JP2010109176A - 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具 - Google Patents
半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】プロセスマッフル1と、プロセスマッフル1内に配置されたマッフルフロア5と、マッフルフロア5上を摺動しながら半導体ウエーハWを搬送する搬送ベルト9と、搬送ベルト9の動きを監視する監視装置と、を備え、監視装置は例えばエンコーダ30を有する。このような構成であれば、搬送ベルト9の移動速度の変化(例えば、脈動)を検出することができ、この検出結果に基づいて、常圧CVD装置100のメンテナンス時期を決定することができる。
【選択図】図1
Description
このような常圧CVD装置は、処理室内で基板をローダ側からアンローダ側へ搬送するためのベルトを有する。また、このベルトの下部には、処理室の底面に相当する温度コントロールされた金属板があり、この金属板はマッフルフロアと呼ばれている。マッフルフロアには直径1mm弱の微細な孔が多数形成されており、孔よりN2ガスを放出することにより、マッフルフロア表面での生成物異常成長を抑制すると共に、基板に対する成膜レートのコントロールを可能としている。
また、デポ物の堆積による孔の閉鎖の程度は、装置の使用条件により異なる。例えば、ガス種、温度、加工時間、メンテナンスの仕上げ具合などにより、閉鎖の程度は大きく左右される。従って、定期的メンテナンスでは、使用可能期間内であるにも関わらず孔が塞がれて加工不良が発生することや、メンテナンス時期に到達したにも関わらず孔に問題が無く、(結果的に)装置を不要に停止させ生産効率を落としてしまうことがあった。
そこで、本発明のいくつかの態様は、このような課題に着目してなされたものであって、メンテナンスを効率良く実行できるようにした半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具の提供を目的とする。
また、上記の構成において、前記監視装置はエンコーダを有し、前記エンコーダは前記搬送ベルトの動きに応じて回転するローラーを含むことを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記監視装置は、前記エンコーダから出力されるパルスのカウント値を電圧量に変換して画面に表示する変換表示部、をさらに有することを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記搬送ベルト上に前記基板を供給するローダと、前記ローダの動作を制御する制御部と、をさらに備え、前記判断部が前記波形に異常有りと判断したときは、前記制御部が前記ローダによる前記基板の供給を停止する、ことを特徴としても良い。
本発明の別の形態に係る半導体製造装置のメンテナンス方法は、上記の構成を有する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、前記メンテナンス治具を用いて前記孔内を清掃する工程と、を含み、前記孔内を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とするものである。
また、上記の構成において、前記針の一端は、前記保持部に着脱可能に取り付けられていることを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記針は、ピアノ線からなることを特徴としても良い。ここで、ピアノ線とは、炭素鋼で作られた金属線のことである。
(1)第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る常圧CVD装置100の構成例を示す概念図である。図1に示すように、この常圧CVD装置100は、プロセスマッフル1と、インジェクター3と、マッフルフロア5と、クーリングマッフル7と、搬送ベルト9と、エッチングマッフル11と、超音波洗浄器13と、ガス噴射口15と、赤外線ランプ17と、ラグローラー19と、複数のピンチローラー21と、水冷ローラー23と、エンコーダ30と、を備える。
エッチングマッフル11は、クーリングマッフル7の出口7bから出て(図示しない)アンローダ側に半導体ウエーハWを渡した後の搬送ベルト9を所定の薬液又はガスでエッチングするためのエッチング室である。例えば、プロセスマッフル1内でSiO2の成膜処理が行われる場合は、搬送ベルト9の表面にも意図せずSiO2が堆積する。これをそのまま残しておくとパーティクルの原因となるので、エッチングマッフル11では、搬送処理を終えた後のベルト表面を例えばフッ酸(HF)の蒸気でエッチングしてSiO2を取り除く。
エンコーダ30では、ローラー31の回転量が電気的なパルス信号に変換されて出力されるが、このパルス信号はf/A変換器41で電圧量(即ち、アナログ信号)に変換される。即ち、f/A変換器41では、単位時間当たりのパルスのカウント値が、単位時間当たりの電圧量に変換される。そして、このアナログ信号は、A/D変換器43でデジタル信号に変換され、PC45に送信される。PC45では、このデジタル信号に基づいて、電圧量の経時変化が画面上に表示される。
上記の常圧CVD装置100では、搬送ベルト9の動きを監視する監視装置50の一部にエンコーダ30を用いているため、脈動を精度良く検出することができる。さらに、エンコーダ30から出力される信号を最終的にアナログの波形に変換して画面上に表示している。これにより、作業者は搬送ベルト9の脈動を画面上で確認することが容易となっている。
