JP2010283153A - 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を処理する領域内の部材の酸化膜成長を抑制することで剥離現象を延命させ、メンテナンス頻度を延ばし生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材を提供する。
【解決手段】少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、前記反応容器内に基板を搬入する工程と、窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板を熱処理する工程とを有する。
【選択図】図3
【解決手段】少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、前記反応容器内に基板を搬入する工程と、窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板を熱処理する工程とを有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、例えば半導体ウエハやガラス基板等の熱処理に用いられる半導体装置の製造方法、熱処理装置及び熱処理用部材に関する。
半導体デバイスの高性能化を可能とする半導体基板として、SOI(Silicon On Insulator)ウエハが注目を浴びている。これは、SOI構造を採用して単結晶シリコン薄膜下に酸化膜を埋め込むことにより、寄生容量を低減し、動作速度を向上させ、消費電力を抑えることが可能となるためである。この埋め込み酸化膜は数μm以上のものが要求されており、大量のウエハを高温で長時間酸化できるバッチ式高温酸化装置が使用されている。
従来の反応室構成部材には石英材料を使用しているが、高温、長時間の熱処理により石英材料が変形し、頻繁に炉内構成部材を交換する必要があった。また、光デバイス、センサー、パワーデバイスで使用される埋め込み酸化膜はさらに厚い膜が要求される。この場合、石英部材のライフタイムはさらに短いものとなる。石英材料の変形を防止するために、石英部材をSiC(炭化珪素)、Si(珪素)材料に置き換えた反応室を備えた炉も存在する。しかし、SiC、Si材料を利用した場合、ウエハに埋め込み酸化膜を形成すると同時にSiC、Si材料表面にも酸化膜が成長することとなる。酸化膜がSiC,Si材料上に厚く形成されると、酸化膜とSiC、Si材料との熱膨張差により酸化膜が剥離し、パーティクル発生の原因となる。パーティクルの発生は埋め込み酸化膜形成時に酸化膜への汚染物質混入等が考えられ、膜厚均一性にも悪影響を及ぼすことが考えられる。すなわち、SiC,Si材料を用いた炉内構成で厚い酸化膜を形成する場合に定期的に炉内構成部材の酸化膜を除去する必要がある。
シリコンウエハ等の基板を酸化処理又はアニール処理するために用いられる例えば縦型の熱処理装置であって、処理炉内での使用温度が1000℃程度以上であり、SiC(炭化珪素)製のボートを使用する技術が、また、処理炉内での使用温度が1200℃を超えるものであり、SiC製の反応管とSiC製のガス導入ノズルを用いる技術が知られている。そして、これらの技術であって、SiC製のボート、SiC製の反応管、及びSiC製のガス導入ノズル等のSiC製の部材の表面に、予めCVD法によりSiC膜をコートする技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、SiC、Si部材の表面が晒された状態(SiC(CVD)コーティングされている状態や酸化膜が堆積されている状態も含む)では、母材がすぐに酸化し、SiO2に改質してしまう。このSiO2膜は、その後のウエットエッチング処理で削れてしまうため、SiC、Si部材の厚みがどんどん薄くなる。その結果、反応容器等のSiC,Si部材の交換頻度が高くなる。また、SiC部材は、母材にFe(鉄),Al(アルミニウム)等の金属成分を含むため、表面のSiC―CVD膜が剥離すると、該金属成分が反応容器内に拡散し、基板が当該金属成分にて汚染されてしまう。また、SiC、Si部材に窒化膜をコーティングした場合に、1,200℃以上の高温では窒化膜が剥がれやすい。
本発明の目的は、基板を処理する領域内の部材の酸化膜成長を抑制することで剥離現象を抑制し、部材を延命させ、メンテナンス頻度を延ばし生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材を提供することにある。
本発明の一態様によれば、少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、前記反応容器内に基板を搬入する工程と、窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板を熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、基板を処理する領域内の部材の酸化膜成長を抑制することで、剥離現象を抑制し、部材を延命させ、メンテナンス頻度を延ばし生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材を提供することができる。
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1に、本発明の実施の形態に係る熱処理装置10の一例を示す。この熱処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。この筺体12の正面側には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚の基板(ウエハ)54(図2参照)が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
図1に、本発明の実施の形態に係る熱処理装置10の一例を示す。この熱処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。この筺体12の正面側には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚の基板(ウエハ)54(図2参照)が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
筺体12内の正面側であって、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。また、このポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22及び基板枚数検知器24が配置されている。ポッド棚20はポッドオープナ22の上方に配置され、基板枚数検知器24はポッドオープナ22に隣接して配置される。ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22は、ポッド16の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド16内の基板54の枚数が基板枚数検知器24により検
知される。
知される。
さらに、筺体12内には、基板移載機26、ノッチアライナ28、及び支持具(ボート)30が配置されている。基板移載機26は、例えば5枚の基板54を取り出すことができるアーム(ツイーザ)32を有し、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ28及び支持具30間で基板54を搬送する。ノッチアライナ28は、基板54に形成されたノッチ又はオリフラを検出して基板54のノッチ又はオリフラを一定の位置に揃えるものである。
