publication of JP2010123925A5 publication Critical patent/JP2010123925A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5595003B2 publication Critical patent/JP5595003B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (1)

  1. 第1のゲート電極と、
    前記第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、
    前記第1の絶縁層上の第1の半導体層と、
    前記第1の半導体層上の第2の半導体層と、
    前記第2の半導体層上の第3の半導体層と、
    前記第2の半導体層上の第2の絶縁層と、
    前記第2の絶縁層上の第3の絶縁層と
    前記第3の絶縁層上の第2のゲート電極と、を有し、
    前記第2の半導体層は、前記第2の絶縁層に接する領域と前記第3の半導体層に接する領域とを有し、
    前記第2の半導体層は複数の凸部を有し、
    前記第2の絶縁層は前記複数の凸部に接する領域を有し、
    前記第3の半導体層は前記複数の凸部に接する領域を有することを特徴とする表示装置。
JP2009239996A 2008-10-23 2009-10-19 表示装置 Expired - Fee Related JP5595003B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009239996A JP5595003B2 (ja) 2008-10-23 2009-10-19 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008272657 2008-10-23
JP2008272657 2008-10-23
JP2009239996A JP5595003B2 (ja) 2008-10-23 2009-10-19 表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010123925A JP2010123925A (ja) 2010-06-03
JP2010123925A5 true JP2010123925A5 (ja) 2012-11-22
JP5595003B2 JP5595003B2 (ja) 2014-09-24

Family

ID=42324961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009239996A Expired - Fee Related JP5595003B2 (ja) 2008-10-23 2009-10-19 表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5595003B2 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8598586B2 (en) 2009-12-21 2013-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof
JP5752447B2 (ja) 2010-03-15 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011155295A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
US20120001179A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8735231B2 (en) * 2010-08-26 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of dual-gate thin film transistor
US8704230B2 (en) * 2010-08-26 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI538218B (zh) 2010-09-14 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
JP5767073B2 (ja) * 2010-10-15 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 エッチング方法及び半導体装置の作製方法
JP5961391B2 (ja) * 2011-01-26 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9401396B2 (en) * 2011-04-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method
WO2014017406A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10529740B2 (en) * 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
JP6246518B2 (ja) * 2013-07-29 2017-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
CN103474473B (zh) * 2013-09-10 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管开关及其制造方法
US9722090B2 (en) * 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
CN111987111B (zh) * 2020-08-12 2023-09-05 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3294438B2 (ja) * 1994-07-14 2002-06-24 沖電気工業株式会社 多結晶半導体薄膜の形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの形成方法
JP3173462B2 (ja) * 1998-06-09 2001-06-04 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ
JP2001102587A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Toshiba Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに半導体薄膜の製造方法
JP2001308339A (ja) * 2000-02-18 2001-11-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
GB0017471D0 (en) * 2000-07-18 2000-08-30 Koninkl Philips Electronics Nv Thin film transistors and their manufacture
JP2002083971A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Nec Kagoshima Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP3716755B2 (ja) * 2001-04-05 2005-11-16 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型表示装置
JP4136482B2 (ja) * 2002-06-20 2008-08-20 キヤノン株式会社 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
JP2007258218A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Toppan Printing Co Ltd 有機トランジスタおよびその製造方法
JP4420032B2 (ja) * 2007-01-31 2010-02-24 ソニー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010123925A5 (ja) 表示装置
JP2011129898A5 (ja) 半導体装置
JP2011086927A5 (ja) 半導体装置
JP2010123926A5 (ja) 表示装置
JP2013084941A5 (ja) 半導体装置
JP2011100877A5 (ja)
JP2010258434A5 (ja) 半導体装置
JP2010113346A5 (ja)
JP2013190802A5 (ja)
JP2011129899A5 (ja) 半導体装置
JP2012235098A5 (ja) 半導体装置
JP2013038399A5 (ja) 半導体装置
JP2012256838A5 (ja)
JP2013211537A5 (ja)
JP2010212673A5 (ja) 半導体装置
JP2010153828A5 (ja) 半導体装置
JP2010097203A5 (ja)
JP2010226097A5 (ja) 半導体装置
JP2013008946A5 (ja)
JP2011216878A5 (ja) 半導体装置
JP2012124175A5 (ja)
JP2013102134A5 (ja) 半導体装置
JP2010183022A5 (ja) 半導体装置
JP2012235107A5 (ja) 半導体装置
JP2010135777A5 (ja) 半導体装置