JP2010118382A - Simoxウェーハの結晶欠陥の低減方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハの表面からBOX層12よりも設定深さの範囲のシリコン層13までイオンを注入する第1の工程と、第1の工程で得られたウェーハを加熱してイオンが注入された部位の結晶性を回復させる第2の工程とを含む。ここで、第1の工程は、異なる注入エネルギでイオンを複数回注入する。
【選択図】図1
Description
表面の酸化膜はなくてもよいが、パーティクルのマスクとしてあった方が好ましい。また、酸化膜厚は注入する深さに合わせて調整することも可能である。表面酸化膜は、SIMOXを形成するアニール時に形成された酸化膜をエッチングして用いることもできるが、新たに形成することも可能である。
イオン注入工程は、得られたSIMOXウェーハを洗浄、乾燥した後にイオン注入装置に収容し、真空状態で、図1(b)に示すように、ウェーハ表面からウェーハ内部に酸素イオン16を注入することにより、酸素イオンをSF14,15と衝突させて、その結晶構造を壊すものである。
熱処理工程は、イオン注入装置から取り出されたSIMOXウェーハを洗浄、乾燥した後、熱処理炉内に収容し、酸素含有雰囲気中でウェーハに高温熱処理を施して、欠陥構造が壊れたSF14,15の結晶性を回復、つまりシリコン層13の正常な結晶構造に変化させるものである。
本実施例では、はじめに、シリコンウェーハに酸素イオンの注入回数が異なる3種類のウェーハについて、熱処理前の状態で、シリコン層の所定の深さ領域における深さ方向の酸素濃度分布を調査した。図2は、酸素イオン注入後、熱処理前のウェーハのシリコン層の深さ方向における酸素濃度の分布を説明する図であり、横軸は、BOX層とシリコン層の境界からの深さ(nm)、縦軸は、酸素濃度(/cm3)をそれぞれ表している。図中の矢印Aで示した領域は、BOX層とシリコン層の境界から200nmの深さ領域(以下、SF発生領域Aという。)を示している。
本実施例では、ウェーハcの3回のイオン注入の合計のイオンドーズ量を少なくした条件で酸素イオンを注入した後、熱処理して得られたウェーハについて、SF密度を評価した。ここで、注入エネルギは、ウェーハcと同様、216keV、180keV、150keVの順に段階的に減らし、各イオン注入時のイオンドーズ量はいずれも2×1015atoms/cm2とし、3回のイオン注入の合計のイオンドーズ量を6×1015atoms/cm2とした。その他の熱処理を含めた条件は、実施例1のウェーハa,ウェーハcの場合と同じである。このようにして得られたウェーハをウェーハdとする。
本比較例では、注入エネルギを216keVに固定し、イオンドーズ量が異なる5種類のイオン注入条件で、それぞれ1回だけイオン注入した後、熱処理して得られたウェーハについて、SF密度を評価した。ここで、イオンドーズ量は、4×1015atoms/cm2、6×1015atoms/cm2、8×1015atoms/cm2、1×1016atoms/cm2、2×1016atoms/cm2の5種類とした。その他の熱処理を含めた条件は、実施例1のウェーハa,ウェーハcの場合と同じである。このようにして得られた5種類のウェーハについて、それぞれSF密度を求めた結果を○の記号で表して図3に示す。○の記号の下向きの矢印は、SF密度が1×107/cm2未満、1×106/cm2以上の範囲であることを表している。
11 SOI層
12 BOX層
13 シリコン層
13a 深さ領域
14 SF(四角錐型)
15 SF(四面体型)
16 酸素イオン
A SFの発生領域
Claims (5)
- SIMOXウェーハの埋め込み酸化膜下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減する方法であって、
前記ウェーハの表面から前記埋め込み酸化膜よりも設定深さの範囲の前記シリコン層までイオンを注入する第1の工程と、該第1の工程で得られた前記ウェーハを加熱して前記イオンが注入された部位の結晶性を回復させる第2の工程とを含み、
前記第1の工程は、異なる注入エネルギで前記イオンを複数回注入することを特徴とするSIMOXウェーハの結晶欠陥の低減方法。 - SIMOXウェーハの埋め込み酸化膜下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減する方法であって、
前記ウェーハの表面から前記シリコン層に注入したイオンを前記結晶欠陥に衝突させて該結晶欠陥を壊す第1の工程と、該第1の工程で得られた前記ウェーハを加熱して前記シリコン層を再結晶させる第2の工程とを含み、
前記第1の工程は、異なる注入エネルギで前記イオンを複数回注入することを特徴とするSIMOXウェーハの結晶欠陥の低減方法。 - 前記第1の工程は、前記シリコン層に注入するイオンを酸素イオンとするとき、前記SIMOXウェーハの温度が50℃以下の状態から前記イオンの注入を開始し、各イオン注入時のイオンドーズ量を1×1015〜1.5×1016、前記注入エネルギを150keV〜220keVとすることを特徴とする請求項1又は2に記載のSIMOXウェーハの結晶欠陥の低減方法。
- 前記第1の工程で前記シリコン層に注入するイオンは、元素周期表の水素からアルゴンまでの元素のうちいずれかのイオンであることを特徴とする請求項1又は2に記載のSIMOXウェーハの結晶欠陥の低減方法。
- 前記第2の工程は、前記ウェーハを1150℃〜1350℃の温度に加熱することを特徴とする請求項1又は2に記載のSIMOXウェーハの結晶欠陥の低減方法。
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