さらに、筺体12内の背面側上部には反応炉40が配置されている。この反応炉40内に、複数枚の基板54を装填した支持具30が搬送部としてのエレベータ48a(図2参照)により挿入され熱処理が行われる。
図2に反応炉40の一例を示す。この反応炉40は、炭化珪素(SiC)製の反応管42を有する。この反応管42は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部はフランジ状に形成されている。この反応管42の下方には反応管42を支持するよう石英製のアダプタ44が配置される。このアダプタ44は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部はフランジ状に形成されている。アダプタ44の上端部フランジの上面に反応管42の下端部フランジの下面が当接している。この反応管42とアダプタ44により反応容器43が形成されている。また、反応容器43のうち、アダプタ44を除いた反応管42の周囲には、反応容器内を加熱する加熱部であるヒータ46が配置されている。
反応管42とアダプタ44により形成される反応容器43の下部は、支持具30を挿入するために開放され、この開放部分(炉口部)は、炉口シールキャップ48がOリングを挟んでアダプタ44の下端部フランジの下面に当接することにより密閉されるようにしてある。炉口シールキャップ48は、支持具受け部材としての支持具受け53を介して支持具30を支持し、支持具30と共に昇降可能に設けられている。炉口シールキャップ48と支持具30との間には、石英製の第1の断熱部材52と、この第1の断熱部材52の上部に配置されたSiC製の第2の断熱部材50とが設けられている。支持具30は、SiC製であり、多数枚、例えば25〜100枚の基板54を略水平状態で隙間をもって多段に支持し、反応管42内に装填される。
1200℃以上の高温での処理を可能とするため、反応管42はSiC製としてある。このSiC製の反応管42を炉口部まで延ばし、この炉口部をOリングを介して炉口シールキャップでシールする構造とすると、SiC製の反応管を介して伝達された熱によりシール部まで高温となり、シール材料であるOリングを溶かしてしまうおそれがある。Oリングを溶かさないようSiC製の反応管42のシール部を冷却すると、SiC製の反応管42が温度差による熱膨張差により破損してしまう。そこで、反応容器43のうちヒータ46による加熱領域をSiC製の反応管42で構成し、ヒータ46による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ44で構成することで、SiC製の反応管42からの熱の伝達を和らげ、Oリングを溶かすことなく、また反応管42を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。また、SiC製の反応管42と石英製のアダプタ44とのシールは、双方の面精度を良くすれば、SiC製の反応管42はヒータ46の加熱領域に配置されているため温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、SiC製の反応管42下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ44との間に隙間ができないので、SiC製の反応管42を石英製のアダプタ44に載せるだけでシール性を確保することができる。
アダプタ44には、アダプタ44と一体にガス供給口56とガス排気口59とが設けられている。ガス供給口56にはガス導入管80、81、82、83が、ガス排気口59には排気管62がそれぞれ接続されている。ガス導入管80には、上流側から順に、酸素含有ガス供給部80a、バルブ80b、流量制御器としてのマスフローコントローラ80cが接続されている。ガス導入管81には、上流側から順に、不活性ガス供給部81a、バルブ81b、流量制御器としてのマスフローコントローラ81cが接続されている。ガス導入管82には、上流側から順に、塩素含有ガス供給部82a、バルブ82b、流量制御器としてのマスフローコントローラ82cが接続されている。ガス導入管83には、上流側から順に、窒素含有ガス供給部83a、バルブ83b、流量制御器としてのマスフローコントローラ83cが接続されている。主に、ガス導入管80、酸素含有ガス供給部80a、バルブ80b、マスフローコントローラ80cにより酸化性ガス供給系が構成される。また、主に、ガス導入管81、不活性ガス供給部81a、バルブ81b、マスフローコントローラ81cにより不活性ガス供給系が構成される。また、主に、ガス導入管82、塩素含有ガス供給部82a、バルブ82b、マスフローコントローラ82cにより塩素系ガス供給系が構成される。また、主に、ガス導入管83、窒素含有ガス供給部83a、バルブ83b、マスフローコントローラ83cにより窒化ガス供給系が構成される。酸素含有ガス供給部80aから供給される酸素含有ガスとして、例えばO2(酸素)、O3(オゾン)、H2O(水蒸気)等が用いられる。また、不活性ガス供給部81aから供給される不活性ガスとして、例えばAr(アルゴン)、N2(窒素)等が用いられる。また、炉内クリーニングガスとして使用する塩素含有ガス供給部82aから供給される塩素含有ガスとして、HCl(塩化水素)、Cl2(塩素)、SiH2Cl2(ジクロロシラン)、DCE(ジクロロエチレン)等が用いられる。また、窒素含有ガス供給部83aから供給される窒素含有ガスとして、N2(窒素)、NO(一酸化窒素)、N2O(一酸化二窒素)、NH3(アンモニア)等が用いられる。
アダプタ44の内壁は反応管42の内壁よりも内側にあり(突出しており)、アダプタ44の側壁部(肉厚部)には、ガス供給口56と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路64が設けられ、その上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、反応管42の内部におけるアダプタ44の上端部フランジ側の上面に開口しており、ガス供給口56及びガス導入経路64と連通している。このノズル取付孔には、SiC製のノズル66が挿入され固定されている。すなわち、反応管42内部におけるアダプタ44の反応管42の内壁よりも内側に突出した部分の上面にノズル66が接続され、このアダプタ44の上面によりノズル66が支持されることとなる。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくい。また、ノズル66とアダプタ44の組立て、解体が容易になるというメリットもある。ガス導入管80、81、82、83からガス供給口56に導入された処理ガスは、アダプタ44の側壁部に設けられたガス導入経路64、ノズル66を介して反応管42内に供給される。尚、ノズル66は、反応管42の内壁に沿って基板配列領域の上端よりも上方、すなわち支持具30の上端よりも上方まで延びるように構成される。
次に上述したように構成された熱処理装置10の作用について説明する。
尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ70により制御される。
尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ70により制御される。
