JP5767073B2 - エッチング方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について、図1及び図2を参照して説明する。
実施の形態1で説明した薄膜トランジスタには、チャネル形成領域と重畳して第3の導電層226が設けられており、これがバックゲート電極として機能する。本実施の形態では、薄膜トランジスタへのバックゲート電極の配し方について説明する。
上記実施の形態にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパーが挙げられる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、デジタルサイネージ、PID(Public Information Display)、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図4に示す。
上記実施の形態にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパー以外にもさまざまな電子機器(遊技機も含む)が挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
202 第1の導電層
204 第1の絶縁層
206 第1の半導体膜
208 第2の半導体膜
210 不純物半導体膜
211 エッチングマスク
212 薄膜積層体
214 導電膜
215 エッチングマスク
216 第1の半導体層
218 第2の半導体層
220 不純物半導体層
222 第2の導電層
224 第2の絶縁層
225 開口部
226 第3の導電層
300A ゲート
300B ゲート
300C ゲート
300D ゲート
302A 配線
302B 配線
302C 配線
302D 配線
304A 電極
304B 電極
304C 電極
304D 電極
306A 電極
306B 電極
306C 電極
306D 電極
308A バックゲート
308B バックゲート
308C バックゲート
308D バックゲート
310A 開口部
310B 開口部
310C 開口部
310D 開口部
312 開口部
400 電子書籍
401 筐体
403 筐体
405 表示部
406 光電変換装置
407 表示部
408 光電変換装置
411 軸部
421 電源
423 操作キー
425 スピーカ
500 テレビジョン装置
501 筐体
503 表示部
505 スタンド
507 表示部
509 操作キー
510 リモコン操作機
520 デジタルフォトフレーム
521 筐体
523 表示部
541 上部筐体
542 下部筐体
543 表示部
544 キーボード
545 外部接続ポート
546 ポインティングデバイス
547 表示部
Claims (8)
- 結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜上の非晶質シリコン膜と、を有する、積層体に対して、第1のエッチングと第2のエッチングとを行って、前記結晶性シリコン膜の一部を露出させるエッチング方法であって、
前記第1のエッチングは、CF4ガスを用い、
前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。 - 結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜上の非晶質シリコン膜と、を有する、積層体の第1の領域上に、エッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクを用いた、第1のエッチングと第2のエッチングとを行って、第2の領域の前記結晶性シリコン膜を露出させるエッチング方法であって、
前記第1のエッチングは、CF4ガスを用い、
前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。 - 微結晶シリコン膜と、
前記微結晶シリコン膜上の非晶質シリコン膜と、を有する、積層体の第1の領域上に、エッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクを用いて、第1のエッチングと第2のエッチングとを行って、第2の領域の前記微結晶シリコン膜を露出させるエッチング方法であって、
前記第1のエッチングは、CF4ガスを用い、
前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2のエッチングのバイアス電力は、0より大きく100W以下を有することを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第2のエッチングにおける前記HBrガスと前記CF4ガスと前記酸素ガスの流量比は、24:1:1であることを特徴とするエッチング方法。 - ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、結晶性シリコン膜を形成し、
前記結晶性シリコン膜上に、非晶質シリコン膜を形成し、
前記非晶質シリコン膜上に、不純物が添加されたシリコン膜を形成し、
前記不純物が添加されたシリコン膜上に、第1のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性シリコン膜、前記非晶質シリコン膜、及び前記不純物が添加されたシリコン膜を除去して、積層体を形成し、
前記第1のエッチングマスクを除去し、
前記積層体上に、導電膜を形成し、
前記導電膜上に、第2のエッチングマスクを形成し、
前記導電膜を加工して、ソース電極及びドレイン電極層を形成し、
前記第2のエッチングマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない領域の前記積層体に対し、第1のエッチングと第2のエッチングとを行い、前記積層体の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない前記領域の結晶性半導体層を露出させる半導体装置の作製方法であって、
前記第1のエッチングは、CF4ガスを用い、
前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜上に、非晶質シリコン膜を形成し、
前記非晶質シリコン膜上に、不純物が添加されたシリコン膜を形成し、
前記不純物が添加されたシリコン膜上に、第1のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記微結晶シリコン膜、前記非晶質シリコン膜、及び前記不純物が添加されたシリコン膜を除去して、積層体を形成し、
前記第1のエッチングマスクを除去し、
前記積層体上に、導電膜を形成し、
前記導電膜上に、第2のエッチングマスクを形成し、
前記導電膜を加工して、ソース電極及びドレイン電極層を形成し、
前記第2のエッチングマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない領域の前記積層体に対し、第1のエッチングと第2のエッチングとを行い、前記積層体の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない前記領域の結晶性半導体層を露出させる半導体装置の作製方法であって、
前記第1のエッチングは、CF4ガスを用い、
前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6又は請求項7において、
前記第1のエッチングマスクを除去することなく、前記積層体の側壁に対して、プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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