このような構成であれば、PC45の画面を作業者が監視していなくても、アラートの表示とほぼ同時に、ローダ12を停止させることができ、後続の成膜処理を直ちに中止することができる。従って、成膜不良の発生をさらに抑制することができる。
次に、成膜処理を停止した後の、常圧CVD装置100のメンテナンス方法について説明する。
図6は、常圧CVD装置100のメンテナンス方法の一例を示す概念図である。図6に示すように、マッフルフロア5の孔6を塞いでいるデポ物は、ポンチ60を用いて取り除くことができる。ここで、ポンチ60は、孔6の直径よりも小さな直径の針61と、針61の一端を保持する保持部62と、を備えるメンテナンス治具のことである。
図7はポンチ60の構成例を示す概念図である。
このように、本発明の第2実施形態によれば、常圧CVD装置100をメンテナンスする際に、マッフルフロア5の孔6内をポンチ60を用いて清掃する。これにより、孔6内を塞いでいるデポ物をマッフルフロア5の反対側へ一気に押し出すことができ、孔6内を効率良く清掃することができる。
また、本発明のポンチは、保持部62に対して、針61が着脱可能に取り付けられていても良い。例えば、針61は保持部62に対してピンバイス方式で取り付けられていても良い。
また、本発明のポンチは、押圧力の有無によって針61が伸縮する(即ち、動く)ような構成であっても良い。
上記の第1、第2実施形態では、プロセスマッフル1が本発明の「処理室」に対応し、マッフルフロア5が「支持板」に対応し、インジェクター3が本発明の「ガス供給部」に対応している。また、f/A変換器41、A/D変換器43及びPC45の組み合わせが「変換表示部」に対応し、PC45は「判断部」にも対応している。また、常圧CVD装置100が本発明の「半導体製造装置」に対応し、ポンチ60、60´又は60´´が本発明の「メンテナンス治具」に対応している。
Claims (12)
- 処理室と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、
前記搬送ベルトの動きを監視する監視装置と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記監視装置はエンコーダを有し、前記エンコーダは前記搬送ベルトの動きに応じて回転するローラーを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記監視装置は、前記エンコーダから出力されるパルスのカウント値を電圧量に変換して画面に表示する変換表示部、をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記監視装置は、
前記エンコーダから出力される信号に異常が有るか否かを判断する判断部、をさらに有することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体製造装置。 - 前記搬送ベルト上に前記基板を供給するローダと、
前記ローダの動作を制御する制御部と、をさらに備え、
前記判断部が前記波形に異常有りと判断したときは、前記制御部が前記ローダによる前記基板の供給を停止する、ことを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。 - 前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部、をさらに備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、
前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の半導体製造装置。 - 請求項6に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、
前記メンテナンス治具を用いて前記孔内を清掃する工程と、を含み、
前記孔内を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。 - 処理室と、
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、
前記メンテナンス治具を用いて前記孔の内部を清掃する工程と、を含み、
前記孔の内部を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。 - 処理室と、
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンスに使用される治具であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、
前記針の一端を保持する保持部と、を備えることを特徴とするメンテナンス治具。 - 前記保持部の前記針を保持する側に取り付けられた樹脂材、をさらに備えることを特徴とする請求項9に記載のメンテナンス治具。
- 前記針の一端は、前記保持部に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項9に記載のメンテナンス治具。
- 前記針は、ピアノ線からなることを特徴とする請求項9から請求項11の何れか一項に記載のメンテナンス治具。
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