まず、ポッドステージ14に複数枚の基板54を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板54の枚数を検知する。
次に、基板移載機26により、ポッドオープナ22の位置にあるポッド16から基板54を取り出し、ノッチアライナ28に移載する。このノッチアライナ28においては、基板54を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板54のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機26により、ノッチアライナ28から基板54を取り出し、支持具30に移載する。
このようにして、1バッチ分の基板54を支持具30に移載すると、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に複数枚の基板54を装填した支持具30を装入し、炉口シールキャップ48により反応炉40内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、バルブ80bを開き、反応容器43内に酸素含有ガスを導入する。酸素含有ガスは、酸素含有ガス供給部80aからバルブ80b、マスフローコントローラ80cを経て、ガス導入管80からガス供給口56、アダプタ44側壁部に設けられたガス導入経路64、及びノズル66を介して反応管42内に処理ガスが導入される(酸化処理工程)。尚、ガス導入は、これに代えて、バルブ80bとバルブ81bとを開き、反応容器43内に酸素含有ガスに加えて不活性ガスを導入してもよい。処理ガスには、窒素(N2)、アルゴン(Ar)、水素(H2)、酸素(O2)、水蒸気(H2O)、オゾン(O3)等が含まれる。尚、処理ガスの流量は、マスフローコントローラ80c、81cによりあらかじめ設定された流量となるよう制御される。基板54を熱処理する際、基板54は例えば1200℃程度以上の温度に加熱される。
基板54の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を600℃程度の温度に降温した後、熱処理後の基板54を支持した支持具30を反応炉40からアンロードし、支持具30に支持された全ての基板54が冷えるまで、支持具30を所定位置で待機させる。
次に、待機させた支持具30の基板54が所定温度まで冷却されると、基板移載機26により、支持具30から基板54を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置18により、基板54が収容されたポッド16をポッド棚20、又はポッドステージ14に搬送して一連の処理(バッチ処理)が完了する。尚、上述した一連の処理を所定回数(所定時間)行った後、または所望のタイミングで反応容器43内のクリーニング(クリーニング工程)を行う。具体的には、以下のようにクリーニング工程を行う。
例えば、600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板54が装填されていない支持具30を挿入し、炉口シールキャップ48により反応容器43内を密閉する。次にバルブ82bを開き、塩素含有ガスを塩素含有ガス供給部82aからバルブ82b、マスフローコントローラ82cを経てガス導入管82からガス供給口56、ガス導入経路64、及びノズル66を介して反応容器43内に導入する。反応容器43内に導入された塩素含有ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気されることにより反応容器43内に付着もしくは浮遊している重金属、例えば鉄(Fe)、銅(Cu)等をクリーニングする。ここで、塩素含有ガスとして、例えばHCl(塩化水素)、Cl2(塩素)、DCE(ジクロロエチレン)等が用いられる。
熱処理装置10の反応炉40内の基板54が熱処理される領域内では、SiC製の熱処理用部材である部材72(例えば反応管42、支持具30、支持具受け53、第2の断熱部材50及びノズル66等)が用いられているが、基板を処理することで酸化膜を形成すると同時に部材72の表面にも酸化膜が成長することとなる。酸化膜が部材72の表面上に厚く形成されると、酸化膜と部材72との熱膨張差により酸化膜が剥離し、パーティクル発生の原因となる。
本実施形態では、基板を処理する領域内の部材72の酸化膜成長を抑制し、剥離現象の発生を抑制し、部材72を延命させるために反応炉40内での基板処理を開始する前に部材72を予め窒化させる。
本実施形態では、基板を処理する領域内の部材72の酸化膜成長を抑制し、剥離現象の発生を抑制し、部材72を延命させるために反応炉40内での基板処理を開始する前に部材72を予め窒化させる。
図3において反応炉40内での基板処理を開始する前、例えば基板処理装置をセットアップ後、反応炉40内で一度も基板処理していない状態もしくは、反応容器43等の反応炉40を構成する部材72をウエット洗浄した後に、予めSiC製の熱処理部材である部材72を窒化させるためのシーケンスを示す。
例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板が装填されていない空の支持具(ボート)30を挿入し、炉口シールキャップ48により反応容器43内を密閉する。次に、反応容器43内に窒素含有ガスを導入する。具体的には、バルブ83bを開き、反応容器43内に窒素含有ガスを導入する。窒素含有ガスは、窒素含有ガス供給部83aかつバルブ83b、マスフローコントローラ83cを経て、ガス導入管83からガス供給口56、アダプタ44側壁部に設けられたガス導入経路64、及びノズル66を介して反応容器43内に窒素含有ガスが導入される。そして、窒素含有ガスが反応容器43内に充満された状態で炉内温度を例えば1350℃程度まで昇温させる。所定時間1350℃程度を保った状態で窒素含有ガスを供給し続け、炉内温度を例えば600℃程度の温度に降温し、反応容器43内に導入された窒素含有ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気される。ここで、窒素含有ガスとして、例えばN2(窒素)、N2O(一酸化二窒素)、NO(一酸化窒素)、NH3(アンモニア)等が用いられる。その後、ガス導入管81から不活性ガスが、ガス供給口56、ガス導入経路64、及びノズル66を介して反応容器43内に導入される。反応容器43内に導入された不活性ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気されることにより反応容器43内から窒素含有ガスを排出し、反応容器43内に充満されたガスを不活性ガスと置換(ガスパージ)する。ここで、不活性ガスとして、例えばAr(アルゴン)、N2(窒素)等が用いられる。その後、空の支持具(ボート)30を反応炉40から引き出す。尚、窒素含有ガスとしてN2(窒素)を用いる場合には、不活性ガスを反応容器43内に導入し、反応容器43内のガスを置換する必要はない。
例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板が装填されていない空の支持具(ボート)30を挿入し、炉口シールキャップ48により反応容器43内を密閉する。次に、反応容器43内に窒素含有ガスを導入する。具体的には、バルブ83bを開き、反応容器43内に窒素含有ガスを導入する。窒素含有ガスは、窒素含有ガス供給部83aかつバルブ83b、マスフローコントローラ83cを経て、ガス導入管83からガス供給口56、アダプタ44側壁部に設けられたガス導入経路64、及びノズル66を介して反応容器43内に窒素含有ガスが導入される。そして、窒素含有ガスが反応容器43内に充満された状態で炉内温度を例えば1350℃程度まで昇温させる。所定時間1350℃程度を保った状態で窒素含有ガスを供給し続け、炉内温度を例えば600℃程度の温度に降温し、反応容器43内に導入された窒素含有ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気される。ここで、窒素含有ガスとして、例えばN2(窒素)、N2O(一酸化二窒素)、NO(一酸化窒素)、NH3(アンモニア)等が用いられる。その後、ガス導入管81から不活性ガスが、ガス供給口56、ガス導入経路64、及びノズル66を介して反応容器43内に導入される。反応容器43内に導入された不活性ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気されることにより反応容器43内から窒素含有ガスを排出し、反応容器43内に充満されたガスを不活性ガスと置換(ガスパージ)する。ここで、不活性ガスとして、例えばAr(アルゴン)、N2(窒素)等が用いられる。その後、空の支持具(ボート)30を反応炉40から引き出す。尚、窒素含有ガスとしてN2(窒素)を用いる場合には、不活性ガスを反応容器43内に導入し、反応容器43内のガスを置換する必要はない。
図4は上述の図3のシーケンスを用いて形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
上述の作用によれば、反応容器43内のSiC母材90aがSiC―CVD膜(単にSiC膜ともいう)90bでコーティングされた部材72としてのSiC部材90の表面は窒化されてSiCNもしくはSiCON(シリコン炭窒化と総称する)90c、またはこれらが混在するものに改質される。
上述の作用によれば、反応容器43内のSiC母材90aがSiC―CVD膜(単にSiC膜ともいう)90bでコーティングされた部材72としてのSiC部材90の表面は窒化されてSiCNもしくはSiCON(シリコン炭窒化と総称する)90c、またはこれらが混在するものに改質される。
なお、本実施の形態においては、ガス供給口56にガス導入管83が接続され、窒素含有ガスが他の処理ガスと同様、ガス導入経路64、ノズル66を介して反応管42内に供給されるとしたが、ガス導入管80、81、82とは別の導入管に接続し、さらにノズル66とは別のノズルを介して反応管42内に窒素含有ガスを供給するようにしてもよい。
次に、本発明の第2の実施形態として、反応容器43内で基板を処理すると共にSiC製の熱処理部材である部材72を窒化させる例について説明する。
図5(a)は、本発明の第2の実施形態に係る処理シーケンスを示し、(b)は(a)により形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
図5(a)に示すように、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板54が載置されたボート30を挿入後、酸素含有ガスが導入された状態で1350℃程度まで昇温する。具体的には、バルブ80bを開き、反応容器43内に酸素含有ガスを導入する。酸素含有ガスは、酸素含有ガス供給部80aからバルブ80b、マスフローコントローラ80cを経て、ガス導入管80からガス供給口56、ガス導入経路64及びノズル66を介して反応容器43内に酸素含有ガスを導入される。反応容器43内に導入された酸素含有ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気される。これにより、基板54上及び反応容器43内の熱処理部材72の表面上に酸化膜が成長する。その後、1350℃程度に保った状態で所定時間経過した後、反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されることにより反応容器43内をガスパージする。その後、1350℃程度に保った状態で、反応容器43内に上述の窒素含有ガスが所定時間導入される。これにより少なくとも反応容器43内のSiC製の熱処理部材72の表面が窒化する。その後、反応容器43内を600℃程度まで降温する。そして、反応容器43内を600℃程度に保った状態で反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されることにより反応容器43内をガスパージをする。ここで、酸素含有ガスとして、O2(酸素)、H2O(水蒸気)、O3(オゾン)等が用いられる。また、不活性ガスとしては、Ar(アルゴン)、N2(窒素)等が用いられる。窒素含有ガスとしては、N2(窒素)、N2O(一酸化二窒素)、NO(一酸化窒素)、NH3(アンモニア)等が用いられる。そして、処理済みの基板54が載置されたボート30を反応炉40から引き出す。
結果、図5(b)に示すように、反応容器43のSiC母材90aがSiC―CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90の表面の一部が改質、他の一部は堆積によりSiO2膜92が形成される。そして、SiC部材90(SiC―CVD膜90b)におけるSiO2膜92側の界面は窒化されてSiCN、SiCON(シリコン炭窒化)90cに改質される。
図5(a)は、本発明の第2の実施形態に係る処理シーケンスを示し、(b)は(a)により形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
図5(a)に示すように、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板54が載置されたボート30を挿入後、酸素含有ガスが導入された状態で1350℃程度まで昇温する。具体的には、バルブ80bを開き、反応容器43内に酸素含有ガスを導入する。酸素含有ガスは、酸素含有ガス供給部80aからバルブ80b、マスフローコントローラ80cを経て、ガス導入管80からガス供給口56、ガス導入経路64及びノズル66を介して反応容器43内に酸素含有ガスを導入される。反応容器43内に導入された酸素含有ガスは、ガス排気口59、排気管62を通り排気される。これにより、基板54上及び反応容器43内の熱処理部材72の表面上に酸化膜が成長する。その後、1350℃程度に保った状態で所定時間経過した後、反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されることにより反応容器43内をガスパージする。その後、1350℃程度に保った状態で、反応容器43内に上述の窒素含有ガスが所定時間導入される。これにより少なくとも反応容器43内のSiC製の熱処理部材72の表面が窒化する。その後、反応容器43内を600℃程度まで降温する。そして、反応容器43内を600℃程度に保った状態で反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されることにより反応容器43内をガスパージをする。ここで、酸素含有ガスとして、O2(酸素)、H2O(水蒸気)、O3(オゾン)等が用いられる。また、不活性ガスとしては、Ar(アルゴン)、N2(窒素)等が用いられる。窒素含有ガスとしては、N2(窒素)、N2O(一酸化二窒素)、NO(一酸化窒素)、NH3(アンモニア)等が用いられる。そして、処理済みの基板54が載置されたボート30を反応炉40から引き出す。
結果、図5(b)に示すように、反応容器43のSiC母材90aがSiC―CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90の表面の一部が改質、他の一部は堆積によりSiO2膜92が形成される。そして、SiC部材90(SiC―CVD膜90b)におけるSiO2膜92側の界面は窒化されてSiCN、SiCON(シリコン炭窒化)90cに改質される。
次に、本発明の第3の実施形態として、反応容器43内での基板の処理(熱処理工程)を所定回数もしくは所定時間行った後に、基板を処理する領域内の部材72のさらなる酸化膜成長を抑制し、剥離現象の発生を抑制し、部材72を延命させるべく、部材72を窒化させる。
反応容器43内で基板処理(熱処理工程)を所定回数もしくは所定時間行った後、すなわち部材72に酸化膜が成長した後に部材72を窒化させるためのシーケンスは図3であり、第1の実施形態と同様である。
結果、第2の実施形態に係る図5(b)に示すのと同様に、SiC部材90におけるSiC−CVD膜90bの表面が改質されたSiO2膜92側のSiC−CVD膜90bの界面は窒化されてSiCN、SiCON(シリコン炭窒化)90cに改質される。
反応容器43内で基板処理(熱処理工程)を所定回数もしくは所定時間行った後、すなわち部材72に酸化膜が成長した後に部材72を窒化させるためのシーケンスは図3であり、第1の実施形態と同様である。
結果、第2の実施形態に係る図5(b)に示すのと同様に、SiC部材90におけるSiC−CVD膜90bの表面が改質されたSiO2膜92側のSiC−CVD膜90bの界面は窒化されてSiCN、SiCON(シリコン炭窒化)90cに改質される。
なお、これらSiC製の部材72(例えば反応管42、支持具30、支持具受け53、第2の断熱部材50及びノズル66等)の全部もしくはその一部の代わりにSi製の熱処理用部材を用いてもよい。
本発明の第4の実施形態として、SiC製部材の代わりにSi製の熱処理用部材を使用して、反応炉40内での基板処理を開始する前に予めSi製の熱処理部材である部材72を窒化させるための例について説明する。尚、SiC製部材の代わりにSi製の熱処理部材を使用する点以外は概ね第1の実施形態と同様である。
図6(a)は、本発明の第4の実施形態に係る処理シーケンスを示し、(b)は(a)により形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
第4の実施形態においては、反応容器43にSi製部材を使用し、図6(a)に示すように、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に空のボート30を挿入し、反応容器43内に上述の窒素含有ガスが充満された状態で1350℃程度まで昇温する。その後、所定時間1350℃程度を保ち、反応容器43内を600℃程度に降温させる。これにより、反応容器43内のSi製の熱処理部材72が窒化する。その後、反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されて炉内をガスパージする。そして、空のボート30を反応炉40から引き出す。
結果、図6(b)に示すように反応容器43のSi部材94の表面は窒化されてSiON(シリコン酸窒化)94cに改質される。
図6(a)は、本発明の第4の実施形態に係る処理シーケンスを示し、(b)は(a)により形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
第4の実施形態においては、反応容器43にSi製部材を使用し、図6(a)に示すように、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に空のボート30を挿入し、反応容器43内に上述の窒素含有ガスが充満された状態で1350℃程度まで昇温する。その後、所定時間1350℃程度を保ち、反応容器43内を600℃程度に降温させる。これにより、反応容器43内のSi製の熱処理部材72が窒化する。その後、反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されて炉内をガスパージする。そして、空のボート30を反応炉40から引き出す。
結果、図6(b)に示すように反応容器43のSi部材94の表面は窒化されてSiON(シリコン酸窒化)94cに改質される。
次に、本発明の第5の実施形態として、基板を処理すると共にSi製の熱処理部材である部材72を窒化させる例について説明する。尚、SiC製の熱処理部材の代わりにSi製の熱処理部材を使用する点以外は概ね、第2の実施形態と同様である。
図7(a)は、本発明の第5の実施形態に係る処理シーケンスを示し、(b)は(a)により形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
第5の実施形態においては、処理容器43等にSi部材を使用し、図7(a)に示すように、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板54が載置されたボート30を挿入し、反応容器43内に上述の酸素含有ガスが充満された状態で1350℃程度まで昇温し、維持する。その後、反応容器43内を1350℃程度以上に保った状態で上述の不活性ガスが導入されてガスパージし、その後、1350℃程度以上に保った状態で、反応容器43内に窒素含有ガスが導入され、600℃程度まで降温する。その後、600℃程度に保った状態で反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されてガスパージをする。そして、処理済みの基板54が載置されたボート30を反応炉40から引き出す。
結果、図7(b)に示すように、反応容器43のSi部材94の表面の一部が改質、他の一部は堆積により、SiO2膜92が形成され、Si部材94の界面は窒化されてSiON(シリコン酸窒化)94cに改質される。
図7(a)は、本発明の第5の実施形態に係る処理シーケンスを示し、(b)は(a)により形成された反応容器43の表面付近の断面が示されている。
第5の実施形態においては、処理容器43等にSi部材を使用し、図7(a)に示すように、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40(反応容器43)内に基板54が載置されたボート30を挿入し、反応容器43内に上述の酸素含有ガスが充満された状態で1350℃程度まで昇温し、維持する。その後、反応容器43内を1350℃程度以上に保った状態で上述の不活性ガスが導入されてガスパージし、その後、1350℃程度以上に保った状態で、反応容器43内に窒素含有ガスが導入され、600℃程度まで降温する。その後、600℃程度に保った状態で反応容器43内に上述の不活性ガスが導入されてガスパージをする。そして、処理済みの基板54が載置されたボート30を反応炉40から引き出す。
結果、図7(b)に示すように、反応容器43のSi部材94の表面の一部が改質、他の一部は堆積により、SiO2膜92が形成され、Si部材94の界面は窒化されてSiON(シリコン酸窒化)94cに改質される。
次に、本発明の第6の実施形態として、Si部材である反応容器43内での基板の処理(熱処理工程)を所定回数もしくは所定時間行った後に、基板を処理する領域内のSi製の熱処理部材である部材72のさらなる酸化膜成長を抑制し、剥離現象の発生を抑制し、部材72を延命させるべく、部材72を窒化させる。
反応容器43内で基板処理(熱処理工程)を所定回数もしくは所定時間行った後、すなわち部材72に酸化膜が成長した後に部材72を窒化させるためのシーケンスは図6であり、第4の実施形態と同様である。
結果、第5の実施形態に係る図7(b)に示すのと同様に、Si部材94の表面の一部が改質、他の一部は堆積により、SiO2膜92が形成され、Si部材94の界面は窒化されてSiON(シリコン酸窒化)94cに改質される。
反応容器43内で基板処理(熱処理工程)を所定回数もしくは所定時間行った後、すなわち部材72に酸化膜が成長した後に部材72を窒化させるためのシーケンスは図6であり、第4の実施形態と同様である。
結果、第5の実施形態に係る図7(b)に示すのと同様に、Si部材94の表面の一部が改質、他の一部は堆積により、SiO2膜92が形成され、Si部材94の界面は窒化されてSiON(シリコン酸窒化)94cに改質される。
尚、SiC製及びSi製の部材は、好適な条件として、反応容器内の温度を1350℃とすることで窒化させることとしたが、これに限らず1000℃以上1400℃以下であれば熱処理装置を熱劣化させることなく窒化させることができる。そのため、反応容器内を1350℃に温度維持されている状態で、窒素含有ガスを反応容器内に供給し、SiC製若しくはSi製の部材を窒化させても良いが、好ましくは、反応容器内を昇温させる過程、例えば600℃から昇温させる過程で窒素含有ガスを反応容器内に供給し始めると窒化時間が短縮し、スループットを向上させることができる。
さらに、SiC製及びSi製の部材は、反応容器内の温度が1000℃以上1800℃以下で窒化させてもよい。
さらに、SiC製及びSi製の部材は、反応容器内の温度が1000℃以上1800℃以下で窒化させてもよい。
比較例
図8は、SiC−CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90aの断面図であり、表面を酸素雰囲気下に晒した場合の部材の変化を示す一例である。図9は、支持具30に支持されたSi基板54上への1回の酸化処理(1バッチ)ごとのSiC製の熱処理部材72としての反応容器43の内壁に形成される酸化膜の厚みとの関係を示す一例の表である。図8(a)は、SiC−CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90aを示し、SiC−CVD膜90bの膜厚は例えば50〜100μmである。Si基板54上に、2ミクロン(μm)/バッチの酸化処理を実施することにより、図8(b)及び図9に示すように、SiC−CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90aの表面には約1.4μmのSiO2膜92が形成される。ウエット洗浄等のメンテナンスを実施せずに、次のバッチでもSi基板54に2ミクロン(μm)/バッチの酸化処理を実施すると反応容器43の内壁には、2.0ミクロン(μm)のSiO2膜が累積・形成される。さらに、このSi基板54に対する2ミクロン(μm)の酸化処理を繰り返し、7バッチの酸化処理を実施することにより、図8(c)及び図9に示すように、累積されたSiO2膜92の膜厚は4μmを超える。ここで、SiC材料上の酸化膜厚と異物発生量の関係を図10に示す。横軸は、SiC製の部材上の酸化膜の膜厚、縦軸は、支持具30に支持されたウエハ(基板)54の1枚に付着した異物の数を示す。■印は、0.10ミクロン(μm)より大きく0.20ミクロン(μm)以下のサイズの異物、●印は、0.20ミクロン(μm)より大きく1.00ミクロン(μm)以下のサイズの異物、○印は、1.00ミクロン(μm)より大きいサイズの異物として示す。図10から分かるように、SiC材料上の酸化膜厚が4〜5μm程度から異物の増加が見られ、酸化膜の剥離現象が起こる膜厚はおよそ4μm程度と推測される。すなわち、図9に示すように7バッチでメンテナンスが必要であることが分かる。メンテナンス、すなわち、反応炉40から熱処理部材72を取外し、フッ酸(HF)等によるウエット洗浄を実施することにより図8(d)に示すように、酸化膜(SiO2膜92)が除去され、改質により酸化されたSiC−CVD膜90bも除去されてしまう。この除去されるSiC−CVD膜90bの膜厚はSiO2膜92の約半分程度の膜厚−2ミクロン(μm)である。すなわち、SiC、Si部材の表面が晒された状態では、SiC、Si部材がすぐに酸化し、SiO2膜92に改質してしまう。このSiO2膜92は、その後のウエットエッチング処理で削れてしまうため、SiC、Si部材の厚みがどんどん薄くなる。その結果、反応容器等のSiC,Si部材の交換頻度が高くなる。尚、一般的にSiC部材の純度はSiC−CVD膜の純度より劣り、Fe、Al等の金属成分を多く含む。そのため、SiC−CVD膜が形成されたSiC部材の場合、SiC−CVD膜が除去され、SiC部材が表面にむき出されると金属成分が反応容器内に拡散し、基板が金属成分にて汚染してしまうため交換する必要が生じてしまい、よりいっそう交換頻度が高くなる。
次に、図11は、SiC部材90aの表面に窒化膜であるSi3N4膜をコーティングした場合のSi3N4膜厚と炉内の温度差との関係を示す。図11に示すように、例えば通常の処理である600℃程度の温度に保った反応室内にウエハを挿入した後に熱処理温度である例えば1200℃に昇温する場合、温度差ΔTが600℃となるため、Si3N4膜厚が0.8μm以上になると、膜剥れが発生すると予想される。そのためSi3N4膜のコーティングをすると逆に異物発生の要因となってしまうと考えられる。
図8は、SiC−CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90aの断面図であり、表面を酸素雰囲気下に晒した場合の部材の変化を示す一例である。図9は、支持具30に支持されたSi基板54上への1回の酸化処理(1バッチ)ごとのSiC製の熱処理部材72としての反応容器43の内壁に形成される酸化膜の厚みとの関係を示す一例の表である。図8(a)は、SiC−CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90aを示し、SiC−CVD膜90bの膜厚は例えば50〜100μmである。Si基板54上に、2ミクロン(μm)/バッチの酸化処理を実施することにより、図8(b)及び図9に示すように、SiC−CVD膜90bでコーティングされたSiC部材90aの表面には約1.4μmのSiO2膜92が形成される。ウエット洗浄等のメンテナンスを実施せずに、次のバッチでもSi基板54に2ミクロン(μm)/バッチの酸化処理を実施すると反応容器43の内壁には、2.0ミクロン(μm)のSiO2膜が累積・形成される。さらに、このSi基板54に対する2ミクロン(μm)の酸化処理を繰り返し、7バッチの酸化処理を実施することにより、図8(c)及び図9に示すように、累積されたSiO2膜92の膜厚は4μmを超える。ここで、SiC材料上の酸化膜厚と異物発生量の関係を図10に示す。横軸は、SiC製の部材上の酸化膜の膜厚、縦軸は、支持具30に支持されたウエハ(基板)54の1枚に付着した異物の数を示す。■印は、0.10ミクロン(μm)より大きく0.20ミクロン(μm)以下のサイズの異物、●印は、0.20ミクロン(μm)より大きく1.00ミクロン(μm)以下のサイズの異物、○印は、1.00ミクロン(μm)より大きいサイズの異物として示す。図10から分かるように、SiC材料上の酸化膜厚が4〜5μm程度から異物の増加が見られ、酸化膜の剥離現象が起こる膜厚はおよそ4μm程度と推測される。すなわち、図9に示すように7バッチでメンテナンスが必要であることが分かる。メンテナンス、すなわち、反応炉40から熱処理部材72を取外し、フッ酸(HF)等によるウエット洗浄を実施することにより図8(d)に示すように、酸化膜(SiO2膜92)が除去され、改質により酸化されたSiC−CVD膜90bも除去されてしまう。この除去されるSiC−CVD膜90bの膜厚はSiO2膜92の約半分程度の膜厚−2ミクロン(μm)である。すなわち、SiC、Si部材の表面が晒された状態では、SiC、Si部材がすぐに酸化し、SiO2膜92に改質してしまう。このSiO2膜92は、その後のウエットエッチング処理で削れてしまうため、SiC、Si部材の厚みがどんどん薄くなる。その結果、反応容器等のSiC,Si部材の交換頻度が高くなる。尚、一般的にSiC部材の純度はSiC−CVD膜の純度より劣り、Fe、Al等の金属成分を多く含む。そのため、SiC−CVD膜が形成されたSiC部材の場合、SiC−CVD膜が除去され、SiC部材が表面にむき出されると金属成分が反応容器内に拡散し、基板が金属成分にて汚染してしまうため交換する必要が生じてしまい、よりいっそう交換頻度が高くなる。
次に、図11は、SiC部材90aの表面に窒化膜であるSi3N4膜をコーティングした場合のSi3N4膜厚と炉内の温度差との関係を示す。図11に示すように、例えば通常の処理である600℃程度の温度に保った反応室内にウエハを挿入した後に熱処理温度である例えば1200℃に昇温する場合、温度差ΔTが600℃となるため、Si3N4膜厚が0.8μm以上になると、膜剥れが発生すると予想される。そのためSi3N4膜のコーティングをすると逆に異物発生の要因となってしまうと考えられる。
以上のように、SiC、Si部材が晒された状態(SiC−CVDコーティングされている状態や酸化膜が堆積されている状態も含む)では、部材が酸化し、SiO2に改質してしまう。また、SiC、Si部材に窒化膜をコーティングした場合に1,200℃以上の高温では、窒化膜が剥がれてしまうのに対し、本実施の形態によれば、SiC、Si部材の表面又はSiC、Si部材の界面(SiC−CVDコーティングされている状態や酸化膜が堆積されている状態も含む)を窒化させておくことによりSiC,Si部材の酸化を遅らせることができ、剥離現象の発生を抑制し、熱処理部材を延命させ、メンテナンス頻度を延ばし生産性を向上させることができる。
なお、上記実施形態においては、反応容器43を挙げてSiC,Si部材の表面、又はSiC、Si部材の界面を窒化させる形態について説明したが、これに限らず、熱処理装置10の反応炉40内の基板54が熱処理される領域内にある熱処理用部材(例えば反応管42、支持具30、支持具受け53、第2の断熱部材50及びノズル66等)においても、上記と同様の効果が得られる。
本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に記載した事項も含まれる。
(1)少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、前記反応容器内に基板を搬入する工程と、窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板に酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
(2)前記窒素含有ガスは、窒素(N2)、一酸化二窒素(N2O)、一酸化窒素(NO)、アンモニア(NH3)ガスのうちいずれかのガスである請求項1又は(1)記載の半導体装置の製造方法。
(3)前記窒化工程では、前記部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質する請求項1又は(1)記載の半導体装置の製造方法。
(4)前記酸素含有ガスは、酸素(O2)、オゾン(O3)ガス、水蒸気(H2O)のうちいずれかのガスである(1)記載の半導体装置の製造方法。
(5)前記熱処理工程では、前記基板を1200℃以上で加熱する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
(6)前記酸化膜形成工程では、前記基板を1200℃以上で加熱する(1)記載の半導体装置の製造方法。
(7)前記酸化膜形成工程を1回以上行い、前記反応容器内から基板が取り出された状態で、前記反応容器内に、窒素含有ガスを供給して前記部材の表面を窒化させる工程を行う請求項1記載の半導体装置の製造方法。
(8)前記酸化膜形成工程の後、前記反応容器内から前記基板を搬出し、前記反応容器内に塩素含有ガスを供給して前記反応容器内をクリーニングする工程を有する(1)記載の半導体装置の製造方法。
(9)前記塩素含有ガスは、塩化水素(HCl)、塩素(Cl2)、ジクロルシラン(DCE)のうちいずれかのガスである(8)記載の半導体装置の製造方法。
(10)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材、またはシリコン製若しくは炭化珪素製の部材表面に炭化珪素膜が形成され、内部で基板を処理する反応容器を備える熱処理装置であって、前記反応容器は少なくも部材表面の一部がシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質されている熱処理装置。
(11)前記反応容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給部をさらに備え、前記制御部は、前記反応容器内を加熱しつつ、前記反応容器内に窒素含有ガスを供給して前記部材の表面を窒化させた後、前記搬送部により前記基板を反応容器内へ挿入し、前記窒化された前記部材、または前記窒化された表面に炭化珪素膜が形成された前記部材の一部が露出した前記反応容器内で前記基板に酸化膜を形成するよう制御する請求項1記載の熱処理装置。
(12)少なくとも一部にシリコン製若しくは炭化珪素製の部材を有する熱処理部材であって、少なくも内表面の一部がシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質されてなる熱処理部材。
(13)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材上に炭化珪素膜を形成する工程と、前記部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する熱処理用部材の製造方法。
(14)シリコン製若しくは炭化珪素製の反応容器の少なくとも内表面上に炭化珪素膜を形成する工程と、前記反応容器の少なくとも内表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する熱処理用部材の製造方法。
(15)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する熱処理用部材の製造方法。
(16)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する反応容器の製造方法。
(1)少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、前記反応容器内に基板を搬入する工程と、窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板に酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
(2)前記窒素含有ガスは、窒素(N2)、一酸化二窒素(N2O)、一酸化窒素(NO)、アンモニア(NH3)ガスのうちいずれかのガスである請求項1又は(1)記載の半導体装置の製造方法。
(3)前記窒化工程では、前記部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質する請求項1又は(1)記載の半導体装置の製造方法。
(4)前記酸素含有ガスは、酸素(O2)、オゾン(O3)ガス、水蒸気(H2O)のうちいずれかのガスである(1)記載の半導体装置の製造方法。
(5)前記熱処理工程では、前記基板を1200℃以上で加熱する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
(6)前記酸化膜形成工程では、前記基板を1200℃以上で加熱する(1)記載の半導体装置の製造方法。
(7)前記酸化膜形成工程を1回以上行い、前記反応容器内から基板が取り出された状態で、前記反応容器内に、窒素含有ガスを供給して前記部材の表面を窒化させる工程を行う請求項1記載の半導体装置の製造方法。
(8)前記酸化膜形成工程の後、前記反応容器内から前記基板を搬出し、前記反応容器内に塩素含有ガスを供給して前記反応容器内をクリーニングする工程を有する(1)記載の半導体装置の製造方法。
(9)前記塩素含有ガスは、塩化水素(HCl)、塩素(Cl2)、ジクロルシラン(DCE)のうちいずれかのガスである(8)記載の半導体装置の製造方法。
(10)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材、またはシリコン製若しくは炭化珪素製の部材表面に炭化珪素膜が形成され、内部で基板を処理する反応容器を備える熱処理装置であって、前記反応容器は少なくも部材表面の一部がシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質されている熱処理装置。
(11)前記反応容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給部をさらに備え、前記制御部は、前記反応容器内を加熱しつつ、前記反応容器内に窒素含有ガスを供給して前記部材の表面を窒化させた後、前記搬送部により前記基板を反応容器内へ挿入し、前記窒化された前記部材、または前記窒化された表面に炭化珪素膜が形成された前記部材の一部が露出した前記反応容器内で前記基板に酸化膜を形成するよう制御する請求項1記載の熱処理装置。
(12)少なくとも一部にシリコン製若しくは炭化珪素製の部材を有する熱処理部材であって、少なくも内表面の一部がシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質されてなる熱処理部材。
(13)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材上に炭化珪素膜を形成する工程と、前記部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する熱処理用部材の製造方法。
(14)シリコン製若しくは炭化珪素製の反応容器の少なくとも内表面上に炭化珪素膜を形成する工程と、前記反応容器の少なくとも内表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する熱処理用部材の製造方法。
(15)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する熱処理用部材の製造方法。
(16)シリコン製若しくは炭化珪素製の部材の少なくとも表面の一部をシリコン炭窒化(SiCN、SiCON)又はシリコン酸窒化(SiON)に改質させる工程と、を有する反応容器の製造方法。
10 熱処理装置
30 支持具
40 反応炉
42 反応管
43 反応容器
60 ガス導入管
90 SiC部材
90a SiC母材
90b SiC−CVD膜
90c SiCN、SiCON
92 SiO2膜
94 Si部材
94c SiON
30 支持具
40 反応炉
42 反応管
43 反応容器
60 ガス導入管
90 SiC部材
90a SiC母材
90b SiC−CVD膜
90c SiCN、SiCON
92 SiO2膜
94 Si部材
94c SiON
Claims (3)
- 少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、
前記反応容器内に基板を搬入する工程と、
窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板を熱処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有し、内部で基板を熱処理する反応容器と、
前記反応容器内を加熱する加熱部と、
前記反応容器内に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給部と、
前記反応容器内外へ前記基板を挿入出する搬送部と、
前記加熱部、前記窒素含有ガス供給部及び前記搬送部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記反応容器内を加熱しつつ、前記反応容器内に窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させた後、前記搬送部により前記基板を反応容器内へ挿入し、前記窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板を熱処理するよう制御する熱処理装置。 - 少なくとも一部にシリコン製若しくは炭化珪素製の部材を有する熱処理用部材であって、少なくも表面の一部がシリコン炭窒化又はシリコン酸窒化に改質されてなる熱処理用部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009135305A JP2010283153A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009135305A JP2010283153A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283153A true JP2010283153A (ja) | 2010-12-16 |
Family
ID=43539645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009135305A Pending JP2010283153A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2010283153A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015079621A1 (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 信越半導体株式会社 | 熱処理方法 |
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2009
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KR101983166B1 (ko) | 2013-12-27 | 2019-05-28 | 삼성전기주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법 |
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